電子器件、薄膜晶體管、以及陣列基板及其制作方法
【專利摘要】一種電子器件及其制作方法、薄膜晶體管的制作方法、以及陣列基板及其制作方法。該電子器件的制作方法，包括：在襯底基板上形成金屬結(jié)構(gòu)；在金屬結(jié)構(gòu)和襯底基板上形成無(wú)氧絕緣層；以及在無(wú)氧絕緣層上形成絕緣保護(hù)層。該電子器件的制作方法通過(guò)在金屬結(jié)構(gòu)上形成不含氧元素的無(wú)氧絕緣層，從而保護(hù)金屬結(jié)構(gòu)，防止金屬結(jié)構(gòu)被氧化。
【專利說(shuō)明】
電子器件、薄膜晶體管、以及陣列基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種電子器件及其制作方法、薄膜晶體管的制作方法、以及陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱:TFT)是顯示領(lǐng)域常用的一種開(kāi)關(guān)元件。通常，薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、以及與有源層電連接的源電極和漏電極;其中，有源層通常由例如多晶硅、單晶硅、氧化物半導(dǎo)體等半導(dǎo)體材料制成。薄膜晶體管按照其柵極與有源層的相對(duì)位置關(guān)系可分為頂柵型薄膜晶體管和底柵型薄膜晶體管。
[0003]陣列基板是顯示裝置的重要組成部分。陣列基板通常包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，在顯示區(qū)中通常設(shè)置有呈矩陣排列的多個(gè)薄膜晶體管。每個(gè)薄膜晶體管可以用于控制陣列基板顯示區(qū)中的至少一個(gè)像素單元的顯示狀態(tài)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種電子器件及其制作方法、薄膜晶體管的制作方法、以及陣列基板及其制作方法。該電子器件的制作方法通過(guò)在金屬結(jié)構(gòu)上形成不含氧元素的無(wú)氧絕緣層，從而保護(hù)金屬結(jié)構(gòu)，防止金屬結(jié)構(gòu)被氧化。
[0005]本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供一種電子器件的制作方法，包括:在襯底基板上形成金屬結(jié)構(gòu);在所述金屬結(jié)構(gòu)和所述襯底基板上形成無(wú)氧絕緣層；以及在所述無(wú)氧絕緣層上形成絕緣保護(hù)層。
[0006]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，所述無(wú)氧絕緣層使用硅烷形成，所述電子器件的制作方法還包括:在所述金屬結(jié)構(gòu)下方形成半導(dǎo)體；以及在形成所述無(wú)氧絕緣層的過(guò)程中，所述硅烷釋放出氫將所述半導(dǎo)體與所述無(wú)氧絕緣層接觸的部分導(dǎo)體化。
[0007]例如，本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件的制作方法還包括:在所述絕緣保護(hù)層上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述金屬結(jié)構(gòu)具有交疊的部分，所述無(wú)氧絕緣層的介電常數(shù)材料小于等于6。
[0008]例如，本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件的制作方法還包括:在所述無(wú)氧絕緣層和所述絕緣保護(hù)層中形成過(guò)孔，用于暴露所述金屬結(jié)構(gòu)，利用帶氧的刻蝕工藝對(duì)所述絕緣保護(hù)層進(jìn)行刻蝕;利用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)所述無(wú)氧絕緣層進(jìn)行刻蝕，以形成所述過(guò)孔。
[0009]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，在無(wú)氧的刻蝕工藝下，所述無(wú)氧絕緣層的刻蝕速率較所述絕緣保護(hù)層的刻蝕速率更快。
[0010]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，所述金屬結(jié)構(gòu)包括柵極、柵線、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、公共電極線、公共電極中的至少一個(gè);所述絕緣保護(hù)層包括層間介電層和鈍化層中的至少一個(gè)。
[0011]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，所述金屬結(jié)構(gòu)的材料包括銅，所述電子器件的制作方法還包括在所述金屬結(jié)構(gòu)下方形成擴(kuò)散阻擋層。
[0012]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，所述無(wú)氧絕緣層的材料包括SiNC或SiNF。
[0013]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，所述無(wú)氧絕緣層的厚度小于絕緣保護(hù)層的厚度。
[0014]本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括:在襯底基板上形成有源層，所述有源層具有源極區(qū)域、漏極區(qū)域以及位于所述源極區(qū)域、漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)；在所述溝道區(qū)上形成柵極絕緣層;在所述柵極絕緣層上形成柵極;在所述柵極和所述有源層上形成第一無(wú)氧絕緣層；以及在所述第一無(wú)氧絕緣層上形成層間介電層。
[0015]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，所述第一無(wú)氧絕緣層使用硅烷形成，所述薄膜晶體管的制作方法還包括:在形成所述第一無(wú)氧絕緣層的同時(shí)，所述硅烷釋放出氫將所述有源層的所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域?qū)w化。
