FT的面積大的面積，以不被高電壓和長時間驅(qū)動而劣化。
[0240]詳細地，可以在絕緣體上設置有源層570，并且可以在有源層570上設置柵極絕緣體550?？梢栽跂艠O絕緣體550上設置上柵電極560 (第一柵電極)。另外，可以在絕緣體下方設置下柵電極580 (第二柵電極)。雖然在附圖中未示出，但是上柵電極560可以通過接觸部電連接至下柵電極580。
[0241]上柵電極560的兩條線560a和560b可以彼此電連接。上柵電極560的第一線560a和第二線560b可以彼此電連接，并且可以設置有源層570以使上柵電極560的第一線560a和第二線560b彼此交疊，從而形成多溝道。
[0242]此外，下柵電極580的兩條線580a和580b彼此電連接。下柵電極580的第一線580a和第二線580b可以彼此電連接，并且可以設置有源層570以使下柵電極580的第一線580a和第二線580b彼此交疊，從而形成多溝道。
[0243]上柵電極560和下柵電極580可以形成為相同的形狀，并且可以在上柵電極560和下柵電極580之間設置有源層570。在這種情況下，上柵電極560的邊緣與虛擬區(qū)574的端部之間的間隔可以與下柵電極580的邊緣與虛擬區(qū)574的端部之間的間隔相同。
[0244]然而，本實施方案不限于此。作為另一實例，上柵電極560和下柵電極580可以形成為不同的形狀。在這種情況下，虛擬區(qū)574的端部可以與上柵電極560的端部分離第一間隔，并且虛擬區(qū)574的端部可以與下柵電極580的端部分離第二間隔。S卩，上柵電極560的邊緣與虛擬區(qū)574的端部之間的間隔可以與下柵電極580的邊緣與虛擬區(qū)574的端部之間的間隔不同。
[0245]有源層570可以包括多個溝道區(qū)572和設置在多個溝道區(qū)572之間的多個連接區(qū)576。
[0246]此處，有源層570可以由低溫多晶硅(LTPS)形成，但不限于此。作為另一實例，有源層570可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅、氧化物、有機材料等形成。多個溝道區(qū)572可以設置在上柵電極560與下柵電極580之間。
[0247]多個連接區(qū)576可以分別設置在多個溝道區(qū)572之間，并且可以連接多個溝道區(qū)572。S卩，多個溝道區(qū)572可以通過多個連接區(qū)576連接為一個圖案。在形成有源層570的過程中，多個溝道區(qū)572、多個虛擬區(qū)574、以及多個連接區(qū)576可以通過圖案化導電透明材料(例如，銦錫氧化物(ITO)等)層形成。因此，多個溝道區(qū)572、多個虛擬區(qū)574、以及多個連接區(qū)576可以由相同的材料形成。
[0248]上柵電極560可以設置在有源層570上以交疊有源層570，并且因此，可以在有源層570的頂部上形成第一溝道570a。另外，下柵電極580可以設置在有源層570下方以交疊有源層570，并且因此，可以在有源層570的底部上形成第二溝道570b。S卩，如果掃描電路的下拉TFT形成為雙柵極結(jié)構(gòu)，則可以在有源層570的頂部和底部各自上形成溝道，并且因此，有源層570可以包括多個溝道570a和570b。
[0249]然而，本實施方案不限于此。作為另一實例，雙柵極結(jié)構(gòu)可以應用于掃描電路的開關(guān)TFT(復位TFT)、像素電路的開關(guān)TFT、以及像素電路的驅(qū)動TFT。因此，即使在掃描電路的開關(guān)TFT (復位TFT)、像素電路的開關(guān)TFT、以及像素電路的驅(qū)動TFT中，也可以在有源層的頂部和底部各自上形成溝道。
[0250]與具有單柵極結(jié)構(gòu)的TFT相比，具有雙柵極結(jié)構(gòu)的TFT的溝道數(shù)目為兩倍，S卩，溝道的寬度為兩倍，并且因此，增強了 TFT的輸出特性。
[0251]圖24是示出通過改變根據(jù)本發(fā)明的第七實施方案的下拉TFT的有源層的圖案，增強了下拉TFT的輸出特性，并且減小了駝峰的效果的圖。圖24所示的TFT的輸出特性可以是通過在Vds = 0.1V并且Vds = 1V的條件下測量所獲得結(jié)果值。在圖24中，Vth [V]和迀移率[cm2/Vs]表示通過在Vsd = 0.1V的條件下測量所獲得的結(jié)果值，并且Vfb [V]、S因子[V/dec]、1n [uA]以及1ff [pA]表示通過在Vds = 1V的條件下測量所獲得的結(jié)果值。
[0252]參照圖24，防止了在掃描電路的下拉TFT中出現(xiàn)駝峰。詳細地，可以增加平帶電壓Vfb和閾值電壓Vth。另外，可以增強導通電流1n。
[0253]在圖24中，示出TFT的輸出特性曲線。輸出特性曲線可以由如下構(gòu)成:示出低電流輸出特性的①區(qū)域，和示出高電流輸出特性的②區(qū)域。當在TFT中出現(xiàn)駝峰時，在①區(qū)域中，輸出特性曲線(a)會沿低電壓的方向偏移(偏移至左側(cè))，并且在②區(qū)域中，輸出特性曲線(b)會沿高電壓的方向偏移(偏移至右側(cè))。
[0254]在掃描電路的下拉TFT、掃描電路的開關(guān)TFT(復位TFT)、像素電路的開關(guān)TFT、以及像素電路的驅(qū)動TFT中，可以改變有源層的圖案，并且可以應用雙柵極結(jié)構(gòu)。因此，在TFT中不會出現(xiàn)駝峰。
