一種大尺寸發(fā)光二極管制作工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術領域，尤其是指一種大尺寸發(fā)光二極管制作工藝。
【背景技術】
[0002]發(fā)光二極管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等優(yōu)點，作為主要的光源得到較快發(fā)展，近年來發(fā)光二極管的利用領域迅速擴展。為了獲得更高的發(fā)光二極管的功率，尺寸越做越大。而大尺寸芯片的電流擴展成為其關鍵技術。
[0003]現(xiàn)有技術中，大尺寸發(fā)光二極管包括P區(qū)、η區(qū)及有源區(qū)，有源區(qū)設置在P區(qū)與η區(qū)之間，在P區(qū)上設置ITO (氧化銦錫)導電層，在ITO導電層上設置第一電極(P電極)及擴展電極；在η區(qū)的襯底上設置第二電極(η電極)。傳統(tǒng)P區(qū)包含:在有源區(qū)上設置限制層，在限制層上設置電流擴展層，在電流擴展層上設置一層歐姆接觸層。采用單層ITO導電層在面積達到一定的尺寸后，電流擴展效果差。采用擴展電極具有改善大面積下的電流擴展效果，但擴展電極不僅增加了芯片制作成本，還增加了電極擋光面積，降低了發(fā)光二極管發(fā)光光的萃取率。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種大尺寸發(fā)光二極管制作工藝，以提高ITO導電層的電流擴展效果，減少擴展電極的擋光面積，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率，降低制造成本。
[0005]為達成上述目的，本發(fā)明的解決方案為:
一種大尺寸發(fā)光二極管制作工藝，在發(fā)光二極管頂部外延生長復合的多層歐姆接觸層結構，在多層歐姆接觸層結構上設置階梯狀的多個接觸平面與ITO導電層形成立體的歐姆接觸，包括以下步驟:
一，在外延襯底上依次生成布拉格反射層、第一型限制層、有源區(qū)、第二型限制層、電流擴展層；
二，在電流擴展層上設置η組交替生長的歐姆接觸層與腐蝕截止層，組成復合多層歐姆接觸層結構；
三，在復合多層歐姆接觸層結構頂部第η層的歐姆接觸層表面采用掩膜、光刻、濕法腐蝕工藝，除去非預留區(qū)域的第η層的歐姆接觸層表面及腐蝕截止層，露出第η-1層的歐姆接觸層。
[0006]四、在裸露第η-1層的歐姆接觸層表面再采用掩膜、光刻、濕法腐蝕工藝，除去非預留區(qū)域的第η-1層的歐姆接觸層表面及腐蝕截止層，露出第η-2層的歐姆接觸層。
[0007]五、重復步驟四的工藝直至裸露出第一層歐姆接觸層，形成階梯狀表面；
六，蒸鍍ITO導電層與階梯狀的多歐姆接觸面形成接觸，在ITO導電層上設置第一電極，在襯底上設置第二電極。
[0008]進一步，階梯狀接觸面形成于復合的多層歐姆接觸層結構的外周緣。
[0009]進一步，階梯狀接觸面形成于復合的多層歐姆接觸層結構的中心位置。
[0010]一種大尺寸發(fā)光二極管制作工藝，在發(fā)光二極管頂部外延生長復合的多層歐姆接觸層結構，在多層歐姆接觸層結構上設置階梯狀的多個接觸平面與ITO導電層形成立體的歐姆接觸，包括以下步驟:
一，在外延襯底上依次生成非故意摻雜層、第一型導電層、有源區(qū)、限制層、第二型導電層；
二，在第二型導電層上設置η組交替生長的歐姆接觸層與電流阻擋層，組成復合多層歐姆接觸層結構；
三，在復合多層歐姆接觸層結構頂部第η層的歐姆接觸層表面采用掩膜、光刻、ICP干法腐蝕工藝，除去非預留區(qū)域的第η層的歐姆接觸層表面及電流阻擋層，露出第η-1層的歐姆接觸層。
[0011]四、在裸露第η-1層的歐姆接觸層表面再采用掩膜、光刻、ICP干法腐蝕工藝，除去非預留區(qū)域的第η-1層的歐姆接觸層表面及電流阻擋層，露出第η-2層的歐姆接觸層。
[0012]五、重復步驟四的工藝直至裸露出第一層歐姆接觸層，形成階梯狀表面；
六，蒸鍍ITO導電層與階梯狀的多歐姆接觸面形成接觸；
七，采用ICP蝕刻至第一型導電層；
八、在ITO導電層上設置第一電極，在第一型導電層上設置第二電極。
[0013]進一步，階梯狀接觸面形成于復合的多層歐姆接觸層結構的外周緣。
[0014]進一步，階梯狀接觸面形成于復合的多層歐姆接觸層結構的中心位置。