[0016]例如，本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法還包括:在所述層間介電層和所述第一無(wú)氧絕緣層中形成分別暴露所述源極區(qū)域、所述漏極區(qū)域的第一過(guò)孔;在所述層間介電層上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域電性相連;在所述源極、所述漏極上形成第二無(wú)氧絕緣層；以及在所述第二無(wú)氧絕緣層上形成鈍化層。
[0017]例如，本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法還包括:在所述第二無(wú)氧絕緣層和所述鈍化層中形成暴露所述漏極的第二過(guò)孔，利用帶氧的刻蝕工藝對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕;利用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)所述第二無(wú)氧絕緣保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。
[0018]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，在無(wú)氧的刻蝕工藝下，所述第二無(wú)氧絕緣層的刻蝕速率較所述鈍化層的刻蝕速率更快。
[0019]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，所述柵極、所述源極和所述漏極中至少之一包括銅。
[0020]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，所述第一無(wú)氧絕緣層或所述第二無(wú)氧絕緣層的材料包括SiNC或SiNF。
[0021]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，所述第一無(wú)氧絕緣層和所述第二無(wú)氧絕緣層的材料相同或不同。
[0022]本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管，采用上述任一的方法制作所述薄膜晶體管。
[0023]例如，本發(fā)明一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法還包括:在所述襯底基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述柵極同層設(shè)置，所述數(shù)據(jù)線與所述源極、所述漏極同層設(shè)置，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線具有交疊的部分，所述第一無(wú)氧絕緣層的介電常數(shù)材料小于等于6 ο
[0024]本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種電子器件，包括:襯底基板;設(shè)置在所述襯底基板上的金屬結(jié)構(gòu);設(shè)置在金屬結(jié)構(gòu)上的無(wú)氧絕緣層；以及設(shè)置在所述無(wú)氧絕緣層上的絕緣保護(hù)層。
[0025]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件中，所述無(wú)氧絕緣層與所述金屬結(jié)構(gòu)直接接觸。
[0026]例如，本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件還包括:設(shè)置在所述絕緣保護(hù)層上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述金屬結(jié)構(gòu)具有交疊的部分，所述無(wú)氧絕緣層的介電常數(shù)材料小于等于6。
[0027]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件中，所述金屬結(jié)構(gòu)的材料包括銅，所述電子器件還包括設(shè)置在所述金屬結(jié)構(gòu)下方的擴(kuò)散阻擋層。
[0028]本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種陣列基板，包括如上述任一的電子器件。
【附圖說(shuō)明】
[0029]為了更清楚地說(shuō)明本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開(kāi)的一些實(shí)施例，而非對(duì)本公開(kāi)的限制。
[0030]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種電子器件的制作方法的流程圖；
[0031]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種電子器件的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種電子器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種電子器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種電子器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的流程圖；
