大功率發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種大功率發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體明是指用全固態(tài)發(fā)光器件作為光源的照明技術(shù)，包括使用半導(dǎo)體發(fā)光二極管或有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光二極管來作為光源。利用發(fā)光二極管照明是節(jié)能的“富礦”同樣亮度下耗電僅為普通白熾燈的1/10，使用壽命也延長。隨著LED技術(shù)的快速進(jìn)步和新的應(yīng)用不斷出現(xiàn)，節(jié)能效果已經(jīng)顯現(xiàn)。LED光源具有抗震性、耐候性、密封性好以及熱輻射低的特點(diǎn)可應(yīng)用與防爆、野外作業(yè)，礦山，軍事行動等特殊工作場所或惡劣工作環(huán)境之中。所以目前LED有著巨大的市場需求。但目前LED存在光電效率衰減和芷片材料與散熱材料之問容易因熱膨脹失配造成電極引線斷裂的問題，影響LED的使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了克服以上不足，提供一種大功率發(fā)光二極管，本發(fā)明散熱性能好，亮度高，透光性好，有效降低光電效率衰減延長使用壽命。
[0004]本發(fā)明提供的技術(shù)方案為:
[0005]—種大功率發(fā)光二極管，其特征在于，包括:
[0006]導(dǎo)電基板，其上設(shè)置有散熱片，所述散熱片和所述導(dǎo)電基板之間設(shè)置有過渡族金屬氮化物薄膜層，所述散熱片上設(shè)置有一層不規(guī)則厚度的低溫氧化膜；
[0007]發(fā)光芯片，其焊接在所述導(dǎo)電基板上，所述發(fā)光芯片上設(shè)置有封裝構(gòu)件，所述封裝構(gòu)件將所述發(fā)光芯片包覆，封裝材料表面涂覆有光學(xué)薄膜；
[0008]電極，其設(shè)置在發(fā)光芯片上，所述電極通過金線與所述導(dǎo)電基板連接。
[0009]優(yōu)選的是，在所述的大功率發(fā)光二極管中，所述過渡族金屬氮化物薄膜層通過非平衡磁控濺射的方法涂覆在所述導(dǎo)電基板上。
[0010]優(yōu)選的是，在所述的大功率發(fā)光二極管中，所述過渡族金屬氮化物薄膜層為氮化鉻或氮化鋯。
[0011]優(yōu)選的是，在所述的大功率發(fā)光二極管中，所述低溫氧化膜為兩層。
[0012]優(yōu)選的是，在所述的大功率發(fā)光二極管中，所述低溫氧化膜第一層的厚度為2_3 u π?ο
[0013]優(yōu)選的是，在所述的大功率發(fā)光二極管中，所述低溫氧化膜第二層的厚度為6-10 μmD
[0014]優(yōu)選的是，在所述的大功率發(fā)光二極管中，所述封裝構(gòu)件由透明壓電材料制成。
[0015]優(yōu)選的是，在所述的大功率發(fā)光二極管中，所述光學(xué)薄膜為丙烯酸酯/ 二氧化硅雜化光學(xué)增透膜。
[0016]優(yōu)選的是，在所述的大功率發(fā)光二極管中，所述散熱片由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。
[0017]本發(fā)明的技術(shù)方案較現(xiàn)有技術(shù)有突出優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明散熱性能好，亮度高，透光性好，有效降低光電效率衰減延長使用壽命。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖；
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說明書文字能夠據(jù)以實(shí)施。
[0020]結(jié)合圖1，一種大功率發(fā)光二極管，其特征在于，包括:
[0021]導(dǎo)電基板1，其上設(shè)置有散熱片7，所述散熱片7和所述導(dǎo)電基板I之間設(shè)置有過渡族金屬氮化物薄膜層6，所述散熱片上設(shè)置有一層不規(guī)則厚度的低溫氧化膜5 ;發(fā)光芯片2，其焊接在所述導(dǎo)電基板I上，所述發(fā)光芯片上設(shè)置有封裝構(gòu)件4，所述封裝構(gòu)件4將所述發(fā)光芯片2包覆，封裝材料表面涂覆有光學(xué)薄膜；電極3，其設(shè)置在發(fā)光芯片2上，所述電極3通過金線8與所述導(dǎo)電基板I連接。其中過渡族金屬氮化物薄膜層6通過非平衡磁控濺射的方法涂覆在導(dǎo)電基板上，過渡族金屬氮化物薄膜層6為氮化鉻或氮化鋯。低溫氧化膜5為兩層，第一層的厚度為2-3 μ m，第二層的厚度為6-10 μπι。封裝構(gòu)件由透明壓電材料制成，光學(xué)薄膜為丙烯酸酯/ 二氧化硅雜化光學(xué)增透膜，散熱片7由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。使用本發(fā)明作照明光源時(shí)，散熱性能好，亮度高，透光性好，有效降低光電效率衰減延長使用壽命。
[0022]盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實(shí)施方式中所列運(yùn)用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對于熟悉本領(lǐng)域的人員而言，可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的圖例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種大功率發(fā)光二極管，其特征在于，包括: 導(dǎo)電基板，其上設(shè)置有散熱片，所述散熱片和所述導(dǎo)電基板之間設(shè)置有過渡族金屬氮化物薄膜層，所述散熱片上設(shè)置有一層不規(guī)則厚度的低溫氧化膜； 發(fā)光芯片，其焊接在所述導(dǎo)電基板上，所述發(fā)光芯片上設(shè)置有封裝構(gòu)件，所述封裝構(gòu)件將所述發(fā)光芯片包覆，封裝材料表面涂覆有光學(xué)薄膜； 電極，其設(shè)置在發(fā)光芯片上，所述電極通過金線與所述導(dǎo)電基板連接。2.如權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述過渡族金屬氮化物薄膜層通過非平衡磁控濺射的方法涂覆在所述導(dǎo)電基板上。3.如權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述過渡族金屬氮化物薄膜層為氮化鉻或氮化鋯。4.如權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫氧化膜為兩層。5.如權(quán)利要求3所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫氧化膜第一層的厚度為 2-3 μπι。6.如權(quán)利要求3所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫氧化膜第二層的厚度為 6-10 μπι。7.如權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述封裝構(gòu)件由透明壓電材料制成。8.如權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述光學(xué)薄膜為丙烯酸酯/二氧化硅雜化光學(xué)增透膜。9.如權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述散熱片由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種大功率發(fā)光二極管，包括：導(dǎo)電基板，其上設(shè)置有散熱片，所述散熱片和所述導(dǎo)電基板之間設(shè)置有過渡族金屬氮化物薄膜層，所述散熱片上設(shè)置有一層不規(guī)則厚度的低溫氧化膜；發(fā)光芯片，其焊接在所述導(dǎo)電基板上，所述發(fā)光芯片上設(shè)置有封裝構(gòu)件，所述封裝構(gòu)件將所述發(fā)光芯片包覆，封裝材料表面涂覆有光學(xué)薄膜；電極，其設(shè)置在發(fā)光芯片上，所述電極通過金線與所述導(dǎo)電基板連接。本發(fā)明的有益效果是散熱性能好，亮度高，透光性好，有效降低光電效率衰減延長使用壽命。
【IPC分類】H01L33/56, H01L33/44, H01L33/64
【公開號】CN105161595
【申請?zhí)枴緾N201510482861
【發(fā)明人】董佳瑜, 董春保
【申請人】蘇州晶雷光電照明科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月7日