一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，用以降低陣列基板的集線區(qū)由于引出線之間的凹槽而引起的斜線不良現(xiàn)象。本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括多個引出線，所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處具有填充物，使得所述凹槽的上表面與所述凹槽周邊的引出線處于同一水平面；其中，所述填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。
【專利說明】
一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不屏(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)的顯示采用“背透式”照射方式。具體地，光源路徑是從下向上。這樣的作法是在液晶的背部設置特殊光管，光源照射時通過下偏光板向上透出。由于上下夾層的電極改成透明電極和共通電極，在透明電極導通時，液晶分子的表現(xiàn)也會發(fā)生改變，可以通過遮光和透光來達到顯示的目的，響應時間大大提高到80ms左右。從而具有更高的對比度和更豐富的色彩，熒屏更新頻率也更快。因此，TFT-1XD顯示面板成為現(xiàn)有的顯示領域的主流設備。
[0003]在現(xiàn)有的TFT-LCD顯示面板制作工藝中，由于顯示面板的分辨率越來越高，與每一像素單元的連接的信號線的個數(shù)越來越多，導致在集線區(qū)(Fanout)的信號線在單層無法布開，因此只能選擇在不同的膜層交替布線的方式進行布線。參見圖1所示，顯示面板包括多個陣列排布的像素單元10，每列像素單元10均與相同的一根數(shù)據(jù)線11進行連接。當顯示面板中包括的像素單元的個數(shù)越多，數(shù)據(jù)線的個數(shù)也相應增加，因此在顯示面板中的集線區(qū)A中數(shù)據(jù)線在拐角處更加緊密，從而使得集線區(qū)出現(xiàn)多個凹槽12。因此，在后續(xù)膜層工藝中，涂膠機一般為甩膠模式，從而會沿著拐角方向造成PR膠膜層的差異，影響了透明導電層的尺寸差異(ΙΤ0 FI⑶)和源漏極層的尺寸差異(SD FI⑶)，使得通過該工藝制作的陣列基板，與彩膜基板成盒后形成的顯示面板具有斜線不良Mura的現(xiàn)象。
[0004]因此，隨著顯示面板向著全高清(FHD)的方向發(fā)展，集線區(qū)中數(shù)據(jù)線的布線更加緊密，采用不同膜層交替布線的方式進行布線，從而使得凹槽的區(qū)域更加明顯，造成的斜線不良現(xiàn)象更加明顯。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，用以降低陣列基板的集線區(qū)由于引出線之間的凹槽而引起的斜線不良現(xiàn)象。
[0006]本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括多個引出線，所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處具有填充物，使得所述凹槽的上表面與所述凹槽周邊的引出線處于同一水平面；
[0007]其中，所述填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。
[0008]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述陣列基板還包括與每一所述引出線電性相連的多個薄膜晶體管。
[0009]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述引出線包括數(shù)據(jù)線。
[0010]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述填充物與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層的材料相同。
[0011]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述填充物與所述薄膜晶體管的有源層的材料相同。
[0012]相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種的陣列基板。
[0013]相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種的顯不面板。
[0014]相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述任一種的陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0015]采用構圖工藝在襯底基板上形成所述引出線；
[0016]對所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處通過填充物進行填平處理，使得所述凹槽的上表面與所述凹槽周邊的引出線處于同一水平面；
[0017]其中，所述填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。
[0018]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所述采用構圖工藝在沉底基板上形成所述引出線，具體包括:
[0019]在形成陣列基板的薄膜晶體管的柵極的圖形的同時，形成所述引出線的圖形；
[0020]在所述柵極和引出線上方形成第一柵極絕緣層的圖形，其中所述引出線在陣列基板的集線區(qū)處形成凹槽。
