在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，包括以下步驟：在介質(zhì)基片同一平面上依次濺射大方阻電阻薄膜、小方阻電阻薄膜、粘附層薄膜和導(dǎo)體層薄膜；通過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影及后烘，在待圖形電鍍面上形成圖形化光刻膠區(qū)；在上述圖形化光刻膠區(qū)電鍍加厚金屬電極層和保護(hù)層；將圖形化光刻膠剝離，然后將未電鍍加厚區(qū)域的導(dǎo)體層薄膜和粘附層薄膜刻蝕干凈，再去除所述保護(hù)金屬層；光刻蝕制作小方阻薄膜電阻；光刻蝕制作大方阻薄膜電阻。本發(fā)明制作出的電路圖形具有導(dǎo)體圖形側(cè)生長(zhǎng)小、線條邊緣陡直、圖形分辨率高等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】
在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及微波毫米波薄膜電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法。
【背景技術(shù)】
[0002]基于分布式薄膜電阻加載的電場(chǎng)輻射寬帶檢測(cè)器，適用于近遠(yuǎn)場(chǎng)全空間區(qū)域的射頻寬帶電場(chǎng)輻射探測(cè)。該方案采用分布式薄膜電阻加載的電小探頭進(jìn)行電場(chǎng)輻射的寬帶接收，然后通過高靈敏度的低勢(shì)皇肖特基二極管進(jìn)行電場(chǎng)輻射的檢測(cè)，并將檢波信號(hào)通過曲折型高阻線構(gòu)成的低通濾波器射頻信號(hào)隔離，從而達(dá)到低失真輸出的目的。基于分布式薄膜電阻加載的電場(chǎng)輻射寬帶檢測(cè)器，其結(jié)構(gòu)及各組成部分如圖1所示，該電場(chǎng)輻射寬帶檢測(cè)器主要由六個(gè)部分構(gòu)成，分別是分布式薄膜電阻加載的電小探頭1、高靈敏度檢波二極管2，高阻低通濾波器3、高阻傳輸線4，輸出端口 5及低損耗介質(zhì)板6。電場(chǎng)輻射寬帶檢測(cè)器通過分布式薄膜電阻加載的電小探頭I接收空間中的電場(chǎng)輻射信號(hào)，然后通過高靈敏度檢波二極管2進(jìn)行電場(chǎng)輻射強(qiáng)度的檢測(cè)，電場(chǎng)輻射強(qiáng)度的檢測(cè)值通過高阻低通濾波器3及高阻傳輸線4傳送到輸出端口 5。
[0003]功率探頭天線電路制作工藝實(shí)現(xiàn)過程中需要將大小兩種方阻的薄膜電阻集成在同一個(gè)介質(zhì)表面。其中，這兩種方阻互連薄膜電阻的大方阻范圍在180 Ω /?250 Ω /之間，小方阻在1 Ω /左右(為薄膜電路方阻標(biāo)記單位，也稱作方塊或方)ο微波薄膜集成電路圖形的制作方法有三種:一種是整板電鍍深腐蝕法，即先整板電鍍后光刻成型，屬于減成法制作工藝;第二種是先光刻圖形后電鍍法，即先經(jīng)過沉積種子層、光刻刻蝕圖形，然后電鍍金屬層而達(dá)到要求;第三種是底層連接電鍍法，即先對(duì)真空鍍膜的基板進(jìn)行光刻，腐蝕去除電路圖形以外的表面膜層而保留下面的打底層(如Cr、TiW、Ta或TaN)，利用打底層來實(shí)現(xiàn)圖形的電連接，然后進(jìn)行電鍍，這樣就可在圖形上鍍上金屬而在打底層上鍍不上金屬，最后腐蝕除去打底層即可。第一種方法不但成本高，且由于電鍍膜層較厚，濕法腐蝕存在較大的腐蝕因子，使得帶線的尺寸變小，精度變差;第二種方法電阻層上容易產(chǎn)生金屬鍍點(diǎn)，去除金屬鍍點(diǎn)容易劃傷電路圖形；第三種方法打底層金屬材料方阻范圍選擇不當(dāng)或氧化鈍化處理不當(dāng)，打底層上也容易產(chǎn)生金屬鍍點(diǎn)，去除金屬鍍點(diǎn)時(shí)同樣容易劃傷電路圖形。后面兩種方法除了具有各自的缺點(diǎn)外，還會(huì)隨著鍍層厚度的增加，帶線側(cè)生長(zhǎng)也增加，使帶線尺寸增加，精度也變差。這三種方法都給電路圖形尺寸的精確控制帶來困難，從而影響薄膜電路的性能和成品率。
[0004]因此，現(xiàn)有技術(shù)用于在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的電鍍時(shí)存在缺陷，需要改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，解決現(xiàn)有的在介質(zhì)基片的同一平面上集成兩種方阻的薄膜電路電鍍時(shí)，電阻層上容易產(chǎn)生金屬鍍點(diǎn)和圖形精度較低的問題。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]—種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，包括以下步驟:
