根據(jù)一些實(shí)施例的沿著第二襯底104的背側(cè)形成的電連接件550。在圖5所示的實(shí)施例中，電連接件550包括形成在接觸焊盤552上方的凸塊或焊球，但是可以利用其他類型的電連接件。例如，當(dāng)?shù)诙r底104安裝到電路板或插件、晶圓、封裝襯底、另一內(nèi)插器等時(shí)，可以在第二襯底104的相對(duì)側(cè)或連接側(cè)上形成C4焊料凸塊或焊球以形成外部的連接或系統(tǒng)連接。第二襯底104的底面可以具有形成水平延伸并且將焊球映射至不同的通孔116的連接件的重分布層(“RDL”)以提供在焊球布置中的靈活性。焊料可以是鉛基或無鉛基焊料，并與焊料回流工藝兼容，焊料回流工藝后續(xù)將用于將內(nèi)插器組件安裝至目標(biāo)系統(tǒng)中的主板、系統(tǒng)板等。接觸焊盤552可以經(jīng)過各種鍍處理以增加附著力、提供擴(kuò)散阻擋、防止氧化以及提高可焊性，并且接觸焊盤552包括鎳、金、鉑、鈀、銅和它們的合金，以及包括如化學(xué)鍍鎳浸金(“ENIG”)、化學(xué)鍍鎳化學(xué)鍍鈀浸金(“ENEPIG”)等這樣的處理。
[0057]如圖6所示，根據(jù)一些實(shí)施例，將組件安裝在載體上，諸如載體或切割帶660。在一些實(shí)施例中，切割帶660具有用于附接至模塑料330和第一襯底102的粘合表面。可以使用其他類型的載體膜。
[0058]之后，如圖7所示，可以實(shí)施分割工藝以形成諸如單獨(dú)的多管芯封裝件的單獨(dú)的封裝件。在一些實(shí)施例中，通過切割穿模塑料330來實(shí)施分割工藝。如上所述，沿著第二襯底104的背側(cè)暴露模塑料330。在分割工藝期間，如果切割工藝使用小于凹槽的寬度1的寬度，則可以將分割工藝實(shí)施為穿過模塑料330而不需要鋸切或切割穿第二襯底104本身，從而降低了損壞第二襯底104的風(fēng)險(xiǎn)。在諸如這個(gè)的實(shí)施例中，如通過參考標(biāo)號(hào)710所表示的，在分割之后，模塑料330沿著第二襯底104的側(cè)壁延伸。可以通過鋸切、激光、蝕刻等實(shí)施分割工藝。
[0059]圖8和圖9示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造半導(dǎo)體器件中的各個(gè)中間階段的截面圖。參考圖8和圖9的各個(gè)元件可以代表以上參考圖1至圖7描述的相同或類似的元件，其中相同的參考標(biāo)號(hào)代表相同的元件。
[0060]首先參考圖8，其中示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在附接第一襯底102之前的第二襯底104。如圖8所示，在將第一襯底102附接至第二襯底104之前，在第二襯底104中形成凹槽220。凹槽220可以與以上參考圖2描述的類似的形狀或以以上參考圖2描述的類似的方式形成。
[0061]現(xiàn)在參考圖9，根據(jù)一些實(shí)施例將第一襯底102附接至第二襯底104。之后可以實(shí)施諸如以上參考圖3至圖7描述的那些工藝的工藝以制造多管芯封裝件。
[0062]以上參考圖1至圖9論述的實(shí)施例示出了使用單個(gè)模塑料層。在一些實(shí)施例中，可利用多個(gè)模塑料層。例如，圖10和圖11示出了其中利用兩個(gè)模塑料層的實(shí)施例，例如，第一模塑料層330JP第二模塑料層330 2，共同地稱為模塑料層330。在這個(gè)實(shí)例中，第一模塑料層33(^形成在凹槽220 (見，例如，圖9)內(nèi)，和第二模塑料層330 2形成在相鄰的第一襯底102之間。可以使用以上參考圖3論述的類似的工藝由類似的材料形成第一模塑料層330lo值得注意的是，對(duì)于以上參考圖8和圖9討論的第二實(shí)施例，可以在將第一襯底102附接至第二襯底104之前或之后形成第一模塑料層330i。之后，可以實(shí)施諸如以上參考圖4至圖7論述的那些工藝的類似的工藝。
[0063]圖11示出了在實(shí)施分割工藝之后產(chǎn)生的截面圖。如圖所示，沿著第二襯底104的側(cè)壁形成第一模塑料層330i，并且沿著第一襯底102的側(cè)壁形成第二模塑料層3302。第一模塑料層330JP第二模塑料層330 2的材料可以是相同或不同的材料。