[0255]確定的是在①區(qū)域中沿低電壓的方向偏移(偏移至左側(cè))的輸出特性曲線(a)偏移(偏移至右側(cè))至正常電壓的位置。另外，確定的是②區(qū)域中沿高電壓的方向偏移(偏移至右側(cè))的輸出特性曲線(b)偏移(偏移至左側(cè))至正常電壓的位置。因此，掃描電路的下拉TFT正常輸出信號，從而增強了顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0256]在根據(jù)本發(fā)明的實施方案的顯示裝置的上述TFT中，多個連接區(qū)中的每一個的垂直寬度可以比多條線中的每一條的寬度小。
[0257]此外，多個連接區(qū)中的每一個的垂直寬度可以比多條線中的每一條的寬度大。
[0258]此外，多個連接區(qū)中的每一個的垂直寬度可以比多條線的垂直寬度的總和大。
[0259]此外，多個連接區(qū)中的每一個可以包括狹縫，并且該狹縫可以設置成交疊對應于多條線之間的空間的一部分。
[0260]此外，多個連接區(qū)可以設置成交疊對應于多條線之間的空間的一部分。
[0261 ] 此外，虛擬區(qū)可以從溝道區(qū)的一個邊緣或兩個邊緣突出并且可以設置在第一柵電極的外部處。
[0262]此外，虛擬區(qū)可以向第一柵電極的外部突出最大對應于第一柵電極的寬度的30%的長度。
[0263]此外，虛擬區(qū)可以向第一柵電極的外部突出最大對應于第一柵電極交疊有源層的部分的寬度的30%的長度。
[0264]此外，虛擬區(qū)可以向第一柵電極的外部突出最大對應于第一柵電極交疊有源層的部分的寬度的100%的長度。
[0265]此外，虛擬區(qū)可以從溝道區(qū)的一個邊緣或兩個邊緣突出并且可以突出最大對應于一個溝道區(qū)的水平寬度的30%的長度。
[0266]此外，虛擬區(qū)的第一閾值電壓可以比溝道區(qū)的第二閾值電壓高。
[0267]根據(jù)本發(fā)明的實施方案的顯示裝置的上述TFT可以包括:設置在有源層下方的絕緣體；以及設置在絕緣體下方的第二柵電極，該第二柵電極分支為多條線。第二柵電極可以設置成交疊有源層，并且第一柵電極可以電連接至第二柵電極。
[0268]此外，有源層可以交疊第一柵電極的多條線從而在有源層的頂部上形成多個溝道。
[0269]此外，有源層可以交疊第二柵電極的多條線從而在有源層的底部上形成多個溝道。
[0270]此外，多個溝道區(qū)中的每一個的端部可以不交疊第一柵電極。
[0271 ] 此外，多個溝道區(qū)中的每一個的端部可以不交疊第二柵電極。
[0272]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方案，TFT防止了出現(xiàn)駝峰，從而減小了漏電流。
[0273]此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方案，通過改變包括在柵極驅(qū)動器的掃描電路中的TFT的有源層圖案防止了出現(xiàn)駝峰，并且因此，防止了掃描電路的輸出電壓Vgout下降，從而防止了顯示裝置的屏幕缺陷。
[0274]此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方案，通過改變包括在像素電路中的驅(qū)動TFT的有源層圖案，防止了因駝峰出現(xiàn)漏電流(或者關(guān)斷電流)，從而防止了顯示裝置的屏幕缺陷。
[0275]本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可以在本發(fā)明中進行各種修改和變化。因而，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等同內(nèi)容的范圍內(nèi)的本發(fā)明所提供的修改和變化。
【主權(quán)項】
1.一種顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)，所述TFT包括: 在襯底上的有源層； 交疊所述有源層的第一柵電極，所述第一柵電極分支為多條線； 在所述有源層和所述第一柵電極之間的柵極絕緣體；以及 分別在所述有源層的兩端處的源電極和漏電極， 其中所述有源層包括: 在所述源電極和所述漏電極之間的一個或更多個溝道區(qū)； 一個或更多個虛擬區(qū)，所述一個或更多個虛擬區(qū)中的每一個的長度從對應溝道區(qū)的邊緣伸出；以及 在所述一個或更多個溝道區(qū)之間以將所述一個或更多個溝道區(qū)連接成一個圖案的多個連接區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT，其中所述多個連接區(qū)中的每一個的垂直寬度小于所述第一柵電極的所述多條線中的每一條的垂直寬度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT，其中所述多個連接區(qū)中的每一個的垂直寬度大于所述第一柵電極的所述多條線中的每一條的垂直寬度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT，其中所述多個連接區(qū)中的每一個的垂直寬度大于所述第一柵電極的所述多條線的垂直寬度之和。