[0021]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，對所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處通過填充物進行填平處理，具體包括:
[0022]在所述集線區(qū)的第一柵極絕緣層的上方形成第二柵極絕緣層；
[0023]刻蝕位于所述集線區(qū)的引出線上方的第二柵極絕緣層，使得位于所述引出線上方的第一柵極絕緣層露出，且所述引出線上方的第一柵極絕緣層的上表面與所述第二柵極絕緣層的上表面處于同一水平面。
[0024]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，對所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處通過填充物進行填平處理，還包括:
[0025]在所述第一柵極絕緣層的上方形成有源層的圖形；
[0026]刻蝕位于所述集線區(qū)的有源層，使得位于所述引出線上方的第一柵極絕緣層露出，且所述引出線上方的第一柵極絕緣層的上表面與所述有源層的上表面處于同一水平面。
[0027]本發(fā)明有益效果如下:
[0028]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，所述陣列基板包括:多個引出線，所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處具有填充物，使得所述凹槽的上表面與所述凹槽周邊的引出線處于同一水平面;其中，所述填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。因此，本發(fā)明實施例提供的陣列基板由于在凹槽區(qū)域中填充了具有絕緣性和透明性的填充物，使得凹槽的上表面與凹槽周邊的引出線處于同一水平面，從而減小了集線區(qū)中由于引出線而造成的凹凸不平的現(xiàn)象，避免了陣列基板的斜率不良的現(xiàn)象。其中，填充物具有絕緣性，避免了引出線與其他導體相互導通，造成信號的串擾；由于后續(xù)在陣列基板與彩膜基板進行貼合時，需要采用無影膠(UV)在光照的作用下進行固化，因此，填充物具有透明性，從而可以透過光照實現(xiàn)了對UV膠的固化作用。
【附圖說明】
[0029]圖1為現(xiàn)有技術提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的正視圖；
[0031 ]圖3為基于圖2沿著a-al方向的截面示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0033]圖5(a)-圖5(c)本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法在每一步驟中得到的結構示意圖；
[0034]圖6(a)-圖6(f)本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制作方法在每一步驟中得到的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0035]為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0036]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，用以降低陣列基板的集線區(qū)由于引出線之間的凹槽而引起的斜線不良現(xiàn)象。
[0037]下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0038]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，參見圖2所示的陣列基板的正視圖，陣列基板包括多個引出線21，多個引出線21在陣列基板的集線區(qū)A形成的多個凹槽12處具有填充物22，使得凹槽12的上表面與凹槽周邊的引出線21處于同一水平面;其中，填充物22為具有絕緣性和透明性的材料組成。
[0039]為了進一步解釋填充物在凹槽區(qū)域的結構，參見圖3所示，凹槽12的上表面與凹槽周邊的引出線21處于同一水平面。其中，圖3為圖2沿著a-al方向的截面示意圖。
[0040]需要說明的是，陣列基板包括顯示區(qū)域和邊框區(qū)域，集線區(qū)位于陣列基板的邊框區(qū)域，圖2中僅僅示出了集線區(qū)位于顯示區(qū)域的上邊框區(qū)域，由于陣列基板中包括的播磨晶體管的個數(shù)較多，且顯示區(qū)域的上下左右四個邊框區(qū)域均具有引出線，因此集線區(qū)位于上下左右四個邊框區(qū)域中，且引出線在集線區(qū)進行聚集排布時，會產(chǎn)生凹槽區(qū)域。因此陣列基板中的集線區(qū)中由于引出線而形成的凹槽處均可以采用絕緣性和透明性的材料進行填充，且均屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0041]本發(fā)明實施例提供的引出線包括位于集線區(qū)中的各類信號線。
[0042]通過本發(fā)明實施例提供的陣列基板包括多個引出線，多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處具有填充物，使得凹槽的上表面與凹槽周邊的引出線處于同一水平面;其中，填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。因此，本發(fā)明實施例提供的陣列基板由于在凹槽區(qū)域中填充了具有絕緣性和透明性的填充物，使得凹槽的上表面與凹槽周邊的引出線處于同一水平面，從而減小了集線區(qū)中由于引出線而造成的凹凸不平的現(xiàn)象，避免了陣列基板的斜率不良的現(xiàn)象。其中，填充物具有絕緣性，避免了引出線與其他導體相互導通，造成信號的串擾；由于后續(xù)在陣列基板與彩膜基板進行貼合時，需要采用無影膠(UV)在光照的作用下進行固化，因此，填充物具有透明性，從而可以透過光照實現(xiàn)了對UV膠的固化作用。
