有機發(fā)光元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本申請要求于2013年9月17日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2013-0112124號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容在此通過引證的方式納入本說明書。
[0002 ]本申請設(shè)及一種有機發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0003] 有機發(fā)光器件從兩個電極將電子和空穴注入到有機材料層中而將電流轉(zhuǎn)換為可 見光。有機發(fā)光器件可具有包括兩層W上有機材料層的多層結(jié)構(gòu)。例如，如果需要，除發(fā)光 層外，有機發(fā)光器件還可包括電子或空穴注入層、電子或空穴阻擋層或者電子或空穴傳輸 層。
[0004] 近來，根據(jù)有機發(fā)光器件的用途的多樣化，已積極開展對可改善有機發(fā)光器件性 能的材料的研究。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 技術(shù)問題
[0006] 本發(fā)明的發(fā)明人已反復(fù)研究了改善有機發(fā)光器件的驅(qū)動穩(wěn)定性的方法，從而產(chǎn)生 了本發(fā)明。
[0007] 技術(shù)方案
[000引本申請的第一示例性實施方案提供了一種有機發(fā)光器件，其包括:負(fù)極、設(shè)置W面 向負(fù)極的正極W及設(shè)置于負(fù)極和正極之間的發(fā)光層，其中該有機發(fā)光器件還包括介于正極 與發(fā)光層之間在從正極至發(fā)光層的方向上依次設(shè)置的第一層、第二層及第=層，第一層包 括n-型有機材料或金屬氧化物，第二層包括阻擋材料，且第S層包括n-型滲雜劑。
[0009] 本申請的第二示例性實施方案提供了一種堆疊式有機發(fā)光器件，其包括:負(fù)極、設(shè) 置W面向負(fù)極的正極W及置于負(fù)極與正極之間且包括發(fā)光層的兩個W上的發(fā)光單元，其中 該堆疊式有機發(fā)光器件還包括介于發(fā)光單元之間在從正極至負(fù)極的方向上依次設(shè)置的第 一層、第二層及第=層，第一層包括n型有機材料或金屬氧化物，第二層包括阻擋材料，第= 層包括n型滲雜劑。
[0010] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第一或第二示例性實施方案中，第二層 的阻擋材料包括有機金屬絡(luò)合物、n型有機材料及P型有機材料中的一種或更多種。
[0011] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第一或第二示例性實施方案中，第一層 由n型有機材料或金屬氧化物中的一種形成。
[0012] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第一或第二示例性實施方案中，第一層 為未滲雜層。
[0013] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第一示例性實施方案中，有機發(fā)光器件 還包括介于第=層與發(fā)光層之間的附加的電子傳輸層。
[0014] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第二示例性實施方案中，有機發(fā)光器件 還包括介于第=層和與第=層接觸的發(fā)光單元的發(fā)光層之間的附加電子傳輸層。
[0015] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第二示例性實施方案中，除了與負(fù)極接 觸的發(fā)光單元外，剩余發(fā)光單元中的至少一個還包括與第一層接觸的P型有機材料層。
[0016] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第二示例性實施方案中，與負(fù)極接觸的 發(fā)光單元還包括P型有機材料層作為與負(fù)極接觸的有機材料層。
[0017] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第二示例性實施方案中，與負(fù)極接觸的 發(fā)光單元還包括與第一層材料相同的層作為與負(fù)極接觸的有機材料層。
[0018] 根據(jù)本申請的另一個示例性實施方案，在第二示例性實施方案中，與正極接觸的 發(fā)光單元還包括介于正極與發(fā)光層之間在從正極至發(fā)光層的方向上依次設(shè)置的第一層、第 二層及第=層。
[0019]有益效果
[0020] 在根據(jù)本申請中所述的示例性實施方案的有機發(fā)光器件或堆疊式有機發(fā)光器件 中，可W有效地防止設(shè)置于電極之間的層的連接表面處發(fā)生化學(xué)反應(yīng)、防止由滲雜劑相互 擴散造成驅(qū)動電壓的增加，或者增強器件的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0021] 圖1至圖6分別示出了根據(jù)本申請的第一示例性實施方案的有機發(fā)光器件的層疊 結(jié)構(gòu)。
[0022] 圖7至圖10分別示出了根據(jù)本申請的第二示例性實施方案的堆疊式有機發(fā)光器件 的層疊結(jié)構(gòu)。
[0023] 圖11至如13分別示出了根據(jù)本申請的第二示例性實施方案的堆疊式有機發(fā)光器 件的發(fā)光單元的層疊結(jié)構(gòu)。
