小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及了一種小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)。小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)，它包括多層線圈；所述多層線圈的層與層之間設(shè)置有絕緣層，用于增加線圈的層間距離和降低層間介電系數(shù)；所述絕緣層為低介電系數(shù)絕緣層。本發(fā)明的小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)通過(guò)線圈層間增加絕緣層而增加層間距離和降低層間介電系數(shù)，增加Q值，提高品質(zhì)因數(shù)，電抗器成本未大幅增加。
【專利說(shuō)明】
小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電抗器領(lǐng)域，特別是涉及小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于小型電抗器來(lái)說(shuō)，品質(zhì)因數(shù)Q值非常重要，它可反應(yīng)出阻抗與直流電阻的比值，被視為電抗器的一個(gè)重要參數(shù)。為了提高品質(zhì)因數(shù)，一般選擇將直流電阻調(diào)低，但是這會(huì)使電抗器的成本大幅增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)，有效增加品質(zhì)因數(shù)，而不使電抗器成本大幅增加。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)，它包括多層線圈；所述多層線圈的層與層之間設(shè)置有絕緣層，用于增加線圈的層間距離和降低層間介電系數(shù);所述絕緣層為低介電系數(shù)絕緣層。
[0005]所述絕緣層的厚度可根據(jù)實(shí)際需要而定。
[0006]所述絕緣層為NOMEX絕緣紙。
[0007]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)通過(guò)線圈層間增加絕緣層而增加層間距離和降低層間介電系數(shù)，增加Q值，提高品質(zhì)因數(shù)，電抗器成本未大幅增加。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為實(shí)施例的小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]為了加深對(duì)本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述，該實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍構(gòu)成限定。
[0010]實(shí)施例
[0011]如圖1所示，小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)，它包括多層線圈I;所述多層線圈I的層與層之間設(shè)置有絕緣層2，用于增加線圈的層間距離和降低層間介電系數(shù);所述絕緣層2為低介電系數(shù)絕緣層;所述絕緣層2的厚度可根據(jù)實(shí)際需要而定;所述絕緣層2為NOMEX絕緣紙。
[0012]本實(shí)施例的小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)通過(guò)線圈層間增加絕緣層而增加層間距離和降低層間介電系數(shù)，增加Q值，提高品質(zhì)因數(shù)，電抗器成本未大幅增加。
[0013]上述實(shí)施例不應(yīng)以任何方式限制本發(fā)明，凡采用等同替換或等效轉(zhuǎn)換的方式獲得的技術(shù)方案均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.小型電抗器的線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括多層線圈；所述多層線圈的層與層之間設(shè)置有絕緣層，用于增加線圈的層間距離和降低層間介電系數(shù);所述絕緣層為低介電系數(shù)絕緣層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣層的厚度可根據(jù)實(shí)際需要而定。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣層為NOMEX絕緣紙。
【文檔編號(hào)】H01F27/32GK105895333SQ201610516841
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年7月4日
【發(fā)明人】岳澤, 楊健, 金斐
【申請(qǐng)人】蘇州吳變電氣科技有限公司