[0036]圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0037]圖8為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種陣列基板的平面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為使本公開(kāi)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開(kāi)實(shí)施例的附圖，對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公開(kāi)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本公開(kāi)的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開(kāi)保護(hù)的范圍。
[0039]除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本公開(kāi)所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。
[0040]在研究中，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn):隨著顯示器件尺寸的增大，信號(hào)延遲效應(yīng)越加明顯，顯示質(zhì)量因此而下降。因此，采用低電阻率的金屬，例如，銅，作為電極可減少信號(hào)延遲，提高顯示質(zhì)量。然而，為保證TFT(薄膜晶體管)獲得優(yōu)良的TFT特性與穩(wěn)定性，柵極與源漏電極的保護(hù)層需要比較高的沉積溫度;但是隨著柵極與源漏電極保護(hù)層沉積溫度的升高，銅電極等低電阻率電極會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的氧化，從而影響TFT特性。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子器件及其制作方法、薄膜晶體管的制作方法、以及陣列基板及其制作方法。該電子器件的制作方法通過(guò)在金屬結(jié)構(gòu)上形成不含氧元素的無(wú)氧絕緣層，從而保護(hù)金屬結(jié)構(gòu)，防止金屬結(jié)構(gòu)被氧化。
[0042]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的電子器件及其制作方法、薄膜晶體管的制作方法、以及陣列基板及其制作方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0043]實(shí)施例一
[0044]本實(shí)施例提供一種電子器件的制作方法，如圖1所示，包括以下步驟SllO?S130:
[0045]步驟S110:如圖2所示，在襯底基板101上形成金屬結(jié)構(gòu)120。
[0046]例如，襯底基板101可為玻璃基板、石英基板、樹(shù)脂基板或其他基板。
[0047]例如，金屬結(jié)構(gòu)120可為鉻、鉬、鋁、銅、鋁、鋁合金、銅、銅合金等中任一的單層或其中幾種的疊層。
[0048]步驟S120:如圖2所示，在金屬結(jié)構(gòu)120和襯底基板101上形成無(wú)氧絕緣層150。
[0049]步驟S130:如圖2所示，在無(wú)氧絕緣層150上形成絕緣保護(hù)層160。
[0050]例如，絕緣保護(hù)層160的材料可為Si0、SiN0等無(wú)機(jī)絕緣材料或有機(jī)玻璃、聚酰亞胺等有機(jī)絕緣材料。
[0051]在本實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，由于在金屬結(jié)構(gòu)120上形成了無(wú)氧絕緣層150，在形成絕緣保護(hù)層160時(shí)可對(duì)金屬結(jié)構(gòu)120提供了保護(hù)，防止金屬結(jié)構(gòu)120被氧化；并且由于無(wú)氧絕緣層150的保護(hù)，絕緣保護(hù)層160可采用較高的沉積溫度形成，從而可提高采用本實(shí)施例提供的電子器件的制作方法制作的電子器件的電學(xué)特性和穩(wěn)定性。另外，無(wú)氧絕緣層150本身不含氧元素，在采用本實(shí)施例提供的電子器件的制作方法制作的電子器件的長(zhǎng)期使用過(guò)程中，無(wú)氧絕緣層150也沒(méi)有氧元素滲入金屬結(jié)構(gòu)120，可避免金屬結(jié)構(gòu)120氧化，可進(jìn)一步提尚電子器件的穩(wěn)定性。
[0052]例如，在本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法中，如圖2所示，金屬結(jié)構(gòu)120的材料包括銅，該電子器件的制作方法還包括在金屬結(jié)構(gòu)120下方形成擴(kuò)散阻擋層110。因?yàn)殂~的電阻率較小，金屬結(jié)構(gòu)120的材料采用銅可減少信號(hào)延遲，提高顯示質(zhì)量。在大尺寸的顯示器件中，效果更加明顯。當(dāng)然，本實(shí)施例包括但不限于此，金屬結(jié)構(gòu)120的材料還可包括其他導(dǎo)電材料。另外，在金屬結(jié)構(gòu)120下方形成的擴(kuò)散阻擋層110可防止金屬結(jié)構(gòu)120的銅元素?cái)U(kuò)散到其他層。
[0053]例如，在本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法中，無(wú)氧絕緣層150使用硅烷形成，該電子器件的制作方法還包括:如圖3所示，在金屬結(jié)構(gòu)120下方形成半導(dǎo)體102;在形成無(wú)氧絕緣層150的過(guò)程中，硅烷釋放出氫將半導(dǎo)體102導(dǎo)體化。值得注意的是，半導(dǎo)體102具有與無(wú)氧絕緣層150接觸的部分，硅烷釋放出氫將半導(dǎo)體102與無(wú)氧絕緣層150接觸的部分導(dǎo)體化。
[0054]例如，如圖3所示，在半導(dǎo)體102和金屬結(jié)構(gòu)120之間還形成有絕緣層103，絕緣層103可將半導(dǎo)體102和金屬結(jié)構(gòu)120絕緣。
[0055]在本實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，采用硅烷形成該無(wú)氧絕緣層150的同時(shí)，可對(duì)半導(dǎo)體102與無(wú)氧絕緣層150接觸的部分進(jìn)行導(dǎo)體化，可簡(jiǎn)化步驟，減少成本。
