并且能夠防止噴鍛被 膜的剝離。
[0148] <關(guān)于表面粗糖度的評價>
[0149] 通過調(diào)整基底的表面粗糖度，制作具有不同的表面粗糖度的氣化錠制的噴鍛被 膜。其中，噴鍛采用HVOF法。此外，噴鍛使用W35%的質(zhì)量比含有LSiim的平均粒徑的 氣化錠顆粒的漿料。此外，在HVOF法中，設(shè)定X= 50mm、0 =90度。然后，進(jìn)行上述的評 價項目的微粒評價，在Ra為4. 8ym時，判定為"微粒不良"，在Ra為4. 5ym和3. 5ym時， 沒有觀察到微粒不良。由此可W確認(rèn)如果是具有Ra為4. 5ymW下的表面粗糖度的噴鍛被 膜，則能夠抑制微粒的產(chǎn)生。
[0150] <關(guān)于絕緣擊穿電壓的評價> 陽151] 在基材上制作氣化錠制的單層的被膜，并對該被膜的膜厚進(jìn)行各種變更。此外，在 基材上制作包括氧化錠制的100ym膜厚的中間層和氣化錠制的100ym膜厚的被膜的多層 膜。然后，改變溫度，測定制成的單層的被膜和多層膜的絕緣擊穿電壓。圖10表示單層的 被膜的絕緣擊穿電壓。在圖10中，豎軸為絕緣擊穿電壓，沿著橫軸表示的上段的數(shù)值為單 層的被膜的膜厚（ym)，下段的數(shù)值為測定絕緣擊穿電壓時的被膜的溫度rc)。其中/'RT" 表示室溫。此外，圖11表示多層膜的絕緣擊穿電壓。在圖11中，豎軸為絕緣擊穿電壓，沿 著橫軸表示的數(shù)值為測定絕緣擊穿電壓時的多層膜的溫度rc)。 陽152] 如圖10所示，可W確認(rèn)氣化錠制的單層的被膜所具有的膜厚越大，所具有的絕緣 擊穿電壓越高，但在高溫度的環(huán)境下絕緣擊穿電壓降低。如圖11所述，可W確認(rèn)通過使IOOym膜厚的氧化錠制的中間層介于被膜與基材之間，即使在高溫度的環(huán)境下，也能夠抑 制多層膜的絕緣擊穿電壓的降低。
[0153] <在包括具有被膜和中間層的電極板34的等離子體處理裝置中，通過等離子體 處理產(chǎn)生的微粒的個數(shù)的評價>
[0154] 準(zhǔn)備等離子體處理裝置10(W下稱為"具有被膜1的等離子體處理裝置10")，該 等離子體處理裝置10具備電極板34 (參照圖3的部件IOOA)，該電極板34在侶制的基材上 具有膜厚150ym的氧化錠制的中間層，在中間層上具有膜厚50ym、表面粗糖度（算術(shù)平 均粗糖度Ra) 1. 43ym、氣孔率2. 39 %的氣化錠制的被膜（W下稱為"被膜1")，在該等離子 體處理裝置10的載置臺PD上載置晶片，進(jìn)行等離子體處理。在等離子體處理中，向處理容 器12內(nèi)W總流量425sccm供給含有CaFs氣體、C4f^6氣體、CF4氣體、Ar氣體、0巧體和CH4 氣體的混合氣體，將第一高頻電源62的高頻電力和第二高頻電源64的高頻電力的合計電 力設(shè)定為5000W。然后，求出等離子體處理的處理時間與晶片上產(chǎn)生的微粒的個數(shù)的關(guān)系。 其中，微粒個數(shù)的計量中，使用KLA-Tencor公司制的Su計scanSP2,計量45皿W上尺寸 的微粒的個數(shù)。
[0K5] 此外，準(zhǔn)備等離子體處理裝置1〇(W下稱為"具有被膜2的等離子體處理裝置 10")，該等離子體處理裝置10具備電極板34,該電極板34具有膜厚150ym的氧化錠制 的中間層，在中間層上具有膜厚50ym、表面粗糖度（算術(shù)平均粗糖度Ra) 5. 48ym、氣孔率 5. 21 %的氣化錠制的被膜（W下稱為"被膜2")，在該等離子體處理裝置10的載置臺PD上 載置晶片，進(jìn)行與使用具有被膜1的等離子體處理裝置時的等離子體處理同樣的等離子體 處理。然后，與使用具有被膜1的等離子體處理裝置的情況同樣，求出等離子體處理的處理 時間與晶片上產(chǎn)生的微粒的個數(shù)的關(guān)系。 