[0024] 圖14為根據(jù)本申請的示例性實施方案的實施例1和2與比較實施例1的對比效果 圖。
[0025] 圖15為根據(jù)本申請的示例性實施方案的實施例6與比較實施例1和2的對比效果 圖。
[0026] 圖16為示出了根據(jù)本申請的示例性實施方案的實施例3至5的器件的效率的圖。
[0027] 圖17為示出了根據(jù)本申請的示例性實施方案的實施例3至5的器件的反射比的圖。
【具體實施方式】
[0028] 在下文中，將詳細說明本發(fā)明。
[0029] 在本申請中，電荷意指電子或空穴。
[0030] 在本申請中，n型意指n型半導(dǎo)體特性。換言之，n型有機材料層為具有在LUMO能級 注入或傳輸電子的特性的有機材料層，W及是具有電子的遷移率大于空穴的遷移率的材料 特性的有機材料層。相反，P型意指P型半導(dǎo)體特性。換言之，P型有機材料層為具有在HOMO (最高占據(jù)分子軌道)能級上注入或傳輸空穴的特性的有機材料層，W及是具有空穴的遷移 率大于電子的遷移率的材料特性的有機材料層。
[0031] 在本申請中，n型滲雜劑意指電子供體材料。
[0032] 在本申請中，能級意指能量的大小。因此，在能級W相對于真空能級的負(fù)(-)方向 表示的情況下，該能級也應(yīng)理解為其對應(yīng)能量值的絕對值。例如，HOMO能級意指從真空能級 到最高占據(jù)分子軌道的距離。此外，LUMO能級意指從真空能級到最低空置分子軌道的距離。
[0033] 在本申請中，術(shù)語"未滲雜的"意指構(gòu)成層的化合物沒有被具有其他特性的化合物 滲雜。例如，如果"未滲雜的"層是由P型化合物形成，則未滲雜的層可意指該層沒有用n型材 料滲雜。此外，如果"未滲雜的"層為有機材料層，則"未滲雜的"層可意指該層沒有用無機材 料滲雜。相反，如果"未滲雜的"層為的無機材料層如金屬氧化物，則"未滲雜的"層可意指該 層沒有用有機材料滲雜。然而，由于具有相同特性的（例如，P型特性）的有機材料的特性彼 此相似，因此可使用兩種W上有機材料混合的有機材料。未滲雜的有機材料層意指其中該 層僅由具有同種特性的材料形成的情況。
[0034] 在本申請中，發(fā)光單元意指可通過施加電壓來發(fā)光的有機材料層的單元。該發(fā)光 單元可僅由發(fā)光層形成，但還可包括一種W上的有機材料層W注入或傳輸電荷。例如，除發(fā) 光層外，發(fā)光單元還可包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層及電子傳輸 層中的至少一種。
[0035] 根據(jù)本申請的第一示例性實施方案的有機發(fā)光器件包括負(fù)極、設(shè)置W面向負(fù)極的 正極和設(shè)置于負(fù)極和正極之間的有機發(fā)光層，其中該有機發(fā)光器件還包括介于正極和發(fā)光 層之間在從正極至發(fā)光層方向上依次設(shè)置的第一層、第二層及第=層，第一層包括n型有機 材料或金屬氧化物，第二層包括阻擋材料，且第=層包括n型滲雜劑。
[0036] 只要第一層的材料可通過LUMO能級將電荷從正極遷移至第二層，則不對第一層作 特別限制。
[0037] 根據(jù)本申請的示例性實施方案，優(yōu)選的是第一層具有約4至7eV的LUMO能級和約 l〇-8cmVVs至Icm^Vs且優(yōu)選約IQ-6Cm^Vs至IQ-2Cm^Vs的電子遷移率。
[0038] n型有機層可由可在真空下沉積的材料或可通過溶液法形成薄膜的材料形成。
[0039] 例如，可使用下列物質(zhì)作為第一層的材料:2,3,5,6-四氣-7,7,8,8-四氯基對釀二 甲燒(F4TCNQ)、氣代3，4，9，10-巧四甲酸二酢(PTCDA)、氯代PTCDA、糞四簇酸二酢(NTCDA)、 氣代NTCDA、氯代NTCDA，或可使用W下化學(xué)式1的化合物作為第一層的材料。
[0040] [化學(xué)式。
[0042] 在化學(xué)式1中，
[0043] Ri至R6可各自獨立地為氨、面素原子、臘基(-CN)、硝基(-N02)、橫酷基(-S02R)、亞 諷基(-SOR)、橫酷胺基(-S02NR)、橫酸醋基(-SO濁）、S氣甲基(-?。?、醋基(-COOR)、酷胺基 (-C0NHR或-C0NRR'）、取代或未取代的直鏈或支鏈Ci-Ci2烷氧基、取代或未取代的直鏈或支 鏈Cl-Cl2烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈C2-C12締基、取代或未取代的芳族或非芳族雜環(huán) 基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的單芳基胺或二芳基胺、或取代或未取代的芳烷基 胺，且R和R'可各自為取代或未取代的Ci-Cso烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的5 元至7元雜環(huán)基。
[0044] 在上述的描述中，術(shù)語"取代或未取代的"意指未被或者被W下基團取代：面素原 子、臘基(-CN)、硝基(-N02)、橫酷基(-S02R)、亞諷基(-S0R)、橫酷胺基(-S02NR)、橫酸醋基(-SO濁）、S氣甲基(-CF3)、醋基(-COOR)、酷胺基(-CONHR或-CONRR '）、直鏈或支鏈Ci-Ci2燒氧 基、直鏈或支鏈Cl-Cu烷基、直鏈或支鏈C2-C12締基、芳族或非芳族雜環(huán)基、芳基、單芳基胺或 二芳基胺或芳烷基胺，且在本文中，R和R '各自為Ci-Cso烷基、芳基或5元至7元雜環(huán)基。
[0045] 化學(xué)式1的化合物的實例可為下列化學(xué)式1-1至1-6的化合