降低晶體管裝置中不想要的電容耦合的制作方法
【專利摘要】一種晶體管裝置，包括：由半導(dǎo)體溝道連接的源極和漏極導(dǎo)體；以及通過柵極電介質(zhì)電容耦合到所述半導(dǎo)體溝道的柵極導(dǎo)體；其中所述柵極導(dǎo)體包含與所述源極和漏極導(dǎo)體中的至少一個(gè)的至少一部分重疊的至少一個(gè)部分；并且所述晶體管裝置還包括插在所述源極和漏極導(dǎo)體中的所述至少一個(gè)的至少一部分和所述柵極導(dǎo)體的所述至少一個(gè)重疊部分之間的圖案化的絕緣體以使所述源極和漏極導(dǎo)體中的所述至少一個(gè)與所述柵極導(dǎo)體之間的電容耦合降低了多于所述半導(dǎo)體溝道和所述柵極導(dǎo)體之間的電容耦合的任何降低。
【專利說明】降低晶體管裝置中不想要的電容耦合
[0001]可能不想要晶體管裝置的柵極導(dǎo)體和源極和/或漏極導(dǎo)體之間的電容耦合。
[0002]—種降低這種耦合的方式是增加?xùn)艠O電介質(zhì)層的厚度，裝置中柵極導(dǎo)體通過該柵極電介質(zhì)層電容耦合到半導(dǎo)體溝道，其中柵極電介質(zhì)也在源極/漏極導(dǎo)體之上延伸。
[0003]本申請(qǐng)的發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到開發(fā)新的方式來降低柵極導(dǎo)體和源極和/或漏極導(dǎo)體之間的電容耦合的挑戰(zhàn)。
[0004]在此提供了一種晶體管裝置，所述晶體管裝置包括:由半導(dǎo)體溝道連接的源極和漏極導(dǎo)體；以及通過柵極電介質(zhì)電容耦合到半導(dǎo)體溝道的柵極導(dǎo)體;其中柵極導(dǎo)體包含與所述源極和漏極導(dǎo)體中的至少一個(gè)的至少一部分重疊的至少一個(gè)部分；以及還包含插在所述源極和漏極導(dǎo)體中的所述至少一個(gè)的至少一部分和所述柵極導(dǎo)體的所述至少一個(gè)重疊部分之間的圖案化的絕緣體，來降低所述源極和漏極導(dǎo)體中的所述至少一個(gè)和柵極導(dǎo)體之間的電容耦合，這個(gè)降低多于半導(dǎo)體溝道和柵極導(dǎo)體之間的電容耦合中的任何降低。
[0005]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的絕緣體插在所述源極和漏極導(dǎo)體中的所述至少一個(gè)和所述柵極電介質(zhì)之間。
[0006]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的絕緣體插在所述源極和漏極導(dǎo)體中的所述至少一個(gè)的所述至少一部分和提供所述半導(dǎo)體溝道的半導(dǎo)體層之間。
[0007]還提供了一種晶體管陣列，所述晶體管陣列包含如上描述的多個(gè)晶體管裝置，其中由圖案化的導(dǎo)體層來限定多個(gè)晶體管裝置的源極和漏極導(dǎo)體，由半導(dǎo)體層來提供多個(gè)晶體管裝置的半導(dǎo)體溝道，由柵極電介質(zhì)層來提供多個(gè)晶體管裝置的柵極電介質(zhì)，以及由另外的圖案化的導(dǎo)體層來提供多個(gè)晶體管裝置的柵極導(dǎo)體。
[0008]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的絕緣體被選擇性地提供在相對(duì)遠(yuǎn)離漏極導(dǎo)體的至少源極導(dǎo)體的一個(gè)或多個(gè)部分之上。
