陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光顯示(Organic Light-Emitting D1de ;0LED)器件作為一種新型的平板顯示，由于具有主動發(fā)光、發(fā)光亮度高、寬視角、響應(yīng)速度快、低能耗以及可柔性化等特點，受到了越來越多的關(guān)注，成為可能取代液晶顯示的下一代顯示技術(shù)。0LED以驅(qū)動方式分為主動式驅(qū)動(AM-0LED)和被動式驅(qū)動(PM-0LED)。
[0003]PM-0LED的典型結(jié)構(gòu)是由玻璃基板、IT0(indium tin oxide ;銦錫氧化物)陽極(Anode)、有機發(fā)光層(Emitting Material Layer)與陰極(Cathode)等所組成，具有結(jié)構(gòu)簡單，驅(qū)動引線少，周邊電路占用區(qū)域少等特性。
[0004]AM-0LED則被應(yīng)用于顯示面板的每一個子像素中，且在每一個子像素中還配備具有開關(guān)功能的低溫多晶娃薄膜晶體管(Low Temperature Poly-Si Thin FilmTransistor, LTP-Si TFT)和電荷存儲電容，外圍驅(qū)動電路和顯示陣列整個系統(tǒng)集成在同一玻璃基板上。具有響應(yīng)速度快，高對比度，色域廣，節(jié)能等優(yōu)點，是0LED技術(shù)發(fā)展的主流方向，但是由于每個低溫多晶硅薄膜晶體管都至少具有柵極驅(qū)動，源漏極驅(qū)動等大量的外圍引線。而這些引線區(qū)域無法發(fā)光，導(dǎo)致最終顯示裝置必然存在一定寬度的無法顯示畫面的黑色區(qū)域，也就是顯示面板的邊框區(qū)域，造成顯示面板無法實現(xiàn)窄邊化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的陣列基板存在的上述問題，提供一種可以實現(xiàn)窄邊化的陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
[0006]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和將所述顯示區(qū)域包圍的周邊區(qū)域，在所述顯示區(qū)域設(shè)置有多個主動式有機電致發(fā)光二極管，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述周邊區(qū)域的多個被動式有機電致發(fā)光二極管；其中，所述主動式有機電致發(fā)光二極管和被動式有機電致發(fā)光二極管均與電源驅(qū)動單元電連接。
[0007]優(yōu)選的是，所述主動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極同層設(shè)置且材料相同；
[0008]所述主動式有機電致發(fā)光二極管的底電極與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的底電極同層設(shè)置且材料相同；
[0009]所述主動式有機電致發(fā)光二極管的發(fā)光層與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的發(fā)光層同層設(shè)置且材料相同。
[0010]優(yōu)選的是，多個所述被動式有機電致發(fā)光二極管呈矩陣排列，設(shè)于同一行的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的底電極連接成一體；設(shè)于同一列的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極連接成一體。
[0011]優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括:位于周邊區(qū)域的所述被動式有機電致發(fā)光二極管所在層下方的柵極驅(qū)動電路。
[0012]優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括:位于顯示區(qū)域的所述主動式有機電致發(fā)光二極管所在層下方的多個開關(guān)晶體管；其中，每一個所述開關(guān)晶體管的漏極連接一個所述主動式有機電致發(fā)光二極管的底電極。
[0013]優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括位于顯示區(qū)域的所述主動式有機電致發(fā)光二極管的像素限定層上方的多個第一隔墊柱；以及，位于周邊區(qū)域的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的像素限定層上方的多個第二隔墊柱。
[0014]進一步優(yōu)選的是，所述第一隔墊柱的形狀為正梯形；所述第二隔墊柱的形狀為倒梯形。
