一種晶硅太陽(yáng)能電池的正面電極的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶硅太陽(yáng)能電池的正面電極。
【背景技術(shù)】
[0002]晶硅太陽(yáng)能電池是一種可以將太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)化成為電能的電子元器件。晶體硅類太陽(yáng)能電池的制備一般經(jīng)過(guò)制絨、擴(kuò)散、鍍膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)等工序。制絨分為單晶、多晶制絨，單晶電池是使用堿制絨的方法在硅片表面形成金字塔絨面，多晶電池使用酸刻蝕的方法在硅片表面形成凹坑絨面，硅表面的絨面可以增加太陽(yáng)光在電池表面的吸收，達(dá)到陷光作用；擴(kuò)散工序是通過(guò)熱擴(kuò)散的方式向硅片內(nèi)部形成P-N結(jié)，這樣當(dāng)有光照射時(shí)，硅片內(nèi)部就可以形成電壓，是太陽(yáng)電池發(fā)電的基礎(chǔ);鍍膜工藝是為了減少少數(shù)載流子在電池表面的復(fù)合，可以提高晶體硅太陽(yáng)能電池片的轉(zhuǎn)換效率;絲網(wǎng)印刷工序就是制作太陽(yáng)能電池的電極，這樣當(dāng)光照射時(shí)就可以把電流導(dǎo)出。絲網(wǎng)印刷是現(xiàn)在晶硅電池制備中應(yīng)用最廣泛的一種工藝，工藝順序?yàn)橄冗M(jìn)行背面電極印刷和烘干，然后進(jìn)行鋁背場(chǎng)的印刷和烘干，最后進(jìn)行正面電極的印刷、烘干，在進(jìn)行燒結(jié)，讓制備電極使用的銀漿和電池形成接觸。
[0003]晶硅太陽(yáng)能電池的正面電極中，電極結(jié)構(gòu)通常包括縱橫交錯(cuò)的主柵線和副柵線，主柵線與副柵線電性相連。當(dāng)有光照時(shí)，電池片就會(huì)產(chǎn)生電流，電流經(jīng)過(guò)內(nèi)部發(fā)射極流向表面電極副柵線，經(jīng)由副柵線收集然后匯流到電池主柵線上進(jìn)行導(dǎo)出。電流在副柵線收集的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生損失，這種我們稱為是電阻的功率損失。電池主柵線和副柵線處于電池的受光面，這樣必然會(huì)遮擋一部分光照射在電池表面，從而減少了電池的有效受光面積，這部分損失我們稱之為光學(xué)損失。不論是P型或是N型電池，只要電池正面存在電極結(jié)構(gòu)，就需要考慮到電極結(jié)構(gòu)的不斷優(yōu)化，以達(dá)到既減小遮光面積又保證電流順利導(dǎo)出的目的。
[0004]現(xiàn)有的正面電極結(jié)構(gòu)中，主柵線的數(shù)量通常為3條，其寬度為1.5mm左右;副柵線的數(shù)量通常為80?100條，其寬度為40μπι左右。主柵線的寬度較寬，使得正面電極和電池的焊帶可以良好地焊接，但是遮光面積也較大。近年來(lái)，為了減少正面電極的遮光面積，業(yè)內(nèi)提出了一種無(wú)主柵的正面電極結(jié)構(gòu)，主要是將正面電極結(jié)構(gòu)中的3條主柵線去除，僅保留副柵線，電池制作完成后，使用極細(xì)的圓柱形焊帶直接與副柵線焊接，由焊帶直接導(dǎo)出電流。在極細(xì)的焊帶與副柵線的焊接過(guò)程中，由于副柵線的寬度較小、副柵線過(guò)低等造成虛焊或無(wú)法焊接的異常情況，使光伏組件的功率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供了一種晶硅太陽(yáng)能電池的正面電極，該正面電極結(jié)構(gòu)可以達(dá)到既減小遮光面積又保證電流順利導(dǎo)出的目的。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案:
[0007]—種晶硅太陽(yáng)能電池的正面電極，包括沿第一方向相互間隔排列的多條副柵線，其中，所述正面電極還包括沿第二方向相互間隔排列的M條細(xì)柵線，所述細(xì)柵線與所述副柵線電性連接，所述細(xì)柵線的寬度為0.10?0.25mm;其中，M= 10?20;其中，每一細(xì)柵線上還設(shè)置有相互間隔的N個(gè)焊接觸點(diǎn)，所述焊接觸點(diǎn)疊層設(shè)置在所述細(xì)柵線上并且與所述細(xì)柵線電性連接，所述焊接觸點(diǎn)的形狀為方形，其邊長(zhǎng)的范圍是0.2?1mm，并且所述焊接觸點(diǎn)的邊長(zhǎng)大于所述細(xì)柵線的寬度;其中，N=5?15。
