有機電致發(fā)光裝置的制造方法
【專利說明】
[0001] 相關申請的交叉引用
[0002] 于2014年10月6日在日本知識產權局提交的且標題為"有機電致發(fā)光裝 置（Organic Electroluminescent Device)"的日本專利申請 No. 2014-205502 和于 2014年10月6日在日本知識產權局提交的且標題為"有機電致發(fā)光裝置（化ganic Electroluminescent Device)"的日本專利申請No. 2014-205508通過引用整體并入本文。
技術領域
[0003] 實施方式設及有機電致發(fā)光裝置。
【背景技術】
[0004] 正進行有機電致發(fā)光顯示器的開發(fā)。例如，也正積極地進行有機電致發(fā)光顯示器 中所用的自發(fā)光型裝置的有機電致發(fā)光裝置的開發(fā)。
[0005] 作為有機電致發(fā)光裝置的結構，可通過逐個堆找例如陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、 電子傳輸層和陰極而獲得堆找結構。
[0006] 在此類有機電致發(fā)光裝置中，從陽極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)光層中復合W 產生激子。例如，可經由所產生的激子躍遷至基態(tài)而實現發(fā)光。

【發(fā)明內容】

[0007] 實施方式設及有機電致發(fā)光裝置。
[0008] 實施方式可通過提供有機電致發(fā)光裝置來實現，所述有機電致發(fā)光裝置包括陽 極；發(fā)光層；所述陽極與所述發(fā)光層之間的陽極側空穴傳輸層，所述陽極側空穴傳輸層包 括陽極側空穴傳輸材料，且滲雜有電子接受材料；所述陽極側空穴傳輸層與所述發(fā)光層之 間的居間空穴傳輸材料層，所述居間空穴傳輸材料層包括居間空穴傳輸材料；W及所述居 間空穴傳輸材料層與所述發(fā)光層之間的且與所述發(fā)光層相鄰的發(fā)光層側空穴傳輸層，所述 發(fā)光層側空穴傳輸層包括由下列通式（1)表示的發(fā)光層側空穴傳輸材料：
[0009]
[0010] 其中，在通式（1)中，Ari和Ar 2各自獨立地為取代的或未取代的具有6至50個環(huán) 碳原子的芳基、或者取代的或未取代的具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基，A。和Ar 4各自獨 立地為取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具有5至50 個環(huán)碳原子的雜芳基、或者經由與相鄰環(huán)稠合而形成的稠合多環(huán)基團，Ri和R2各自獨立地 為氨原子、気原子、取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具 有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基、或者取代的或未取代的具有1至50個碳原子的烷基，Li和 L2各自獨立地為單鍵、取代的或未取代的具有6至18個環(huán)碳原子的亞芳基、或者取代的或 未取代的具有5至15個環(huán)碳原子的亞雜芳基，并且1和m各自獨立地為0至4的整數。
[0011] 所述居間空穴傳輸材料可包括由下列通式（2)表示的化合物：
[0012]
[001引其中，在通式（2)中，Arg至Ar 7各自獨立地為取代的或未取代的具有6至50個環(huán) 碳原子的芳基、或者取代的或未取代的具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基，Ar?為氨原子、気 原子、面素原子、取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具有 5至50個環(huán)碳原子的雜芳基、或者取代的或未取代的具有1至50個碳原子的烷基，并且L3 為直接的聯接、取代的或未取代的具有6至18個環(huán)碳原子的亞芳基、或者取代的或未取代 的具有5至15個環(huán)碳原子的亞雜芳基。
[0014] 所述電子接受材料可具有約-9. OeV至約-4. OeV的最低未占分子軌道（LUM0)水 平。
[0015] 所述陽極側空穴傳輸層可與所述陽極相鄰。
[0016] 所述陽極側空穴傳輸材料可包括由下列通式（2)表示的化合物
[0017]
[001引其中，在通式（2)中，Ars至Ar 7各自獨立地為取代的或未取代的具有6至50個環(huán) 碳原子的芳基、或者取代的或未取代的具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基，Ar?為氨原子、気 原子、面素原子、取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具有 5至50個環(huán)碳原子的雜芳基、或者取代的或未取代的具有1至50個碳原子的烷基，并且L3 為直接的聯接、取代的或未取代的具有6至18個環(huán)碳原子的亞芳基、或者取代的或未取代 的具有5至15個環(huán)碳原子的亞雜芳基。