[0064]圖12示出了在實(shí)施諸如以上論述的那些工藝的工藝之后的另一個(gè)實(shí)施例的平面視圖。上文參考的圖4B示出了第二襯底104的背側(cè)的平面視圖，其中，模塑料層330沿著劃線暴露。在該實(shí)施例中，模塑料層330不沿晶圓的周界延伸。
[0065]圖12示出了其中凹槽220沿著晶圓的外圍延伸并且填充有模塑料的實(shí)施例。在這樣的實(shí)施例中，在處理期間，晶圓的邊緣可以受到模塑料層330的保護(hù)，從而防止或減小對(duì)晶圓(例如第二襯底104)的損壞。
[0066]圖13和圖14示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造半導(dǎo)體器件的各個(gè)中間階段的截面圖。參考圖13和圖14的各個(gè)元件代表與上文論述的元件相同的元件或類似的元件，其中，相同的參考標(biāo)號(hào)代表相同的元件。
[0067]首先參考圖13，示出了在實(shí)施諸如上文在圖4A中論述的背側(cè)減薄工藝之后的結(jié)構(gòu)，其中，部分地朝著凹槽220實(shí)施背側(cè)減薄工藝。具體地，圖13采取了諸如上文參考已經(jīng)實(shí)施的圖1至圖3或圖8至圖10已經(jīng)論述的工藝，之后采取諸如上文參考圖4論述的背側(cè)減薄工藝。
[0068]在諸如這些的實(shí)施例中，實(shí)施第二襯底104的背側(cè)減薄工藝，以使得模塑料330不暴露。在一些實(shí)施例中，在背側(cè)減薄工藝后保持第二襯底330的厚度1\。
[0069]之后，可以實(shí)施諸如上文參考圖5至圖7論述的處理以分割、形成電連接(例如，電連接件550)以形成單獨(dú)的封裝件。在本實(shí)施例中，分割工藝包括切割(例如，鋸切)穿第二襯底104以及模塑料330的一部分，而上文參考圖7描述的分割工藝實(shí)施為穿過模塑料330，因?yàn)樵诒硞?cè)減薄工藝后凹槽220以及因此模塑料330完全地延伸穿過第二襯底104。
[0070]例如，圖14示出了根據(jù)一些實(shí)施例的對(duì)在圖13中示出的結(jié)構(gòu)實(shí)施諸如上文參考圖5至圖7論述的那些工藝的工藝之后所生成的結(jié)構(gòu)。如圖14所示，在分割之后，第二襯底104 —部分仍沿著底面。
[0071]圖15A和圖15B示出了根據(jù)一些實(shí)施例的多管芯封裝件。而諸如那些上文示出的實(shí)施例中所論述的實(shí)施例，其中每個(gè)封裝件(例如，如圖7和圖11所示出的)中包括單個(gè)第一襯底102，其他實(shí)施例可以具有安裝在單個(gè)第二襯底104上的多個(gè)第一襯底。例如，圖15A和圖15B分別示出了安裝在單個(gè)第二襯底104上的第一襯底102A-102D的截面圖和平面圖。具體地，圖15A和圖15B示出了可以使用諸如上文參考圖1至圖9描述的那些工藝的工藝形成的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第一管芯102。如圖15A和圖15B所示，單個(gè)模塑料層330沿第一襯底102A-102D和第二襯底104的側(cè)壁延伸。
[0072]圖16A和圖16B分別示出了使用諸如上文參考圖10至圖11論述的工藝的工藝安裝在單個(gè)第二襯底104上的第一襯底102A-102D的截面圖和平面圖。如圖16A和圖16B所示，如上文參考圖10和圖11論述的，利用兩個(gè)模塑料層，例如，第一模塑料層330i和第二模塑料層3302，第一模塑料層330dP第二模塑料層330 2共同地稱為模塑料層330。
[0073]圖17A和圖17B分別示出了使用諸如上文參考圖13和圖14論述的工藝的工藝安裝至單個(gè)第二襯底104上的第一襯底102A-102D的截面圖和平面圖。如圖17A和圖17B所示，如上文參考圖13和圖14的描述，第二襯底104的一部分可以沿著完整的封裝件的側(cè)壁保留O
[0074]圖15A至圖17B示出了安裝在單個(gè)第二襯底104上的四個(gè)形狀和尺寸類似的第一管芯102A-102D以用于說明的目的。在其他實(shí)施例中，可以使用不同數(shù)量的第一襯底102，并且第二襯底102的尺寸可以改變。例如，圖18A和圖18B示出了具有不同尺寸和數(shù)量的第一襯底102的其他實(shí)施例的平面圖。其他實(shí)施例可以利用其他配置。如上文參考圖10和圖11所論述的，利用兩個(gè)模塑料層，例如，共同地稱為模塑料330層的第一模塑料層330i和第二模塑料層3302。
[0075]圖19至圖20示出了根據(jù)一些