陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]高級超維轉(zhuǎn)換(英文:ADvanced Super Dimens1n Switch ;簡稱:ADS)顯不模式是一種利用處于同一平面內(nèi)的電極產(chǎn)生的橫向電場使液晶產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)來實(shí)現(xiàn)圖像顯示的顯示模式。ADS顯示模式的顯示裝置具有寬視角、高分辨率、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于移動電話、筆記本電腦、電視機(jī)等產(chǎn)品中。
[0003]顯示裝置通?？梢园嚵谢濉Ｊ纠?，如圖1所示，其示出的是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板00的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板00可以包括襯底基板001，襯底基板001上形成依次形成有氧化銦錫(英文:Indium Tin OxideJI^IdTO)公共電極002、柵極003、柵絕緣層004、有源層005、源漏極金屬層006、鈍化層007和ITO電極008，其中，源漏極金屬層006包括源極0061和漏極0062，鈍化層007上形成有過孔，ITO電極008通過鈍化層007的過孔與漏極0062接觸。其中，漏極0062的形成材料通常為鋁，ITO電極008與漏極0062接觸容易導(dǎo)致漏極0062被氧化，使得ITO電極008與漏極0062之間的電阻變大，影響信號的傳輸。因此，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)在形成鈍化層007之前，通常在漏極0062的表面鍍一層金屬M(fèi)o (鉬)009來避免ITO電極008與漏極0062直接接觸，進(jìn)而避免漏極0062被氧化。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:現(xiàn)有技術(shù)通常采用刻蝕工藝在鈍化層上形成過孔，若出現(xiàn)過度刻蝕的情況，則會導(dǎo)致位于鈍化層下方的與該過孔對應(yīng)位置處的金屬M(fèi)o被刻蝕掉，因此，ITO電極依然會與漏極直接接觸，ITO電極與漏極之間的電阻較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0007]襯底基板，
[0008]所述襯底基板上依次形成有源漏極金屬層和第一鈍化金屬保護(hù)層，所述源漏極金屬層包括:源極和漏極，所述源極和所述漏極不接觸；
[0009]形成有所述第一鈍化金屬保護(hù)層的襯底基板上形成有導(dǎo)電保護(hù)層；
[0010]形成有所述導(dǎo)電保護(hù)層的襯底基板上形成有像素電極，所述像素電極與所述導(dǎo)電保護(hù)層接觸。
[0011]可選地，所述導(dǎo)電保護(hù)層是在250?270攝氏度的溫度下通過退火工藝處理得到的。
[0012]可選地，所述導(dǎo)電保護(hù)層為多晶硅-氧化銦錫P-1TO保護(hù)層。
[0013]可選地，形成有所述導(dǎo)電保護(hù)層的襯底基板上形成有鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述導(dǎo)電保護(hù)層接觸。
[0014]可選地，所述襯底基板上依次形成有公共電極、柵極、柵絕緣層和有源層；
[0015]形成有所述有源層的襯底基板上形成依次有所述源漏極金屬層和所述第一鈍化金屬保護(hù)層。
[0016]可選地，形成有所述有源層的襯底基板上形成有第二鈍化金屬保護(hù)層；
[0017]形成有所述第二鈍化金屬保護(hù)層的襯底基板上依次形成有所述源漏極金屬層和所述第一鈍化金屬保護(hù)層。
[0018]可選地，所述第一鈍化金屬保護(hù)層的形成材料和所述第二鈍化金屬保護(hù)層的形成材料都為鉬。
[0019]第二方面，提供一種陣列基板的制造方法，用于制造第一方面所述的陣列基板，所述陣列基板包括:襯底基板，所述陣列基板的制造方法包括:
[0020]在所述襯底基板上依次形成源漏極金屬層和第一鈍化金屬保護(hù)層，使所述源漏極金屬層包括:源極和漏極，所述源極和所述漏極不接觸；
[0021]在形成有所述第一鈍化金屬保護(hù)層的襯底基板上形成導(dǎo)電保護(hù)層；
[0022]在形成有所述導(dǎo)電保護(hù)層的襯底基板上形成像素電極，使所述像素電極與所述導(dǎo)電保護(hù)層接觸。
[0023]可選地，所述導(dǎo)電保護(hù)層為多晶硅-氧化銦錫P-1TO保護(hù)層，
[0024]所述在形成有所述第一鈍化金屬保護(hù)層的襯底基板上形成導(dǎo)電保護(hù)層，包括:
[0025]在形成有所述第一鈍化金屬保護(hù)層的襯底基板上形成非晶硅-氧化銦錫a-1TO材質(zhì)層;
[0026]依次采用一次構(gòu)圖工藝和退火工藝對所述a-1TO材質(zhì)層進(jìn)行處理得到所述導(dǎo)電保護(hù)層。