[0015]一種大尺寸發(fā)光二極管，包括P區(qū)、η區(qū)及有源區(qū)，有源區(qū)設置在P區(qū)與η區(qū)之間，在P區(qū)上設置第一電極，在η區(qū)上設置第二電極；其特征在于:ρ區(qū)設置復合的多層歐姆接觸層結構，ITO導電層蒸鍍在復合的多層歐姆接觸層結構上，第一電極設置在ITO導電層上。
[0016]進一步，復合的多層歐姆接觸層結構為多層歐姆接觸層之間分別形成腐蝕截止層。
[0017]進一步，復合的多層歐姆接觸層結構為多層歐姆接觸層之間分別形成電流阻擋層。
[0018]進一步，ITO導電層與復合的多層歐姆接觸層結構之間形成階梯狀接觸面。
[0019]進一步，階梯狀接觸面形成于復合的多層歐姆接觸層結構的外周緣。
[0020]進一步，階梯狀接觸面形成于復合的多層歐姆接觸層結構的中心位置。
[0021]進一步，在有源區(qū)與復合的多層歐姆接觸層結構之間依次生成第二型限制層和電流擴展層。
[0022]進一步，η區(qū)為在襯底上生成布拉格反射層，在布拉格反射層上生成第一型限制層，第一型限制層與有源層連接，第二電極生成在襯底上。
[0023]進一步，在有源區(qū)與復合的多層歐姆接觸層結構之間依次生成限制層和第二型導電層。
[0024]進一步，η區(qū)為在襯底上生成非故意摻雜層，在非故意摻雜層上生成第一型導電層，第一型導電層與有源層連接，第二電極生成在襯底上。
[0025]采用上述方案后，本發(fā)明采用復合的多層歐姆接觸層結構，其總厚度遠小于ITO導電層厚度，ITO導電層較好地與復合的多層歐姆接觸層結構蒸鍍在一起，達到電流擴展和電流阻擋相互結合的作用；從而提高ITO導電層的電流擴展效果，減少擴展電極的擋光面積，提尚發(fā)光一.極管的發(fā)光效率，降低制造成本。
[0026]復合的多層歐姆接觸層結構為多層歐姆接觸層之間分別形成腐蝕截止層，設計腐蝕截止層既能用于之后的階梯式歐姆接觸層的芯片制作，又能充當電流阻擋的作用。
[0027]ITO導電層與復合的多層歐姆接觸層結構之間形成階梯狀接觸面，從而可以調整與ITO導電層接觸的歐姆接觸層隨著電極距離的變大，歐姆接觸值漸變地變小，使得ITO電流擴展效果在離電極距離越遠歐姆接觸越好，使得電流更易于流向離電極遠的芯片部分，增加ITO的電流擴展效果，進而使得大尺寸的芯片在無擴展電極情況下，電流也能較好地擴展到邊沿；主要通過歐姆接觸層材料Al組分的變化或摻雜濃度的變化來實現(xiàn)不同的歐姆接觸。
【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明實施例一的工藝步驟一；
圖2為本發(fā)明實施例一的工藝步驟二；
圖3為本發(fā)明實施例一的工藝步驟三；
圖4為本發(fā)明實施例一的工藝步驟四；
圖5為本發(fā)明實施例一的工藝步驟五；
圖6a為本發(fā)明實施例一的結構示意圖；
圖6b為本發(fā)明實施例一的另一結構示意圖；
圖7為本發(fā)明實施例二的工藝步驟一；
圖8為本發(fā)明實施例二的工藝步驟二；
圖9為本發(fā)明實施例二的工藝步驟三；
圖10為本發(fā)明實施例二的工藝步驟四；
圖11為本發(fā)明實施例二的結構示意圖。
[0029]標號說明
P區(qū)I第一電極Ii
歐姆接觸層結構12ITO導電層13
第一歐姆接觸層121第一腐蝕截止層122
第二歐姆接觸層123第二腐蝕截止層124
第三歐姆接觸層125第一電流阻擋層126
第二電流阻擋層127階梯狀接觸面14
第二型限制層15電流擴展層16
限制層17第二型導電層18
η區(qū)2第二電極21
襯底22布拉格反射層23
第一型限制層24非故意摻雜層25
第一型導電層26有源區(qū)3
電極隔離層4。
【具體實施方式】
[0030]以下結合附圖及具體實施例對本發(fā)明做詳細描述。
[0031]參閱圖1至圖6a所示，本發(fā)明揭示的一種大尺寸發(fā)光二極管實施例一，如圖6a所示，包括P區(qū)1、η區(qū)2及有源區(qū)3，有源區(qū)3設置在P區(qū)I與η區(qū)2之間，在P區(qū)I上設置第一電極11，在η區(qū)2上設置第二電極21。
[0032]P區(qū)I設置復合的多層歐姆接觸層結構12，ITO導電層13蒸鍍在復合的多層歐姆接觸層結構12上，第一電極11設置在ITO導電層13上。本實施例中，復合的多層歐姆接觸層12結構為多層歐姆接觸層之間分別形成腐蝕截止層，具體為，在第一歐姆接觸層121與第二歐姆接觸層123之間設置第一腐蝕截止層122，在第二歐姆接觸層123與第三歐姆接觸層125之間設置第二腐蝕截止層124。第一歐姆接觸層121、第二歐姆接觸層123與第三歐姆接觸層125的材質為AsGa，第一腐蝕截止層122及第二