[0019] 所述發(fā)光層可包括由下列通式（3)表示的化合物：
[0020]
[0021] 其中，在通式（3)中，每個Are獨立地為氨原子、気原子、取代的或未取代的具有1 至50個碳原子的烷基、取代的或未取代的具有3至50個環(huán)碳原子的環(huán)烷基、取代的或未取 代的具有1至50個碳原子的烷氧基、取代的或未取代的具有7至50個碳原子的芳烷基、取 代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳氧基、取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳 原子的芳硫基、取代的或未取代的具有2至50個碳原子的烷氧基幾基、取代的或未取代的 具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基、取代 的或未取代的甲娃烷基、簇基、面素原子、氯基、硝基或徑基，并且η為1至10的整數。
[0022] 實施方式可通過提供有機電致發(fā)光裝置來實現，所述有機電致發(fā)光裝置包括陽 極；發(fā)光層；所述陽極與所述發(fā)光層之間的陽極側空穴傳輸層，所述陽極側空穴傳輸層主 要包括電子接受材料；所述陽極側空穴傳輸層與所述發(fā)光層之間的居間空穴傳輸材料層， 所述居間空穴傳輸材料層包括居間空穴傳輸材料；W及所述居間空穴傳輸材料層與所述發(fā) 光層之間的且與所述發(fā)光層相鄰的發(fā)光層側空穴傳輸層，所述發(fā)光層側空穴傳輸層包括由 下列通式（1)表示的發(fā)光層側空穴傳輸材料：
[0023]
[0024] 其中，在通式（1)中，Ari和Ar 2各自獨立地為取代的或未取代的具有6至50個環(huán) 碳原子的芳基、或者取代的或未取代的具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基，A。和Ar 4各自獨 立地為取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具有5至50 個環(huán)碳原子的雜芳基、或者經由與相鄰環(huán)稠合而形成的稠合多環(huán)基團，Ri和R2各自獨立地 為氨原子、気原子、取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具 有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基、或者取代的或未取代的具有1至50個碳原子的烷基，Li和 L2各自獨立地為單鍵、取代的或未取代的具有6至18個環(huán)碳原子的亞芳基、或者取代的或 未取代的具有5至15個環(huán)碳原子的亞雜芳基，并且1和m各自獨立地為0至4的整數。
[00巧]所述居間空穴傳輸材料可包括由下列通式（2)表示的化合物：
[0026]
[0027] 其中，在通式似中，Ar產Ar 7各自獨立地為取代的或未取代的具有6至50個環(huán) 碳原子的芳基、或者取代的或未取代的具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基，Ar?為氨原子、気 原子、面素原子、取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具有 5至50個環(huán)碳原子的雜芳基、或者取代的或未取代的具有1至50個碳原子的烷基，并且L3 為直接的聯接、取代的或未取代的具有6至18個環(huán)碳原子的亞芳基、或者取代的或未取代 的具有5至15個環(huán)碳原子的亞雜芳基。
[0028] 所述電子接受材料可具有約-9. OeV至約-4. OeV.的最低未占分子軌道（LUM0)水 平。
[0029] 所述陽極側空穴傳輸層可與所述陽極相鄰。
[0030] 所述發(fā)光層可W包括由下列通式（3)表示的化合物：
[0031]
[0032] 其中，在通式（3)中，每個Are獨立地為氨原子、気原子、取代的或未取代的具有1 至50個碳原子的烷基、取代的或未取代的具有3至50個環(huán)碳原子的環(huán)烷基、取代的或未取 代的具有1至50個碳原子的烷氧基、取代的或未取代的具有7至50個碳原子的芳烷基、取 代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳氧基、取代的或未取代的具有6至50個環(huán)碳 原子的芳硫基、取代的或未取代的具有2至50個碳原子的烷氧基幾基、取代的或未取代的 具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、取代的或未取代的具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基、取代 的或未取代的甲娃烷基、簇基、面素原子、氯基、硝基或徑基，并且η為1至10的整數。
【附圖說明】
[0033] 通過參考附圖詳細地描述示例性實施方式，對于本領域技術人員而言各個特征將 是明顯的，在附圖中：
[0034] 圖1說明了根據實施方式的有機電致發(fā)光裝置的示意構型。
【具體實施方式】