陽156] 圖12的圖表表示等離子體處理的處理時間與微粒的個數(shù)的關(guān)系。在圖12中，橫 軸表示等離子體處理的處理時間化)，豎軸表示微粒的個數(shù)。此外，圖表內(nèi)的實線表示使用 具有被膜1的等離子體處理裝置10時在多個處理時間的各個產(chǎn)生的微粒的個數(shù)的回歸直 線，圖表內(nèi)的虛線表示使用具有被膜2的等離子體處理裝置10時在多個處理時間的各個產(chǎn) 生的微粒的個數(shù)的回歸直線。如圖12所示，在具有被膜1的等離子體處理裝置10中由于 等離子體處理產(chǎn)生的微粒的個數(shù)，與在具有被膜2的等離子體處理裝置10中由于等離子體 處理產(chǎn)生的微粒的個數(shù)相比，相當(dāng)少。目P，可W確認(rèn)利用具備如下的電極板34的等離子體 處理裝置，能夠抑制由于等離子體處理引起的微粒的產(chǎn)生，該電極板34具備具有4%W下 的氣孔率和4. 5ymW下的表面粗糖度（算術(shù)平均粗糖度Ra)的被膜。
【主權(quán)項】
1. 一種等離子體處理裝置用的部件，其特征在于，具備： 基材；和 被膜，其通過在包括所述基材或者設(shè)置于該基材上的層的基底的表面噴鍍氟化釔而形 成， 所述被膜內(nèi)的氣孔率為4 %以下， 所述被膜的表面的算術(shù)平均粗糙度為4. 5μπι以下。2. 如權(quán)利要求1所述的部件，其特征在于： 在所述基材與所述被膜之間還具有第一中間層，該第一中間層由通過大氣壓等離子體 噴鍍法形成的氧化釔被膜構(gòu)成。3. 如權(quán)利要求2所述的部件，其特征在于： 所述被膜不在所述第一中間層的包括邊緣的區(qū)域上形成，而在比該區(qū)域更靠內(nèi)側(cè)形成 于該第一中間層上。4. 如權(quán)利要求2或3所述的部件，其特征在于： 在所述第一中間層與所述被膜之間還具有第二中間層。5. 如權(quán)利要求4所述的部件，其特征在于： 所述第二中間層具有所述第一中間層的線膨脹系數(shù)與所述被膜的線膨脹系數(shù)之間的 線膨脹系數(shù)。6. 如權(quán)利要求5所述的部件，其特征在于： 所述第二中間層由通過大氣壓等離子體噴鍍法形成的氧化釔穩(wěn)定化氧化鋯噴鍍被膜 或鎂橄欖石噴鍍被膜構(gòu)成。7. 如權(quán)利要求5所述的部件，其特征在于： 所述第二中間層由通過大氣壓等離子體噴鍍法形成的氧化鋁噴鍍被膜或灰色氧化鋁 噴鍍被膜構(gòu)成。8. 如權(quán)利要求2所述的部件，其特征在于： 在所述基材與所述第一中間層之間還具有其他的中間層。9. 如權(quán)利要求8所述的部件，其特征在于： 所述其他的中間層由通過大氣壓等離子體噴鍍法形成的氧化鋁噴鍍被膜或灰色氧化 鋁噴鍍被膜構(gòu)成。10. 如權(quán)利要求1~9中任一項所述的部件，其特征在于： 在所述基材的表面形成有耐酸鋁膜。11. 如權(quán)利要求1~10中任一項所述的部件，其特征在于： 所述基材由鋁或鋁合金構(gòu)成。12. -種等離子體處理裝置用的部件的制造方法，其特征在于，包括： 對通過噴鍍形成被膜的基底的表面進(jìn)行表面調(diào)整的工序，該基底的表面包括基材的表 面或形成于該基材的表面的層的表面；和 通過氟化釔的噴鍍，在所述表面上形成被膜的工序， 在形成所述被膜的工序中，在沿著高速火焰噴鍍法中放出火焰的噴鍍槍的噴嘴、或者 大氣壓等離子體噴鍍法中放出等離子體射流的噴鍍槍的噴嘴的中心軸線的方向，向從該噴 鍍槍的噴嘴向下游側(cè)遠(yuǎn)離的位置或者該噴鍍槍的噴嘴的前端位置，供給包含具有1μπι以 上8μL?以下的平均粒徑的氟化釔顆粒的漿料。13. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于： 在形成所述被膜的工序中采用高速火焰噴鍍法， 供給所述漿料的位置為在沿著所述中心軸線的方向上距離所述噴嘴的前端Omm以上 100mm以下的范圍的位置。14. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于： 在形成所述被膜的工序中采用大氣壓等離子體噴鍍法， 供給所述漿料的位置為在沿著所述中心軸線的方向上距離所述噴嘴的前端Omm以上 30mm以下的范圍的位置。15. 如權(quán)利要求12~14中任一項所述的制造方法，其特征在于： 供給所述漿料的漿料供給用噴嘴的中心軸線相對于所述噴鍍槍的噴嘴的所述中心軸 線、在該噴鍍槍的噴嘴的前端側(cè)所成的角度為45度以上135度以下。16. 如權(quán)利要求12~15中任一項所述的制造方法，其特征在于： 在形成所述被膜的工序中，所述基材的溫度設(shè)定為l〇〇°C以上300°C以下的溫度。17. 如權(quán)利要求12~16中任一項所述的制造方法，其特征在于： 還包括在所述基材與所述被膜之間形成氧化釔制的第一中間層的工序。18. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于： 還包括對所述第一中間層的包括邊緣的區(qū)域進(jìn)行掩蔽的工序， 在包括所述邊緣的區(qū)域在所述掩蔽工序中被掩蔽的狀態(tài)下，執(zhí)行形成所述被膜的所述 工序。19. 如權(quán)利要求17或18所述的制造方法，其特征在于： 還包括在所述第一中間層與所述被膜之間形成第二中間層的工序。20. 如權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于： 所述第二中間層具有所述第一中間層的線膨脹系數(shù)與所述被膜的線膨脹系數(shù)之間的 線膨脹系數(shù)。21. 如權(quán)利要求20所述的制造方法，其特征在于： 所述第二中間層由氧化釔穩(wěn)定化氧化鋯噴鍍被膜或鎂橄欖石噴鍍被膜構(gòu)成。22. 如權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于： 所述第二中間層由氧化鋁噴鍍被膜或灰色氧化鋁噴鍍被膜構(gòu)成。23. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于： 還包括在所述基材與所述第一中間層之間形成其他的中間層的工序。24. 如權(quán)利要求23所述的制造方法，其特征在于： 所述其他的中間層由氧化鋁噴鍍被膜或灰色氧化鋁噴鍍被膜構(gòu)成。25. 如權(quán)利要求12~24中任一項所述的制造方法，其特征在于： 還包括在所述基材的表面形成耐酸鋁膜的工序。
【專利摘要】本發(fā)明的課題在于抑制從氟化釔制的噴鍍被膜產(chǎn)生微粒。本發(fā)明的解決方法在于提供一種在等離子體處理裝置內(nèi)被暴露于等離子體中的部件。該部件具有基材和被膜。基材例如為鋁制或鋁合金制。可以在基材的表面形成耐酸鋁膜。被膜通過在包括基材或設(shè)置于該基材上的層的基底的表面上噴鍍氟化釔而形成。該部件的被膜內(nèi)的氣孔率為4％以下，該被膜的表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為4.5μm以下。
【IPC分類】H01J37/32, H01J9/00
【公開號】CN105428195
【申請?zhí)枴緾N201510578768
【發(fā)明人】長山將之, 三橋康至, 虻川志向, 永井正也, 金澤義典, 仁矢鐵也
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社, 東華隆株式會社
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年9月11日
【公告號】US20160076129