一種陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前，大多數(shù)顯示裝置由相對設置的彩膜基板和陣列基板構(gòu)成，其中，陣列基板內(nèi)由交叉設置的柵線和數(shù)據(jù)線劃分出多個像素單元，在每個像素單元內(nèi)，TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶體管)的柵極與柵線相連，TFT的漏極與數(shù)據(jù)線相連，這樣，在柵線打開的情況下，通過數(shù)據(jù)線向TFT的漏極輸入相應電壓，實現(xiàn)對應像素單元的充放電過程。
[0003]對于排布為雙柵逆序?qū)?Dual Gate+z-1nvers1n)結(jié)構(gòu)的陣列基板，如圖1所示，以相鄰的兩個像素單元為例，第一柵線11與第一 TFT 13的柵極相連，第二柵線12與第二TFT 14的柵極相連，數(shù)據(jù)線15通過兩個分支，分別與第一 TFT 13和第二 TFT 14的漏極相連，進而通過第一柵線11與數(shù)據(jù)線15的相互作用控制第一像素單元01的充放電過程，通過第二柵線12與數(shù)據(jù)線15的相互作用控制第二像素單元02的充放電過程。
[0004]然而，由于數(shù)據(jù)線13的線寬較窄，在制作陣列基板時，數(shù)據(jù)線13會出現(xiàn)斷路現(xiàn)象，例如，數(shù)據(jù)線13在鍍膜過程中受鍍膜條件及鍍膜環(huán)境影響，在后工藝發(fā)生膜層脫落現(xiàn)象，導致數(shù)據(jù)線13會出現(xiàn)斷路，以使得數(shù)據(jù)線內(nèi)的數(shù)據(jù)信號不能正常傳輸至相應的TFT內(nèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可一定程度避免由于陣列基板內(nèi)數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷路現(xiàn)象，而導致陣列基板出現(xiàn)不良。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0007]—方面，本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板，包括平行設置的多組柵線對，以及與所述柵線對交叉設置的數(shù)據(jù)線，每個柵線對包括第一柵線和第二柵線，所述第一柵線、所述第二柵線與相鄰的兩條數(shù)據(jù)線劃分出一個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括第一像素單元和第二像素單元，且所述第一像素單元和所述第二像素單元位于所述兩條數(shù)據(jù)線中第一數(shù)據(jù)線的同一側(cè)；
[0008]所述第一像素單元內(nèi)設置有第一像素電極，所述第一像素電極與第一 TFT的漏極相連，所述第一 TFT的柵極與所述第一柵線相連，所述第一 TFT的源極與第一分支相連；
[0009]所述第二像素單元內(nèi)設置有第二像素電極，所述第二像素電極與第二 TFT的漏極相連，所述第二 TFT的柵極與所述第二柵線相連，所述第二 TFT的源極與第二分支相連；
[0010]其中，所述第一分支和所述第二分支均與所述第一數(shù)據(jù)線相連，并且，所述第一分支與所述第二分支之間導通。
[0011]進一步地，所述第一分支與所述第二分支之間設有導電體。
[0012]進一步地，所述導電體為導線，所述導線與所述數(shù)據(jù)線同層設置。
[0013]進一步地，所述導線的材料與所述數(shù)據(jù)線的材料相同。
[0014]又或者，所述導電體為ITO材料制成的ITO導體，所述ITO導體與所述第一像素電極和第二像素電極同層設置。
[0015]進一步地，所述第一 TFT與所述第二 TFT之間還設置有公共電極線，其中，
[0016]所述公共電極線中的第一鏤空部分設置于所述公共電極線與所述導電體之間的交疊區(qū)域。
[0017]進一步地，所述公共電極線包括位于第一像素單元的第一部分、位于第二像素單元的第二部分、以及連接所述第一部分和所述第二部分的連通區(qū)域，所述連通區(qū)域的面積小于所述導電體所占的面積。
[0018]進一步地，所述第一部分分別沿所述導電體和所述第二柵線設置；所述第二部分分別沿所述導電體和所述第一柵線設置。
[0019]進一步地，所述公共電極線還包括與所述第一部分相連的第二鏤空部分，所述第二鏤空部分沿所述第一數(shù)據(jù)線設置于所述公共電極線與所述第一數(shù)據(jù)線之間的交疊區(qū)域。
[0020]另一方面，本發(fā)明的實施例提供一種顯示裝置，包括上述任一項陣列基板。
[0021]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，該陣列基板包括平行設置的多組柵線對，以及與柵線對交叉設置的數(shù)據(jù)線，每個柵線對包括第一柵線和第二柵線，該第一柵線、第二柵線與相連兩條數(shù)據(jù)線劃分出一個像素區(qū)域，該像素區(qū)域包括第一像素單元和第二像素單元，且該第一像素單元和第二像素單元位于該兩條數(shù)據(jù)中第一數(shù)據(jù)線的同一側(cè)；具體的，該第一像素單元內(nèi)設置有第一像素電極，第一像素電極與第一 TFT的漏極相連，第一TFT的柵極與第一柵線相連，第一 TFT的源極與第一分支相連；該第二像素單元內(nèi)設置有第二像素電極，第二像素電極與第二 TFT 34的漏極相連，第二 TFT 34的柵極與第二柵線相連，第二 TFT 34的源極與第二分支相連；其中，第一分支與第二分支均與第一數(shù)據(jù)線相連，并且，該第一分支與第二分支之間導通，與第一數(shù)據(jù)線形成閉環(huán)連接。這樣一來，當?shù)谝粩?shù)據(jù)線、第一分支或第二分支任意處斷開，導致短路現(xiàn)象時，由于第一分支、第二分支與第一數(shù)據(jù)線形成閉合的回路，因此，第一數(shù)據(jù)線內(nèi)的數(shù)據(jù)信號可以從未發(fā)生斷開的分支通過，以保證第一 TFT和第二 TFT 34接收到數(shù)據(jù)信號，實現(xiàn)對應像素單元的充放電過程，可一定程度避免由于陣列基板內(nèi)數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷路現(xiàn)象，而導致陣列基板出現(xiàn)不良。