具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管及其制造方法。本發(fā)明的具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管包括：磊晶層，具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層，其中發(fā)光層介于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間；透明導(dǎo)電層，位于第二半導(dǎo)體層上；至少一布拉格反射層，位于透明導(dǎo)電層上，并具有多個(gè)貫穿等布拉格反射層的第一貫穿孔；第一電極，電性連接于第一半導(dǎo)體層；以及第二電極，電性連接于透明導(dǎo)電層。本發(fā)明使用布拉格反射鏡取代傳統(tǒng)的銀反射鏡，可排除銀反射鏡所導(dǎo)致的不穩(wěn)定因素，提升產(chǎn)品優(yōu)良率。
【專利說(shuō)明】
具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種發(fā)光二極管及其制造方法，尤其涉及一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管以及制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LightEmitting D1de，簡(jiǎn)稱LED)是一種半導(dǎo)體材料制成的固態(tài)發(fā)光組件，其普遍使用磷化鎵、砷化鎵或氮化鎵等II1-V族化學(xué)元素的組合，通過(guò)對(duì)此化合物半導(dǎo)體施加電壓，使空穴和電子在電極電壓作用下在發(fā)光層大量相遇而產(chǎn)生復(fù)合，此時(shí)電子會(huì)跌落到較低的能階，同時(shí)以光子的模式釋放，讓電能轉(zhuǎn)換為光，達(dá)成發(fā)光的效果。
[0003]發(fā)光二極管為了提升出光亮度，在結(jié)構(gòu)上會(huì)設(shè)置反射結(jié)構(gòu)，使發(fā)光層所產(chǎn)生的光線能夠被反射向理想的出光方向。傳統(tǒng)的反射結(jié)構(gòu)為銀反射鏡，但考慮到銀反射鏡在發(fā)光二極管的制程中會(huì)受到溫度的影響，從而有相變化發(fā)生的可能。銀反射鏡若轉(zhuǎn)變?yōu)榱黧w形式，即有向周邊擴(kuò)散的問(wèn)題；因此，銀反射鏡的限制在于其邊緣不得與發(fā)光二極管其它層面的邊緣切齊，需略為內(nèi)縮并以阻障層覆蓋，而通常是使用鎢化鈦?zhàn)鳛樽枵喜牧稀?br>[0004]由于傳統(tǒng)的發(fā)光二極管需要堆棧銀反射鏡與阻障材料作為反射組件，因此在制程步驟上較為復(fù)雜，并且銀反射鏡本身的穩(wěn)定也是需要額外顧慮的問(wèn)題，故存在改良的條件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管以及制造方法，使用布拉格反射鏡取代傳統(tǒng)的銀反射鏡，以此排除銀反射鏡所導(dǎo)致的不穩(wěn)定因素，因而提升產(chǎn)品優(yōu)良率。
[0006]本發(fā)明提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，其在布拉格反射鏡開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿孔供電流流通，并得進(jìn)一步利用貫穿孔的分布狀態(tài)調(diào)整電流的均勻分布程度。
[0007]本發(fā)明提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管的制造方法，其可減少傳統(tǒng)制程的步驟，降低制程的復(fù)雜度。
[0008]本發(fā)明提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，包括:磊晶層，具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層;透明導(dǎo)電層，其位于第二半導(dǎo)體層上;至少一布拉格反射層，其位于該透明導(dǎo)電層上，并具有多個(gè)貫穿該等布拉格反射層的第一貫穿孔;第一電極，電性連接于該第一半導(dǎo)體層；以及第二電極，電性連接于該透明導(dǎo)電層。
