X射線探測器、使用該x射線探測器的x射線成像設(shè)備及其驅(qū)動方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是有效改善直接轉(zhuǎn)換探測器的圖像滯后現(xiàn)象。本發(fā)明提供了一種X射線探測器，包括：下電極，其形成在襯底上，向其被施加第一驅(qū)動電壓V1；輔助電極，在所述下電極的周圍，被施加第二驅(qū)動電壓V2；光導(dǎo)層，其形成在所述下電極和所述輔助電極上；以及上電極，其形成在所述光導(dǎo)層上，被施加第三驅(qū)動電壓V3，其中，緊隨X射線發(fā)射切斷，所述第三驅(qū)動電壓V3是反向偏置電壓。
【專利說明】
X射線探測器、使用該X射線探測器的X射線成像設(shè)備及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種X射線探測器和使用該X射線探測器的X射線成像設(shè)備，尤其涉及能夠改善圖像滯后現(xiàn)象的直接X射線探測器、使用該直接X射線探測器的X射線成像設(shè)備和驅(qū)動該X射線成像設(shè)備的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)地，在醫(yī)學(xué)和工業(yè)的X射線攝影中，采用了使用膠片和屏幕的方法。在這種情況下，由于顯影和拍攝的膠片儲存的難題，在成本和時間方面是低效的。
[0003]為了改善該問題，現(xiàn)在廣泛采用數(shù)字探測器。檢測器的類型可以分為間接轉(zhuǎn)換法和直接轉(zhuǎn)換法。
[0004]在間接轉(zhuǎn)換法中，將X射線轉(zhuǎn)換為可見光，采用閃爍器將可見光轉(zhuǎn)換為電信號。相反，在直接轉(zhuǎn)換法中，采用光導(dǎo)層將X射線直接轉(zhuǎn)換為電信號。這樣的直接轉(zhuǎn)換法的特點(diǎn)是適用于高分辨率系統(tǒng)，因為不需要形成單獨(dú)的閃爍器，且不會發(fā)生光擴(kuò)散現(xiàn)象。
[0005]直接轉(zhuǎn)換法中采用的光導(dǎo)層通過采用例如真空熱沉積的方法在CMOS襯底表面沉積例如CdTe的多晶半導(dǎo)體材料而形成。
[0006]同時，下電極和上電極分別形成在光導(dǎo)層下方和光導(dǎo)層上方。下電極收集當(dāng)發(fā)射X射線時光導(dǎo)層產(chǎn)生的電荷。為此目的，將偏置電壓施加到上電極。
[0007]然而，即使在X射線發(fā)射停止后，在發(fā)射X射線期間光導(dǎo)層中俘獲的電子和空穴會脫阱(detrap)，從而產(chǎn)生滯后信號。為了減少這種滯后信號，可以提出減少光導(dǎo)層中的俘獲的方法，但由于通過真空熱沉積所形成的多晶半導(dǎo)體的自然性質(zhì)，該方法不可能將俘獲減少到特定水平或更少。
[0008]同時，作為另一方法，可以提出在發(fā)射X射線后，通過將反向偏置電壓施加到上電極，能夠使脫阱電荷處于復(fù)合過程的方法。然而，在這種情況下，需要以很快的頻率施加高電壓。這具有技術(shù)限制。此外，下電極和光導(dǎo)層以及CMOS襯底之間的肖特基二極管可能會被極大地破壞。因此，不能應(yīng)用相應(yīng)的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的是有效改善直接轉(zhuǎn)換型探測器的圖像滯后現(xiàn)象。
[0010]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種X射線探測器，包括:在襯底上形成的并向其施加第一驅(qū)動電壓Vl的下電極;在下電極的周圍形成的并向其施加第二驅(qū)動電壓V2的輔助電極;在下電極和輔助電極上形成的光導(dǎo)層；以及在光導(dǎo)層上形成的并向其施加第三驅(qū)動電壓V3的上電極。正好在X射線發(fā)射關(guān)閉后，第三驅(qū)動電壓V3是反向偏置電壓。
[0011]在這種情況下，在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中，第一至第三驅(qū)動電壓可以表示為V2<V3〈V1的關(guān)系，而在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間的至少一部分中，第一至第三驅(qū)動電壓可以表示為V2 < Vl〈V3的關(guān)系。反向偏置的第三驅(qū)動電壓V3可以在與X射線發(fā)射關(guān)閉的時刻同時具有以脈沖形式同步的脈沖形式。X射線探測器可以進(jìn)一步包括具有墊孔的鈍化膜，其被置于在下電極和輔助電極之間并露出下電極。輔助電極可以位于墊孔的周圍。光導(dǎo)層可以由碲化鎘(CdTe )、碲鋅鎘(CdZnTe)、氧化鉛(PbO)、二碘化鉛(Pb 12)、碘化汞(HgI 2)、砷化鎵(GaAs)、砸(Se)、溴化鉈(TI Br)和三碘化鉍(B i 13)中的至少一種制成。
[0012]另一方面，本發(fā)明提供了一種X射線成像設(shè)備，包括:X射線探測器，其包括形成在襯底上的下電極、形成在下電極的周圍的輔助電極、形成在下電極和輔助電極上的光導(dǎo)層和形成在光導(dǎo)層上的上電極;X射線發(fā)射設(shè)備，其向X射線探測器發(fā)射X射線；以及電源單元，分別將第一驅(qū)動電壓V1、第二驅(qū)動電壓V2和第三驅(qū)動電壓V3施加到下電極、上電極和輔助電極，正好在X射線發(fā)射關(guān)閉后，第三驅(qū)動電壓V3是反向偏置電壓。