[0056]例如，本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法還包括:如圖4所示，在絕緣保護(hù)層160上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140和金屬結(jié)構(gòu)120具有交疊的部分，無(wú)氧絕緣層的150的介電常數(shù)小于等于6。金屬結(jié)構(gòu)120和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140之間形成有無(wú)氧絕緣層150和絕緣保護(hù)層160，由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140和金屬結(jié)構(gòu)120具有交疊的部分，導(dǎo)體結(jié)構(gòu)140和金屬結(jié)構(gòu)120之間可形成寄生電容，從而影響電子器件的正常使用；但是，由于無(wú)氧絕緣層150的介電常數(shù)小于等于6，小于絕緣保護(hù)層160的介電常數(shù)，相較于具有與無(wú)氧絕緣層150和絕緣保護(hù)層160的厚度之和同樣厚度的絕緣保護(hù)層，本實(shí)施例可降低導(dǎo)體結(jié)構(gòu)140和金屬結(jié)構(gòu)120之間的寄生電容，進(jìn)而達(dá)到提高信號(hào)穩(wěn)定性的目的。
[0057]例如，無(wú)氧絕緣層可通過(guò)采用介電常數(shù)小于等于6的材料制作，例如，SiNC或SiNF。
[0058]例如，本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法還包括:如圖5所示，在無(wú)氧絕緣層150和絕緣保護(hù)層160中形成過(guò)孔190，過(guò)孔190用于暴露金屬結(jié)構(gòu)120，利用帶氧的刻蝕工藝對(duì)絕緣保護(hù)層150進(jìn)行刻蝕;利用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)無(wú)氧絕緣層160進(jìn)行刻蝕，以形成過(guò)孔190。
[0059]在本實(shí)施例提供的電子器件的制作方法中，在無(wú)氧絕緣層150和絕緣保護(hù)層160中形成過(guò)孔190的過(guò)程中，使用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)無(wú)氧絕緣層160進(jìn)行刻蝕，可防止金屬結(jié)構(gòu)120在刻蝕工藝中與氧接觸，可避免金屬結(jié)構(gòu)120被氧化;同時(shí)，因?yàn)橥ǔа醯目涛g工藝刻蝕速度較快，使用帶氧的刻蝕工藝對(duì)絕緣保護(hù)層160進(jìn)行刻蝕可提高刻蝕無(wú)氧絕緣層150和絕緣保護(hù)層160整體的刻蝕速度。
[0060]例如，在本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法中，在無(wú)氧的刻蝕工藝下，無(wú)氧絕緣層的刻蝕速率較絕緣保護(hù)層的刻蝕速率更快。例如，無(wú)氧絕緣層可通過(guò)采用在無(wú)氧的刻蝕工藝下刻蝕速率較快的材料制作，例如，SiNC或SiNF。由此，可進(jìn)一步提高刻蝕無(wú)氧絕緣層和絕緣保護(hù)層整體的刻蝕速度。
[0061 ]例如，在本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法中，如圖5所示，無(wú)氧絕緣層150的厚度小于絕緣保護(hù)層160的厚度。由此，在無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)無(wú)氧絕緣層160進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，即使無(wú)氧的刻蝕工藝刻蝕速度較慢，但是，由于無(wú)氧絕緣層150的厚度小于絕緣保護(hù)層160的厚度，從而可減少因采用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)無(wú)氧絕緣層160進(jìn)行刻蝕帶來(lái)的影響，可進(jìn)一步提高刻蝕無(wú)氧絕緣層和絕緣保護(hù)層整體的刻蝕速度。
[0062]例如，在本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法中，采用干法刻蝕工藝進(jìn)行過(guò)孔的刻蝕。當(dāng)然，本實(shí)施例包括但不限于此。
[0063]例如，在本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法中，金屬結(jié)構(gòu)可包括柵極、柵線、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、公共電極線和公共電極中的至少一個(gè);所述絕緣保護(hù)層包括層間介電層和鈍化層中的至少一個(gè)。由此，采用本實(shí)施例提供的電子器件的制作方法可對(duì)上述的柵極、柵線、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、公共電極線和公共電極提供保護(hù)，防止上述的柵極、柵線、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、公共電極線和公共電極被氧化。
[0064]例如，在本實(shí)施例一示例提供的電子器件的制作方法中，半導(dǎo)體可包括有源層。由此，采用本實(shí)施例提供的電子器件的制作方法可在形成無(wú)氧絕緣層同時(shí)，對(duì)有源層進(jìn)行導(dǎo)體化。
[0065]實(shí)施例二
[0066]本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，如圖6所示，該薄膜晶體管的制作方法包括步驟S210-S250。
[0067]步驟S210:如圖7所示，在襯底基板101上形成有源層102，有源層102具有源極區(qū)域1022、漏極區(qū)域1023以及位于源極區(qū)域1022、漏極區(qū)域1023之間的溝道區(qū)1021。