[0009]在本發(fā)明另一實(shí)施例中，具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管在磊晶層與透明導(dǎo)電層之間設(shè)置多個(gè)電流阻擋層。
[0010]在本發(fā)明再一實(shí)施例中，利用布拉格反射層的絕緣特性，而整合絕緣層以及布拉格反射層的結(jié)構(gòu)。
[0011]本發(fā)明還提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管的制造方法，包括:
[0012]生長(zhǎng)磊晶層，磊晶層具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層；
[0013]生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層在第二半導(dǎo)體層上；
[0014]生長(zhǎng)布拉格反射層在透明導(dǎo)電層上；
[0015]形成多個(gè)第一貫穿孔貫穿布拉格反射層；以及
[0016]生長(zhǎng)金屬層在布拉格反射層之上，且金屬層通過(guò)該些第一貫穿孔而電性連接于透明導(dǎo)電層。
[0017]本發(fā)明還提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，包括:
[0018]磊晶層，具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層；
[0019]多個(gè)電流阻擋層，設(shè)置于第二半導(dǎo)體層上；
[0020]透明導(dǎo)電層，設(shè)置于電流阻擋層與第二半導(dǎo)體層上；
[0021]布拉格反射層，設(shè)置于透明導(dǎo)電層上，并具有多個(gè)貫穿等布拉格反射層的第一貫穿孔而暴露出部分的透明導(dǎo)電層，該些第一貫穿孔對(duì)應(yīng)該些電流阻擋層設(shè)置；
[0022]第一電極，電性連接于第一半導(dǎo)體層；以及
[0023]第二電極，其位于布拉格反射層上，且通過(guò)等第一貫穿孔電性連接于透明導(dǎo)電層。
[0024]本發(fā)明還提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管的制造方法，包括:
[0025]生長(zhǎng)磊晶層，磊晶層具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層；
[0026]生長(zhǎng)電流阻擋層在第二半導(dǎo)體層上；
[0027]形成多個(gè)第三貫穿孔貫穿電流阻擋層而暴露出部分第二半導(dǎo)體層；
[0028]生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層在等電流阻擋層與第二半導(dǎo)體層上；
[0029]生長(zhǎng)布拉格反射層在透明導(dǎo)電層上；以及
[0030]形成多個(gè)第一貫穿孔貫穿布拉格反射層而暴露出部分透明導(dǎo)電層;其中，該些第一貫穿孔對(duì)應(yīng)于電流阻擋層。
[0031]本發(fā)明還提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，包括:
[0032]磊晶層，具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層；
[0033]多個(gè)電流阻擋層，位于第二半導(dǎo)體層上；
[0034]透明導(dǎo)電層，其位于第二半導(dǎo)體層上，并覆蓋等電流阻擋層；
[0035]絕緣層，其位于透明導(dǎo)電層上，并具有多至少一貫穿孔；
[0036]第一電極，電性連接于第一半導(dǎo)體層；以及
[0037]第二電極，其位于絕緣層上，且通過(guò)貫穿孔電性連接于透明導(dǎo)電層。
[0038]本發(fā)明提供一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管以及制造方法，由于該二極管包括磊晶層具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層，發(fā)光層介于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間；透明導(dǎo)電層位于第二半導(dǎo)體層上；至少一布拉格反射層，位于透明導(dǎo)電層上，并具有多個(gè)貫穿等布拉格反射層的第一貫穿孔;第一電極，電性連接于第一半導(dǎo)體層；以及第二電極，電性連接于透明導(dǎo)電層。本發(fā)明提供的具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管以及制造方法，通過(guò)使用布拉格反射鏡取代傳統(tǒng)的銀反射鏡，以此排除銀反射鏡所導(dǎo)致的不穩(wěn)定因素，因而提升產(chǎn)品優(yōu)良率。