[0043]較佳地，陣列基板還包括與每一引出線電性相連的多個薄膜晶體管。
[0044]具體地，陣列基板的顯示區(qū)域包括多個呈陣列排布的像素單元，引出線需要與每一像素單元進行連接，包括與像素單元中的薄膜晶體管的柵極連接的柵線，以及與像素單元中的薄膜晶體管的源極連接的數(shù)據(jù)線。因此本發(fā)明實施例中的引出線包括與薄膜晶體管連接的柵線和數(shù)據(jù)線。
[0045]較佳地，本發(fā)明實施例中提供的上述陣列基板中的引出線包括數(shù)據(jù)線。
[0046]具體地，在分辨率較高的陣列基板中，像素單元的個數(shù)較多，數(shù)據(jù)線的個數(shù)也越來越多，在集線區(qū)中的數(shù)據(jù)線需要集中排布，為了減少布線的面積，可以采用不同膜層的方式進行布線。例如，數(shù)據(jù)線可以分為兩層進行布線，分別與像素單元中的薄膜晶體管的柵極或源極同層設置。因此，當數(shù)據(jù)線與柵極同層設置時，在集線區(qū)的拐角處形成多個凹槽，進一步在形成柵極上方的柵極絕緣層時，該凹槽依然存在，為了減少凹槽造成的后續(xù)斜線不良的現(xiàn)象，可以在形成與柵極同層設置后的數(shù)據(jù)線后，在形成的凹槽處通過填充物進行填充，或者在形成柵極絕緣層之后對凹槽處通過填充物進行填充;且當形成與源極同層設置的數(shù)據(jù)線時，在形成的凹槽處通過填充物進行填充。
[0047]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的引出線為數(shù)據(jù)線時，當數(shù)據(jù)線為與薄膜晶體管的源極同層設計時，在數(shù)據(jù)線之間形成凹槽后通過填充物進行填平；當數(shù)據(jù)線為與薄膜晶體管的柵極和源極分層交替設計時，在數(shù)據(jù)線與柵極同層布線后形成的凹槽通過填充物進行填平，且在數(shù)據(jù)線與源極同層布線后形成的凹槽通過填充物進行填平;或者，在數(shù)據(jù)線與柵極同層布線后形成的凹槽通過填充物進行填平;或者，在數(shù)據(jù)線與源極同層布線后形成的凹槽通過填充物進行填平。
[0048]較佳地，填充物與薄膜晶體管的柵極絕緣層的材料相同。
[0049]具體地，本發(fā)明實施例提供的填充物具有絕緣性和透明性，為了避免與其他導體產(chǎn)生信號的串擾；由于后續(xù)在陣列基板與彩膜基板進行貼合時，需要采用無影膠在光照的作用下進行固化，因此，填充物具有透明性，從而可以透過光照并實現(xiàn)了對UV膠的固化作用。在具體實施例中，填充物可以與薄膜晶體管的柵極絕緣層的材料相同。例如，填充物的材料可以為氮化硅系或氧化硅系等，在此不做具體限定。
[0050]較佳地，填充物與薄膜晶體管的有源層的材料相同。
[0051]例如，本發(fā)明實施例中的填充物可以采用銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物或非晶硅等半導體氧化物材料，在此不作限定。
[0052]基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，參見圖4，該方法包括:
[0053]S401、采用構圖工藝在襯底基板上形成引出線；
[0054]S402、對多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處通過填充物進行填平處理，使得凹槽的上表面與凹槽周邊的引出線處于同一水平面;其中，填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。
[0055]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，采用構圖工藝在襯底基板上形成引出線;然后對多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處通過填充物進行填平處理，使得凹槽的上表面與凹槽周邊的引出線處于同一水平面;其中，填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。其中，填充物具有絕緣性，避免了引出線與其他導體相互導通，造成信號的串擾；由于后續(xù)在陣列基板與彩膜基板進行貼合時，需要采用無影膠(UV)在光照的作用下進行固化，填充物具有透明性，從而可以透過光照實現(xiàn)了對UV膠的固化作用。因此，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法在形成引出線后，通過在引出線形成的多個凹槽進行填平處理，使得凹槽的上表面與凹槽周邊的引出線處于同一水平面，從而減小了集線區(qū)中由于引出線而造成的凹凸不平的現(xiàn)象，避免了陣列基板的斜率不良的現(xiàn)象。
[0056]需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所采用構圖工藝，包括任何形式的構圖方式，例如通過利用光刻膠曝光顯影刻蝕的方式，此方式中具體包括的步驟有且不限于:涂覆光刻膠、用掩膜板進行曝光、顯影、對需要形成圖案的膜層進行刻蝕從而形成相應的圖案。對于多次出現(xiàn)的構圖工藝，并不限定其包含完全相同的工藝步驟。