[0027]可選地，采用退火工藝對所述a-1TO材質(zhì)層進(jìn)行處理，包括:
[0028]在250?270攝氏度的溫度下，采用退火工藝對所述a_IT0材質(zhì)層進(jìn)行處理。
[0029]可選地，在形成有所述第一鈍化金屬保護(hù)層的襯底基板上形成導(dǎo)電保護(hù)層之后，所述陣列基板的制造方法還包括:
[0030]在形成有所述導(dǎo)電保護(hù)層的襯底基板上形成鈍化層；
[0031 ] 在所述鈍化層上形成過孔；
[0032]所述在形成有所述導(dǎo)電保護(hù)層的襯底基板上形成像素電極，使所述像素電極與所述導(dǎo)電保護(hù)層接觸，包括:
[0033]在形成有所述鈍化層的襯底基板上形成所述像素電極，使所述像素電極通過所述過孔與所述導(dǎo)電保護(hù)層接觸。
[0034]可選地，在所述襯底基板上依次形成源漏極金屬層和第一鈍化金屬保護(hù)層之前，所述陣列基板的制造方法還包括:
[0035]在所述襯底基板上依次形成公共電極、柵極、柵絕緣層和有源層；
[0036]所述在所述襯底基板上依次形成源漏極金屬層和第一鈍化金屬保護(hù)層，包括:
[0037]在形成有所述有源層的襯底基板上依次形成所述源漏極金屬層和所述第一鈍化金屬保護(hù)層。
[0038]可選地，在形成有所述有源層的襯底基板上依次形成所述源漏極金屬層和所述第一鈍化金屬保護(hù)層之前，所述陣列基板的制造方法還包括：
[0039]在形成有所述有源層的襯底基板上形成第二鈍化金屬保護(hù)層；
[0040]所述在形成有所述有源層的襯底基板上依次形成所述源漏極金屬層和所述第一鈍化金屬保護(hù)層，包括：
[0041]在形成有所述第二鈍化金屬保護(hù)層的襯底基板上依次形成所述源漏極金屬層和所述第一鈍化金屬保護(hù)層。
[0042]可選地，所述第一鈍化金屬保護(hù)層的形成材料和所述第二鈍化金屬保護(hù)層的形成材料都為鉬。
[0043]第三方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括第一方面所述的陣列基板。
[0044]第四方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一方面所述的陣列基板。
[0045]本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：
[0046]本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置，陣列基板包括：襯底基板，襯底基板上依次形成有源漏極金屬層和第一鈍化金屬保護(hù)層，源漏極金屬層包括：源極和漏極，源極和漏極不接觸；形成有第一鈍化金屬保護(hù)層的襯底基板上形成有導(dǎo)電保護(hù)層；形成有導(dǎo)電保護(hù)層的襯底基板上形成有像素電極，像素電極與導(dǎo)電保護(hù)層接觸。由于在第一鈍化金屬保護(hù)層上形成導(dǎo)電保護(hù)層，導(dǎo)電保護(hù)層避免第一鈍化金屬保護(hù)層被刻蝕，進(jìn)而避免像素電極與漏極直接接觸，解決了現(xiàn)有技術(shù)中像素電極與漏極之間的電阻較大的問題，達(dá)到了保證像素電極與漏極之間的電阻的有益效果。
[0047]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說明】
[0048]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0049]圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖2是本發(fā)明一個實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖3是本發(fā)明另一個實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖4是圖3所不實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0053]圖5是本發(fā)明一個實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的方法流程圖；
[0054]圖6是本發(fā)明另一個實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的方法流程圖；
[0055]圖7是圖6所示實(shí)施例提供的一種在襯底基板上形成公共電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖8是圖6所示實(shí)施例提供的一種在形成有公共電極的襯底基板上形成柵極后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖9是圖6所示實(shí)施例提供的一種在形成有柵極的襯底基板上形成柵絕緣層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖10是圖6所示實(shí)施例提供的一種