[0008]步驟(101):在介質(zhì)基片同一平面上依次濺射大方阻電阻薄膜、小方阻電阻薄膜、粘附層薄膜和導(dǎo)體層薄膜；
[0009]步驟(102):通過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影及后烘，在待圖形電鍍面上形成圖形化光刻膠區(qū)；
[0010]步驟(103):在上述圖形化光刻膠區(qū)電鍍加厚金屬電極層和保護(hù)層；
[0011]步驟(104):將圖形化光刻膠剝離，然后將未電鍍加厚區(qū)域的導(dǎo)體層薄膜和粘附層薄膜刻蝕干凈，再去除所述保護(hù)金屬層；
[0012]步驟(105):光刻蝕制作小方阻薄膜電阻；
[0013]步驟(106):光刻蝕制作大方阻薄膜電阻。
[0014]可選地，所述步驟(101)中，所述大方阻電阻薄膜材料為NiCr薄膜，小方阻電阻薄膜材料為TaN薄膜或Ta薄膜，粘附層薄膜材料為TiW薄膜或Ti薄膜，導(dǎo)體層薄膜材料為Au薄膜。
[0015]可選地，所述步驟(101)中，所述介質(zhì)基片的形狀為圓形或正方形，厚度為
0.127mm-0.508mmo
[0016]可選地，所述步驟(101)中，所述介質(zhì)基片的材料為純度99.6%_100%的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或藍(lán)寶石基片。
[0017]本發(fā)明的有益效果是:
[0018](I)制作出的電路圖形具有導(dǎo)體圖形側(cè)生長(zhǎng)小、線條邊緣陡直、圖形分辨率高等優(yōu)占.V ，
[0019](2)大小方阻薄膜電阻層上均不會(huì)產(chǎn)生金屬鍍點(diǎn)，減少了劃傷導(dǎo)體圖形的風(fēng)險(xiǎn)，大幅提高了電路良品率，適用于在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路圖形的電鍍批量生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為基于分布式薄膜電阻加載的電場(chǎng)輻射寬帶檢測(cè)器示意圖；
[0022]圖2為本發(fā)明提供的一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法流程圖；
[0023]圖3a_f為本發(fā)明提供的一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法一個(gè)具體實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0025]本發(fā)明提供了一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，如圖2所示，本發(fā)明的方法包括以下步驟:
[0026]步驟101:在介質(zhì)基片同一平面上依次濺射大方阻電阻薄膜、小方阻電阻薄膜、粘附層薄膜和導(dǎo)體層薄膜；
[0027]步驟102:通過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影及后烘，在待圖形電鍍面上形成圖形化光刻膠區(qū)；
[0028]步驟103:在上述圖形化光刻膠區(qū)電鍍加厚金屬電極層和保護(hù)層；
[0029]步驟104:將圖形化光刻膠剝離，然后將未電鍍加厚區(qū)域的導(dǎo)體層薄膜和粘附層薄膜刻蝕干凈，再去除所述保護(hù)金屬層；
[0030]步驟105:光刻蝕制作小方阻薄膜電阻；
[0031]步驟106:光刻蝕制作大方阻薄膜電阻。
[0032]所述步驟101中，所述大方阻電阻薄膜材料為NiCr薄膜，小方阻電阻薄膜材料為TaN薄膜或Ta薄膜，粘附層薄膜材料為TiW薄膜或Ti薄膜，導(dǎo)體層薄膜材料為Au薄膜。
[0033]所述步驟101中，所述介質(zhì)基片的形狀為圓形或正方形，厚度為0.127mm-0.508mm;所述介質(zhì)基片的材料為純度99.6%-100%的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或藍(lán)寶石基片。
[0034]下面結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖3，對(duì)本發(fā)明的在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
[0035]實(shí)施例一
[0036]氧化鋁介質(zhì)基片同一平面上依次沉積NiCr/TaN/TiW/Au薄膜，以制作TaN和NiCr兩種不同方阻的薄膜電路圖形電鍍?yōu)槔?