[0008]優(yōu)選地，所述焊接觸點(diǎn)通過(guò)二次印刷工藝形成于所述細(xì)柵線上。
[0009]優(yōu)選地，所述多條副柵線沿第一方向等間距排列，所述M條細(xì)柵線沿第二方向等間距排列，所述第二方向與所述第一方向相互垂直。
[0010]優(yōu)選地，所述副柵線的數(shù)量為80?100條。
[0011]優(yōu)選地，所述焊接觸點(diǎn)設(shè)置于所述細(xì)柵線與所述副柵線相交的位置。
[0012]優(yōu)選地，每一細(xì)柵線上的N個(gè)焊接觸點(diǎn)沿所述細(xì)柵線的長(zhǎng)度方向上等間距排列。
[0013]優(yōu)選地，所述正面電極中的所有焊接觸點(diǎn)呈N行XM列的陣列分布。
[0014]優(yōu)選地，所述細(xì)柵線的寬度為0.2mm;所述焊接觸點(diǎn)的形狀為正方形，其邊長(zhǎng)為
0.8mm;其中，M=15，N=10。
[0015]相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例提供的晶硅太陽(yáng)能電池的正面電極中，使用數(shù)量更多寬度更小的細(xì)柵線代替現(xiàn)有技術(shù)中的主柵線，總體上遮光面積更小，減小了光損耗，并且更多數(shù)量的細(xì)柵線均勻分布在太陽(yáng)能電池正面，使得副柵線收集的電流可以更加順利地導(dǎo)出，降低了功率損耗；另外，在細(xì)柵線上疊層設(shè)置邊長(zhǎng)較大的方形焊接觸點(diǎn)，增加了焊接點(diǎn)的接觸面積和焊接點(diǎn)的高度，在焊接焊帶時(shí)，較少了焊帶與電池片焊接異常的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池正面電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是圖1中A部分的放大示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。這些優(yōu)選實(shí)施方式的示例在附圖中進(jìn)行了例示。附圖中所示和根據(jù)附圖描述的本發(fā)明的實(shí)施方式僅僅是示例性的，并且本發(fā)明并不限于這些實(shí)施方式。
[0019]在此，還需要說(shuō)明的是，為了避免因不必要的細(xì)節(jié)而模糊了本發(fā)明，在附圖中僅僅示出了與根據(jù)本發(fā)明的方案密切相關(guān)的結(jié)構(gòu)和/或處理步驟，而省略了與本發(fā)明關(guān)系不大的其他細(xì)節(jié)。
[0020]參閱圖1和圖2，本實(shí)施例提供了一種晶硅太陽(yáng)能電池的正面電極，如圖1所示，該正面電極包括沿第一方向(如圖1中的Y方向)相互間隔且平行排列的多條副柵線10，沿第二方向(如圖1中的X方向)相互間隔且平行排列的多條細(xì)柵線20，所述多條副柵線10與所述多條細(xì)柵線20相互電性連接。其中，副柵線10主要用于收集太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的光生電流，細(xì)柵線20用于將副柵線10收集的電流匯集輸出。進(jìn)一步地，每一細(xì)柵線20上還設(shè)置有相互間隔的多個(gè)焊接觸點(diǎn)30，所述焊接觸點(diǎn)30疊層設(shè)置在所述細(xì)柵線20上并且與所述細(xì)柵線20電性連接，所述焊接觸點(diǎn)30的形狀為方形。所述焊接觸點(diǎn)30主要是用于在電池制作完成后與焊帶焊接連接。
[0021 ]其中，副柵線10的數(shù)量可以選擇在80?100條的范圍內(nèi)，其寬度可以選擇在30?50μπι的范圍內(nèi)。細(xì)柵線20的數(shù)量M可以選擇在10?20的范圍內(nèi)，其寬度D可以選擇在0.10?0.25mm的范圍內(nèi)。每一細(xì)柵線20上設(shè)置的焊接觸點(diǎn)30的數(shù)量N可以選擇在5?15的范圍內(nèi)，焊接觸點(diǎn)30的邊長(zhǎng)L可以選擇在0.2?Imm的范圍內(nèi)，并且要滿足焊接觸點(diǎn)30的邊長(zhǎng)大于細(xì)柵線20的寬度。在本實(shí)施例中，副柵線10的數(shù)量為90條，副柵線10的寬度為40μπι;細(xì)柵線20的數(shù)量M= 15，細(xì)柵線20的寬度D為0.2mm;每一細(xì)柵線20上的焊接觸點(diǎn)30的數(shù)量N= 10，焊接觸點(diǎn)30的形狀為正方形，其邊長(zhǎng)L為0.8mm。
[0