并且 U = 0.80。
[0072]因此，在第一工作點(diǎn)r = rA1處U = 0.92，在提高的運(yùn)行條件下在第二工作點(diǎn)r =rA2中U大約為0.8。因?yàn)樵诘诙ぷ鼽c(diǎn)，與在第一工作點(diǎn)中相比，在發(fā)光面之上的壓降明顯更高，所以在第二工作點(diǎn)中達(dá)到更大程度的發(fā)光密度梯度。如在上文中所描述，能夠經(jīng)由脈沖寬度調(diào)制來(lái)調(diào)節(jié)發(fā)光面10的平均發(fā)光密度，使得在兩個(gè)工作點(diǎn)以及在rA1和rA2之間的工作點(diǎn)達(dá)到發(fā)光面10的恒定的光密度。結(jié)合圖2至4描述的數(shù)值是純示例的并且不能夠理解為限制的。
[0073]如果對(duì)于發(fā)光密度梯度附加地也應(yīng)實(shí)現(xiàn)顏色梯度，那么能夠選擇具有發(fā)射顏色與電壓的顯著相關(guān)的有機(jī)發(fā)光器件，如結(jié)合圖15至17所描述。而如果僅實(shí)現(xiàn)發(fā)光密度梯度，那么能夠選擇表現(xiàn)出發(fā)射顏色與施加的電壓或運(yùn)行電流密度相關(guān)性小的有機(jī)功能層堆。
[0074]結(jié)合圖5至14描述有機(jī)發(fā)光器件和用于運(yùn)行所述有機(jī)發(fā)光器件的方法，其代替沿縱向方向的發(fā)光密度梯度而具有沿橫向方向的發(fā)光密度梯度，例如在圖5和7中借助于箭頭99表明。下面的附圖的描述主要涉及與之前的實(shí)施例的差別。
[0075]在圖5中示出用于有機(jī)發(fā)光器件103的一個(gè)實(shí)施例，其中與之前的實(shí)施例相比產(chǎn)生不沿縱向方向而是沿橫向方向的發(fā)光密度梯度，如在圖5中用箭頭99表明。與之前的實(shí)施例相比，有機(jī)發(fā)光器件103在第一電極2的邊緣上具有至少一個(gè)第一電連接元件70。第一電極的邊緣是沿縱向方向的邊緣，在所述邊緣上如在圖5中示出的那樣例如能夠居中地設(shè)置有至少一個(gè)第一連接元件70。
[0076]如在之前的實(shí)施例中，能夠借助于另一電連接元件9接觸第二電極3，其中與第一電極2相比，由于第二電極3的明顯更高的導(dǎo)電性，連接元件9如在圖5中示出那樣能夠設(shè)置在第二電極3的沿橫向方向的邊緣側(cè)上或也設(shè)置在另一邊緣側(cè)上，如在圖7至9中示出。
[0077]如已經(jīng)在之前的實(shí)施例中那樣，第一電極2具有表面電阻R，其中0.4Ω/sq^ ΙΟΟΩ/sqo例如，在示出的實(shí)施例中，第一電極2能夠具有表面電阻R = 2.5 Ω /sq。沿橫向方向，發(fā)光面10具有寬度d，其中在示出的實(shí)施例中d是5cm。
[0078]由于第一電極的表面電阻，在有機(jī)發(fā)光器件103的運(yùn)行中沿遠(yuǎn)離至少一個(gè)第一電連接元件70引導(dǎo)的方向存在壓降，所述壓降引起發(fā)光面10上的沿著所述方向的發(fā)光密度梯度99。
[0079]如已經(jīng)結(jié)合之前的實(shí)施例所描述，有機(jī)發(fā)光器件103具有特征曲線r，其中r =dV/dj ο