[0037]首先，提供一介質(zhì)基片401，如圖3a所示，介質(zhì)材料為純度99.6%_100%的2in X2in正方形氧化鋁基片，厚度為0.254mm，單面拋光，粗糙度Slyin。將介質(zhì)基片401清洗干凈后，在其拋光面上采用磁控濺射工藝依次濺射NiCr/TaN/TiW/Au薄膜。其中，大方阻電阻薄膜材料402為200 Ω /的NiCr薄膜，小方阻電阻薄膜材料403為9.5 Ω /的TaN薄膜，粘附層薄膜材料404為TiW薄膜，導(dǎo)體層薄膜材料405為Au薄膜。
[0038]接下來，將電極圖形制作光刻第一掩膜版。在介質(zhì)基片401表面導(dǎo)體層薄膜材料405Au薄膜上旋轉(zhuǎn)涂布一層BP-218型光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘lOmin，采用紫外線接觸式曝光，曝光時(shí)將掩膜版的膠膜面朝下，光強(qiáng)6mW/cm2，曝光時(shí)間15s，曝光完后使用顯影液顯影，室溫下顯影20s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈?，再?20°C恒溫干燥箱中后烘20分鐘。經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影和后烘一系列步驟，就在該介質(zhì)基片401的導(dǎo)體層薄膜材料405Au薄膜表面上得到圖形化光刻膠區(qū)406，如圖3b所示。
[0039]第三步，將形成圖形化光刻膠區(qū)406的介質(zhì)基片401浸入25°C除油劑中處理60s，用去離子水快速?zèng)_洗30s，接著放入鹽酸中微蝕60s，用去離子水快速?zèng)_洗30s，然后接通電源，將電流密度設(shè)置為6mA/cm2，預(yù)鍍金10s，再將電流密度和電鍍時(shí)間分別設(shè)置為4mA/cm2和15min，制備金鍍層3μπι。電鍍金后，再接著電鍍2μπι銅鍍層。依次經(jīng)過除油、酸洗、掛鍍方式電鍍金、電鍍銅一系列步驟，則在該介質(zhì)基片401形成圖形化光刻膠區(qū)406的之外區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了電鍍金鍍層407和保護(hù)金屬層408銅鍍層的制作，如圖3c所示。
[0040]第四步，使用丙酮在室溫下清洗30s，將該介質(zhì)基片401形成圖形化光刻膠區(qū)406剝離干凈。然后用碘-碘化鉀溶液刻蝕濺射的導(dǎo)體層薄膜材料405Au薄膜，刻蝕干凈后，再使用雙氧水在室溫下完成粘附層薄膜材料404TiW薄膜的刻蝕，最后使用三氯化鐵溶液將保護(hù)金屬層408銅鍍層刻蝕干凈，則完成了在介質(zhì)基片401上薄膜電路電極圖形409的電鍍制作，如圖3d所示。
[0041]第五步，將小方阻薄膜電阻圖形制作光刻第二掩膜版。在介質(zhì)基片401表面形成電極圖形409的微結(jié)構(gòu)上，旋轉(zhuǎn)涂布一層BP-218型光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘lOmin，采用紫外線接觸式曝光，曝光時(shí)將掩膜版的膠膜面朝下，光強(qiáng)6mW/cm2，曝光時(shí)間15s，曝光完后使用顯影液顯影，室溫下顯影20s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈?，再?20°C恒溫干燥箱中后烘20分鐘，堅(jiān)膜處理后接著進(jìn)行小方阻電阻薄膜材料403TaN薄膜的刻蝕操作，最后用丙酮去除光刻膠。經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕和去膠一系列步驟，采用正膠光刻蝕工藝在介質(zhì)基片401表面形成TaN薄膜和NiCr薄膜并聯(lián)的的小方阻薄膜電阻圖形410，如圖3e所示。