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為現(xiàn)有技術中雙柵逆序?qū)Y(jié)構(gòu)的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明的實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0025]圖3為本發(fā)明的實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0026]圖4為本發(fā)明的實施例提供的數(shù)據(jù)線斷開時陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0027]圖5為本發(fā)明的實施例提供的數(shù)據(jù)線斷開時陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0028]圖6為本發(fā)明的實施例提供的數(shù)據(jù)線與柵線發(fā)生短路時陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖7為本發(fā)明的實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0030]圖8為本發(fā)明的實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0031]圖9為本發(fā)明的實施例提供的導線與公共電極線發(fā)生短路時陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖10為本發(fā)明的實施例提供的第一數(shù)據(jù)線與公共電極線發(fā)生短路時陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0033]以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、接口、技術之類的具體細節(jié)，以便透徹理解本發(fā)明。然而，本領域的技術人員應當清楚，在沒有這些具體細節(jié)的其它實施例中也可以實現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況中，省略對眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細說明，以免不必要的細節(jié)妨礙本發(fā)明的描述。
[0034]另外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0035]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括:平行設置的多組柵線對21，以及與柵線對21交叉設置的數(shù)據(jù)線22，每個柵線對21包括第一柵線211和第二柵線212。
[0036]該第一柵線211、第二柵線212與相鄰的兩條數(shù)據(jù)線22劃分出一個像素區(qū)域100，該像素區(qū)域100包括第一像素單元和第二像素單元，且第一像素單元和第二像素單元位于第一數(shù)據(jù)線22 (設第一數(shù)據(jù)線為圖2中兩條數(shù)據(jù)線中左邊的數(shù)據(jù)線，應當理解的是，該第一數(shù)據(jù)線也可以為圖2中兩條數(shù)據(jù)線中右邊的數(shù)據(jù)線)的同一側(cè)。
[0037]具體的，第一像素單元內(nèi)設置有第一像素電極31，第一像素電極31與第一 TFT 32的漏極相連，第一 TFT 32的柵極與第一柵線211相連，第一 TFT 32的源極與第一分支221相連；第二像素單元內(nèi)設置有第二像素電極33，第二像素電極33與第二 TFT 34的漏極相連，第二 TFT 34的柵極與第二柵線212相連，第二 TFT 34的源極與第二分支222相連，該第一分支221和第二分支222均與第一數(shù)據(jù)線22相連，作為該第一數(shù)據(jù)線22的兩個分支。
[0038]其中，該第一分支221與第二分支222之間可以導通，與第一數(shù)據(jù)線22形成閉環(huán)連接。
[0039]這樣一來，當?shù)谝粩?shù)據(jù)線22、第一分支221或第二分支222任意處斷開，導致斷路現(xiàn)象時，由于第一分支221、第二分支222與第一數(shù)據(jù)線22形成閉合的回路，因此，第一數(shù)據(jù)線22內(nèi)的數(shù)據(jù)信號可以從未發(fā)生斷開的分支通過，以保證第一 TFT32和第二 TFT 34接收到數(shù)據(jù)信號，實現(xiàn)對應像素單元的充放電過程，可一定程度避免由于陣列基板內(nèi)第一數(shù)據(jù)線22出現(xiàn)斷路現(xiàn)象，而導致陣列基板出現(xiàn)不良。
[0040]具體的，該第一分支221與第二分支222之間可以設置有導電體，該導電體分別與第一分支221和第二分支222連接。
[0041]示例性的，仍如圖2所示，該導電體可以為導線200，導線200與第一數(shù)據(jù)線22同層設置。
[0042]可選的，該導線200的材料可以與第一數(shù)據(jù)線22的材料相同，或者，導線200的材料可以與第一數(shù)據(jù)線22、第一分支221、以及第二分支222的材料均相同這樣一來，可以在制作第一數(shù)據(jù)線22、第一分支221、以及第二分支222的同時，制作該導線200，降低了陣列基板制作時的工藝復雜度。
[0043]又或者，如圖3所示，該導電體可以為ITO (氧化銦錫)材料制成的ITO導體300，ITO導體300與第一像素電極101或第二像素電極102同層設置。其中，ITO導體300可以通過過孔41分別與第一分支221和第二分支222相連，進而與第一數(shù)據(jù)線22、第一分支221、以及第二分支222形成閉合回路。
[0044]類似的，由于ITO導體300與第一像素電極101或第二像素電極102同層設置，因此，可以在制作第一像素電極101或第二像素電極102的同時，制作該ITO導體300，降低了陣列基板制作時的工藝復雜度。
[0045]應該說明的是，本發(fā)明實施例中僅列舉了使用ITO導體300和