【附圖說(shuō)明】
[0039]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；
[0041]圖3為圖2中A區(qū)域的放大示意圖；
[0042]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)不意圖；
[0043]圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖6為本發(fā)明再一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)不意圖；
[0045]圖7為本發(fā)明更一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖8A?圖8E為本發(fā)明一實(shí)施例的制造方法流程示意圖；
[0047]圖9為本發(fā)明更一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0049]1:電路板；
[0050]10:導(dǎo)電凸塊；
[0051]100:電路接點(diǎn)；
[0052]11;導(dǎo)電凸塊；
[0053]110:電路接點(diǎn)；
[0054]20:透光基板；
[0055]21:嘉晶層；
[0056]210:第一半導(dǎo)體層；
[0057]211:發(fā)光層；
[0058]212:第二半導(dǎo)體層；
[0059]22:透明導(dǎo)電層；
[0060]23:布拉格反射層；
[0061 ]230:第一折射材料；
[0062]231:第二折射材料；
[0063]23a ?23d:子層；
[0064]230:第一貫穿孔；
[0065]24:金屬層；
[0066]25:絕緣層；
[0067]250:第二貫穿孔；
[0068]26:第一電極；
[0069]27:第二電極；
[0070]28:電流阻擋層；
[0071]280:第三貫穿孔；
[0072]A:局部放大區(qū)域；
[0073]DpD5:第一貫穿孔的間距。
【具體實(shí)施方式】
[0074]為使本發(fā)明的特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，謹(jǐn)佐以實(shí)施例及配合詳細(xì)的說(shuō)明，說(shuō)明如下:
[0075]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖視示意圖，可用以表示磊晶層及其上的反射結(jié)構(gòu)；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖視示意圖。首先請(qǐng)一并參考圖1以及圖2，本發(fā)明在一實(shí)施例中所揭示發(fā)光二極管在結(jié)構(gòu)上包括:磊晶層21、透明導(dǎo)電層22、至少一布拉格反射層23、一金屬層24、絕緣層25、第一電極26以及第二電極27。其中，嘉晶層21可設(shè)置于透光基板20的一表面上，且磊晶層21的結(jié)構(gòu)包括依序堆棧的第一半導(dǎo)體層210、發(fā)光層211以及第二半導(dǎo)體層212;透明導(dǎo)電層22設(shè)置于磊晶層21的第二半導(dǎo)體層212上;布拉格反射層23設(shè)置于透明導(dǎo)電層22上，并具有多個(gè)貫穿布拉格反射層23的第一貫穿孔230;金屬層24設(shè)置于布拉格反射層23以及透明導(dǎo)電層22上，并通過(guò)前述的第一貫穿孔230而與透明導(dǎo)電層22電性相接;絕緣層25設(shè)置于金屬層24上，并具有至少一第二貫穿孔250而暴露出部分的金屬層24;第一電極26電性連接于磊晶層21的第一半導(dǎo)體層210;而至于第二電極27，則設(shè)置于絕緣層25上，且通過(guò)前述的第二貫穿孔250電性連接于金屬層24。