[0009]在此還提供了一種形成晶體管裝置的方法，所述方法包括:在襯底上沉積導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)體層之上沉積絕緣體層；使絕緣體層圖案化以限定用于圖案化第一導(dǎo)體層的掩模;使用所述掩模使第一導(dǎo)體層圖案化以限定源極和漏極導(dǎo)體;在源極和漏極導(dǎo)體中的至少一個(gè)的至少一部分上保留圖案化的絕緣層的至少一部分;在襯底之上形成半導(dǎo)體層以形成連接源極和漏極導(dǎo)體的半導(dǎo)體溝道；在半導(dǎo)體層和圖案化的絕緣層之上形成柵極電介質(zhì)；以及在柵極電介質(zhì)之上形成與半導(dǎo)體溝道電容耦合的柵極導(dǎo)體。
[0010]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，絕緣層的圖案化包含在絕緣層中創(chuàng)建厚度剖面(thicknessprofile)，根據(jù)該厚度剖面，絕緣體層的厚度朝向所述源極和漏極導(dǎo)體中的至少一個(gè)的至少鄰近邊緣降低；以及還包含在使導(dǎo)體層圖案化后去除圖案化的絕緣體層的表面部分以露出所述源極和漏極導(dǎo)體中的至少一個(gè)的邊緣部分的上表面。
[0011 ]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括從彼此最接近的源極和漏極導(dǎo)體的一個(gè)或多個(gè)部分完全去除圖案化的絕緣層，但是保留相對(duì)遠(yuǎn)離漏極導(dǎo)體的至少源極導(dǎo)體的一個(gè)或多個(gè)部分上的圖案化的絕緣層。
[0012]下面僅通過非限制示例結(jié)合附圖描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)的一個(gè)示例，其中:
[0013]圖1是顯示包含了用于降低薄膜晶體管的柵極導(dǎo)體與源極導(dǎo)體和漏極導(dǎo)體兩者之間的電容耦合的技術(shù)的示例及其生產(chǎn)方法的示例的裝置的示意性截面圖；
[0014]圖2是圖1的源極/漏極導(dǎo)體和上面柵極導(dǎo)體的示意性平面圖；
[0015]圖3是顯示出圖2示出那種的晶體管的陣列的示例的示意性平面圖；
[0016]圖4是顯示包含了用于降低薄膜晶體管的柵極導(dǎo)體和源極導(dǎo)體之間的電容耦合的技術(shù)的第二示例的裝置的示意性截面圖。
[0017]針對(duì)晶體管的示例在下面描述了根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)的示例，所述晶體管具有交叉源極/漏極導(dǎo)體，源極/漏極導(dǎo)體具有圖2示出的那種線性指結(jié)構(gòu)，但是相同的技術(shù)也可以用于具有不同源極/漏極導(dǎo)體架構(gòu)(諸如源極導(dǎo)體完全圍繞漏極導(dǎo)體延伸)的晶體管。
[0018]圖1和圖2僅示出一個(gè)晶體管;但是這個(gè)技術(shù)也適用于包含大量晶體管的晶體管陣列，諸如，包含超過一百萬個(gè)像素且每個(gè)像素由對(duì)應(yīng)晶體管控制的典型像素化顯示裝置。
[0019]通過例如氣相沉積技術(shù)(例如，濺射)在襯底2上形成連續(xù)的第一導(dǎo)體層4。在第一導(dǎo)體層4之上形成基本上均勻厚度的連續(xù)絕緣光致抗蝕劑材料層6a。根據(jù)光刻技術(shù)來將光致抗蝕劑層6a圖案化，所述光刻技術(shù)包含使用掩模輻照其中選擇的部分并改變這些部分在顯影劑溶劑中的溶解性，并然后通過在顯影劑溶劑浴中浸漬光致抗蝕劑層來顯影潛像。光致抗蝕劑材料可以是負(fù)光致抗蝕劑材料或正光致抗蝕劑材料。以如下方式執(zhí)行光刻步驟:光致抗蝕劑層的剩余部分(顯影后)表現(xiàn)出厚度剖面，根據(jù)該厚度剖面，剩余光致抗蝕劑部分6b的厚度朝其邊緣降低，如在圖1中示意性示出的。例如可以通過控制曝光/輻照條件來獲得需要的厚度剖面，并且可以在顯影后通過等離子體蝕刻來更改厚度剖面。
