一種天線互聯(lián)單元的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于有源相控陣及雷達通信系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種天線互聯(lián)單元。
【背景技術(shù)】
[0002]由于考慮到工程的實現(xiàn)性，大部分有源相控陣天線均采用均勻排布的方式來獲得相應(yīng)的性能指標。當系統(tǒng)要求相控陣天線具有很高的角度分辨率和更高的跟蹤精度時，擴大相控陣天線的陣列孔徑是一個最有效的手段，但是受柵瓣條件約束，采用均勻間隔布陣的間距受限，這就需要相當多的有源通道數(shù)，從而造成相控陣天線造價高。
[0003]目前，國內(nèi)的相控陣天線普遍采用磚塊式的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)會帶來縱向尺寸過大的問題，無法滿足小型化、集成度高的有源相控陣天線的需求。因此，更薄、更輕便的瓦片式相控陣天線便應(yīng)運而生。
[0004]但是，在毫米波相控陣天線設(shè)計中，T/R組件與天線陣列之間的互聯(lián)方式通常采用SMP接頭進行互聯(lián)，即模塊輸出口 SMP-KK接頭-天線輸入口 SMP的方式，毫米波段的SMP接頭和KK接頭成本較高且體積過大，用于瓦片式相控陣天線的設(shè)計中，無法達到小型化，輕量化的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述不足，提供一種本發(fā)明的瓦片式相控陣模塊天線互聯(lián)裝置的技術(shù)方案為:
[0006]一種天線互聯(lián)單元，其特征在于，包括天線連接子塊和T/R組件連接子塊，所述天線連接子塊包括第一避讓孔和第一焊接孔，所述T/R組件連接子塊包括第二避讓孔和第二焊接孔；其中，
[0007]所述天線連接子塊與所述T/R組件連接子塊緊密結(jié)合，所述第一避讓孔與所述第二焊接孔對齊，所述第二避讓孔與所述第一焊接孔對齊，并且所述第一焊接孔與所述第二焊接孔呈電性連接。
[0008]根據(jù)一種具體的實施方式，所述天線連接子塊和所述T/R組件連接子塊之間設(shè)置有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為ACF導(dǎo)電薄膜。
[0009]根據(jù)一種具體的實施方式，在所述天線連接子塊中，沿所述第一焊接孔至所述第一避讓孔的方向上，所述第一焊接孔延伸形成第一微帶金屬連接段；
[0010]在所述T/R組件連接子塊中，沿所述第二焊接孔至所述第二避讓孔的方向上，所述第二焊接孔延伸形成第二微帶金屬連接段；
[0011]所述第一微帶金屬連接段和所述第二微帶金屬連接段分別與所述導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸，從而使所述第一焊接孔與所述第二焊接孔呈電性連接。
[0012]根據(jù)一種具體的實施方式，所述第一微帶金屬連接段的長度大于所述第一焊接孔與所述第一避讓孔之間距離的二分之一；
[0013]所述第二微帶金屬連接段的長度大于所述第二焊接孔與所述第二避讓孔之間距離的二分之一。
[0014]根據(jù)一種具體的實施方式，所述第一微帶金屬連接段的中間部分具有第一阻抗匹配部，并且所述第一阻抗匹配部的寬度與所述第一微帶金屬連接段其余部分的寬度不相等；
[0015]所述第二微帶金屬連接段的中間部分具有第二阻抗匹配部，并且所述第二阻抗匹配部的寬度與所述第二微帶金屬連接段其余部分的寬度不相等。
[0016]根據(jù)一種具體的實施方式，沿所述天線連接子塊和所述T/R組件連接子塊的邊緣分別設(shè)置有金屬化過孔圍欄，用于隔離天線互聯(lián)單元之間的串擾。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果:
[0018]基于瓦片式有源相控陣中運用SMP接頭將T/R組件與天線連接起來的方式無法實際達到低成本、小型化和輕量化的要求，本發(fā)明通過設(shè)置天線連接子塊、T/R組件連接子塊以及在天線連接子塊和T/R組件連接子塊之間設(shè)置一層導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，從而使天線連接子塊上的第一焊接孔與T/R組件連接子塊上的第二焊接孔實現(xiàn)電連接，從而有效地解決了 T/R組件與天線的現(xiàn)有連接方式，成本高和體積大的技術(shù)問題。同時本發(fā)明生產(chǎn)組裝方便快捷，具有很好的實用性。
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明天線連接子塊和T/R組件連接子塊的示意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明天線連接子塊陣列和T/R組件連接子塊組陣示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明的天線互聯(lián)單元陣列的ACF導(dǎo)電薄膜示意圖；
[0022]附圖標記列表
[0023]1:天線連接子塊2:T/R組件連接子塊 3:金屬化過孔圍欄11:第一避讓孔
[0024]12:第一焊接孔 13:第一微帶金屬連接段14:第一阻抗匹配部21:第二避讓孔
[0025]22:第二焊接孔 23:第二微帶金屬連接段24:第二阻抗匹配部
【具體實施方式】
[0026]下面結(jié)合【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步的詳細描述。但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明上述主題的范圍僅限于以下的實施例，凡基于本
【發(fā)明內(nèi)容】
所實現(xiàn)的技術(shù)均屬于本發(fā)明的范圍。
[0027]結(jié)合圖1所示的本發(fā)明天線連接子塊和T/R組件連接子塊的示意圖；本發(fā)明的天線互聯(lián)單元包括天線連接子塊1和T/R組件連接子塊2。其中，天線連接子塊1包括第一避讓孔11和第一焊接孔12，T/R組件連接子塊2包括第二避讓孔21和第二焊接孔22。
[0028]天線連接子塊1與T/R組件連接子塊2緊密結(jié)合，第一避讓孔11與第二焊接孔22對齊，第二避讓孔21與第一焊接孔12對齊，并且第一焊接孔12與第二焊接孔22呈電性連接。
[0029]具體的，天線連接子塊1和T/R組件連接子塊2之間設(shè)置有導(dǎo)電層，本發(fā)明中的導(dǎo)電層為ACF導(dǎo)電薄膜，ACF導(dǎo)電薄膜的特性是經(jīng)過它的電流只會縱向傳輸，而不會橫向傳輸。
[0030]在天線連接子塊1中，沿第一焊接孔12至第一避讓孔11的方向上，第一焊接孔12延伸形成第一微帶金屬連接段13。
[0031]在T/R組件連接子塊2中，沿第二焊接孔22至第二避讓孔21的方向上，第二焊接孔22延伸形成第二微帶金屬連接段23。
[0032]第一微帶金屬連接段13和第二微帶金屬連接段23分別與所述導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸，從而使第一焊接孔12與第二焊接孔22呈電性連接。將天線與第一焊接孔電連接，再將T/R組件與第二焊接孔電連接，即實現(xiàn)天線與T/R組件的電連接。
[0033]具體的，第一微帶金屬連接段13的長度大于第一焊接孔12與