[0076]除上述結(jié)構(gòu)之外，第一電極26以及第二電極27在發(fā)光二極管實(shí)際應(yīng)用時(shí)，分別提供導(dǎo)電凸塊10、11而與電路板I電性連接，電路板I的表面具有電路接點(diǎn)100、110，可與前述的導(dǎo)電凸塊10、11相連接。圖3為圖2中A區(qū)域的放大示意圖，其較清楚地揭示本發(fā)明通過(guò)開(kāi)設(shè)第一貫穿孔230以及第二貫穿孔250的方式，使電流能沿著第二電極27、金屬層24、透明導(dǎo)電層22的路徑而流通，而不會(huì)被具有絕緣特性的布拉格反射層23以及絕緣層25所完全阻擋。
[0077]本發(fā)明為覆晶式發(fā)光二極管的應(yīng)用類型，其特征在于利用布拉格反射層增加整體組件的亮度。本發(fā)明的布拉格反射層23可反射來(lái)自磊晶層21的發(fā)光層211所產(chǎn)生的光線；由于發(fā)光層211為全向發(fā)光，而這些被布拉格反射層23所反射的光線原本是朝向相反于理想的出光方向行進(jìn)，因此若能將其反射，即能有效地提升發(fā)光二極管的出光效率。光線被反射后，可通過(guò)穿透透明導(dǎo)電層22、磊晶層21等結(jié)構(gòu)，而后穿透透光基板20離開(kāi)。
[0078]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)不意圖，用以表不布拉格反射層以第一反射材料以及第二反射材料反復(fù)堆棧為具有至少4個(gè)子層。請(qǐng)參考圖4，本發(fā)明在一實(shí)施例所使用的布拉格反射層23包括至少4個(gè)子層23a、23b、23c、23d，任一子層皆包括由兩種折射率不同的折射材料所堆棧而成的結(jié)構(gòu)。此布拉格反射層23是利用第一折射材料230與第二折射材料231的反復(fù)堆棧而讓折射率有周期性的變化，這種具備折射率高低交錯(cuò)的結(jié)構(gòu)可讓入射的光線在入射處形成建設(shè)性干涉，造成有很高的反射率。本發(fā)明在此實(shí)施例的布拉格反射層23至少作4次反復(fù)堆棧而形成前述的子層23a、23b、23c、23d，整體反射結(jié)構(gòu)的反射率大于80%。折射材料的選用則可為較常見(jiàn)的GaAs/AlGaAs，其晶格常數(shù)接近而較易于形成堆棧，另外也可為T(mén)12、Ta205、Nb205、S12、Si3N4、ZnSe、MgF2或CaF2等材料，以折射率的高低交錯(cuò)為堆棧原則進(jìn)行搭配，例如Si02/Ti02 ,S12Aa2O5、Si02/Nb205、ZnSe/MgF2等，但本發(fā)明并不特別限制折射材料的種類。
[0079]本發(fā)明所揭示的布拉格反射層除了提供反射的功能，其材料的選用為絕緣材料時(shí)，又同時(shí)可作為電流分散的作用。圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖，用以表示部分第一貫穿孔的間距與第二電極的相對(duì)距離為負(fù)相關(guān)。請(qǐng)參考圖5，由于覆晶式發(fā)光二極管在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，發(fā)光層在較靠近P型電極的區(qū)域會(huì)因?yàn)橛休^多的電流通過(guò)而有較好的光電轉(zhuǎn)換效果，產(chǎn)生較多的光能，因此在本發(fā)明另一實(shí)施例中，可利用布拉格反射層23所開(kāi)設(shè)的多個(gè)第一貫穿孔230的分布形式，影響電流傳導(dǎo)的路徑，達(dá)到電流分散的目的。請(qǐng)參考圖5，在一種分布形式的例子中，第一貫穿孔230的間距D1-D5不為定值;進(jìn)一步而言，該等第一貫穿孔230的間距D1-D5隨著該等第一貫穿孔230與第二電極27的距離逐漸增加而逐漸減少，也就是第一貫穿孔230的密度是隨著所在位置遠(yuǎn)離第二電極27的程度而逐漸增加。如前所述，發(fā)光層在較靠近P型電極的區(qū)域會(huì)有較多的電流通過(guò)，因此本發(fā)明在此實(shí)施例中讓第一貫穿孔230的密度隨著遠(yuǎn)離第二電極27而逐漸增加，可使電流經(jīng)分散而較均勻地抵達(dá)透明導(dǎo)電層22，進(jìn)而使發(fā)光層211均勻發(fā)光。
