電介質(zhì)1802 ;蝕刻第二阻擋層1702 ;蝕刻第一層間電介質(zhì)204 ;蝕刻第一阻擋層202。在一些實(shí)施例中，當(dāng)金屬柵極1508接近開(kāi)口 2302時(shí)，在形成開(kāi)口 2302期間，第二阻擋層1702可以用作硬掩模，以保護(hù)金屬柵極1508不受不期望的損壞。
[0066]圖24是根據(jù)一些實(shí)施例示出示例性半導(dǎo)體器件的截面圖。如圖24所示，接觸金屬2402形成在開(kāi)口 2302中。對(duì)接觸金屬2402實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光，并且化學(xué)機(jī)械拋光停止在第三層間電介質(zhì)2204上。
[0067]在上述工藝中，第一阻擋層202保護(hù)第一垂直結(jié)構(gòu)110的源極112、溝道113、和漏極114不受底部隔離層302的形成的影響，底部隔離層302的形成可能會(huì)損壞或氧化第一垂直結(jié)構(gòu)110。第二阻擋層1702保護(hù)高k介電層1502、功函金屬層1504、和金屬柵極1508不受中間隔離層1802的形成的影響，中間隔離層1802的形成可能會(huì)損壞或氧化第一垂直結(jié)構(gòu)110。第三阻擋層2002保護(hù)高k介電層1502、功函金屬層1504、金屬柵極1508、和漏極114不受頂部隔離層2204的形成的影響，頂部隔離層2204的形成可能會(huì)損壞或氧化第一垂直結(jié)構(gòu)110。底部隔離層302、中間隔離層1802、和頂部隔離層2204的形成的每個(gè)分別對(duì)應(yīng)于源極112、與溝道113相接觸的柵極、以及漏極114。
[0068]圖25是形成具有至少兩個(gè)阻擋層的垂直結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。如圖25所示，提供了方法2500。該方法2500包括以下操作:提供襯底(2502);在襯底上方提供垂直結(jié)構(gòu)(2504);在垂直結(jié)構(gòu)的源極、溝道、和漏極上方提供第一阻擋層(2506);以及在垂直結(jié)構(gòu)的柵極和漏極上方提供第二阻擋層(2508)。
[0069]方法2500還可以包括對(duì)應(yīng)于垂直結(jié)構(gòu)的源極在第一阻擋層上方形成第一層間電介質(zhì)。方法2500還可以包括在垂直結(jié)構(gòu)的溝道上方形成柵極。方法2500還可以包括對(duì)應(yīng)于垂直結(jié)構(gòu)的柵極和漏極在第二阻擋層上方形成第二層間電介質(zhì)。方法2500還可以包括:對(duì)第二層間電介質(zhì)實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光，并且化學(xué)機(jī)械拋光停止在第二阻擋層上；蝕刻第二層間電介質(zhì)和第二阻擋層，以露出漏極的頂部；以及在漏極上形成硅化物。
[0070]方法2500還可以包括:形成穿過(guò)第一阻擋層、第一層間電介質(zhì)、第二阻擋層、以及第二層間電介質(zhì)的開(kāi)口 ；以及在開(kāi)口中形成接觸金屬。方法2500還可以包括:蝕刻第二阻擋層，以露出柵極的頂部和漏極；以及在柵極的頂部和漏極的側(cè)壁上方形成第三阻擋層作為間隔件。操作2508還可以包括提供與垂直結(jié)構(gòu)的漏極的側(cè)壁相接觸的第二阻擋層。操作2508還可以包括提供與垂直結(jié)構(gòu)的漏極的側(cè)壁以及柵極的頂部和側(cè)壁相接觸的第二阻擋層。
[0071]圖26是形成垂直結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。如圖26所示，提供了方法2600。該方法2600包括以下操作:提供襯底(2602);在襯底上方提供垂直結(jié)構(gòu)(2604);以及在垂直結(jié)構(gòu)上方提供阻擋層以保護(hù)垂直結(jié)構(gòu)不受氧化的影響(2606)。
[0072]操作2606還可以包括在垂直結(jié)構(gòu)上方提供阻擋層，以在形成氧化物層期間保護(hù)垂直結(jié)構(gòu)不受氧化的影響。操作2606還可以包括在垂直結(jié)構(gòu)的源極上方提供阻擋層，以在對(duì)應(yīng)于源極形成氧化物層期間保護(hù)源極。操作2606還可以包括在垂直結(jié)構(gòu)的柵極上方提供阻擋層，以在對(duì)應(yīng)于柵極形成氧化物層期間保護(hù)柵極。操作2606還可以包括在垂直結(jié)構(gòu)的漏極上方提供阻擋層，以在對(duì)應(yīng)于漏極形成氧化物層期間保護(hù)漏極。
[0073]根據(jù)示例性實(shí)施例，提供了一種形成具有至少兩個(gè)阻擋層的垂直結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括以下操作:提供襯底；在襯底上方提供垂直結(jié)構(gòu)；在垂直結(jié)構(gòu)的源極、溝道、和漏極上方提供第一阻擋層；以及在垂直結(jié)構(gòu)的柵極和漏極上方提供第二阻擋層。
[0074]根據(jù)示例性實(shí)施例，提供了一種形成垂直結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括以下操作:提供襯底；在襯底上方提供垂直結(jié)構(gòu)；以及在垂直結(jié)構(gòu)上方提供阻擋層以保護(hù)垂直結(jié)構(gòu)不受氧化的影響。
