有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]作為以薄膜晶體管為控制元件，OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)為光發(fā)射介質(zhì)的顯示技術(shù)具有高清晰度、廣視角、易實(shí)現(xiàn)彎曲柔性化顯示等優(yōu)勢(shì)得到越來越多的重視，相關(guān)廠家也投入了大量的研究開發(fā)。
[0003]隨著有機(jī)發(fā)光二極管顯示的應(yīng)用，越來越多的場(chǎng)合需要采用雙面顯示的效果。請(qǐng)參考圖1，圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的雙面顯示的有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該雙面顯示的有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板由兩個(gè)單面顯示的有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板貼合而成，其中，第一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板包括:襯底基板101，遮光層102，緩沖層103，有源層104，柵絕緣層105，柵電極106，層間介質(zhì)層107，源電極108a，漏電極108b，陽極109，像素隔離層110，有機(jī)發(fā)光層111以及陰極112。第二個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板包括:襯底基板201，遮光層202，緩沖層203，有源層204，柵絕緣層205，柵電極206，層間介質(zhì)層207，源電極208a，漏電極208b，陽極209，像素隔離層210，有機(jī)發(fā)光層211以及陰極212。兩個(gè)單面顯示的有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板的發(fā)光方向如圖1中箭頭所示。
[0004]上述雙面顯示的有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板具有厚度大，制作成本高的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的雙面顯示的有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板厚度大，制作成本高的問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板，包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的第一電極層、第一發(fā)光層、第二電極層、薄膜晶體管、第三電極層、第二發(fā)光層和第四電極層，其中，所述薄膜晶體管的漏電極與所述第三電極層連接，所述第三電極層與所述第二電極層連接，所述第一發(fā)光層由所述第一電極層和所述第二電極層控制發(fā)光，所述第二發(fā)光層由所述第三電極層和所述第四電極層控制發(fā)光。
[0007]優(yōu)選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板還包括:用于為所述薄膜晶體管的有源層遮光的遮光層，設(shè)置于所述襯底基板與所述薄膜晶體管的有源層之間，所述有源層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域完全落入所述遮光層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0008]優(yōu)選地，所述第二電極層與所述遮光層同層同材料設(shè)置。
[0009]優(yōu)選地，所述第三電極層與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層同材料設(shè)置。
[0010]優(yōu)選地，所述第二電極層與所述第三電極層通過過孔連接。
[0011]優(yōu)選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板具體包括:
[0012]襯底基板；
[0013]第一電極層，位于所述襯底基板上；
[0014]第一像素隔離層，位于所述第一電極層上，所述第一像素隔離層包括多個(gè)像素隔離體，相鄰的像素隔離體之間形成開口區(qū)域；
[0015]第一發(fā)光層，位于所述第一像素隔離層的開口區(qū)域；
[0016]同層設(shè)置的第二電極層和遮光層，所述第二電極層位于所述第一發(fā)光層之上；
[0017]緩沖層，位于所述第二電極層和所述遮光層上；
[0018]有源層，位于所述緩沖層上，所述有源層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域完全落入所述遮光層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域內(nèi)；
[0019]柵絕緣層；
[0020]柵電極，位于所述柵絕緣層上；
[0021]層間介質(zhì)層；
[0022]同層設(shè)置的源電極、漏電極和第三電極層，其中，所述源電極和所述漏電極分別通過貫穿所述層間介質(zhì)層的過孔與所述有源層連接，所述漏電極與所述第三電極層連接，所述第三電極層通過貫穿所述層間介質(zhì)層、所述柵絕緣層以及所述緩沖層的過孔與所述第二電極層連接；
[0023]第二像素隔離層，所述第二像素隔離層包括多個(gè)像素隔離體，相鄰的像素隔離體之間形成開口區(qū)域；
[0024]第二發(fā)光層，位于所述第二像素隔離層的開口區(qū)域；
[0025]第四電極層，位于所述第二發(fā)光層上。
[0026]本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板。
[0027]本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板的制作方法，包括:
[0028]提供一襯底基板；
[0029]在所述襯底基板上形成第一電極層、第一發(fā)光層、第二電極層、薄膜晶體管、第三電極層、第二發(fā)光層和第四電極層，其中，所述薄膜晶體管的漏電極與所述第三電極層連接，所述第三電極層與所述第二電極層連接，所述第一發(fā)光層由所述第一電極層和所述第二電極層控制發(fā)光，所述第二發(fā)光層由所述第三電極層和所述第四電極層控制發(fā)光。
[0030]優(yōu)選地，在形成所述薄膜晶體管之前還包括:
[0031]在所述襯底基板上形成為所述薄膜晶體管的有源層遮光的遮光層，其中，在形成所述薄膜晶體管的有源層之后，使得所述有源層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域完全落入所述遮光層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0032]優(yōu)選地，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述遮光層和所述第二電極層。
[0033]優(yōu)選地，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述薄膜晶體管的源電極、漏電極和所述第三電極層。
[0034]優(yōu)選地，所述在所述襯底基板上形成第一電極層、第一發(fā)光層、第二電極層、薄膜晶體管、第三電極層、第二發(fā)光層和第四電極層的步驟具體包括:
[0035]在所述襯底基板上形成第一電極層；
[0036]在所述第一電極層上形成第一像素隔離層，所述第一像素隔離層包括多個(gè)像素隔離體，相鄰的像素隔離體之間形成開口區(qū)域；
[0037]在所述第一像素隔離層的開口區(qū)域中形成第一發(fā)光層；
[0038]通過一次構(gòu)圖工藝形成第二電極層和遮光層，所述第二電極層位于所述第一發(fā)光層之上，所述遮光層位于待形成有源層的區(qū)域；
[0039]在所述第二電極層和所述遮光層上形成緩沖層；
[0040]在所述緩沖層上形成有源層，所述有源層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域完全落入所述遮光層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域內(nèi)；
[0041]形成柵絕緣層；
[0042]在所述柵絕緣層上形成柵電極；
[0043]形成層間介質(zhì)層，并形成貫穿所述層間介質(zhì)層的過孔，以及貫穿所述層間介質(zhì)層、所述柵絕緣層以及所述緩沖層的過孔；
[0044]通過一次構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極和第三電極層，其中，所述源電極和所述漏電極分別通過貫穿所述層間介質(zhì)層的過孔與所述有源層連接，所述漏電極與所述第三電極層連接，所述第三電極層通過貫穿所述層間介質(zhì)層、所述柵絕緣層以及所述緩沖層的過孔與所述第二電極層連接；
[0045]形成第二像素隔離層，所述第二像素隔離層包括多個(gè)像素隔離體，相鄰的像素隔離體之間形成開口區(qū)域；
[0046]在所述第二像素隔離層的開口區(qū)域中形成第二發(fā)光層；
[0047]形成第四電極層，所述第四電極層位于所述第二發(fā)光層上。
[0048]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0049]雙面顯示的有機(jī)發(fā)光二極管的每一像素單元中的兩有機(jī)發(fā)光二極管都由一薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光，與現(xiàn)有技術(shù)中的雙面顯示的有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板相比，減少了一個(gè)薄膜晶體管，厚度和制作成本也隨之減少。此外，由于減少了一個(gè)薄膜晶體管，還可以增大雙面顯示的有機(jī)發(fā)光二