[0080]圖6為本發(fā)明再一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖，用以表示使用電流阻擋層提升電流分布的均勻性。請(qǐng)參考圖6，其為再一種提升電流擴(kuò)散能力的實(shí)施例;如圖所示，其在第二半導(dǎo)體層212的上方更設(shè)置多個(gè)電流阻擋層28，該等電流阻擋層28之間包括多個(gè)貫穿的第三貫穿孔280而暴露出部分第二半導(dǎo)體層212，從而使設(shè)置于電流阻擋層28上的透明導(dǎo)電層22得有部分生長(zhǎng)在第二半導(dǎo)體層212上，得因此與第二半導(dǎo)體層212相接觸而電性連接。該等第三貫穿孔280在垂直方向上分別與布拉格反射層23的該等第一貫穿孔230為錯(cuò)位設(shè)置，使電流阻擋層28在空間的垂直方向上設(shè)置在對(duì)應(yīng)第一貫穿孔230的位置，且互不連接。因此當(dāng)電流自第二電極27通過(guò)第二貫穿孔250流通至金屬層24，然后再流通至透明導(dǎo)電層22后，當(dāng)電流要繼續(xù)流通至第二半導(dǎo)體層212，其路徑的直線方向會(huì)受到電流阻擋層28的阻擋而無(wú)法直接流通，需繞過(guò)電流阻擋層28而經(jīng)第三貫穿孔280方抵達(dá)第二半導(dǎo)體層212。如此，電流可較平均地分布，使發(fā)光二極管均勻發(fā)光且亮度提升。
[0081]圖7為本發(fā)明更一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖，用以表示使用電流阻擋層并省略金屬層與絕緣層的制作。請(qǐng)參考圖7為更一種提升電流擴(kuò)散能力的實(shí)施例;如圖7所示，其不設(shè)置絕緣層以及金屬層，而是利用布拉格反射層所使用材料的絕緣特性，使布拉格反射層23本身就可以兼具前述實(shí)施例的絕緣層的功能，而同時(shí)又具備反射的功能。進(jìn)一步而言，由于布拉格反射層的材料選用可等同于前述實(shí)施例的絕緣層而皆為絕緣材料，因此亦可僅直接設(shè)置布拉格反射層。在此實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，在第二半導(dǎo)體層212之上設(shè)置如前一實(shí)施例所揭示的電流阻擋層28后，生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層22在電流阻擋層28上，并使透明導(dǎo)電層22透過(guò)貫穿電流阻擋層28的多個(gè)第三貫穿孔280而接觸第二半導(dǎo)體層212，該等第三貫穿孔280經(jīng)蝕刻該電流阻擋層28而形成，同時(shí)會(huì)使單一的電流阻擋層分離為多個(gè)電流阻擋層28，必此互不連接；接著生長(zhǎng)至少一布拉格反射層23在透明導(dǎo)電層22上，再利用光阻舉離制程(photoresist lift-off)使布拉格反射層23形成多個(gè)貫穿布拉格反射層23的第一貫穿孔230而暴露出部分的透明導(dǎo)電層22;最后再將第二電極27設(shè)置在布拉格反射層23之上，并通過(guò)第一貫穿孔230與透明導(dǎo)電層22相接觸而電性連接。在此實(shí)施例所的結(jié)構(gòu)中，該等第三貫穿孔280在垂直方向上分別與該等布拉格反射層23的第一貫穿孔230為錯(cuò)位設(shè)置(使電流阻擋層28設(shè)置于相對(duì)應(yīng)第一貫穿孔230的位置)，因此電流自第二電極27通過(guò)第一貫穿孔230流通至透明導(dǎo)電層22后，當(dāng)電流要繼續(xù)流通至第二半導(dǎo)體層212，其路徑的直線方向會(huì)受到電流阻擋層28的阻擋而無(wú)法直接流通，需繞過(guò)電流阻擋層28而經(jīng)第三貫穿孔280的開(kāi)設(shè)位置方抵達(dá)第二半導(dǎo)體層212，如同前一實(shí)施例可使電流可較平均地分布，使發(fā)光二極管均勻發(fā)光且亮度提升。
[0082]圖8A?8E為本發(fā)明一實(shí)施例的制造方法流程示意圖。請(qǐng)參考圖8A?圖8E，本發(fā)明所揭示的具布拉格反射鏡的發(fā)光二極管的制造方法，在一實(shí)施例的步驟可包括:
[0083]步驟S1、生長(zhǎng)磊晶層，該磊晶層具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層。
[0084]步驟S2、生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層在該第二半導(dǎo)體層上。
[0085]步驟S3、生長(zhǎng)布拉格反射層在該透明導(dǎo)電層上。
[0086]步驟S4、形成多個(gè)第一貫穿孔貫穿該布拉格反射層多。