[0020]然后使得到的結(jié)構(gòu)受到蝕刻以去除光致抗蝕劑圖案6b暴露的第一導(dǎo)體層4的那些部分，并由此限定出源極和漏極導(dǎo)體4a、4b。
[0021]在這個(gè)示例中，在導(dǎo)體蝕刻后和/或前，光致抗蝕劑材料的剩余部分(顯影后)受到等離子體灰化工藝，通過等離子體灰化工藝去除了每個(gè)光致抗蝕劑剩余部分6b的表面部分以選擇性暴露源極/漏極導(dǎo)體4a、4b的邊緣部分的上表面(采用通過光刻圖案化在剩余光致抗蝕劑部分6b中創(chuàng)建的厚度剖面)。通過例如等離子體灰化而暴露的源極/漏極導(dǎo)體的上表面區(qū)域的增加，可以改善電荷載流子從源極/漏極導(dǎo)體向半導(dǎo)體溝道的注入，同時(shí)仍然獲得源極/漏極導(dǎo)體和柵極導(dǎo)體之間的電容耦合的一些有利降低。如下面更加詳細(xì)描述的，甚至當(dāng)從源極和/或漏極導(dǎo)體的一些部分完全去除光致抗蝕劑時(shí)，也可以獲得源極/漏極導(dǎo)體和柵極導(dǎo)體之間電容耦合的一些有利降低。
[0022]在得到的結(jié)構(gòu)之上沉積半導(dǎo)體材料8來形成源極和漏極導(dǎo)體4a、4b之間的半導(dǎo)體溝道。半導(dǎo)體材料8被沉積為厚度小于源極/漏極導(dǎo)體和剩余光致抗蝕劑部分6c(在顯影和等離子體灰化后)的組合厚度。在這個(gè)示例中，根據(jù)可以獲得半導(dǎo)體溝道在橫跨和沿著半導(dǎo)體溝道8a具有良好的厚度均勻性的工藝來沉積半導(dǎo)體材料8，而不管由剩余光致抗蝕劑部分6c創(chuàng)建的相對(duì)粗糙的形貌剖面。優(yōu)選的沉積技術(shù)的示例包括狹縫涂布(siit coating)、噴墨打印和柔性版印刷(f lexographic pringting)。對(duì)于下面討論的晶體管陣列的示例，可以將半導(dǎo)體層8圖案化為例如更好地阻止例如(i)相鄰晶體管的漏極導(dǎo)體之間、(ii)晶體管的漏極導(dǎo)體和與這個(gè)晶體管不相關(guān)的源極導(dǎo)體之間經(jīng)由半導(dǎo)體的泄露電流。
[0023]然后根據(jù)諸如氣相沉積、狹縫涂布或柔性版印刷的技術(shù)在得到的結(jié)構(gòu)之上沉積一個(gè)或多個(gè)柵極電介質(zhì)材料10，通過該技術(shù)，得到的結(jié)構(gòu)的上表面的形貌剖面至少在一定程度上反映出下面結(jié)構(gòu)的形貌剖面。
[0024]根據(jù)諸如濺射的基本上共形沉積技術(shù)在得到的結(jié)構(gòu)之上沉積另外的導(dǎo)體材料，并通過例如激光消融或光刻法對(duì)該導(dǎo)體材料圖案化以限定與半導(dǎo)體溝道以及源極/漏極導(dǎo)體4a、4b兩者的整個(gè)區(qū)域重疊的柵極導(dǎo)體12。
[0025]在源極/漏極導(dǎo)體4a、4b上保留的光致抗蝕劑部分6c導(dǎo)致了柵極導(dǎo)體12和源極/漏極導(dǎo)體4a、4b之間電容耦合的降低，并且不會(huì)顯著降低柵極導(dǎo)體12和半導(dǎo)體溝道8a之間的電容耦合。
