一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管具有高效，長(zhǎng)壽命，可印刷制備等優(yōu)點(diǎn)，受到了人們的廣泛關(guān)注。尤其是近年來(lái)器件性能發(fā)展迅速，其各項(xiàng)性能指標(biāo)已接近或者超過(guò)其他同類顯示技術(shù)。
[0003]目前QLED(量子點(diǎn)發(fā)光二極管)器件中用到的發(fā)光二極管都是三維量子點(diǎn)材料，雖然具有色純好，發(fā)光顏色可通過(guò)尺寸和組分精確調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)，但是其俄歇復(fù)合幾率大，導(dǎo)致QLED器件的效率低和穩(wěn)定性差，另外藍(lán)光量子點(diǎn)器件的效率不高和性能不好，尤其是穩(wěn)定性仍存在非常大的差距。
[0004]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，旨在解決現(xiàn)有量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件效率低性能差的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案如下:
一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，包括襯底，在所述襯底上設(shè)置底電極，在所述底電極上設(shè)置空穴注入層，在所述空穴注入層上設(shè)置空穴傳輸層，在所述空穴傳輸層上設(shè)置包括核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料的量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上設(shè)置電子傳輸層，在所述電子傳輸層上設(shè)置頂電極。
[0007]所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料為片狀，所述核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料包括片狀內(nèi)部核層及包覆所述片狀內(nèi)部核層的外部殼層。
[0008]所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料中外部殼層材料為相對(duì)寬帶隙的半導(dǎo)體，而內(nèi)部核層為相對(duì)窄帶隙的半導(dǎo)體。
[0009]所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述寬帶隙半導(dǎo)體材料可為ZnS、ZnSe、CdS2-6族材料，InP、GaP 3-5族材料或CuInS、CuGaS 1_3_6族半導(dǎo)體材料中的一種或幾種。
[0010]所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述窄帶隙半導(dǎo)體材料為CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnTe 2-6族材料，InP、GaP 3_5組材料或CuInSXuGaS 1_3_6族半導(dǎo)體材料中的一種或幾種。
[0011]所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料為片狀，所述核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料包括片狀內(nèi)部核層及依次包覆所述片狀內(nèi)部核層的多層外部殼層。
[0012]所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料的厚度小于10納米。
[0013]本發(fā)明所提供的一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，有效地解決了現(xiàn)有量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件效率低性能差的問(wèn)題，包括襯底，在所述襯底上設(shè)置底電極，在所述底電極上設(shè)置空穴注入層，在所述空穴注入層上設(shè)置空穴傳輸層，在所述空穴傳輸層上設(shè)置包括核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料的量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上設(shè)置電子傳輸層，在所述電子傳輸層上設(shè)置頂電極;通過(guò)將傳統(tǒng)QLED器件中的發(fā)光材料從核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)改成核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料，有效減少了俄歇復(fù)合幾率，從而有效地提高了量子點(diǎn)層的發(fā)光效率，提高器件的整體性能，帶來(lái)了大大的方便。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本發(fā)明提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0015]圖2為本發(fā)明提供的核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0017]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖所示，所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括:襯底110，在所述襯底110上設(shè)置底電極120，在所述底電極120上設(shè)置空穴注入層130，在所述空穴注入層130上設(shè)置空穴傳輸層140，在所述空穴傳輸層140上設(shè)置包括核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料的量子點(diǎn)發(fā)光層150，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層150上設(shè)置電子傳輸層160，在所述電子傳輸層160上設(shè)置頂電極170。
[0018]具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，依次包括襯底、底電極、空穴注入層(HIL，hole inject1n layer)、空穴傳輸層(HTL，Hole Transport Layer)、量子點(diǎn)發(fā)光層(R、G、B)、電子傳輸層(ETL，Electron Transport Layer)以及頂電極。其中，量子點(diǎn)發(fā)光層使用核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料，所述核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料為片狀，器件結(jié)構(gòu)如圖1所示。關(guān)于襯底、底電極等乃現(xiàn)有技術(shù)。本發(fā)明通過(guò)使用片狀的核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料作為發(fā)光層，有效地抑制了俄歇能量復(fù)合幾率，同時(shí)也更有利于通過(guò)溶液法制備致密的薄膜，從而提高器件效率。
[0019]對(duì)于納米材料來(lái)說(shuō)，俄歇復(fù)合幾率和材料的尺寸是密切相關(guān)的，而且點(diǎn)狀納米材料的俄歇復(fù)合幾率比一維的高，而一維納米材料的俄歇復(fù)合幾率又比二維的納米片狀材料高。通常對(duì)于納米發(fā)光材料來(lái)說(shuō)由于比表面積比較大，因此表面態(tài)對(duì)發(fā)光效率的影響非常顯著，因此核殼結(jié)構(gòu)可以有效抑制表面態(tài)的發(fā)光，從而明顯改善其發(fā)光效率。另外納米片狀材料可通過(guò)溶液法制備致密的薄膜，有利于制備薄膜發(fā)光二極管器件。本發(fā)明制備了高效的核殼結(jié)構(gòu)的二維納米片狀發(fā)光材料，并制備了基于該材料的發(fā)光二極管，有望改善QLED器件的效率和穩(wěn)定性，尤其是藍(lán)光器件的性能。
[0020]本發(fā)明采用的是片狀的核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料，相比于核殼結(jié)構(gòu)球狀發(fā)光材料，通過(guò)將傳統(tǒng)QLED器件中的發(fā)光材料從核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)改成片狀的核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料，有效減少了俄歇復(fù)合幾率，從而有效地提高了量子點(diǎn)層的發(fā)光效率，提高器件的整體性能。同時(shí)，在該發(fā)明中，片狀的核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料通過(guò)溶液法制備致密的薄膜，更適合于低成本大規(guī)模的印刷顯示技術(shù)。具體來(lái)說(shuō)，片狀的核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料可以分散和溶解在不同極性的溶劑中，通過(guò)旋涂、打印或者噴涂等溶液方法制備高熒光產(chǎn)額，高致密度的薄膜，并制備量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件。
[0021]請(qǐng)參閱圖2，圖2為本發(fā)明提供的核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖所示，優(yōu)選地，所述核殼結(jié)構(gòu)納米發(fā)光材料包括片狀內(nèi)部核層210及包覆