[0087]步驟S5、生長(zhǎng)金屬層在該布拉格反射層之上，且該金屬層透過(guò)該些第一貫穿孔而電性連接于該透明導(dǎo)電層。
[0088]步驟S6、生長(zhǎng)絕緣層在該金屬層之上。
[0089]步驟S7、形成至少一第二貫穿孔在該絕緣層上而暴露出部分的該金屬層。
[0090]在上述的步驟中，所選用的透明基板20可為藍(lán)寶石基板;透明導(dǎo)電層22則可選用氧化銦錫、氧化銦鋅等材料，使所形成的透明導(dǎo)電層22具有大于98%的透光率，且透明導(dǎo)電層與第二半導(dǎo)體層之間存在奧姆接觸。金屬層24為鉻、金、鉑、鈦或鋁等元素所組成，經(jīng)濺鍍而形成薄膜狀結(jié)構(gòu)覆蓋在布拉格反射層23之上，此金屬層24可提供電流流通，作為電極的延伸而輔以分散電流分布，其也具備黏著上下層面的功能，例如在此實(shí)施例中與透明導(dǎo)電層接合，另外，其本身也可提供部分的反射能力。絕緣層25則可以使用二氧化硅為材料，在覆蓋在金屬層24之上后，再蝕刻出第二貫穿孔250暴露出金屬層24，使后續(xù)設(shè)置的第二電極27得以和金屬層24接觸而導(dǎo)通電流，此絕緣層25也覆蓋磊晶層的側(cè)邊及部分第一半導(dǎo)體層212的上表面。而若要進(jìn)行如前述在結(jié)構(gòu)上的各種變化，例如整合絕緣層與布拉格反射層，或是變更透明導(dǎo)電層、金屬層以及布拉格反射層的堆棧順序等，則根據(jù)需要而在步驟增加或減少生長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)的層面，以及利用蝕刻的手段制作貫穿孔或間隙，使電流得以流通。
[0091]圖9為本發(fā)明更一實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖，用以表示將透明導(dǎo)電層設(shè)置在布拉格反射層與金屬層之間。請(qǐng)參考圖9為本發(fā)明的再一實(shí)施例，其在第二半導(dǎo)體層212之上設(shè)置布拉格反射層23，再利用光阻舉離制程形成多個(gè)貫穿布拉格反射層23的第一貫穿孔230而暴露出部分的第二半導(dǎo)體層212。布拉格反射層23之上則設(shè)置透明導(dǎo)電層22，透明導(dǎo)電層22可通過(guò)第一貫穿孔230而與第二半導(dǎo)體層212接觸。透明導(dǎo)電層22之上則是設(shè)置金屬層24，其與透明導(dǎo)電層22之間存在奧姆接觸。
[0092]綜上所述，本發(fā)明詳細(xì)揭示了一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管及其制造方法，其利用布拉格反射鏡取代傳統(tǒng)的銀反射鏡，不但可以免除額外覆蓋鎢化鈦防止銀的擴(kuò)散，減少制程步驟與不穩(wěn)定因素，因而提升產(chǎn)品優(yōu)良率，并且也可利用布拉格反射鏡提供高反射率，讓發(fā)光二極管的出光亮度得以維持在的狀態(tài)，故在結(jié)合眾多優(yōu)點(diǎn)之下，本發(fā)明無(wú)疑為一種兼具實(shí)用與商業(yè)價(jià)值的具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管及其制造方法。
[0093]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，其特征在于，包括: 磊晶層，具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層，其中所述發(fā)光層介于所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間； 透明導(dǎo)電層，其位于所述第二半導(dǎo)體層上； 至少一布拉格反射層，其位于所述透明導(dǎo)電層上，并具有多個(gè)貫穿所述等布拉格反射層的第一貫穿孔； 第一電極，電性連接于所述第一半導(dǎo)體層；以及 第二電極，電性連接于所述透明導(dǎo)電層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，其特征在于，該些第一貫穿孔的間距不為定值。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括: 金屬層，其位于所述布拉格反射層上；以及 絕緣層，其位于所述金屬層上，并具有至少一第二貫穿孔而暴露出部分的所述金屬層，且所述第二電極位于所述絕緣層上，通過(guò)所述第二貫穿孔而電性連接所述金屬層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，其特征在于，該些第一貫穿孔的間距隨著該些第一貫穿孔與所述第二電極的距離逐漸增加而逐漸減少。