[0026]柵極導(dǎo)體12和漏極導(dǎo)體4a之間電容耦合的降低對(duì)于降低柵極導(dǎo)體12處電壓改變對(duì)漏極導(dǎo)體4a處的電壓的影響可能是需要的(諸如，當(dāng)使柵極導(dǎo)體12在“關(guān)”和“開”電壓之間切換以使半導(dǎo)體溝道8a在低和高導(dǎo)電狀態(tài)切換時(shí))。柵極導(dǎo)體12處的這種電壓改變對(duì)于諸如包含一些有機(jī)半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體溝道的一些晶體管來說可能是巨大的。
[0027]對(duì)于包含晶體管陣列的裝置，每個(gè)漏極導(dǎo)體4a和柵極導(dǎo)體12之間絕緣體厚度的增加還用于根據(jù)柵極導(dǎo)體12處電壓改變對(duì)漏極導(dǎo)體4a處電壓的影響大小來降低橫跨晶體管陣列的變化。當(dāng)這種晶體管陣列的晶體管用于控制顯示裝置的光學(xué)介質(zhì)的對(duì)應(yīng)像素部分時(shí)，這個(gè)變化的降低可以引起橫跨像素陣列的光輸出特性均勻性的增加。
[0028]如上面提到的，獲得了這種降低漏極導(dǎo)體4a和柵極導(dǎo)體12之間的電容耦合的技術(shù)，而不會(huì)顯著降低柵極導(dǎo)體12和半導(dǎo)體溝道8a之間需要的電容耦合。
[0029]源極/漏極導(dǎo)體4a、4b和柵極導(dǎo)體12之間絕緣體材料厚度的增加還用于降低電短路的風(fēng)險(xiǎn)，電短路由在沉積柵極電介質(zhì)層10時(shí)產(chǎn)生的缺陷(例如柵極電介質(zhì)層10內(nèi)局部的厚度降低的區(qū))和/或在操作裝置期間產(chǎn)生的缺陷(諸如柵極電介質(zhì)10的局部擊穿)所導(dǎo)致的。
[0030]源極導(dǎo)體4b和柵極導(dǎo)體12之間電容耦合的降低對(duì)于降低柵極導(dǎo)體12處電壓改變對(duì)源極導(dǎo)體4b處電壓的影響也可能是需要的(諸如，當(dāng)使柵極導(dǎo)體在“關(guān)”和“開”電壓之間切換以使半導(dǎo)體溝道在低和高導(dǎo)電狀態(tài)切換時(shí))。如前面提到的，柵極導(dǎo)體12處的這種電壓改變對(duì)于諸如包含一些有機(jī)半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體溝道的一些晶體管來說可能是巨大的。柵極導(dǎo)體電壓改變對(duì)源極導(dǎo)體處電壓的可預(yù)期影響可以通過用于驅(qū)動(dòng)晶體管陣列中的源極導(dǎo)體的一個(gè)或多個(gè)源極驅(qū)動(dòng)芯片(未示出)來補(bǔ)償，但是這種補(bǔ)償會(huì)導(dǎo)致效率損失并增加功耗。降低由降低源極導(dǎo)體4a和柵極導(dǎo)體12之間的電容耦合所需要的補(bǔ)償程度可以減少效率損失并減少功耗。
[0031]對(duì)于二維晶體管陣列的示例(諸如在圖3中示出的示例)，圖案化的第一導(dǎo)體層限定了源極導(dǎo)體的陣列，每個(gè)源極導(dǎo)體為對(duì)應(yīng)行的晶體管提供源極電極并且連接到一個(gè)或多個(gè)源極驅(qū)動(dòng)芯片的對(duì)應(yīng)端;并且圖案化的上導(dǎo)體層限定了柵極導(dǎo)體的陣列，每個(gè)柵極導(dǎo)體為對(duì)應(yīng)列的晶體管提供柵極電極。每個(gè)源極導(dǎo)體包含尋址部分4c，尋址部分4c不與任何漏極導(dǎo)體相鄰并且相對(duì)遠(yuǎn)離任何相鄰的漏極導(dǎo)體，但是用作為緊鄰對(duì)應(yīng)行的晶體管的漏極導(dǎo)體的源極導(dǎo)體的各部分和晶體管陣列的一個(gè)或多個(gè)邊緣處的一個(gè)或多個(gè)源極驅(qū)動(dòng)芯片的對(duì)應(yīng)端之間創(chuàng)建導(dǎo)電連接。