一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]顯不技術(shù)領(lǐng)域中在LCD(LiquidCrystal Display,液晶顯不器)和0LED(0rganicLight Emitting D1de,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器中均設(shè)置有TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管),用于對(duì)像素的顯示進(jìn)行控制。因此TFT的性能成為影響顯示器顯示性能的關(guān)鍵因素之一。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中,TFT的結(jié)構(gòu)如圖1所示,包括柵極10以及與該柵極10異層設(shè)置的源極11和漏極12。其中,為了使得TFT能夠具有開(kāi)關(guān)性能,上述柵極10需要與源極11之間具有重疊區(qū)域Al,且柵極10需要與漏極12之間具有重疊區(qū)域A2。然而,上述重疊區(qū)域A導(dǎo)致TFT內(nèi)部形成寄生電容,該寄生電容會(huì)對(duì)顯示性能造成不良的影響,例如增加顯示器負(fù)載,降低顯示器的響應(yīng)速度,或者在TFT從開(kāi)啟狀態(tài)到關(guān)閉狀態(tài)的瞬間,該寄生電容會(huì)導(dǎo)致像素電壓有一定程度的降低,即出現(xiàn)饋通電壓AVp等。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及顯示裝置,能夠減小TFT自身的寄生電容。
[0005]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例的一方面,提供一種薄膜晶體管,包括柵極、源極以及漏極,所述柵極和/或所述源極上形成有第一開(kāi)口部,所述第一開(kāi)口部至少位于所述柵極與所述源極重疊的區(qū)域內(nèi);和/或,所述柵極和/或所述漏極上形成有第二開(kāi)口部,所述第二開(kāi)口部至少位于所述柵極與所述漏極重疊的區(qū)域內(nèi)。
[0007]優(yōu)選的,所述源極包括至少一個(gè)U型第一工作部,所述第一開(kāi)口部為U型通孔,每一個(gè)所述第一工作部上,沿所述第一工作部的輪廓設(shè)置有一個(gè)所述U型通孔。
[0008]進(jìn)一步優(yōu)選的,所述U型第一工作部的內(nèi)側(cè)邊到所述第一開(kāi)口部的距離相等。
[0009]優(yōu)選的,所述漏極包括至少一個(gè)條形第二工作部;所述第二開(kāi)口部為條形通孔,每一個(gè)所述第二工作部上,沿所述第二工作部的輪廓設(shè)置有一個(gè)所述條形通孔。
[0010]優(yōu)選的,所述漏極包括至少一個(gè)U型的第二工作部;所述第二開(kāi)口部為一個(gè)U型通孔,每一個(gè)所述第二工作部上,沿所述第二工作部的輪廓設(shè)置有一個(gè)所述U型通孔。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選的,所述U型第二工作部的內(nèi)側(cè)邊到所述第二開(kāi)口部的距離相等。
[0012]優(yōu)選的,所述第一開(kāi)口部形成于所述柵極上,所述第一開(kāi)口部?jī)?nèi)填充有絕緣的遮光層;和/或,所述第二開(kāi)口部形成于所述柵極上,所述第二開(kāi)口部?jī)?nèi)填充有所述遮光層。
[0013]進(jìn)一步優(yōu)選的,構(gòu)成所述遮光層的材料為黑色樹(shù)脂材料。
[0014]優(yōu)選的,所述第一開(kāi)口部包括多個(gè)均勻分布的通孔或缺口;或,所述第二開(kāi)口部包括多個(gè)均勻分布的通孔或缺口。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面,提供一種陣列基板,包括上述所述任意一種薄膜晶體管。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面,提供一種顯示裝置,包括上述所述任意一種陣列基板。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面,提供一種薄膜晶體管的制備方法,包括在襯底基板上形成柵極,源極和漏極;其中,至少在所述柵極與所述源極重疊的區(qū)域內(nèi),在所述柵極和/或所述源極上形成第一開(kāi)口部;和或,至少在所述柵極與所述漏極重疊的位置區(qū)域內(nèi),在所述柵極和/或所述漏極上形成第二開(kāi)口部。