[0057]需要說明的是，本發(fā)明實施例針對分辨率較高的陣列基板中，引出線的分布較為密集，且在集線區(qū)形成凹槽的現(xiàn)象進行填平處理。一般地，為了避免引出線較多而分布不開，選用不同膜層交替設計的方式進行布線。例如針對數(shù)據(jù)選的布線，采用與柵極同層以及與源極同層設計的方式進行布線。因此在形成與柵極同層的引出線時，可以對凹槽區(qū)域進行填平處理。針對分辨率不高的陣列基板，數(shù)據(jù)線的設計可以采用單層設計的方式進行布線，一般地，數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的源極同層設計，在集線區(qū)若單層結構的數(shù)據(jù)線之間存在凹槽，也可以采用本發(fā)明實施例提供的填充物進行填平處理。在此不做具體限定。
[0058]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，步驟S401的實現(xiàn)方式，可以具體采用以下方式實現(xiàn):
[0059]在陣列基板的襯底基板30上形成薄膜晶體管的柵極31的圖形的同時，形成引出線21的圖形;在柵極31和引出線21上方形成第一柵極絕緣層32的圖形，其中引出線21在陣列基板的集線區(qū)A處形成凹槽，如圖5(a)所示。
[0060]具體地，引出線與薄膜晶體管的柵極同層設置且同時形成，從而簡化了工藝。引出線可以為數(shù)據(jù)線。為了實現(xiàn)與柵極同層設計的引出線與薄膜晶體管的源極電性相連，可以通過在柵極形成后的柵極絕緣層中形成過孔，從而實現(xiàn)引出線與源極相連的目的。
[0061]具體地，對凹槽處進行填平處理可以采用一次構圖工藝同時形成，也可以采用兩次構圖工藝形成，在此不作限定。
[0062]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，步驟S402的實現(xiàn)方式，可以具體采用以下方式實現(xiàn):
[0063]在集線區(qū)A的第一柵極絕緣層32的上方形成第二柵極絕緣層33;刻蝕位于集線區(qū)的引出線上方的第二柵極絕緣層33，使得位于引出線上方的第一柵極絕緣層32露出，且引出線上方的第一柵極絕緣層32的上表面與第二柵極絕緣層33的上表面處于同一水平面，如圖5(b)所示。
[0064]其中，第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層的材料相同或者不同，例如，可以采用的材料為氮化硅或氧化硅等，具有透明性且絕緣性的材料。在形成薄膜晶體管的第一柵極絕緣層后，形成有源層之前，在集線區(qū)的第一柵極絕緣層上形成第二柵極絕緣層，然后通過構圖工藝對第二柵極絕緣層進行刻蝕。
[0065]需要說明的是，也可以在形成與柵極同層設置的引出線后，在引出線上方先形成第一柵極絕緣層，并通過構圖工藝對第一柵極絕緣層進行刻蝕，使得凹槽處的第一柵極絕緣層的上表面與引出線的上表面處于同一水平面;然后在薄膜晶體管的柵極上方形成第二柵極絕緣層的同時，在引出線和第一柵極絕緣層的上方形成第二柵極絕緣層。
[0066]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，步驟S402的實現(xiàn)方式，還可以具體采用以下方式實現(xiàn):
[0067]在第一柵極絕緣層32的上方形成有源層34的圖形;刻蝕位于集線區(qū)A的有源層34，使得位于引出線21上方的第一柵極絕緣層32露出，且引出線上方的第一柵極絕緣層32的上表面與有源層34的上表面處于同一水平面，如圖5(c)所示。
[0068]下面通過以不同膜層交替布線的方式形成數(shù)據(jù)線為具體的實施例說明本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制備方法。具體包括以下步驟:
[0069]步驟一、采用構圖工藝在襯底基板上形成薄膜晶體管的柵極31，同時形成與柵極同層設置的引出線21，如圖6(a)所示，其中圖6(a)中僅示意出了集線區(qū)的引出線部分；
[0070]步驟二、采用構圖工藝在柵極31以及引出線21的上方形成第一柵極絕緣層32，如圖6(b)所示；
[0071]步驟三、采用構圖工藝在柵極31以及引出線21的上方第一柵極絕緣層32的上方形成有源層34，如圖6(c)所示；
[0072]步驟四，采用刻蝕工藝對集線區(qū)A中的有源層34進行刻蝕，使得引出線上方的第一柵極絕緣層露出，且引出線上方的第一柵極絕緣層的上表面與有源層的上邊面處于同一水平面，如圖6(d)所示；
[0073]步驟五、在薄膜晶體管的有源層的上方形成源極35和漏極36的圖形，同時在集線區(qū)中的有源層上方形成與源極電性相連的數(shù)據(jù)線37，如圖6(e)所示，其中圖6(e)中數(shù)據(jù)線37與引出線21可以均與源極相連，從而作為雙層交替布線的數(shù)據(jù)線，引出線可以通過在第一柵極絕緣層中設計過孔與源極電性相連。另外，在形成數(shù)據(jù)線37時，可以在填充物的上方形成數(shù)據(jù)線，即可以在集線區(qū)的有源層34上方形成數(shù)據(jù)線，如圖6(f)所示。由于數(shù)據(jù)線的寬度遠遠小于凹槽的寬度，因此即使數(shù)據(jù)線位于凹槽的上方，也不會阻擋陣列基板下方過來的光照。
[0074]需要說明的是，上述步驟僅說明了對引出線之間的凹槽進行填平處理時，與陣列基板中的薄膜晶體管的制作步驟同時進行，當然，也可以在形成薄膜晶體管的結構之后，對凹槽進行填平處理，在此不做具體限定。
[0075]上述步驟中各個圖形的形成采用的構圖工藝可包括光刻工藝，或，可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖案的工藝;光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖案的工藝。在具體實施時，可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。