類似的，每個(gè)柵極導(dǎo)體包含尋址部分，尋址部分不與對(duì)應(yīng)列的晶體管的源極和漏極導(dǎo)體之間的半導(dǎo)體溝道8a重疊，但是用作為不與半導(dǎo)體溝道重疊的柵極導(dǎo)體的各部分和晶體管陣列的一個(gè)或多個(gè)邊緣處的一個(gè)或多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片的對(duì)應(yīng)端之間創(chuàng)建導(dǎo)電連接。源極和柵極導(dǎo)體的這些尋址部分也會(huì)在某些位置重疊，并且也在源極導(dǎo)體的尋址部分上保留的絕緣光致抗蝕劑材料降低了源極和柵極導(dǎo)體的這些尋址部分之間電短路的風(fēng)險(xiǎn)。
[0032]源極導(dǎo)體(和漏極導(dǎo)體)可以包含相對(duì)遠(yuǎn)離半導(dǎo)體溝道(彼此最接近的源極和漏極導(dǎo)體的各部分之間)的部分，但是仍然可以與上面的柵極導(dǎo)體重疊。示例包括例如晶體管陣列中的源極導(dǎo)體的上面提到的(一個(gè)或多個(gè))尋址部分4c的各部分。如果這些相對(duì)遠(yuǎn)離的部分被設(shè)計(jì)成相比于彼此最接近的源極和漏極導(dǎo)體的部分(如圖2和圖3中的交叉指)具有相對(duì)大的寬度(以使得這些部分中心到其最接近邊緣的最短距離相對(duì)大些)，那么這有利于光致抗蝕劑保留在這些相對(duì)遠(yuǎn)離的部分上，而從彼此最接近的源極和漏極導(dǎo)體的部分完全去除抗蝕劑。這對(duì)電荷載流子更好地從源極/漏極導(dǎo)體注入到半導(dǎo)體溝道是有利的，而仍然獲得源極和/或漏極導(dǎo)體和重疊柵極導(dǎo)體之間的電容的有利降低。圖4中示意性示出了這個(gè)源極導(dǎo)體的尋址部分4c的示例，源極導(dǎo)體的尋址部分4c比最接近漏極導(dǎo)體的源極導(dǎo)體部分具有更大的寬度。
[0033]第一導(dǎo)體層可以本身具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包含例如因?yàn)槠淞己脤?dǎo)電性而選擇的材料層和因?yàn)槠淞己秒姾勺⑷胄再|(zhì)而選擇的材料層。第二導(dǎo)體層也可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包含例如因?yàn)槠鋵?duì)下面柵極電介質(zhì)具有良好粘附性而選擇的材料層和因?yàn)槠淞己脤?dǎo)電性而選擇的材料層。
[0034]半導(dǎo)體層和/或柵極電介質(zhì)層也可以包含一種或多種材料和/或一個(gè)或多個(gè)子層。
[0035]在用于像素化的顯示裝置的晶體管陣列的示例的情況中，在限定柵極導(dǎo)體的圖案化的第二導(dǎo)體層之上形成另外的絕緣層;至少在另外的絕緣層、柵極電介質(zhì)層、半導(dǎo)體層和光致抗蝕劑層中限定向下到每個(gè)漏極導(dǎo)體的漏極襯墊部分4d的通孔；以及在這些通孔中和另外的絕緣層之上沉積附加的導(dǎo)體材料，并隨后使該附加的導(dǎo)電材料圖案化以限定其中每個(gè)導(dǎo)電連接到對(duì)應(yīng)漏極導(dǎo)體的像素導(dǎo)體的陣列。
[0036]在一個(gè)示例中，裝置還包含像素導(dǎo)體層和柵極導(dǎo)體層之間的絕緣體和導(dǎo)體層。例如，裝置可以包含屏蔽導(dǎo)體層，該屏蔽導(dǎo)體層與像素導(dǎo)體的整個(gè)組合區(qū)域和像素導(dǎo)體之間的整個(gè)組合區(qū)域重疊，除了在屏蔽層中限定以容納像素導(dǎo)體和漏極導(dǎo)體之間的層間連接的通孔。這種屏蔽層會(huì)用作降低上面像素導(dǎo)體和例如柵極導(dǎo)體的下面導(dǎo)體之間不期望的電容鋰A