[0080]為了運(yùn)行有機(jī)發(fā)光器件103選擇工作點(diǎn)r = rA，使得適用的是:U彡0.2，其中U =1-(1-H)/(1+H)，H= cosh WA)并且 Λ = (r/R) °.5，其中 L = D。運(yùn)行電流密度 jA 對(duì)應(yīng)于工作點(diǎn)r = rA，其中能夠產(chǎn)生在圖5中示出的橫向方向上的顯著的發(fā)光密度梯度99。為了運(yùn)行有機(jī)發(fā)光器件103，運(yùn)行電流密度jA能夠以恒定電流的形式饋入到有機(jī)功能層序列4中。為了設(shè)定有機(jī)發(fā)光器件103的亮度，即由發(fā)光面10放射的總光密度，能夠如結(jié)合之前的實(shí)施例所描述地的那樣將運(yùn)行電流也以借助于脈沖寬度調(diào)制的方式饋入有機(jī)功能層堆中。將PWM信號(hào)的最大電流，即脈沖的運(yùn)行電流的幅度選擇成，使得在有機(jī)發(fā)光器件103的有源面上，即發(fā)光面10上取平均值的方式存在對(duì)應(yīng)于工作點(diǎn)r =。的運(yùn)行電流密度j AO
[0081]此外，在運(yùn)行有機(jī)發(fā)光器件103時(shí)也能夠調(diào)制發(fā)光密度梯度99的強(qiáng)度，而由發(fā)光面10放射的光的總的發(fā)光密度保持恒定。換言之，有機(jī)發(fā)光器件103的總亮度保持恒定，而改變或調(diào)制在發(fā)光面10之上的發(fā)光密度梯度99的強(qiáng)度。這能夠通過(guò)例如上文所描述的那樣選擇工作點(diǎn)r = rA1來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中存在顯著的發(fā)光密度梯度99。借助具有對(duì)應(yīng)于在工作點(diǎn)r = rA1的運(yùn)行電流密度j ^的運(yùn)行電流密度幅度的脈沖的運(yùn)行電流運(yùn)行有機(jī)發(fā)光器件103。選擇PWM信號(hào)的脈沖寬度，使得在發(fā)光面10上放射具有期望亮度的光。通過(guò)由于選擇實(shí)現(xiàn)另一發(fā)光密度梯度99的第二工作點(diǎn)r = rA2來(lái)改變PWM信號(hào)的幅度，能夠改變發(fā)光密度梯度99的強(qiáng)度，其中在改變PMW信號(hào)的運(yùn)行電流幅度時(shí)，調(diào)整脈沖長(zhǎng)度，使得在發(fā)光面10上取平均值的不同的運(yùn)行電流密度在時(shí)間平均值上是相同的。
[0082]此外也可行的是，例如在發(fā)光面上具有發(fā)光密度梯度99的狀態(tài)和不具有發(fā)光密度梯度99的狀態(tài)之間調(diào)制。為此，選擇具有相應(yīng)的運(yùn)行電流密度jA1的第一工作點(diǎn)r = rA1，對(duì)此適用U多0.8并且其中在發(fā)光面10上不能識(shí)別發(fā)光密度梯度，選擇具有相應(yīng)的運(yùn)行電流密度jA2的第二工作點(diǎn)r = r A2，對(duì)此適用U彡0.2并且其中能夠是被到發(fā)光密度梯度99。類似于結(jié)合圖4所描述的方法，通過(guò)改變?cè)诎l(fā)光面上取平均值的具有K j ( j A2的運(yùn)行電流密度j能夠在兩個(gè)工作點(diǎn)r = rAjP r = r &之間改變，使得能夠在發(fā)光面10上存在可見(jiàn)的梯度99和沒(méi)有可見(jiàn)的梯度99之間改變。平均的光密度如上文所描述的那樣在此經(jīng)由PMW信號(hào)調(diào)節(jié)。
[0083]在第一電極2的表面電阻R = 2.5 Ω/sq并且組件寬度為d = 5cm時(shí)，例如選擇第一工作點(diǎn)r = rA1= 70 Ω/cm2和第二工作點(diǎn)r = r Α2= 5Ω/αιι2。根據(jù)上述式在第一工作點(diǎn)r = rA1中從中得出Λ = 5.29，Η = 0.68并且U = 0.81，而對(duì)于第二工作點(diǎn)r = r A2得出數(shù)值Λ = 1.41時(shí)，Η = 0.06并且U = 0.11。給出的數(shù)值僅是示例的并且不能夠理解為是限制。