[0068]例如，有源層102的材料可包括氧化物半導(dǎo)體。當(dāng)然，本實(shí)施例包括但不限于此，有源層102的材料還可包括非晶硅或多晶硅等其他半導(dǎo)體材料。
[0069]步驟S220:如圖7所示，在溝道區(qū)1021上形成柵極絕緣層103。
[0070]步驟S230:如圖7所示，在柵極絕緣層103上形成柵極121。
[0071]步驟S240:如圖7所示，在柵極121和有源層102上形成第一無(wú)氧絕緣層151。
[0072]步驟S250:如圖7所示，在第一無(wú)氧絕緣層151上形成層間介電層161。
[0073]在本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，由于在柵極上形成了第一無(wú)氧絕緣層，在層間介電層時(shí)可對(duì)柵極提供了保護(hù)，防止柵極被氧化;并且由于第一無(wú)氧絕緣層的保護(hù)，層間介電層可采用較高的沉積溫度形成，從而可提高采用本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法制作的薄膜晶體管的TFT特性和穩(wěn)定性。另外，第一無(wú)氧絕緣層本身不含氧元素，在采用本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法制作的薄膜晶體管的長(zhǎng)期使用過(guò)程中，第一無(wú)氧絕緣層也沒(méi)有氧元素滲入柵極，可避免柵極氧化，可進(jìn)一步提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性。
[0074]例如，在本實(shí)施例一示例提供的薄膜晶體管的制作方法中，第一無(wú)氧絕緣層使用硅烷形成，該薄膜晶體管的制作方法還包括:在形成第一無(wú)氧絕緣層的同時(shí)，對(duì)有源層的源極區(qū)域和漏極區(qū)域進(jìn)行導(dǎo)體化。
[0075]在本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，采用硅烷形成該第一無(wú)氧絕緣層的同時(shí)，可對(duì)有源層的源極區(qū)域和漏極區(qū)域進(jìn)行導(dǎo)體化，從而可簡(jiǎn)化步驟，減少成本。
[0076]例如，如圖7所示，本實(shí)施例一示例提供的薄膜晶體管的制作方法還包括:在層間介電層161和第一無(wú)氧絕緣層151中形成分別暴露源極區(qū)域1022、漏極區(qū)域1023的第一過(guò)孔191;在層間介電層161上形成源極122和漏極123，源極122和漏極123分別通過(guò)第一過(guò)孔191與源極區(qū)域1022和漏極區(qū)域1023電性相連；在源極122、漏極123上形成第二無(wú)氧絕緣層152;以及在第二無(wú)氧絕緣層152上形成鈍化層162。
[0077]在本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，在源極和漏極上形成的第二無(wú)氧絕緣層可對(duì)源極和漏極提供保護(hù)，防止源極和漏極被氧化;并且，由于第二無(wú)氧絕緣層的保護(hù)，鈍化層可采用較高的沉積溫度形成，從而可提高采用本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法制作的薄膜晶體管的TFT特性和穩(wěn)定性。另外，第二無(wú)氧絕緣層本身不含氧元素，在采用本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法制作的薄膜晶體管的長(zhǎng)期使用過(guò)程中，第二無(wú)氧絕緣層也沒(méi)有氧元素滲入源極和漏極，可避免源極和漏極被氧化，可進(jìn)一步提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性。
[0078]例如，如圖7所示，第一無(wú)氧絕緣層151的厚度小于層間介電層161的厚度。
[0079 ]例如，如圖7所示，本實(shí)施例一示例提供的薄膜晶體管的制作方法還包括:在第二無(wú)氧絕緣層152和鈍化層162中形成暴露漏極123的第二過(guò)孔192，可利用帶氧的刻蝕工藝對(duì)鈍化層162進(jìn)行刻蝕;利用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)第二無(wú)氧絕緣保護(hù)層152進(jìn)行刻蝕。
[0080]在本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，使用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)第二無(wú)氧絕緣層進(jìn)行刻蝕，可防止漏極在刻蝕工藝中與氧接觸，可避免漏極被氧化；同時(shí)，因?yàn)橥ǔа醯目涛g工藝刻蝕速度較快，使用帶氧的刻蝕工藝對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕可提高刻蝕第二無(wú)氧絕緣層和鈍化層整體的刻蝕速度。
[0081 ]例如，在本實(shí)施例一示例提供的薄膜晶體管的制作方法中，在無(wú)氧的刻蝕工藝下，第二無(wú)氧絕緣層的刻蝕速率較鈍化層的刻蝕速率更快。例如，第二無(wú)氧絕緣層可通過(guò)采用在無(wú)氧的刻蝕工藝下刻蝕速率較快的材料制作，例如，SiNC或SiNF。由此，可進(jìn)一步提高刻蝕第二無(wú)氧絕緣層和鈍化層整體的刻蝕速度。
[0082]例如，在本實(shí)施例一示例提供的薄膜晶體管的制作方法中，如圖7所示，第二無(wú)氧絕緣層152的厚度小于鈍化層162的厚度。由此，在無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)第二無(wú)氧絕緣層152進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，即使無(wú)氧的刻蝕工藝刻蝕速度較慢，但是，由于第二無(wú)氧絕緣層152的厚度小于鈍化層162的厚度，從而可減少因采用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)第二無(wú)氧絕緣層152進(jìn)行刻蝕帶來(lái)的影響，可進(jìn)一步提高刻蝕第二無(wú)氧絕緣層和鈍化層整體的刻蝕速度。