柄口 O
[0037]限定源極、漏極和柵極導(dǎo)體的導(dǎo)體層也可以限定另外的傳導(dǎo)元件。例如，限定柵極線12的導(dǎo)體層也可以限定公共電壓線(COM線)。
[0038]操作這個(gè)示例的裝置的一種方法的示例包括:依序在“開”電壓處(而所有其它柵極導(dǎo)體處于“關(guān)”電壓處)驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O導(dǎo)體，“開”電壓增加了對(duì)應(yīng)列的晶體管的半導(dǎo)體溝道的導(dǎo)電性；以及對(duì)源極導(dǎo)體施加對(duì)應(yīng)電壓以在與“開”柵極導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的晶體管的漏極導(dǎo)體(并且也就是像素電極)處獲得需要的電勢。每個(gè)晶體管與源極和柵極導(dǎo)體的對(duì)應(yīng)唯一組合相關(guān)聯(lián)，并由此可以獨(dú)立于陣列中的所有其它晶體管而控制任何晶體管的漏極導(dǎo)體處的電勢。
[0039]上面描述的示例包含在源極和漏極導(dǎo)體4a、4b上保留用作掩模來圖案化源極和漏極導(dǎo)體的光致抗蝕劑材料部分。一個(gè)可替換的技術(shù)的示例包括在完成源極和漏極導(dǎo)體的圖案化后從源極和漏極導(dǎo)體之上去除所有的光致抗蝕劑材料6，并代替沉積比光致抗蝕劑材料具有更好絕緣性質(zhì)的附加材料的連續(xù)層，并接著使附加的絕緣材料圖案化以獲得與如上描述的在顯影和等離子體灰化后的光致抗蝕劑材料6c相同種類的圖案。這個(gè)可替換的示例需要在圖案化附加的絕緣層工藝期間精確對(duì)準(zhǔn)圖案化的源極/漏極導(dǎo)體4a、4b、4c、4d，但是具有能夠使用比光致抗蝕劑材料具有更好絕緣性質(zhì)的絕緣體材料的優(yōu)勢。
[0040]附圖示意性顯示出架構(gòu)的示例，在該架構(gòu)中，源極導(dǎo)體的尋址部分4c在與最接近漏極導(dǎo)體的源極導(dǎo)體的交叉指部分基本上平行的方向上延伸;但是上面描述的技術(shù)也適用于其它架構(gòu)，諸如，其中源極導(dǎo)體的尋址部分在與源極導(dǎo)體的交叉指部分基本上垂直的方向上延伸。
[0041]除了上面明確提到的修改外，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)對(duì)所描述的實(shí)施例做出各種其它修改。
[0042]在此
【申請(qǐng)人】以分離形式公開了本文描述的每個(gè)單獨(dú)特征和兩個(gè)或多個(gè)這些特征的任意組合，在一定程度上，以本領(lǐng)域技術(shù)人員的普通常識(shí)來看，在本說明書作為整體的基礎(chǔ)之上能夠執(zhí)行這些特征或組合，無論這些特征或特征組合是否解決了本文提到的任何問題，并且不對(duì)權(quán)利要求的范圍進(jìn)行限制。