[0084]在圖6中示出用于借助于至少一個(gè)第一連接元件70接觸第一電極2的另一實(shí)施例，其中在此印制導(dǎo)線80優(yōu)選以沒(méi)有中斷的方式設(shè)置在第一電極2的用于接觸的邊緣的整個(gè)邊緣區(qū)域上，使得經(jīng)由連接元件70饋入的運(yùn)行電流能夠在整個(gè)長(zhǎng)側(cè)之上饋入到第二電極中。
[0085]在圖7中示出用于有機(jī)發(fā)光器件104的另一實(shí)施例，其中構(gòu)成電連接元件70，使得所述電連接元件在第一電極2的整個(gè)縱向側(cè)上延伸。純示例地，用于接觸第二電極3的電連接元件9以與第二電極3電接觸的方式設(shè)置在相對(duì)置的側(cè)上。
[0086]對(duì)于有機(jī)發(fā)光器件的和尤其發(fā)光面10的在圖5至7中示出的矩形的構(gòu)成方案替選地，發(fā)光面10也能夠具有由矩形推導(dǎo)出的自由形狀，如在圖8和9中示出。在所述附圖中，為了概覽僅示出發(fā)光面10以及用于接觸第一和第二電極的電連接元件70和9。
[0087]代替僅一個(gè)用于接觸第一電極的第一電連接元件70，在所描述的方法中使用的有機(jī)發(fā)光器件例如也能夠具有多個(gè)電連接元件70至74，所述電連接元件沿著第一電極2的長(zhǎng)側(cè)進(jìn)而沿著發(fā)光面10設(shè)置，如在圖10中示出。由此，能夠始于連接元件70至74中的每個(gè)產(chǎn)生沿橫向方向的發(fā)光密度梯度。附加地，發(fā)光密度沿縱向方向的調(diào)制能夠通過(guò)在不同的電連接元件處的電勢(shì)的時(shí)間改變，例如通過(guò)可變的脈沖寬度調(diào)制產(chǎn)生，所述脈沖寬度調(diào)制與連接元件相關(guān)地分別饋入選擇的運(yùn)行電流。
[0088]如圖11中示出的，第一電極2進(jìn)而還有發(fā)光面能夠具有由矩形推導(dǎo)出的自由形狀。
[0089]如在圖12至14中示出的，也能夠在不同的側(cè)上分別設(shè)置用于接觸第一電極2的一個(gè)或多個(gè)電連接元件，其中電連接元件70至79例如能夠設(shè)置在第一電極2的兩個(gè)相對(duì)置的縱向側(cè)上，如在圖12和13中示出，或者設(shè)置在第一電極2的所有邊緣上，如在圖14中示出。
[0090]也能夠相應(yīng)地經(jīng)由多個(gè)電連接元件或也經(jīng)由僅一個(gè)電連接元件進(jìn)行第二電極3的接觸。
[0091]如果對(duì)于如能夠借助于方法產(chǎn)生的、結(jié)合之前的實(shí)施例所描述的發(fā)光密度梯度附加地，也期望在發(fā)光面10上的顏色梯度，那么需要使用具有電流或電壓相關(guān)的發(fā)射色的有機(jī)發(fā)光器件。結(jié)合圖15至17描述相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光器件107，所述有機(jī)發(fā)光器件根據(jù)施加的運(yùn)行電壓進(jìn)而饋入的運(yùn)行電流密度示出不同的發(fā)射顏色。通過(guò)如結(jié)合之前的實(shí)施例所描述的、經(jīng)由壓降在第一電極2的縱向方向或橫向方向上產(chǎn)生的發(fā)光密度梯度，在相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光器件中能夠除了發(fā)光密度梯度以外也產(chǎn)生顏色梯度。