[0018]優(yōu)選的,當(dāng)所述第一開(kāi)口部形成于所述柵極上時(shí),所述制備方法包括在所述第一開(kāi)口部?jī)?nèi)填充絕緣的遮光層;和/或,當(dāng)所述第二開(kāi)口部形成于所述柵極上時(shí),所述制備方法包括在所述第二開(kāi)口部?jī)?nèi)填充所述遮光層。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及顯示裝置。其中,薄膜晶體管包括柵極、源極以及漏極。具體的,柵極和/或源極上形成有第一開(kāi)口部,第一開(kāi)口部至少位于柵極與源極重疊的區(qū)域內(nèi)。和/或,柵極和/或漏極上形成有第二開(kāi)口部,第二開(kāi)口部至少位于柵極與漏極重疊的區(qū)域內(nèi)。在此情況下,當(dāng)柵極和/或源極上形成有第一開(kāi)口部時(shí),該第一開(kāi)口部可以減小柵極與源極重疊的面積,此外,當(dāng)柵極和/或漏極上形成有第二開(kāi)口部時(shí),該第二開(kāi)口部可以減小柵極與漏極重疊的面積。這樣一來(lái),通過(guò)上述第一開(kāi)口部和/或第二開(kāi)口部能夠達(dá)到減小薄膜晶體管自身寄生電容的目的,從而可以減小由于寄生電容引起的顯示不良的幾率。
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種TFT的結(jié)構(gòu)不意圖;
[0022]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種TFT的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種U型TFT的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種U型TFT的結(jié)構(gòu)不意圖;
[0026]圖4c為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙U型TFT的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0027]圖5a為沿圖4a的0-0’方向的TFT的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0028]圖5b為沿圖4a的0-0’方向的另一種TFT的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0029]圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種TFT的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0030]圖6b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種TFT的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]附圖標(biāo)記:
[0032]O 1-襯底基板;10-柵極;11-源極;12-漏極;13-柵極絕緣層;14-有源層;15-遮光層;100-第一開(kāi)口部;200-第二開(kāi)口部;110-第一工作部;120-第二工作部;Cl-第一工作部的內(nèi)側(cè)邊;C2-第二工作部的內(nèi)側(cè)邊;Hl-第一工作部的內(nèi)側(cè)邊到第一開(kāi)口部的距離;H2-第二工作部的內(nèi)側(cè)邊到第二開(kāi)口部的距離;Al,A2-重疊區(qū)域;E-通孔;F-缺口。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管(TFT),如圖2所示,包括柵極10、源極11以及漏極12。其中,柵極10和/或源極11上形成有第一開(kāi)口部100,該第一開(kāi)口部100至少位于柵極1與源極11重疊的區(qū)域內(nèi)。
[0035]和/或,
[0036]柵極10和/或漏極12上形成有第二開(kāi)口部200,該第二開(kāi)口部200至少位于柵極10
與漏極12重疊的區(qū)域內(nèi)。
[0037]需要說(shuō)明的是,本發(fā)明對(duì)TFT的類(lèi)型不做限定,可以如圖1所示為底柵型TFT,或者如圖3所示為頂柵型TFT。其中,底柵型TFT中柵極絕緣層13相對(duì)于源極11和漏極12而言,更靠近襯底基板01,而頂柵型TFT中柵極絕緣層13相對(duì)于源極11和漏極12而言,更遠(yuǎn)離襯底基板O I。