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT，其中 所述多個連接區(qū)中的每一個包括狹縫，以及 所述狹縫交疊對應于所述第一柵電極的所述多條線之間的空間的一部分。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT，其中所述多個連接區(qū)交疊對應于所述第一柵電極的所述多條線之間的空間的一部分。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT，其中所述一個或更多個虛擬區(qū)中的每一個從對應溝道區(qū)的一個邊緣或兩個邊緣突出并且設置在所述第一柵電極的外部處。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT，其中所述一個或更多個虛擬區(qū)中的每一個向所述第一柵電極的所述外部突出一定長度，所述一定長度最大對應于所述第一柵電極的寬度的30%。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT，其中所述一個或更多個虛擬區(qū)中的每一個向所述第一柵電極的所述外部突出一定長度，所述一定長度最大對應于所述第一柵電極交疊所述有源層的部分的寬度的30%。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT，其中所述一個或更多個虛擬區(qū)中的每一個向所述第一柵電極的所述外部突出一定長度，所述一定長度最大對應于所述第一柵電極交疊所述有源層的部分的寬度的100%。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT，其中所述一個或更多個虛擬區(qū)中的每一個從所述對應溝道區(qū)的所述一個邊緣或所述兩個邊緣突出一定長度，所述一定長度最大對應于一個溝道區(qū)的水平寬度的30%。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT，其中所述一個或更多個溝道區(qū)中的每一個的端部不交疊所述第一柵電極。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT，其中所述一個或更多個虛擬區(qū)中的每一個的第一閾值電壓大于所述一個或更多個溝道區(qū)中的每一個的第二閾值電壓。14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT，還包括: 在所述有源層下方的絕緣體；以及 在所述絕緣體下方的第二柵電極，所述第二柵電極分支為所述第一柵電極的多條線， 其中所述第二柵電極交疊所述有源層，并且所述第一柵電極電連接至所述第二柵電極。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的TFT，其中所述有源層交疊所述第一柵電極的所述多條線以在所述有源層的頂部上形成多溝道。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的TFT，其中所述有源層交疊所述第二柵電極的所述多條線以在所述有源層的底部上形成多溝道。17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT，其中所述一個或更多個溝道區(qū)中的每一個的端部不交疊所述第二柵電極。18.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT，還包括: 在所述有源層下方的絕緣體；以及 在所述絕緣體下方的第二柵電極，所述第二柵電極分支為所述第一柵電極的多條線， 其中所述第二柵電極交疊所述有源層，并且所述第一柵電極電連接至所述第二柵電極。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT，其中所述有源層交疊所述第一柵電極的所述多條線以在所述有源層的頂部上形成多溝道。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT，其中所述有源層交疊所述第二柵電極的所述多條線以在所述有源層的底部上形成多溝道。
【專利摘要】公開了一種顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)，該TFT減小由駝峰引起的漏電流和減小屏幕缺陷。該TFT包括：有源層和第一柵電極，在有源層與第一柵電極之間具有柵極絕緣體；以及分別設置在有源層的兩端處的源電極和漏電極。柵電極分支為多條線并且交疊有源層。有源層包括：在源電極與漏電極之間的一個或更多個溝道區(qū)；一個或更多個虛擬區(qū)；以及在一個或更多個溝道區(qū)之間以將一個或更多個溝道區(qū)連接為一個圖案的多個連接區(qū)。一個或更多個虛擬區(qū)中的每一個的長度從對應溝道區(qū)的邊緣伸出。
【IPC分類】H01L27/12, H01L29/786
【公開號】CN105226100
【申請?zhí)枴緾N201510364330
【發(fā)明人】韓相國, 曹基述, 樸春鎬, 崔珍號, 金鞠煥, 金秀泓, 咸恩智, 宋秉哲
【申請人】樂金顯示有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年6月26日
【公告號】EP2960943A1, US20150380567