[0092]如在圖15中示出的，有機(jī)發(fā)光器件107此外能夠具有有機(jī)功能層堆4，所述有機(jī)功能層堆與圖1的有機(jī)發(fā)光器件100相比具有多個(gè)有機(jī)發(fā)光層51、52、53。可行的還有:具有改變數(shù)量的有機(jī)發(fā)光層的和/或具有在有機(jī)發(fā)光層之間的一個(gè)或多個(gè)中間層的其他設(shè)置方案。代替在圖15中示例地示出的三個(gè)發(fā)光層，在有機(jī)功能層堆4中例如也能夠存在僅兩個(gè)或還有多于三個(gè)發(fā)光層。純示例地，構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層51至53，使得有機(jī)發(fā)光層51在運(yùn)行中放射紅光，有機(jī)發(fā)光層52在運(yùn)行中放射綠光并且有機(jī)發(fā)光層53在運(yùn)行中放射藍(lán)光。
[0093]此外，有機(jī)發(fā)光器件107的有機(jī)功能層堆具有至少兩個(gè)有機(jī)功能層41、42和/或43、44，所述有機(jī)功能層設(shè)置在電極2、3中的一個(gè)和有機(jī)發(fā)光層51、52、53之間并且所述有機(jī)功能層沿朝有機(jī)發(fā)光層51、52、53的方向構(gòu)成用于載流子的能量勢(shì)皇。盡管在圖15的示出的實(shí)施例中在兩側(cè)上示出相應(yīng)的有機(jī)功能層41、42和43、44，但是特別有利的是:這種構(gòu)成在朝有機(jī)發(fā)光層51、52、53的方向上的用于載流子的能量勢(shì)皇的層僅設(shè)置在從有機(jī)發(fā)光層51、52、53起觀察的一側(cè)上。
[0094]純示例地，在示出的實(shí)施例中，第一電極2構(gòu)成為陽(yáng)極進(jìn)而構(gòu)成為空穴注入層，而第二電極3構(gòu)成為陰極進(jìn)而構(gòu)成為電子注入層。與此相應(yīng)地，層41、42構(gòu)成為空穴傳導(dǎo)層并且層43、44構(gòu)成為電子傳導(dǎo)層。為了實(shí)現(xiàn)有機(jī)功能層堆4的電壓或電流相關(guān)的發(fā)射顏色而需要:有機(jī)功能層41、42和/或43、44具有用于載流子在朝有機(jī)功能層51、52、53的方向上的能量勢(shì)皇。
[0095]在圖16中示出在空穴傳導(dǎo)層41、42中的能量勢(shì)皇的相應(yīng)的能量圖表。在此，示出兩個(gè)相鄰的有機(jī)功能層41和42的能級(jí)(HOMO:最高占據(jù)分子軌道，“highest occupiedmolecular orbital”，LUM0:最低未占分子軌道，“l(fā)owest unoccupied molecularorbital”)。層41和42的材料是傳導(dǎo)空穴的并且具有大于電子的相應(yīng)的迀移率的空穴的迀移率。有機(jī)功能層42的能級(jí)H0M02的絕對(duì)值大于有機(jī)功能層41的能級(jí)H0M01的絕對(duì)值，使得在所述兩個(gè)層之間或兩個(gè)能級(jí)之間的邊界面上存在能量間距AEh_。優(yōu)選地，ΔΕη_為至少0.lev。在有機(jī)發(fā)光器件的運(yùn)行中，空穴必須在從有機(jī)功能層41渡越到有機(jī)功能層42時(shí)越過(guò)能量勢(shì)皇ΔΕη_。在有機(jī)發(fā)光器件107上施加的運(yùn)行電壓越大，越多的空穴能夠越過(guò)能量勢(shì)皇進(jìn)而促進(jìn)在器件107中的空穴流。
[0096]因此，在運(yùn)行電壓低時(shí)，僅少量空穴到達(dá)有機(jī)發(fā)光層51、52、53，其中大部分的空穴已經(jīng)在有機(jī)發(fā)光