一種空間耦合低互調衰減器的制造方法
【技術領域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種空間耦合低互調衰減器。
【背景技術】
[0002]目前，針對傳統(tǒng)衰減器的設計方案如圖2A-2B所示，在基片(I)的兩邊印刷接地導帶(10)，在基片(I)的中心線印刷中心導帶(12)，在接地導帶(10)、中心導帶(14)之間如圖2A-2B所示印刷衰減電阻(11)，在基片(I)的兩端印刷端電極(13)，信號經(jīng)過衰減電阻(11)中的T型或Π型電路實現(xiàn)信號的衰減;此種方案的優(yōu)點在于結構簡單，安裝使用方便。其缺點主要表現(xiàn)在:一、功率小，此種結構的衰減器承載功率能力有限，由于該種衰減器為懸置式衰減器，使用時主要依靠兩邊的接地導帶與腔體接觸的部分實現(xiàn)接地信號的連接與熱量傳輸，由于接觸面積過小，導熱效率極差，其最大功率常常被限制在10W以內；二、互調指標差，由于該種衰減電路的中心導帶部分被衰減電阻進行隔離，信號的衰減主要依靠衰減電路的吸收進行實現(xiàn)的，由于此種方案衰減方式為直接衰減的方式，導致衰減器的互調指標極差，其三階互調很少能實現(xiàn)<-120dBc@2*43dBm;三、穩(wěn)定性差，衰減器使用時，依靠在腔體內部設置的彈性接觸夾與衰減器兩邊的接地導帶進行接觸，接觸面積過小，且該衰減器的中心導帶的接觸也是依靠端電極的彈性接觸實現(xiàn)的，因此該方案的衰減器在經(jīng)過震動后，經(jīng)常出現(xiàn)指標不良的現(xiàn)象。
[0003]
【發(fā)明內容】
:
為克服現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種空間耦合低互調衰減器，是一種傳輸功率大、低互調性能好、指標穩(wěn)定的空間耦合低互調衰減器。
[0004]本發(fā)明解決技術問題采用如下技術方案:
一種空間耦合低互調衰減器，包括:
基片，輸入導帶、輸出導帶、吸收電阻與耦合電阻通過共電極導帶經(jīng)側電極導帶與接地導電面相連；
其特征在于:
所述輸入導帶、輸出導帶的端面與基片的端面之間非齊平，而是有一定的離邊；
所述接地導電面的四邊與基片的四邊端面之間非齊平，而是存在一定的離邊；
所述輸入導帶與輸出導帶的其中一端均設置有電阻，但是輸入導電終端設置的為吸收電阻，功率可實現(xiàn)300W，輸出導帶一端設置的為耦合電阻，功率在30W，均采用厚膜印刷與燒結工藝；
所述吸收電阻和耦合電阻通過共電極導帶實現(xiàn)接地；
所述空間耦合的衰減器所有的信號傳輸、衰減、吸收均在同一基片上實現(xiàn)；
所述輸入到導帶與輸出導帶之間通過空間耦合的方式形成信號吸收與衰減，對信號進行處理，通過兩導帶之間的離邊L對衰減度進行控制；
所述安裝孔均布于基片的周邊。
[0005]與已有技術相比，本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在: 本發(fā)明的空間耦合低互調衰減器，在于其衰減方式非傳統(tǒng)的T型或Π型電路實現(xiàn)直接衰減，而是通過空間耦合、非接觸式的衰減方式進行衰減，由于此種方式非直接衰減，因此此種方案的衰減器可以實現(xiàn)低互調性能，其互調指標可以實現(xiàn)<-150dBC@2*43dBm;本發(fā)明的基片面積較大，且安裝時將本發(fā)明直接安裝于腔體的平面上，非傳統(tǒng)的懸置式安裝，有效散熱面積大，其功率承載能力大，可以實現(xiàn)300W的承載功率;本發(fā)明的衰減器指標穩(wěn)定，在于其接地導電面整體與腔體面相接觸，保證兩者之間具有充分的電性能接觸面，且腔體與衰減器之間通過安裝孔使用螺釘進行固定實現(xiàn)地接連接，輸入導帶、輸出導帶連接方式為焊接式，非傳統(tǒng)焊接式，因此本發(fā)明具有更好的穩(wěn)定性，使產品的使用壽命大大提高。
[0006]【附圖說明】:
圖1A為本發(fā)明的整體結構示意圖；圖1B為本發(fā)明的側視結構示意圖；圖1C為本發(fā)明仰視結構示意圖；圖2六為傳統(tǒng)衰減器整體結構示意圖；圖28為傳統(tǒng)衰減器側視結構示意圖；
圖中標號:I基片，101安裝孔，2輸入導帶，3輸出導帶，4吸收電阻，3信號副桿，4定位塊，5耦合電阻，6共電極導帶，61側電極導帶，7接地導電面，8離邊，9離邊L，10接地導帶，11衰減電阻，12中心導帶，13端電極；