[0083]例如，在本實(shí)施例一示例提供的薄膜晶體管的制作方法中，柵極、源極和漏極中至少之一包括銅，從而可減少信號(hào)延遲，提高顯示質(zhì)量;在大尺寸的顯示器件中，效果更加明顯。當(dāng)然，本實(shí)施例包括但不限于此，柵極、源極和漏極的材料還可包括其他導(dǎo)電材料。
[0084]例如，在本實(shí)施例一示例提供的薄膜晶體管的制作方法中，第一無(wú)氧絕緣層或第二無(wú)氧絕緣層的材料包括SiNC或SiNF。當(dāng)然，本實(shí)施例包括但不限于此。另外，第一無(wú)氧絕緣層和第二無(wú)氧絕緣層的材料可以相同，也可以不同。
[0085]在本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，采用頂柵型薄膜晶體管為例進(jìn)行了說(shuō)明，頂柵型薄膜晶體管可以大幅度的降低寄生電容，在大尺寸、高刷新率、高分辨率顯示應(yīng)用方面具有廣泛的應(yīng)用前景。當(dāng)然，本實(shí)施例包括但不限于此，本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單的變換就可以用于制作底柵型薄膜晶體管，在此不再贅述。
[0086]實(shí)施例三
[0087]本實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括:形成薄膜晶體管，可采用實(shí)施例二中任一的方法制作該薄膜晶體管。本實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法由于采用了實(shí)施例二中的薄膜晶體管的制作方法，因此同樣具備與實(shí)施例二中該薄膜晶體管的制作方法對(duì)應(yīng)的技術(shù)效果，重復(fù)之處在此不再贅述。
[0088]例如，如圖8所示，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還包括:在襯底基板101上形成柵線126、數(shù)據(jù)線127;柵線126和柵極121同層設(shè)置;數(shù)據(jù)線127與源極122、漏極123同層設(shè)置。例如，柵線126和柵極121可通過(guò)同一圖案化工藝形成;數(shù)據(jù)線127與源極122和漏極123可通過(guò)同一圖案化工藝形成。柵線126和數(shù)據(jù)線127具有交疊的部分170(圖中虛線框所示的位置)，第一無(wú)氧絕緣層的介電常數(shù)材料小于等于6。
[0089]在本實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，在柵線126和數(shù)據(jù)線127交疊的位置處，柵線126和數(shù)據(jù)線127之間形成有第一無(wú)氧絕緣層和絕層間介電層，由于柵線126和數(shù)據(jù)線127具有交疊的部分170，柵線126和數(shù)據(jù)線127之間可形成寄生電容，從而影響陣列基板的正常使用；然而，由于第一無(wú)氧絕緣層的介電常數(shù)小于等于6，小于層間介電層的介電常數(shù)，相較于具有與第一無(wú)氧絕緣層和層間介電層的厚度之和同樣厚度的層間介電層，本實(shí)施例可降低柵線126和數(shù)據(jù)線127之間的寄生電容，進(jìn)而達(dá)到提高信號(hào)穩(wěn)定性的目的。
[0090]例如，在本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，第一無(wú)氧絕緣層可通過(guò)采用介電常數(shù)小于等于6的材料制作，例如，SiNC或SiNF。
[0091]例如，如圖7所示，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還包括:在襯底基板101上形成公共電極線124;公共電極線124可與柵極121同層形成；在柵極121和有源層102上形成第一無(wú)氧絕緣層151的同時(shí)，也可在公共電極線124上形成該第一無(wú)氧絕緣層151，從而對(duì)公共電極線124提供保護(hù)，防止公共電極線124被氧化。
[0092]例如，如圖7所示，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還包括:在層間介電層161上形成公共電極125;公共電極125可與源極122和漏極123同層形成;在源極122和漏極123上形成第二無(wú)氧絕緣層152的同時(shí)，也可在公共電極125上形成該第二無(wú)氧絕緣層152，從而對(duì)公共電極125提供保護(hù)。
[0093]例如，如圖7所示，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還包括:在鈍化層162上形成像素電極104;公共電極104通過(guò)第二過(guò)孔192與漏極123相連;像素電極104可與公共電極125產(chǎn)生電場(chǎng)控制液晶從而實(shí)現(xiàn)顯示畫(huà)面。
[0094]實(shí)施例四
[0095]本實(shí)施例提供一種電子器件，如圖2所示，該電子器件包括:襯底基板101;設(shè)置在襯底基板101上的金屬結(jié)構(gòu)120;設(shè)置在金屬結(jié)構(gòu)120上的無(wú)氧絕緣層150;以及設(shè)置在無(wú)氧絕緣層150上的絕緣保護(hù)層160。
[0096]在本實(shí)施例提供的電子器件中，無(wú)氧絕緣層150可對(duì)金屬結(jié)構(gòu)120進(jìn)行保護(hù)，防止金屬結(jié)構(gòu)120被氧化。并且，絕緣保護(hù)層160可采用較高的沉積溫度形成，從而可提高電子器件的電學(xué)特性和穩(wěn)定性。另外，無(wú)氧絕緣層150本身不含氧元素，在電子器件的長(zhǎng)期使用過(guò)程中，無(wú)氧絕緣層150也沒(méi)有氧元素滲入金屬結(jié)構(gòu)120，可避免金屬結(jié)構(gòu)120氧化，可進(jìn)一步提尚電子器件的穩(wěn)定性。