[0076]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種的陣列基板。該顯示面板的實施可以參見上述陣列基板的實施例，重復之處不再贅述。
[0077]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種顯示面板。該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述陣列基板的實施例，重復之處不再贅述。
[0078]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，所述陣列基板包括:多個引出線，所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處具有填充物，使得所述凹槽的上表面與所述凹槽周邊的引出線處于同一水平面;其中，所述填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。因此，本發(fā)明實施例提供的陣列基板由于在凹槽區(qū)域中填充了具有絕緣性和透明性的填充物，使得凹槽的上表面與凹槽周邊的引出線處于同一水平面，從而減小了集線區(qū)中由于引出線而造成的凹凸不平的現(xiàn)象，避免了陣列基板的斜率不良的現(xiàn)象。其中，填充物具有絕緣性，避免了引出線與其他導體相互導通，造成信號的串擾；由于后續(xù)在陣列基板與彩膜基板進行貼合時，需要采用無影膠(UV)在光照的作用下進行固化，因此，填充物具有透明性，從而可以透過光照實現(xiàn)了對UV膠的固化作用。
[0079]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種陣列基板，包括多個引出線，其特征在于，所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處具有填充物，使得所述凹槽的上表面與所述凹槽周邊的引出線處于同一水平面； 其中，所述填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與每一所述引出線電性相連的多個薄膜晶體管。3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述引出線包括數(shù)據(jù)線。4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述填充物與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層的材料相同。5.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述填充物與所述薄膜晶體管的有源層的材料相同。6.—種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-5任一權項所述的陣列基板。7.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求6所述的顯示面板。8.一種權利要求1-5任一權項所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該方法包括: 采用構圖工藝在襯底基板上形成所述引出線； 對所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處通過填充物進行填平處理，使得所述凹槽的上表面與所述凹槽周邊的引出線處于同一水平面； 其中，所述填充物為具有絕緣性和透明性的材料組成。9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述采用構圖工藝在沉底基板上形成所述引出線，具體包括: 在形成陣列基板的薄膜晶體管的柵極的圖形的同時，形成所述引出線的圖形； 在所述柵極和引出線上方形成第一柵極絕緣層的圖形，其中所述引出線在陣列基板的集線區(qū)處形成凹槽。10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，對所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處通過填充物進行填平處理，具體包括: 在所述集線區(qū)的第一柵極絕緣層的上方形成第二柵極絕緣層； 刻蝕位于所述集線區(qū)的引出線上方的第二柵極絕緣層，使得位于所述引出線上方的第一柵極絕緣層露出，且所述引出線上方的第一柵極絕緣層的上表面與所述第二柵極絕緣層的上表面處于同一水平面。11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，對所述多個引出線在陣列基板的集線區(qū)形成的多個凹槽處通過填充物進行填平處理，還包括: 在所述第一柵極絕緣層的上方形成有源層的圖形； 刻蝕位于所述集線區(qū)的有源層，使得位于所述引出線上方的第一柵極絕緣層露出，且所述引出線上方的第一柵極絕緣層的上表面與所述有源層的上表面處于同一水平面。
【文檔編號】H01L27/12GK105932025SQ201610353751
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年5月25日
【發(fā)明人】劉沖, 趙海生, 裴曉光, 肖志蓮, 彭志龍, 肖紅璽, 王薇
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司