[0013]在這種情況下，在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中，第一至第三驅(qū)動電壓V1、V2和V3可以表示為V2<V3〈V1的關(guān)系，而在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間的至少一部分中，第一至第三驅(qū)動電壓可以表示為V2<V1〈V3的關(guān)系。可以與X射線發(fā)射關(guān)閉的時刻同時地以脈沖形式對反向偏置的第三驅(qū)動電壓V3進(jìn)行同步。
[0014]另一方面，本發(fā)明提供了一種驅(qū)動X射線成像設(shè)備的方法，包括步驟:在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中，向X射線探測器發(fā)射X射線，其中X射線探測器包括形成在襯底上的下電極、形成在下電極的周圍的輔助電極、形成在下電極和輔助電極上的光導(dǎo)層和形成在光導(dǎo)層上的上電極；以及在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間中，將反向偏置電壓施加到輔助電極。
[0015]在這種情況下，在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中，可將具有V2<V3〈V1的關(guān)系的第一至第三驅(qū)動電壓分別施加到下電極、輔助電極和上電極。在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間的至少一部分中，可將具有V2<V1〈V3的關(guān)系的第一至第三驅(qū)動電壓分別施加到下電極、輔助電極和上電極?？梢耘cX射線發(fā)射關(guān)閉的時刻同時地以脈沖形式對反向偏置電壓進(jìn)行同步。
[0016]在另一方面，本發(fā)明提供了一種X射線探測器，包括，第一電極;接收X射線和產(chǎn)生電荷的光導(dǎo)層;面對第一電極的至少一部分的第二電極，光導(dǎo)層置于第二電極和第一電極之間，第二電極被施加電壓以便由第一電極收集電荷；以及與光導(dǎo)層的至少一部分接觸的第三電極。在X射線發(fā)射過程中，第三電極的電位被確定為處于第一電極的電位和第二電極的電位之間。正好在X射線發(fā)射關(guān)閉后，施加第三電極的電位，使得第二電極和第三電極之間的電位高于第一電極和第三電極之間的電位。
[0017]在這種情況下，第一電極、第二電極和第三電極可以形成在不同層。第三電極可以位于第一電極和第二電極之間。在X射線發(fā)射過程中或X射線發(fā)射關(guān)閉后，施加到第一電極和第二電極的電壓可以沒有變化。
[0018]根據(jù)本發(fā)明，輔助電極被配置為在光導(dǎo)層下、下電極的周圍，在X射線發(fā)射時間區(qū)間期間，將下電極電壓和上電極電壓之間的偏置電壓施加到輔助電極，并且正好在發(fā)射X射線后，將高于下電極電壓的反向偏置電壓施加到輔助電極。因此，可以顯著提高下電極的電荷收集效率，并且可以改善脫阱電荷造成的圖像滯后現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0019]圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的X射線成像設(shè)備的框圖。
[0020]圖2是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的X射線成像設(shè)備的探測器的剖視圖。
[0021]圖3、圖4是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中和在發(fā)射X射線之后的X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間中的探測器的狀態(tài)的圖。
[0022]圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的在X射線發(fā)射開啟/發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間中的第二和第三驅(qū)動電壓的波形的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0024]圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的X射線成像設(shè)備的框圖，圖2是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的X射線成像設(shè)備的探測器的剖視圖。
[0025]參見圖1，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的X射線成像設(shè)備10可以包括X射線發(fā)射設(shè)備100，探測器200，電源單元300和控制單元400。
[0026]X射線發(fā)射設(shè)備100是用于產(chǎn)生和發(fā)射X射線的元件。X射線通過測試對象150入射到探測器200。
[0027]探測器200采用直接方法將入射的X射線直接轉(zhuǎn)換為電信號。像素區(qū)，S卩X射線探測的基本單元，可以以矩陣的形式布置在探測器200中。
