半導(dǎo)體封裝方法、封裝體及封裝單元的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝方法、封裝體及封裝單元。
【背景技術(shù)】
[0002]參見(jiàn)圖1，封裝體在芯片封裝空間的下部由中央的基島10和圍繞基島10布置的引腳11構(gòu)成，基島10上放置芯片12，芯片12上的各導(dǎo)電部分別通過(guò)金屬線13與各引腳11電連接，其余封裝空間填充環(huán)氧樹脂。對(duì)于DFN工藝，由于其只有兩側(cè)有引腳，所以，在所述封裝體塑封后，對(duì)封裝體進(jìn)行切割分離，如圖1所示，切割后，引腳11的切割面會(huì)暴露于所述封裝體相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面(如圖中箭頭所指的部分)，這樣不利于可靠性及可焊性的要求。
[0003]而傳統(tǒng)的對(duì)引腳側(cè)面進(jìn)行電鍍的方式，是在封裝體另外兩相對(duì)側(cè)面上設(shè)置導(dǎo)電架(或連筋)14，所述導(dǎo)電架14將引腳11電連接至外部框架15，形成導(dǎo)電回路，在第一次切割(圖中是縱向切割)后，采用電鍍工藝，利用導(dǎo)電架14將暴露于所述封裝體兩相對(duì)側(cè)面的引腳電鍍金屬層16。
[0004]在完成電鍍后，進(jìn)行第二次切割(橫向)，將導(dǎo)電架14分離。
[0005]但是，對(duì)于四側(cè)都具有引腳的QFN工藝，如圖2所示，上下引腳11采用虛線標(biāo)示，沿封裝體側(cè)面切割導(dǎo)電架14及該側(cè)面上的引腳11，導(dǎo)電架14及引腳11在該側(cè)面具有切面(如圖2中箭頭所指部分)。
[0006]上述傳統(tǒng)側(cè)面引腳電鍍金屬的方法存在缺點(diǎn):由于第一次切割完畢之后，所述封裝體暴露出引腳切面的兩相對(duì)側(cè)面上并無(wú)其他結(jié)構(gòu)存在，即不存在與另外兩相對(duì)側(cè)面的引腳連接的結(jié)構(gòu)，因此，在第二次切割后暴露出的引腳及導(dǎo)電架無(wú)法與外部結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電回路，其切面無(wú)法電鍍金屬，會(huì)降低封裝體產(chǎn)品的可靠性。
[0007]由于封裝體該缺點(diǎn)，使得該種四面具有引腳的封裝體不適于可靠性要求高的產(chǎn)品。因此，急需一種可靠性高的封裝體產(chǎn)品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種半導(dǎo)體封裝方法、封裝體及封裝單元，其能夠?qū)崿F(xiàn)引腳全鍍，改善可靠性。
[0009]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體封裝方法，包括如下步驟:提供具有多個(gè)封裝單元的封裝體，所述封裝體的第一面與一載體結(jié)合;對(duì)所述封裝體進(jìn)行切割步驟，以使得所述封裝單元彼此獨(dú)立;對(duì)與所述載體結(jié)合的所述封裝單元進(jìn)行鍍金屬步驟，以使外露于所述封裝單元的金屬切面全部被鍍金屬;去除所述載體。
[0010]進(jìn)一步，所述載體為導(dǎo)電載體，所述封裝體的第一面為所述封裝體具有引線框架的一面，所述鍍金屬的方法為:對(duì)所述封裝單元及導(dǎo)電載體進(jìn)行通電電鍍，以使外露于所述封裝單元的金屬切面全部電鍍金屬。
[0011]進(jìn)一步，在鍍金屬步驟前，在所述導(dǎo)電載體背離所述封裝單元的一表面覆蓋掩膜。
[0012]進(jìn)一步，導(dǎo)電載體為碳素鋼，是所述封裝體封裝前的引線框架的載體。
[0013]進(jìn)一步，在所述封裝體與所述載體結(jié)合之前，還包括一預(yù)鍍的步驟，用于將所述封裝體后續(xù)被載體遮擋的裸露金屬電鍍金屬。
