有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯不裝置
[0001 ] 本申請為2012年06月29日向中國知識產(chǎn)權(quán)局申請的申請?zhí)枮?01210223710.1的發(fā)明專利申請的分案申請。
[0002]相關(guān)申請的交叉引用
[0003]本申請要求2011年6月29日提交的韓國專利申請N0.10-2011-0063558和2012年6月I日提交的韓國專利申請N0.10-2012-0059068的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，這兩個韓國專利申請公開的全部內(nèi)容通過引用特此并入本申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0004]本發(fā)明的示例實施例涉及在絕緣層上形成傾斜結(jié)構(gòu)的方法、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。更具體地說，本發(fā)明的示例實施例涉及在絕緣層上形成具有期望傾斜角的傾斜結(jié)構(gòu)的方法、包括具有該傾斜結(jié)構(gòu)的絕緣層的有機(jī)發(fā)光顯示裝置以及制造包括具有該傾斜結(jié)構(gòu)的絕緣層的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0005]在平板顯示裝置中，即便有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置具有相對小的尺寸，其也可以具有多種期望的特性，例如高響應(yīng)速度、較低功耗和寬視角。此外，可以用簡單的構(gòu)造在相對低的溫度下制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置，因此有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以被認(rèn)可成為下一代顯示
目.ο
[0006]傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有如下構(gòu)造，在構(gòu)造中陽極和陰極可以接連布置在覆蓋在基板上設(shè)置的薄膜晶體管(TFT)的絕緣層上，并且有機(jī)發(fā)光層可以布置在陽極和陰極之間。然而，在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，從有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的光可能在這兩個電極間全反射，使得傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的光效率可能顯著下降。例如，由于光在陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極之間的反射，傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置可能具有大約30%的光損耗。考慮到光的光損耗，有人提出一種包括在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中具有不同厚度的有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，以便引起紅色光、綠色光和藍(lán)色光的相長干涉。包括光學(xué)諧振結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有提高的光效率，然而由于由光的光學(xué)諧振導(dǎo)致的色移現(xiàn)象，這種有機(jī)發(fā)光顯示裝置可能具有差的側(cè)面可視性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]實施例的方面針對在絕緣層上形成具有期望傾斜角的傾斜結(jié)構(gòu)的方法。
[0008]實施例的方面針對有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括具有含有期望傾斜角的傾斜結(jié)構(gòu)的絕緣層，以提高該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的光效率。
[0009]實施例的方面針對使用在絕緣層上形成具有期望傾斜角的傾斜結(jié)構(gòu)的方法制造具有提高的光效率的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0010]根據(jù)示例實施例，本發(fā)明提供一種在絕緣層上形成傾斜結(jié)構(gòu)的方法。在在絕緣層上形成傾斜結(jié)構(gòu)的方法中，可以在第一絕緣膜上形成第一凹槽。可以在具有所述第一凹槽的所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，并且可以在所述第二絕緣膜上形成第二凹槽。可以通過對所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜執(zhí)行回流工藝，從所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述傾斜結(jié)構(gòu)。
[0011]在示例實施例中，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜中的每個可以包括有機(jī)材料、硅的化合物、金屬和/或金屬氧化物。例如，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜中的每個可以包括光刻膠、丙烯酰基類聚合物、聚酰亞胺類聚合物、聚酰胺類聚合物、硅氧烷類聚合物、包含光敏丙烯?；然木酆衔?、酚醛樹脂、堿溶性樹脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鎂氧化物、鋅氧化物、鉿氧化物和鋯氧化物等。這些可以單獨使用或?qū)⑵浣M合使用。
[0012]在示例實施例中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每個可以使用包括擋光區(qū)和半透射區(qū)的掩膜形成。
[0013]在示例實施例中，所述第一凹槽可以具有大致大于所述第二凹槽的深度的深度，并且所述第二凹槽可以具有大致大于所述第一凹槽的寬度的寬度。