【申請(qǐng)人】說明的是，本發(fā)明的各個(gè)方面可以包括任一這些單獨(dú)特征或特征組合。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體管裝置，包括:由半導(dǎo)體溝道連接的源極和漏極導(dǎo)體；以及通過柵極電介質(zhì)電容耦合到所述半導(dǎo)體溝道的柵極導(dǎo)體;其中所述柵極導(dǎo)體包含與所述源極和漏極導(dǎo)體中的至少一個(gè)的至少一部分重疊的至少一個(gè)部分;并且所述晶體管裝置還包括插在所述源極和漏極導(dǎo)體中的所述至少一個(gè)的至少一部分和所述柵極導(dǎo)體的所述至少一個(gè)重疊部分之間的圖案化的絕緣體以使所述源極和漏極導(dǎo)體的所述至少一個(gè)與所述柵極導(dǎo)體之間的電容耦合的降低多于所述半導(dǎo)體溝道和所述柵極導(dǎo)體之間的電容耦合的任何降低。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述圖案化的絕緣體插在所述源極和漏極導(dǎo)體的所述至少一個(gè)和所述柵極電介質(zhì)之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述圖案化的絕緣體插在所述源極和漏極導(dǎo)體的所述至少一個(gè)的所述至少一部分和提供所述半導(dǎo)體溝道的半導(dǎo)體層之間。4.一種晶體管陣列，包括多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)的晶體管裝置，其中由圖案化的導(dǎo)體層限定所述多個(gè)晶體管裝置的源極和漏極導(dǎo)體，由半導(dǎo)體層提供所述多個(gè)晶體管裝置的半導(dǎo)體溝道，由柵極電介質(zhì)層提供所述多個(gè)晶體管裝置的柵極電介質(zhì)，以及由另外的圖案化的導(dǎo)體層提供所述多個(gè)晶體管裝置的柵極導(dǎo)體。5.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的晶體管裝置或陣列，其中所述圖案化的絕緣體選擇性地提供在相對(duì)遠(yuǎn)離所述漏極導(dǎo)體的至少源極導(dǎo)體的一個(gè)或多個(gè)部分之上。6.一種形成晶體管裝置的方法，所述方法包括:在襯底上沉積導(dǎo)體層;在第一導(dǎo)體層之上沉積絕緣體層;使所述絕緣體層圖案化以限定用于使所述第一導(dǎo)體層圖案化的掩模;使用所述掩模使所述第一導(dǎo)體層圖案化來限定源極和漏極導(dǎo)體;保留源極和漏極導(dǎo)體中的所述至少一個(gè)的至少一部分上的圖案化的絕緣層的至少一部分;在襯底之上形成半導(dǎo)體層以形成連接所述源極和漏極導(dǎo)體的半導(dǎo)體溝道;在所述半導(dǎo)體層和所述圖案化的絕緣層之上形成柵極電介質(zhì)；以及在所述柵極電介質(zhì)之上形成與所述半導(dǎo)體溝道電容耦合的柵極導(dǎo)體。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述絕緣層的圖案化包括在所述絕緣層中創(chuàng)建厚度剖面，根據(jù)該厚度剖面，絕緣體層的厚度朝向所述源極和漏極導(dǎo)體的所述至少一個(gè)的至少鄰近邊緣降低；以及還包括在使所述導(dǎo)體層圖案化后去除所述圖案化的絕緣體層的表面部分，以暴露所述源極和漏極導(dǎo)體的所述至少一個(gè)的邊緣部分的上表面。8.根據(jù)權(quán)利要求6或權(quán)利要求7所述的方法，包括從彼此最接近的所述源極和漏極導(dǎo)體的一個(gè)或多個(gè)部分完全去除所述圖案化的絕緣層，同時(shí)保留相對(duì)遠(yuǎn)離所述漏極導(dǎo)體的至少源極導(dǎo)體的一個(gè)或多個(gè)部分上的所述圖案化的絕緣層。
【文檔編號(hào)】H01L51/05GK105874625SQ201480067539
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2014年12月9日
【發(fā)明人】J·瓊曼
【申請(qǐng)人】弗萊克因艾伯勒有限公司