[0035] 現將參考附圖在下文更充分地描述示例實施方式；然而，它們可W不同形式實施 而不應解釋為限于本文所列的實施方式。相反，提供運些實施方式使得本公開將透徹而完 整，并且將向本領域技術人員充分展現示例性實現方式。
[0036] 在附圖中，為了清楚說明，可放大層和區(qū)域的尺寸。相同的附圖標記通篇是指相同 的要素。
[0037] <1-1.包括陽極側空穴傳輸層（包括陽極側空穴傳輸材料且滲雜有電子接受材 料）的有機電致發(fā)光裝置的構型〉
[0038] (1-1-1.總體構型）
[0039] 首先，基于圖1，將描述根據實施方式的有機電致發(fā)光裝置100的總體構型。
[0040] 如圖1中所示，根據實施方式的有機電致發(fā)光裝置100可包括基板110,布置于基 板110上的第一電極120、布置于第一電極120上的空穴傳輸層130、布置于空穴傳輸層130 上的發(fā)光層140、布置于發(fā)光層140上的電子傳輸層150、布置于電子傳輸層150上的電子 注入層160和布置于電子注入層160上的第二電極170。在此，空穴傳輸層130可形成為具 有由多個層131、133和135組成的多層結構。
[0041] (1-1-2.基板的構型）
[0042] 基板110可為適用于有機電致發(fā)光裝置的基板。例如，基板110可為玻璃基板、半 導體基板或透明塑料基板。
[0043] (1-1-3.第一電極的構型）
[0044] 第一電極120可W為例如陽極，并且可使用例如蒸發(fā)法、瓣射法等而形成于基板 110上。例如，可使用具有大功函的金屬、合金、導電化合物等使第一電極120形成為透射式 電極?？墒褂美缇哂辛己玫耐该鞫群碗妼实难趸~錫（IT0)、氧化銅鋒（IZ0)、氧化錫 (Sn〇2)、氧化鋒狂nO)等形成第一電極120。在實踐中，可使用儀（Mg)、侶（A1)等使第一電 極120形成為反射式電極。
[004引 （1-1-4.空穴傳輸層的構型）
[0046] 空穴傳輸層130可包括空穴傳輸材料并且可具有空穴傳輸功能?？昭▊鬏攲?30 可例如于第一電極120上形成至約10皿至約150皿的層厚度（堆找結構的總層厚度）。
[0047] 在實踐中，根據實施方式的有機電致發(fā)光裝置100的空穴傳輸層130可通過從第 一電極120、陽極側空穴傳輸層131、居間空穴傳輸材料層133和發(fā)光層側空穴傳輸層135 逐個堆找而形成為多層。在實踐中，可適合地選擇層的厚度的比例。
[004引 （1-1-4-1.陽極側空穴傳輸層的構型）
[0049] 陽極側空穴傳輸層131可為包括陽極側空穴傳輸材料或化合物的層并且可滲雜 有電子接受材料。例如，陽極側空穴傳輸層131可形成于第一電極120上。
[0050] 陽極側空穴傳輸層131可滲雜有電子接受材料并且會有助于改善第一電極120的 空穴注入性質。例如，陽極側空穴傳輸層131可設置在第一電極120周圍。在實踐中，陽極 側空穴傳輸層131可設置與第一電極120相鄰，例如，直接相鄰。
[0051] 陽極側空穴傳輸層131中包括的陽極側空穴傳輸材料可為適合的空穴傳輸材料。 陽極側空穴傳輸層131中包括的陽極側空穴傳輸材料的實例可包括1，1-雙[(二-4-甲苯 基氨基）苯基]環(huán)己燒燈APC)、巧挫衍生物（例如N-苯基巧挫、聚乙締基巧挫等）、N，Ν'-雙 (3-甲基苯基）-Ν，Ν'-二苯基-[1，1-聯苯]-4,4'-二胺燈PD)、4,4'，4"-S (Ν-巧挫基） Ξ苯基胺燈CTA)、N，Ν' -二（1-糞基）-N，Ν' -二苯基聯苯胺（NPB)等。
[0052] 陽極側空穴傳輸層131中包括的電子接受材料可為適合的電子接受材料。在實 踐中，陽極側空穴傳輸層131中包括的電子接受材料可具有例如約-9. OeV至約-4. OeV或 約-6. OeV至約-4. OeV的LUM0水平。
[0053] 具有約-9. OeV至約-4. OeV的LUM0水平的電子接受材料的實例可包括由下列式 4-1、4-2、4-3、4-4、4-5、4-6、4-7、4-8、4-9、4-10、4-11、4-12、4-13 和 4-14 表示的化合物。
[0054]
[00巧]在上式 4-1、4-2、4-3、4-4、4-5、4-6、4-7、4-8、4-9、4-10、4-11、4-12、4-13 和 4-14 中，R可為或包括，例如，氨原子、気原子、面素原子、具有1至50個碳原子的氣烷基、氯基、 具有1至50個碳原子的烷氧基、具有1至50個碳原子的烷基、具有6至50個環(huán)碳原子的 芳基、或者具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳基。
[0056] Ar可為或包括，例如，未取代的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、被吸電子基團取代 的具有6至50個環(huán)碳原子的芳基、或者取代的或未取代的具有5至50個環(huán)碳原子的雜芳 基。Y可為例如，次甲基（-CH = )或氮原子（-N = )。Z可為例如，擬面素原子或硫（巧原 子。η可為例如，10和10W下的整數。X可為由下列式X1、X2、X3、X4、X5、X6或X7之一表 示的取代基。
[0057]
[0058] 在上式XI、Χ2、Χ3、Χ4、Χ5、Χ6和Χ7中，R