[0014]進(jìn)一步，所述載體為絕緣載體，所述封裝體的第一面為所述封裝體遠(yuǎn)離引線框架的一面，所述鍍金屬的方法為:對(duì)所述封裝單元進(jìn)行化學(xué)鍍，以使外露于所述封裝單元的金屬切面全部鍍金屬。
[0015]進(jìn)一步，切割所述封裝體后，所述封裝單元側(cè)面引腳的切割面及底面的引腳暴露，化學(xué)鍍步驟中，外露于所述封裝單元的金屬切面全部被鍍金屬。
[0016]進(jìn)一步，所述絕緣載體為UV膜。
[0017]進(jìn)一步，所述UV膜一面固定在一非金屬支撐體上，另一面與所述封裝體的第一面全士么云口口 ο
[0018]進(jìn)一步，在去除所述絕緣載體的步驟中，采用照射紫外光的方法去除所述UV膜。
[0019]本發(fā)明還提供一種封裝體，包括多個(gè)設(shè)置在同一載體上且彼此獨(dú)立的封裝單元，外露于每一所述封裝單元的金屬切面均被鍍金屬。
[0020]進(jìn)一步，所述載體設(shè)置在所述封裝單元具有引線框架的一面或所述載體設(shè)置在所述封裝單元遠(yuǎn)離引線框架的一面。
[0021]本發(fā)明還提供一種封裝單元，所述封裝單元至少在相鄰的兩個(gè)側(cè)面具有切割形成的金屬切面，所有所述金屬切面均覆蓋有金屬鍍層。
[0022]進(jìn)一步，所述封裝單元的每一側(cè)面均設(shè)置有引腳，且每個(gè)引腳的金屬切面均覆蓋有金屬鍍層。
[0023]進(jìn)一步，每一金屬切面的的金屬鍍層均勻一致。
[0024]進(jìn)一步，所述引腳至少有兩個(gè)面的交界處具有分隔帶，分隔帶兩側(cè)的金屬鍍層具有差異特征。
[0025]進(jìn)一步，所述差異特征為分隔帶兩側(cè)金屬鍍層的厚度不同。
[0026]本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，利用與封裝體結(jié)合的載體，例如，利用絕緣載體或封裝體本身的導(dǎo)電載體進(jìn)行鍍金屬，不需要額外的制程即可實(shí)現(xiàn)引腳全電鍍，改善可靠性;且框架引腳可以靈活方便設(shè)計(jì)。
【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1是現(xiàn)有的封裝體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2是現(xiàn)有的封裝體的截面示意圖；
[0029]圖3是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法的步驟示意圖；
[0030]圖4是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法第一【具體實(shí)施方式】鍍金屬的步驟示意圖；
[0031]圖5Α?圖5Ε是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法第一【具體實(shí)施方式】的流程圖；
[0032]圖6是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法第二【具體實(shí)施方式】鍍金屬的步驟示意圖；
[0033]圖7Α?圖7D是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法第二【具體實(shí)施方式】的流程圖；
[0034]圖8是本發(fā)明封裝體的第一【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖9是本發(fā)明封裝體的第二【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖10是根據(jù)本發(fā)明的方法制造的封裝單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體封裝方法、封裝體及封裝單元的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)說(shuō)明。