[0097]例如，在本實(shí)施例一示例提供的電子器件中，如圖2所示，無(wú)氧絕緣層150與金屬結(jié)構(gòu)120直接接觸。
[0098]例如，在本發(fā)明一實(shí)施例提供的電子器件中，如圖2所不，所述金屬結(jié)構(gòu)120的材料包括銅，所述電子器件還包括設(shè)置在所述金屬結(jié)構(gòu)120下方的擴(kuò)散阻擋層110。因?yàn)殂~的電阻率較小，金屬結(jié)構(gòu)120的材料采用銅可減少信號(hào)延遲，提高顯示質(zhì)量。在大尺寸的顯示器件中，效果更加明顯。當(dāng)然，本實(shí)施例包括但不限于此，金屬結(jié)構(gòu)120的材料還可包括其他導(dǎo)電材料。另外，在金屬結(jié)構(gòu)120下方設(shè)置的擴(kuò)散阻擋層110可防止金屬結(jié)構(gòu)120的銅元素?cái)U(kuò)散到其他結(jié)構(gòu)。
[0099]例如，如圖4所示，本實(shí)施例一示例提供的電子器件還包括:設(shè)置在所述絕緣保護(hù)層160上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140和所述金屬結(jié)構(gòu)120具有交疊的部分，所述無(wú)氧絕緣層150的介電常數(shù)材料小于等于6。金屬結(jié)構(gòu)120和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140之間設(shè)置有無(wú)氧絕緣層150和絕緣保護(hù)層160，由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140和金屬結(jié)構(gòu)120具有交疊的部分，導(dǎo)體結(jié)構(gòu)140和金屬結(jié)構(gòu)120之間可形成寄生電容，從而影響電子器件的正常使用;然而，由于無(wú)氧絕緣層150的介電常數(shù)小于等于6，小于絕緣保護(hù)層160的介電常數(shù)，相較于具有與無(wú)氧絕緣層150和絕緣保護(hù)層160的厚度之和同樣厚度的絕緣保護(hù)層，本實(shí)施例可降低導(dǎo)體結(jié)構(gòu)140和金屬結(jié)構(gòu)120之間的寄生電容，進(jìn)而達(dá)到提尚彳目號(hào)穩(wěn)定性的目的。
[0100]例如，無(wú)氧絕緣層可通過(guò)采用介電常數(shù)小于等于6的材料制作，例如，SiNC或SiNF。
[0101]實(shí)施例五
[0102]本實(shí)施例提供一種陣列基板，包括實(shí)施例四中任一的電子器件。本實(shí)施例提供的陣列基板由于采用了實(shí)施例四中的電子器件，因此同樣具備與實(shí)施例四中該電子器件對(duì)應(yīng)的技術(shù)效果，重復(fù)之處在此不再贅述。
[0103]有以下幾點(diǎn)需要說(shuō)明:
[0104](I)本發(fā)明實(shí)施例附圖中，只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。
[0105](2)為了清晰起見(jiàn)，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或微結(jié)構(gòu)的厚度和尺寸被放大?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。
[0106](3)在不沖突的情況下，本發(fā)明同一實(shí)施例及不同實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0107]以上所述，僅為本公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】，但本公開(kāi)的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本公開(kāi)揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本公開(kāi)的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本公開(kāi)的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子器件的制作方法，包括: 在襯底基板上形成金屬結(jié)構(gòu)； 在所述金屬結(jié)構(gòu)和所述襯底基板上形成無(wú)氧絕緣層；以及 在所述無(wú)氧絕緣層上形成絕緣保護(hù)層。2.如權(quán)利要求1所述的電子器件的制作方法，其中，所述無(wú)氧絕緣層使用硅烷形成，所述電子器件的制作方法還包括: 在所述金屬結(jié)構(gòu)下方形成半導(dǎo)體；以及 在形成所述無(wú)氧絕緣層的過(guò)程中，所述硅烷釋放出氫將所述半導(dǎo)體與所述無(wú)氧絕緣層接觸的部分導(dǎo)體化。3.如權(quán)利要求1所述的電子器件的制作方法，還包括: 在所述絕緣保護(hù)層上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述金屬結(jié)構(gòu)具有交疊的部分，所述無(wú)氧絕緣層的介電常數(shù)材料小于等于6。4.如權(quán)利要求1所述的電子器件的制作方法，還包括: 在所述無(wú)氧絕緣層和所述絕緣保護(hù)層中形成過(guò)孔，用于暴露所述金屬結(jié)構(gòu)，其中，利用帶氧的刻蝕工藝對(duì)所述絕緣保護(hù)層進(jìn)行刻蝕;利用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)所述無(wú)氧絕緣層進(jìn)行刻蝕，以形成所述過(guò)孔。5.如權(quán)利要求4所述的電子器件的制作方法，其中，在無(wú)氧的刻蝕工藝下，所述無(wú)氧絕緣層的刻蝕速率較所述絕緣保護(hù)層的刻蝕速率更快。6.