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括:多個(gè)電流阻擋層，其位于所述第二半導(dǎo)體層上，且所述等電流阻擋層對(duì)應(yīng)所述第一貫穿孔設(shè)置。6.—種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括: 生長(zhǎng)磊晶層，所述磊晶層具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層； 生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層在所述第二半導(dǎo)體層上； 生長(zhǎng)布拉格反射層在所述透明導(dǎo)電層上； 形成多個(gè)第一貫穿孔貫穿所述布拉格反射層；以及 生長(zhǎng)金屬層在所述布拉格反射層之上，且所述金屬層通過(guò)該些第一貫穿孔而電性連接于所述透明導(dǎo)電層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，在生長(zhǎng)所述金屬層在所述布拉格反射層之上的步驟后，還包括: 生長(zhǎng)絕緣層在所述金屬層之上；以及 形成至少一第二貫穿孔在所述絕緣層上而暴露出部分的所述金屬層。8.一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，其特征在于，包括: 磊晶層，具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層； 多個(gè)電流阻擋層，設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層上； 透明導(dǎo)電層，設(shè)置于所述電流阻擋層與所述第二半導(dǎo)體層上； 布拉格反射層，設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層上，并具有多個(gè)貫穿所述等布拉格反射層的第一貫穿孔而暴露出部分的所述透明導(dǎo)電層，該些第一貫穿孔對(duì)應(yīng)該些電流阻擋層設(shè)置； 第一電極，電性連接于所述第一半導(dǎo)體層；以及 第二電極，其位于所述布拉格反射層上，且通過(guò)所述等第一貫穿孔電性連接于所述透明導(dǎo)電層。9.一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括:生長(zhǎng)磊晶層，所述磊晶層具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層；生長(zhǎng)電流阻擋層在所述第二半導(dǎo)體層上；形成多個(gè)第三貫穿孔貫穿所述電流阻擋層而暴露出部分所述第二半導(dǎo)體層；生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層在所述等電流阻擋層與所述第二半導(dǎo)體層上，；生長(zhǎng)布拉格反射層在所述透明導(dǎo)電層上；以及形成多個(gè)第一貫穿孔貫穿所述布拉格反射層而暴露出部分所述透明導(dǎo)電層；其中，該些第一貫穿孔對(duì)應(yīng)于所述電流阻擋層。10.一種具有布拉格反射鏡的發(fā)光二極管，其特征在于，包括:磊晶層，具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層；多個(gè)電流阻擋層，位于所述第二半導(dǎo)體層上；透明導(dǎo)電層，其位于所述第二半導(dǎo)體層上，并覆蓋所述等電流阻擋層；絕緣層，其位于所述透明導(dǎo)電層上，并具有多至少一貫穿孔；第一電極，電性連接于所述第一半導(dǎo)體層；以及第二電極，其位于所述絕緣層上，且通過(guò)所述貫穿孔電性連接于所述透明導(dǎo)電層。
【文檔編號(hào)】H01L33/46GK105895776SQ201610089271
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月17日
【發(fā)明人】黃逸儒, 黃冠杰, 沈志銘, 莊東霖, 麥宏全, 黃靖恩, 丁紹瀅
【申請(qǐng)人】新世紀(jì)光電股份有限公司