[0042]最后，將大方阻薄膜電阻圖形制作光刻第三掩膜版。在介質(zhì)基片401表面形成電極圖形409，及形成TaN薄膜和NiCr薄膜并聯(lián)的小方阻薄膜電阻圖形410的微結(jié)構(gòu)上，旋轉(zhuǎn)涂布一層BP-218型光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘lOmin，采用紫外線接觸式曝光，曝光時(shí)將掩膜版的膠膜面朝下，光強(qiáng)6mW/cm2，曝光時(shí)間15s，曝光完后使用顯影液顯影，室溫下顯影20s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈?，再?20°C恒溫干燥箱中后烘20分鐘，緊接著刻蝕大方阻電阻薄膜材料402NiCr薄膜，最后用丙酮去除光刻膠。經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕和去膠一系列步驟，采用正膠光刻蝕工藝，在介質(zhì)基片401表面形成NiCr大方阻薄膜電阻圖形411、TaN薄膜和NiCr薄膜并聯(lián)的小方阻薄膜電阻圖形410和電極圖形409，如圖3f所示。至此，在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍制作完畢。
[0043]實(shí)施例二
[0044]藍(lán)寶石介質(zhì)基片同一平面上依次沉積NiCr/Ta/Ti/Au薄膜，以集成Ta、NiCr兩種不同方阻的薄膜電路圖形電鍍?yōu)槔?
[0045]首先，提供一介質(zhì)基片401，如圖3a所示，介質(zhì)材料為直徑2in的圓形藍(lán)寶石基片，厚度為0.254mm，雙面拋光，粗糙度glyin。將介質(zhì)基片401清洗干凈后，在其拋光面上采用磁控濺射工藝依次濺射NiCr/Ta/Ti/Au薄膜。其中，大方阻電阻薄膜材料402為250 Ω /的NiCr薄膜，小方阻電阻薄膜材料403為10 Ω /的Ta薄膜，粘附層薄膜材料404為Ti薄膜，導(dǎo)體層薄膜材料405為Au薄膜。
[0046]接下來，將電極圖形制作光刻第一掩膜版。在介質(zhì)基片401的導(dǎo)體層薄膜材料405Au薄膜上旋轉(zhuǎn)涂布一層RZJ-390PG型光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘8min，采用紫外線接觸式曝光，曝光時(shí)將掩膜版的膠膜面朝下，光強(qiáng)6mW/cm2，曝光時(shí)間15s，曝光完后使用顯影液顯影，室溫下顯影20s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈?，再?20°C恒溫干燥箱中后烘20分鐘。經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影和后烘一系列步驟，就在該介質(zhì)基片401的導(dǎo)體層薄膜材料405Au薄膜表面上得到圖形化光刻膠區(qū)406，如圖3b所示。
[0047]第三步，將形成圖形化光刻膠區(qū)406的介質(zhì)基片401浸入25°C除油劑中處理60s，用去離子水快速?zèng)_洗30s，接著放入鹽酸中微蝕60s，用去離子水快速?zèng)_洗30s，然后接通電源，將電流密度設(shè)置為6mA/cm2，預(yù)鍍金10s，再將電流密度和電鍍時(shí)間分別設(shè)置為4mA/cm2和15min，制備金鍍層3μπι。電鍍金后，再接著電鍍2μπι銅鍍層。依次經(jīng)過除油、酸洗、掛鍍方式電鍍金、電鍍銅一系列步驟，則在該介質(zhì)基片401形成圖形化光刻膠區(qū)406的之外區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了電鍍金鍍層407和保護(hù)金屬層408銅鍍層的制作，如圖3c所示。
[0048]第四步，使用丙酮在室溫下清洗30s，將該介質(zhì)基片401形成圖形化光刻膠區(qū)406剝離干凈。然后用碘-碘化鉀溶液在室溫下刻蝕濺射的導(dǎo)體層薄膜材料405Au薄膜，腐蝕干凈后，再使用雙氧水在室溫下完成粘附層薄膜材料404Ti薄膜的刻蝕，最后使用三氯化鐵溶液將保護(hù)金屬層408銅鍍層刻蝕干凈，則完成了在介質(zhì)基片401上薄膜電路電極圖形409的電鍍制作，如圖3d所示。
[0049]第五步，將小方阻薄膜電阻圖形制作光刻第二掩膜版。在介質(zhì)基片401表面形成電極圖形409的微結(jié)構(gòu)上，旋轉(zhuǎn)涂布一層RZJ-390PG型光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘8min，采用紫外線接觸式曝光，曝光時(shí)將掩膜版的膠膜面朝下，光強(qiáng)6mW/cm2，曝光時(shí)間15s，曝光完后使用顯影液顯影，室溫下顯影20s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈桑僭?20°C恒溫干燥箱中后烘20分鐘，堅(jiān)膜處理后接著進(jìn)行小方阻電阻薄膜材料403Ta薄膜的刻蝕操作，最后用丙酮去除光刻膠。經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕和去膠一系列步驟，采用正膠光刻蝕工藝在介質(zhì)基片401表面形成Ta薄膜和NiCr薄膜并聯(lián)的小方阻薄膜電阻圖形410，如圖3e所示。