[0038]在此基礎(chǔ)上,由圖1和3可知TFT是由多個(gè)不同功能的薄膜層堆疊而成,其中源極11和漏極12在同一層,而柵極10與源極11和漏極12異層設(shè)置。在此情況下,為了使得TFT能夠具有開(kāi)關(guān)性能,對(duì)于堆疊結(jié)構(gòu)的TFT而言,異層設(shè)置的柵極10和源極11之間需要具有一重疊區(qū)域Al。其中,該重疊區(qū)域Al是指從圖3中的B方向俯視該TFT時(shí),看到的柵極10的圖案和源極11圖案之間發(fā)生重疊的區(qū)域。在此情況下,該TFT在重疊區(qū)域Al會(huì)產(chǎn)生寄生電容,而柵極10和源極11分別構(gòu)成上述寄生電容的兩個(gè)電極。并且,異層設(shè)置的柵極10和漏極12之間需要具有一重疊區(qū)域A2。其中,該重疊區(qū)域A2是指從圖3中的B方向俯視該TFT時(shí),看到的柵極10的圖案和漏極12的圖案之間發(fā)生重疊的區(qū)域。在此情況下,該TFT在重疊區(qū)域A2會(huì)產(chǎn)生寄生電容,而柵極10和漏極12分別構(gòu)成上述寄生電容的兩個(gè)電極。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管,包括柵極、源極以及漏極。具體的,柵極和/或源極上形成有第一開(kāi)口部,第一開(kāi)口部至少位于柵極與源極重疊的區(qū)域內(nèi)。和/或,柵極和/或漏極上形成有第二開(kāi)口部,第二開(kāi)口部至少位于柵極與漏極重疊的區(qū)域內(nèi)。在此情況下,當(dāng)柵極和/或源極上形成有第一開(kāi)口部時(shí),該第一開(kāi)口部可以減小柵極與源極重疊的面積,此外,當(dāng)柵極和/或漏極上形成有第二開(kāi)口部時(shí),該第二開(kāi)口部可以減小柵極與漏極重疊的面積。這樣一來(lái),通過(guò)上述第一開(kāi)口部和/或第二開(kāi)口部能夠達(dá)到減小薄膜晶體管自身寄生電容的目的,從而可以減小由于寄生電容引起的顯示不良的幾率。
[0040]當(dāng)需要導(dǎo)通TFT時(shí),可以向TFT的柵極10施加電壓。具體的對(duì)于N型TFT而言,向柵極10施加正壓,對(duì)于P型TFT而言,向柵極10施加負(fù)壓。此時(shí)TFT的有源層14(如圖1所示)表面形成導(dǎo)電溝道,由于源極11和漏極12之間有電壓差存在,則源極11和漏極12之間有電流流過(guò),使得TFT導(dǎo)通。其中,有源層14表面形成導(dǎo)電溝道面積越大TFT的開(kāi)關(guān)特性越好,其開(kāi)關(guān)比(即開(kāi)態(tài)電流Icin與關(guān)態(tài)電流1?!吨?越高,響應(yīng)速度越快。因此,為了提高上述導(dǎo)電溝道面積,TFT的源極11如圖4a、圖4b或圖4c所示可以包括至少一個(gè)U型第一工作部110。在此情況下,漏極12可以包括至少一個(gè)U型或條形的第二工作部120,且該第二工作部120設(shè)置于上述第一工作部110的U型槽內(nèi)。
[0041]以下通過(guò)具體的實(shí)施例,對(duì)減小圖4a、圖4b或圖4c所示的TFT的寄生電容進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0042]實(shí)施例一
[0043]本實(shí)施例中,如圖4a所示TFT的源極11包括一個(gè)U型第一工作部110。漏極12包括一個(gè)條形第二工作部120。
[0044]在此情況下,第一開(kāi)口部100為U型通孔,上述一個(gè)U型第一工作部110上,沿第一工作部110的輪廓設(shè)置有一個(gè)U型通孔。這樣一來(lái),只需要在第一工作部110上制備一個(gè)U型通孔既可以減小源極11與柵極10之間的重疊面積,而無(wú)需制備多個(gè)通孔。此外,沿第一工作部110的輪廓設(shè)置有上述U型通孔,可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝最大化的減小源極11與柵極10之間的重疊面積。
[0045]優(yōu)選的,該U型第一工作部110的內(nèi)側(cè)邊Cl到第一開(kāi)口部100的距離Hl相等。這樣一來(lái),在通過(guò)掩膜曝光工藝制備第一開(kāi)口部100時(shí),用于