[0014]在示例實施例中，可以在形成所述第一凹槽以后附加地對所述第一凹槽的側(cè)壁和底部執(zhí)行表面處理工藝。
[0015]在示例實施例中，所述回流工藝可以在所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的熔點的大約50%到大約80%的范圍內(nèi)的溫度下執(zhí)行。
[0016]在示例實施例中，所述傾斜結(jié)構(gòu)可以具有大致凹陷的形狀或大致突出的形狀。例如，所述傾斜結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的傾斜角和所述第一凹槽的側(cè)壁和所述第二凹槽的側(cè)壁的傾斜角之間的比率可以處于大約1.0:0.2到大約1.0:1.8的范圍內(nèi)。
[0017]根據(jù)示例實施例，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其包括第一基板、絕緣層、第一電極、像素限定層、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二電極和第二基板。所述絕緣層可以布置在所述第一基板上。所述絕緣層可以包括傾斜結(jié)構(gòu)。所述第一電極可以布置在所述絕緣層上。所述像素限定層可以布置在所述絕緣層和所述第一電極上。所述像素限定層可以限定發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)。所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)可以布置在所述發(fā)光區(qū)中的所述第一電極上。所述第二電極可以布置在所述像素限定層和所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)上。所述第二基板可以布置在所述第二電極上。
[0018]在示例實施例中，所述像素限定層可以在設(shè)置在所述傾斜結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的所述第一電極上延伸。
[0019]在一些示例實施例中，所述像素限定層可以在設(shè)置在所述傾斜結(jié)構(gòu)的上表面上的所述第一電極上延伸，并且所述像素限定層可以具有暴露所述發(fā)光區(qū)中的所述第一電極的開口。所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)可以埋在所述像素限定層的所述開口內(nèi)。所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁可以具有相對于與所述第一基板大致平行的方向大約110°到大約160°的傾斜角。
[0020]在示例實施例中，所述傾斜結(jié)構(gòu)的側(cè)壁可以具有相對于與所述第一基板大致平行的方向大約20°到大約70°的傾斜角。所述第一電極在所述傾斜結(jié)構(gòu)上的側(cè)向部分和所述第二電極在所述傾斜結(jié)構(gòu)上的側(cè)向部分中的每個可以具有與所述傾斜結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的傾斜角大致相同的傾斜角。
[0021]在示例實施例中，所述絕緣層可以具有在所述傾斜結(jié)構(gòu)上形成的多個突起。所述第一電極可以具有分別在所述多個突起上形成的多個突出部分。所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有被所述第一電極的所述多個突出部分分隔的多個部分。
[0022]在示例實施例中，所述傾斜結(jié)構(gòu)可以具有大致凹陷的形狀，并且所述傾斜結(jié)構(gòu)的側(cè)壁可以具有與所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的傾斜角大致相同的傾斜角。
[0023]在示例實施例中，所述傾斜結(jié)構(gòu)可以具有大致突出的形狀，并且所述傾斜結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的傾斜角和所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的傾斜角之間的比率可以處于大約1.0:0.2到大約1.0: 1.8或大約1.0:1.6到大約1.0:8.0的范圍內(nèi)。
[0024]根據(jù)示例實施例，本發(fā)明提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法中，可以在第一基板上形成絕緣層?？梢栽谒鼋^緣層上形成傾斜結(jié)構(gòu)?？梢栽谒鼋^緣層上形成第一電極?？梢栽谒鼋^緣層和所述第一電極上形成像素限定層。可以通過部分地蝕刻所述像素限定層形成暴露在所述傾斜結(jié)構(gòu)上設(shè)置的所述第一電極的開口?？梢栽谒┞兜牡谝浑姌O上形成有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)?？梢栽谒鱿袼叵薅▽雍退鲇袡C(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成第二電極?？梢栽谒龅诙姌O上形成第二基板。
[0025]在根據(jù)示例實施例形成所述絕緣層和所述傾斜結(jié)構(gòu)中，可以在所述第一基板上形成第一絕緣膜?？梢栽谒龅谝唤^緣膜上形成第一凹槽?？梢栽诰哂兴龅谝话疾鄣乃龅谝唤^緣膜上形成第二絕緣膜?？梢栽谒龅诙^緣膜上形成第二凹槽?？梢酝ㄟ^對所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜執(zhí)行回流，從所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述傾斜結(jié)構(gòu)。
[0026]在根據(jù)示例實施例形成所述絕緣層和所述傾斜結(jié)構(gòu)中，可以在所述第一基板上形成第一絕緣膜。可以在所述第一絕緣膜上形成第一凹槽。所述第一凹槽可以互相分離?？梢栽诰哂兴龅谝话疾鄣乃龅谝唤^緣膜上形成第二絕緣膜。可以在所述第二絕緣膜的在所述第一凹槽上方的部分上形成第二凹槽?？梢酝ㄟ^對所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜執(zhí)行回流，形成具有在相鄰凹槽間的突出形狀的所述傾斜結(jié)構(gòu)。