[0050]最后，將大方阻薄膜電阻圖形制作光刻第三掩膜版。在介質(zhì)基片401表面形成電極圖形409，及形成Ta薄膜和NiCr薄膜并聯(lián)的小方阻薄膜電阻圖形410的微結(jié)構(gòu)上，旋轉(zhuǎn)涂布一層RZJ-390PG型光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘8min，采用紫外線接觸式曝光，曝光時(shí)將掩膜版的膠膜面朝下，光強(qiáng)6mW/cm2，曝光時(shí)間15s，曝光完后使用顯影液顯影，室溫下顯影20s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈桑僭?20°C恒溫干燥箱中后烘20分鐘，緊接著刻蝕大方阻電阻薄膜材料402NiCr薄膜，最后用丙酮去除光刻膠。經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕和去膠一系列步驟，采用正膠光刻蝕工藝，在介質(zhì)基片401表面形成NiCr大方阻薄膜電阻圖形411、Ta薄膜和NiCr薄膜并聯(lián)的小方阻薄膜電阻圖形410和電極圖形409，如圖3f所示。至此，在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍制作完畢。
[0051]綜上所述，本發(fā)明的一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，制作出的電路圖形具有導(dǎo)體圖形側(cè)生長(zhǎng)小、線條邊緣陡直、圖形分辨率高等優(yōu)點(diǎn)；大小方阻薄膜電阻層上均不會(huì)產(chǎn)生金屬鍍點(diǎn)，減少了劃傷導(dǎo)體圖形的風(fēng)險(xiǎn)，大幅提高了電路良品率，適用于在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路圖形的電鍍批量生產(chǎn)。
[0052]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟(101):在介質(zhì)基片同一平面上依次濺射大方阻電阻薄膜、小方阻電阻薄膜、粘附層薄膜和導(dǎo)體層薄膜； 步驟(102):通過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影及后烘，在待圖形電鍍面上形成圖形化光刻膠區(qū)； 步驟(103):在上述圖形化光刻膠區(qū)電鍍加厚金屬電極層和保護(hù)層； 步驟(104):將圖形化光刻膠剝離，然后將未電鍍加厚區(qū)域的導(dǎo)體層薄膜和粘附層薄膜刻蝕干凈，再去除所述保護(hù)金屬層； 步驟(105):光刻蝕制作小方阻薄膜電阻； 步驟(106):光刻蝕制作大方阻薄膜電阻。2.如權(quán)利要求1所述的一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，其特征在于，所述步驟(101)中，所述大方阻電阻薄膜材料為NiCr薄膜，小方阻電阻薄膜材料為TaN薄膜或Ta薄膜，粘附層薄膜材料為TiW薄膜或Ti薄膜，導(dǎo)體層薄膜材料為Au薄膜。3.如權(quán)利要求1所述的一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，其特征在于，所述步驟(101)中，所述介質(zhì)基片的形狀為圓形或正方形，厚度為0.127mm-0.508mmo4.如權(quán)利要求1所述的一種在介質(zhì)基片同一平面上集成兩種方阻薄膜電路的圖形電鍍方法，其特征在于，所述步驟(101)中，所述介質(zhì)基片的材料為純度99.6%-100%的氧化鋁基片或純度98 %的氮化鋁基片或藍(lán)寶石基片。
【文檔編號(hào)】H01L21/70GK105826231SQ201610351452
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月18日
【發(fā)明人】曹乾濤, 趙海輪, 孫佳文
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十研究所, 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所