[0015]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和將所述顯示區(qū)域包圍的周邊區(qū)域，所述制備方法包括:在位于顯示區(qū)域的基底上方，形成多個主動式有機電致發(fā)光二極管的步驟，以及，
[0016]在位于周邊區(qū)域的基底上方，形成多個被動式有機電致發(fā)光二極管的步驟；其中，
[0017]所述主動式有機電致發(fā)光二極管和被動式有機電致發(fā)光二極管均與電源驅(qū)動單元電連接。
[0018]優(yōu)選的是，所述主動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極采用一次構(gòu)圖工藝形成；
[0019]所述主動式有機電致發(fā)光二極管的底電極與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的底電極采用一次構(gòu)圖工藝形成；
[0020]所述主動式有機電致發(fā)光二極管的發(fā)光層與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的發(fā)光層采用一次構(gòu)圖工藝形成。
[0021]優(yōu)選的是，在通過一次構(gòu)圖工藝形成包括所述主動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極之前，還包括:
[0022]在位于顯示區(qū)域的所述主動式有機電致發(fā)光二極管的像素限定層上方形成多個第一隔墊柱；以及，在位于周邊區(qū)域的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的像素限定層上方形成多個第二隔墊柱。
[0023]進一步優(yōu)選的是，所形成的所述第一隔墊柱為正梯形；所形成的所述第二隔墊柱為倒梯形。
[0024]優(yōu)選的是，所形成的多個所述被動式有機電致發(fā)光二極管呈矩陣排列，設(shè)于同一行的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的底電極連接成一體；設(shè)于同一列的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極連接成一體。
[0025]優(yōu)選的是，在周邊區(qū)域形成所述被動式有機電致發(fā)光二極管的步驟之前，還包括:
[0026]在位于周邊區(qū)域的基底上形成柵極驅(qū)動電路的步驟。
[0027]優(yōu)選的是，在顯示區(qū)域形成所述主動式有機電致發(fā)光二極管的步驟之前，還包括:
[0028]在位于所述顯示區(qū)域的基底上形成多個開關(guān)晶體管的步驟；以及，
[0029]在所述開關(guān)晶體管的上方形成平坦化層，并在每個開關(guān)晶體管的漏極上方形成貫穿平坦化層的過孔；其中，
[0030]每個開關(guān)晶體管的漏極通過所述過孔連接一個主動式有機電致發(fā)光二極管的底電極。
[0031]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。
[0032]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0033]本發(fā)明的陣列基板的周邊區(qū)域設(shè)置有多個被動式有機電致發(fā)光二極管，能夠使得陣列基板的周邊區(qū)域進行發(fā)光，因此可以實現(xiàn)窄邊框的顯示效果。
[0034]本發(fā)明的陣列基板的制備方法，步驟簡單、易于操作。
[0035]本發(fā)明的顯示裝置由于包括上述的陣列基板，故其邊框較窄。
【附圖說明】
[0036]圖1為本發(fā)明的實施例1的陣列基板的平面示意圖；
[0037]圖2為圖1的A-A '的剖視圖；
[0038]圖3為本發(fā)明的實施例2的陣列基板的制備方法的步驟六的示意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明的實施例2的陣列基板的制備方法的步驟七的示意圖；
[0040]圖5為本發(fā)明的實施例2的陣列基板的制備方法的步驟八的示意圖；
[0041]圖6為本發(fā)明的實施例2的陣列基板的制備方法的步驟九的示意圖。
[0042]其中附圖標記為:10、基底；11、緩沖層；12、有源層；13、柵極絕緣層；14、柵極；15、層間絕緣層；16A、源極；16B、漏極；17、平坦化層；18、AM_0LED的陽極；19、AM_0LED的像素限定層；20、第一隔墊柱；21、AM-0LED的發(fā)光層；22、PM_0LED的發(fā)光層；23、PM_0LED的像素限定層；24、第二隔墊柱；25、PM-0LED的陽極；26、AM_0LED的陰極；27、PM_0LED的陰極。
【具體實施方式】
[0043]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0044]首先，在此需要說明的是，有機電致發(fā)光二極管(0LED)包括正置型和倒置型；其中，正置型的0LED其陰極設(shè)置于陽極上方，也就是說頂電極為陰極，底電極為陽極；而倒置型的0LED其陽極設(shè)置于陰極