[0027]可以在所述傾斜結(jié)構(gòu)的底部上形成多個突起。可以由所述多個突起形成所述第一電極的多個突出部分。部分的所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)可以被所述第一電極的所述多個突出部分分隔。
[0028]根據(jù)示例實施例，具有所述突出形狀或所述凹陷形狀的所述傾斜結(jié)構(gòu)可以提供所述第一電極的側(cè)向部分、所述像素限定層的側(cè)向部分和所述第二電極的側(cè)向部分，這些側(cè)向部分具有用于防止從所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生的光的全反射的期望的傾斜角。因此，包括所述傾斜結(jié)構(gòu)的所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有比傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的光效率大致高大約30%以上的光效率。此外，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置不需要任何附加的用于從所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生的光的光學(xué)諧振的結(jié)構(gòu)，使得所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有簡化的構(gòu)造，同時以提高的亮度、增加的對比度和擴(kuò)大的視角等顯示圖像。
【附圖說明】
[0029]從結(jié)合附圖做出的下面描述中可以更詳細(xì)地理解示例實施例，在附圖中:
[0030]圖1到圖4是圖示根據(jù)示例實施例的在絕緣層上形成傾斜結(jié)構(gòu)的方法的剖面圖；
[0031]圖5到圖11是圖示依據(jù)示例實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖面圖；
[0032]圖12和圖13是圖示依據(jù)一些示例實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖面圖；
[0033]圖14到圖19是圖示依據(jù)一些示例實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖面圖；
[0034]圖20和圖21是圖示依據(jù)一些示例實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖面圖；以及
[0035]圖22到圖24是圖示依據(jù)一些示例實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖面圖。
【具體實施方式】
[0036]下面參照附圖更全面地描述示例實施例。然而，本發(fā)明的構(gòu)思可以以多種不同形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)認(rèn)為局限于本發(fā)明中闡述的示例實施例。在附圖中，為了清楚可能放大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
[0037]將理解，當(dāng)元件或?qū)臃Q為“在另一元件或?qū)由稀薄ⅰ芭c另一元件或?qū)舆B接”或“與另一元件或?qū)勇?lián)接”時，其可以直接在另一元件或?qū)由?、與另一元件或?qū)又苯舆B接或與另一元件或?qū)又苯勇?lián)接，或者可以存在位于中間的元件或?qū)?。相比之下，?dāng)元件稱為“直接在另一元件或?qū)由稀?、“直接與另一元件或?qū)舆B接”或“直接與另一元件或?qū)勇?lián)接”時，沒有位于中間的元件或?qū)哟嬖?。在本發(fā)明全文中，同樣或類似的附圖標(biāo)記表示同樣或類似的元件。本發(fā)明中使用的術(shù)語“和/或”包括所關(guān)聯(lián)列出項目中的一個或多個的任何一種組合和所有組合。
[0038]將理解，雖然在本發(fā)明中術(shù)語第一、第二、第三等可以用來描述多個元件、組件、區(qū)域、層、樣式和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層、樣式和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用來將一個元件、組件、區(qū)域、層、樣式、或部分與別的區(qū)域、層、樣式或部分區(qū)分開。因此，下面介紹的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可以稱為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分，而不背離示例實施例的教導(dǎo)。
[0039]在本發(fā)明中，為了便于描述，可以使用與空間有關(guān)的術(shù)語(例如“在……正下方”、“在……下方”、“較低的”、“在……上方”、“較高的”等等)來描述附圖中圖示的一個元件或特征與別的元件或特征的關(guān)系。將理解，與空間有關(guān)的術(shù)語旨在包括裝置在使用或工作時除附圖中所示的方向以外的不同方向。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為“在其它元件或特征下面”或“在其它元件或特征正下方”的元件會朝向“其它元件或特征上方”。因此，示例性術(shù)語“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩個方向。裝置可以朝向別的方向(旋轉(zhuǎn)90度或朝向其它方向)，相應(yīng)地解釋本發(fā)明中使用的與空間有關(guān)的描述符。
[0040]本發(fā)明中使用的術(shù)語僅是作為描述具體示例實施例用途，而不是旨在限制本發(fā)明的構(gòu)思。本發(fā)明中使用的單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”還旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚指出。還將理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”在本說明書中使用時，其指定存在所敘述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或增加一個或多個其它特征、整體、步驟