[0075]根據(jù)示例性實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體器件。該器件包括:襯底；垂直結(jié)構(gòu)，位于襯底上方，并且具有源極、柵極和漏極；以及阻擋層，位于垂直結(jié)構(gòu)的柵極和漏極上方。
[0076]前文概述了多個(gè)實(shí)施例的特征，從而使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)與本文中所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同的優(yōu)點(diǎn)的其他工藝或結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解，這種等同結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的主旨和范圍，并且在不背離本發(fā)明的主旨和范圍的前提下，他們可以進(jìn)行多種改變、替換和變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種形成具有至少兩個(gè)阻擋層的垂直結(jié)構(gòu)的方法，包括: 提供襯底； 在所述襯底上方提供垂直結(jié)構(gòu)； 在所述垂直結(jié)構(gòu)的源極、溝道、和漏極上方提供第一阻擋層；以及 在所述垂直結(jié)構(gòu)的柵極和所述漏極上方提供第二阻擋層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括:對(duì)應(yīng)于所述垂直結(jié)構(gòu)的所述源極，在所述第一阻擋層上方形成第一層間電介質(zhì)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括:在所述垂直結(jié)構(gòu)的所述溝道上方形成所述柵極。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括:對(duì)應(yīng)于所述垂直結(jié)構(gòu)的所述柵極和所述漏極，在所述第二阻擋層上方形成第二層間電介質(zhì)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括: 對(duì)所述第二層間電介質(zhì)實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光，并且停止在所述第二阻擋層上； 蝕刻所述第二層間電介質(zhì)和所述第二阻擋層，以露出所述漏極的頂部；以及 在所述漏極上形成硅化物。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 形成穿過(guò)所述第一阻擋層、所述第一層間電介質(zhì)、所述第二阻擋層、以及所述第二層間電介質(zhì)的開(kāi)口 ；以及 在所述開(kāi)口中形成接觸金屬。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 蝕刻所述第二阻擋層，以露出所述漏極和所述柵極的頂部；以及 在所述柵極的頂部和所述漏極的側(cè)壁上方形成第三阻擋層以作為間隔件。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述垂直結(jié)構(gòu)的所述柵極和所述漏極上方提供所述第二阻擋層還包括:提供與所述垂直結(jié)構(gòu)的所述漏極的側(cè)壁相接觸的所述第二阻擋層。9.一種形成垂直結(jié)構(gòu)的方法，包括: 提供襯底； 在所述襯底上方提供垂直結(jié)構(gòu)；以及 在所述垂直結(jié)構(gòu)上方提供阻擋層以保護(hù)所述垂直結(jié)構(gòu)不受氧化的影響。10.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底； 垂直結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方，并且具有源極、柵極和漏極；以及 阻擋層，位于所述垂直結(jié)構(gòu)的所述柵極和所述漏極上方。
【專利摘要】根據(jù)示例性實(shí)施例，本發(fā)明提供了形成具有至少兩個(gè)阻擋層的垂直結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括以下操作：提供襯底；在襯底上方提供垂直結(jié)構(gòu)；在垂直結(jié)構(gòu)的源極、溝道、和漏極上方提供第一阻擋層；以及在垂直結(jié)構(gòu)的柵極和漏極上方提供第二阻擋層。
【IPC分類】H01L21/8238, H01L29/78, H01L27/092, H01L21/336
【公開(kāi)號(hào)】CN105280702
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410804259
【發(fā)明人】彭治棠, 黃泰鈞, 蔡騰群, 林正堂, 陳德芳, 王立廷, 王建勛, 林煥哲, 盧永誠(chéng), 李資良
【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2014年12月22日
【公告號(hào)】DE102014111009A1, US9318447, US20160020180, US20160211370