[0038]參見(jiàn)圖3，本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法包括如下步驟:步驟S1、提供具有多個(gè)封裝單元的封裝體，所述封裝體的第一面與一載體結(jié)合;步驟S2、對(duì)所述封裝體進(jìn)行切割步驟，以使得所述封裝單元彼此獨(dú)立;步驟S3、對(duì)與所述載體結(jié)合的所述封裝單元進(jìn)行鍍金屬步驟，以使外露于所述封裝單元的金屬切面全部被鍍金屬;步驟S4、去除所述載體。
[0039]在本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法的第一【具體實(shí)施方式】中，所述載體為導(dǎo)電載體，所述封裝體的第一面為所述封裝體具有引線框架的一面。參見(jiàn)圖4，在本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法的第一【具體實(shí)施方式】中，所述鍍金屬方法包括如下步驟:步驟S40、在所述導(dǎo)電載體背離所述封裝單元的一表面覆蓋掩膜;步驟S41、對(duì)所述封裝單元及導(dǎo)電載體進(jìn)行通電電鍍，以使外露于所述封裝單元的金屬切面全部電鍍金屬。
[0040]圖5A?圖5E是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法第一【具體實(shí)施方式】的流程示意圖。
[0041]參見(jiàn)步驟SI及圖5A，提供具有多個(gè)封裝單元31的封裝體，所述封裝體的第一面38與一導(dǎo)電載體32結(jié)合。在本【具體實(shí)施方式】中，僅示意性地列舉兩個(gè)封裝單元31。
[0042]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電載體32為碳素鋼，所述封裝體的第一面為所述封裝體具有引線框架33的一面。所述導(dǎo)電載體32為引線框架33本身具有的載體，在引線框架33進(jìn)行固晶、打線及封裝的過(guò)程中支撐所述引線框架33。因此，所述導(dǎo)電載體32并不是在該步驟中添加到封裝體底部的，而是引線框架33本身的支撐結(jié)構(gòu)。在所述引線框架33制作時(shí)且在覆蓋導(dǎo)電載體32之前，所述引線框架33底部預(yù)先進(jìn)行電鍍，用于將所述封裝體后續(xù)被導(dǎo)電載體32遮擋的裸露金屬電鍍金屬層。
[0043]參見(jiàn)步驟S2及圖5B，對(duì)所述封裝體進(jìn)行切割步驟，以使得所述封裝單元31彼此獨(dú)立。該步切割并未切割導(dǎo)電載體32，以使得導(dǎo)電載體32能夠與每一封裝單元31連接，在后續(xù)電鍍步驟中，形成電鍍回路。該切割步驟后，金屬切面35外露于所述封裝單元31，所述金屬切面35包括引腳的金屬切面，還可以包括封裝單元31其他結(jié)構(gòu)的金屬切面。
[0044]參見(jiàn)步驟S40及圖5C，在所述導(dǎo)電載體32背離所述封裝單元31的一表面覆蓋掩膜34。
[0045]由于所述導(dǎo)電載體32背離封裝單元31的另一表面并不需要電鍍，為了節(jié)省電鍍材料，所述掩膜34覆蓋所述導(dǎo)電載體32背離所述封裝單元31的另一表面，以避免所述導(dǎo)電載體32背離所述封裝單元31的另一表面被電鍍。
[0046]參見(jiàn)步驟S41及圖5D，對(duì)所述封裝單元31及導(dǎo)電載體32進(jìn)行通電電鍍，以使外露于所述封裝單元31的金屬切面35全部電鍍金屬層36。在該步驟中，所述導(dǎo)電載體32的外露表面也被電鍍金屬層36，所述金屬切面35表面的金屬層在圖中采用虛線示意標(biāo)出，在后續(xù)去除所述導(dǎo)電載體32的步驟中，沿該虛線切割所述金屬層36，以保留所述金屬切面35表面的金屬層。
[0047]在本【具體實(shí)施方式】中，所述金屬切面35指的是引腳的切面，在其他實(shí)施方式中，所述金屬切面35包括外露于所述封裝單元31的全部金屬切面。進(jìn)一步，所述金屬層36與所述封裝單元31預(yù)鍍的金屬材料相同，例如為金屬金。
[0048]參見(jiàn)步驟S4及圖5E，去除所述導(dǎo)電載體32，形成金屬切面35全鍍的封裝