以下通過【具體實施方式】，并結合附圖對本發(fā)明作進一步說明。
[0007]【具體實施方式】:
實施例:結合圖1A—圖1C，本實施例的空間耦合低互調衰減器，包括:
使用氧化鈹或氮化鋁高溫加工而成的基片I，在基片I的周邊設置安裝孔101，以便于本發(fā)明的衰減器的安裝、固定；
在基片上采用印刷、燒結工藝制作的輸入導帶2、輸出導帶3、吸收電阻4、耦合電阻5以及共電極導帶6，其共同作用，實現(xiàn)對信號的衰減以及低互調性能；
輸入導帶2與吸收電阻4相連接，輸入導帶3與耦合電阻5相連接，經(jīng)共電極導帶6、側電極導帶61與接地導帶面7連接；
輸入到導帶2與輸出導帶3之間通過空間耦合的方式形成信號吸收與衰減，對信號進行處理，通過兩導帶之間的間距L9對衰減度進行控制；
具體實施中，使用精密自動絲網(wǎng)印刷機在基片I上按照相應的尺寸圖形印刷導電漿料，經(jīng)300°C的溫度烘干后，經(jīng)850°C的高溫進行燒結;其次印刷吸收電阻4與耦合電阻5，同樣需要進行烘干與燒結;信號經(jīng)輸入導帶2進入衰減器后，會自行與輸出導帶3形成空間耦合，吸收電阻4會將輸入導帶2上面多余的電阻進行吸收，同理，耦合電阻5會將輸出導帶3的耦合端信號進行吸收，在進行空間后的信號，會經(jīng)過輸出導帶3進行輸出，實現(xiàn)信號的衰減，由于輸入導帶2與輸出導帶3之間非常規(guī)的直接式衰減，而是一種空間耦合式衰減，因此可以實現(xiàn)該衰減器的低互調性能；
裝配時，將該衰減器水平放置與腔體中，使用緊固螺釘通過基片I上的安裝孔101將基片I固定在腔體上，再將輸入端與輸出端的連接器安裝于腔體上，最后將連接器的內導體分別焊接與輸入導帶與輸出導帶上，即可完成一種空間耦合低互調衰減器的裝配。
【主權項】
1.一種空間耦合低互調衰減器，包括: 基片(1)，輸入導帶(2)、輸出導帶(3)、吸收電阻(4)與耦合電阻(5)通過共電極導帶(6)經(jīng)側電極導帶(61)與接地導電面(7)相連； 其特征在于: 所述輸入導帶(2)的輸入端與基片(I)的端面之間非齊平，而是存在一定的離邊(8); 所述輸出導帶(3)的輸出端與基片(I)的端面之間非齊平，而是存在一定的離邊(8); 所述接地導電面(7)的四邊與基片(I)的四邊端面之間非齊平，而是存在一定的離邊(8)； 所述離邊(8)為0.3-0.5mm。2.根據(jù)權利要求1所述的一種空間耦合低互調衰減器，其特征在于，所述基片(I)為方形氧化鈹或氧化鋁陶瓷片，其周邊均布安裝孔(101)。3.根據(jù)權利要求1所述的一種空間耦合低互調衰減器，其特征在于，所述輸入導帶(2)為漸變線式銀質導帶，為采用厚膜絲網(wǎng)印刷、燒結工藝加工在基片(I)的正面，起始端位于基片(I)的一端，在輸入導帶的終端有吸收電阻(4)，同理吸收電阻(4)采用厚膜絲網(wǎng)印刷、燒結工藝加工與基片(I)的正面。4.根據(jù)權利要求1所述的一種空間耦合低互調衰減器，其特征在于，所述輸出導帶(3)為口字型銀質導帶，其中輸出導帶(3)的起始端有耦合電阻(5)，終端位于基片(I)的另一端。5.根據(jù)權利要求1所述的一種空間耦合低互調衰減器，其特征在于，所述輸入到導帶(2)與輸出導帶(3)之間通過空間耦合的方式形成信號吸收與衰減，對信號進行處理，通過兩導帶之間的間距L(9)對衰減度進行控制，而非常規(guī)的T型或Π型電路。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種空間耦合低互調衰減器，包括：印刷于基片正面的輸入導帶、輸出導帶、耦合電阻與吸收電阻，在基片的背面印刷有接地導電面；所述基片為方形氧化鈹或氮化鋁陶瓷片，在基片的周邊均布安裝孔；所述輸入導帶的終點端印刷有吸收電阻，所述輸出導帶的起始點印刷有耦合電阻；所述耦合電阻與吸收電阻通過側導帶與接地導電面相連接。本發(fā)明是一種傳輸功率大、低互調性能好、指標穩(wěn)定的空間耦合低互調衰減器。
【IPC分類】H01P1/22
【公開號】CN105552497
【申請?zhí)枴緾N201511007153
【發(fā)明人】尹桂芳, 鄧騰飛, 齊磊
【申請人】安徽藍麥通信科技有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年12月30日