如權(quán)利要求1所述的電子器件的制作方法，其中，所述金屬結(jié)構(gòu)包括柵極、柵線、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、公共電極線、公共電極中的至少一個(gè);所述絕緣保護(hù)層包括層間介電層和鈍化層中的至少一個(gè)。7.如權(quán)利要求6所述的電子器件的制作方法，其中，所述金屬結(jié)構(gòu)的材料包括銅，所述電子器件的制作方法還包括: 在所述金屬結(jié)構(gòu)下方形成擴(kuò)散阻擋層。8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的電子器件的制作方法，其中，所述無(wú)氧絕緣層的材料包括SiNC或SiNF。9.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的電子器件的制作方法，其中，所述無(wú)氧絕緣層的厚度小于絕緣保護(hù)層的厚度。10.一種薄膜晶體管的制作方法，包括: 在襯底基板上形成有源層，所述有源層具有源極區(qū)域、漏極區(qū)域以及位于所述源極區(qū)域、漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)； 在所述溝道區(qū)上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成柵極； 在所述柵極和所述有源層上形成第一無(wú)氧絕緣層；以及 在所述第一無(wú)氧絕緣層上形成層間介電層。11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，所述第一無(wú)氧絕緣層使用硅烷形成，所述薄膜晶體管的制作方法還包括:在形成所述第一無(wú)氧絕緣層的同時(shí)，所述硅烷釋放出氫將所述有源層的所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域?qū)w化。12.如權(quán)利要求1O或11所述的薄膜晶體管的制作方法，還包括: 在所述層間介電層和所述第一無(wú)氧絕緣層中形成分別暴露所述源極區(qū)域、所述漏極區(qū)域的第一過(guò)孔； 在所述層間介電層上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域電性相連； 在所述源極、所述漏極上形成第二無(wú)氧絕緣層；以及 在所述第二無(wú)氧絕緣層上形成鈍化層。13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管的制作方法，還包括: 在所述第二無(wú)氧絕緣層和所述鈍化層中形成暴露所述漏極的第二過(guò)孔，其中，利用帶氧的刻蝕工藝對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕;利用無(wú)氧的刻蝕工藝對(duì)所述第二無(wú)氧絕緣保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。14.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，在無(wú)氧的刻蝕工藝下，所述第二無(wú)氧絕緣層的刻蝕速率較所述鈍化層的刻蝕速率更快。15.如權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，所述柵極、所述源極和所述漏極中至少之一包括銅。16.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，所述第一無(wú)氧絕緣層或所述第二無(wú)氧絕緣層的材料包括SiNC或SiNF。17.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，所述第一無(wú)氧絕緣層和所述第二無(wú)氧絕緣層的材料相同。18.—種陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管，其中，采用如權(quán)利要求10-17任一項(xiàng)所述的方法制作所述薄膜晶體管。19.如權(quán)利要求18所述的陣列基板的制作方法，還包括: 在所述襯底基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線，其中，所述柵線和所述柵極同層設(shè)置，所述數(shù)據(jù)線與所述源極、所述漏極同層設(shè)置，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線具有交疊的部分，所述第一無(wú)氧絕緣層的介電常數(shù)材料小于等于6。20.—種電子器件，包括: 襯底基板； 設(shè)置在所述襯底基板上的金屬結(jié)構(gòu)； 設(shè)置在金屬結(jié)構(gòu)上的無(wú)氧絕緣層；以及 設(shè)置在所述無(wú)氧絕緣層上的絕緣保護(hù)層。21.如權(quán)利要求20所述的電子器件，其中，所述無(wú)氧絕緣層與所述金屬結(jié)構(gòu)直接接觸。22.如權(quán)利要求20或21所述的電子器件，還包括: 設(shè)置在所述絕緣保護(hù)層上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述金屬結(jié)構(gòu)具有交疊的部分，所述無(wú)氧絕緣層的介電常數(shù)材料小于等于6。23.如權(quán)利要求20或21所述的電子器件，其中，所述金屬結(jié)構(gòu)的材料包括銅，所述電子器件還包括設(shè)置在所述金屬結(jié)構(gòu)下方的擴(kuò)散阻擋層。24.—種陣列基板，包括如權(quán)利要求20-23任一項(xiàng)所述的電子器件。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK105914134SQ201610365811
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年5月27日
【發(fā)明人】王美麗
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司