[0028]電源單元300是用于產(chǎn)生驅(qū)動探測器200的驅(qū)動電壓的元件。具體地，電源單元300產(chǎn)生第一至第三驅(qū)動電壓Vl至V3并將它們施加到探測器200。
[0029]同時，電源單元300可以以被嵌入探測器200的方式實(shí)現(xiàn)。此外，如果需要，電源單元300可以產(chǎn)生用于驅(qū)動X射線發(fā)射設(shè)備100的驅(qū)動電壓?？蛇x地，電源單元300可以包括用于產(chǎn)生X射線發(fā)射設(shè)備100的驅(qū)動電壓的附加電源單元。
[0030]控制單元400是用于控制構(gòu)成X射線成像設(shè)備10的元件的操作的元件。具體地，控制單元400可以基于X射線發(fā)射設(shè)備100發(fā)射X射線的時序，產(chǎn)生用于控制電源單元300輸出的驅(qū)動電壓Vl至V3中的至少一個的輸出時序的控制信號。
[0031]以下參考圖2，更為詳細(xì)地描述探測器的配置。
[0032]參見圖2，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，可以在探測器200的每個像素區(qū)P中在襯底210上形成用于將X射線轉(zhuǎn)換為電信號的光電轉(zhuǎn)換元件PC。
[0033]在這種情況下，例如，CMOS襯底、玻璃襯底、石墨襯底或在氧化鋁(Al2O3)基底上堆疊ITO的襯底可以用作探測器200中使用的襯底210，但本發(fā)明并不限于此。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，為了便于描述，描述了使用CMOS襯底作為襯底210的示例。
[0034]鈍化膜215形成在襯底210的表面上。鈍化膜215可以由氧化硅(S12)或氮化硅(SiNx)制成，S卩，例如無機(jī)絕緣材料。
[0035]墊孔217可以形成在鈍化膜215中用于每個像素區(qū)P。下電極220可以形成在墊孔217中。下電極220可以組成光電轉(zhuǎn)換元件PC，例如，對應(yīng)于第一電極220。
[0036]下電極220可以由在上側(cè)與光導(dǎo)層240形成肖特基結(jié)的材料制成。例如，鋁(Al)可以用作該材料，但本發(fā)明并不限于此。將來自電源單元300的第一驅(qū)動電壓Vl施加到下電極200。
[0037]在這種情況下，在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，描述了通過下電極220收集具有比正空穴具有更高迀移率的電子的示例。在這種情況下，當(dāng)發(fā)射X射線時，施加到下電極220的第一驅(qū)動電壓Vl具有高于第二驅(qū)動電壓V2的電平，第二驅(qū)動電壓V2是施加到上電極250的偏置電壓。同時，在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，為了便于描述，描述了施加地電壓作為第一驅(qū)動電壓Vl的情況。
[0038]在已經(jīng)形成了下電極220的襯底210上方形成輔助電極230。輔助電極230被配置為以與下電極220電分離的方式與下電極220間隔開。在這種情況下，輔助電極230可以被配置為位于高于下電極220并低于上電極240的位置。即，在每個像素區(qū)P中，輔助電極230可以與下電極220的邊緣間隔開，并在下電極220的周圍的上電極的至少一部分中形成。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，輔助電極230可以被配置為與墊孔217間隔開，并在墊孔217的周圍在鈍化膜215的至少一部分上形成。
[0039]輔助電極230是組成用于本發(fā)明的實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件PC的電極，例如，其對應(yīng)于第三電極230。輔助電極230可以由在上側(cè)與光導(dǎo)層240形成歐姆接觸的材料制成。例如，金(Au)可以用作該材料，但本發(fā)明并不限于此。將來自電源單元300的第三驅(qū)動電壓V3施加到輔助電極230。
[0040]可以在已經(jīng)形成了輔助電極230的襯底210上方形成光導(dǎo)層240，用于每個像素區(qū)P。
[0041 ]當(dāng)X射線入射到光導(dǎo)層240上時，光導(dǎo)層240產(chǎn)生電子-正空穴對。具有良好的電荷迀移率、高的吸收系數(shù)、低的暗電流和低電位能量以產(chǎn)生電子-正空穴對的材料可用作光導(dǎo)層240 ο例如，光導(dǎo)材料組的至少一種，諸如碲化鎘(CdTe )、碲鋅鎘(CdZnTe)、氧化鉛(PbO)、二碘化鉛(Pb 12)、碘化汞(Hg 12)、砷化鎵(GaAs)、砸(Se)、溴化鉈(TI Br)和三碘化鉍(BiI3),可用作該材料。
[0042]在已經(jīng)形成了光導(dǎo)層240的襯底210上形成上電極250。上電極250是組成光電轉(zhuǎn)換元件PC的電極，例如，其對應(yīng)于第二電極250。
[0043]上電極250可以由與光導(dǎo)層240形成歐姆接觸的材料制成。因此，上電極250可以由與光導(dǎo)層240形成歐姆接觸的輔助電極230相同的材料制成。例如，金(Au)可以用作該材料，但本發(fā)明并不限于此。
[0044]電源單元300將第二驅(qū)動電壓V2施加到上電極250。例如，負(fù)極性電壓，S卩，低于第一驅(qū)動電壓Vl的電壓可以作為第二驅(qū)動電壓V2施加。因此，光導(dǎo)層240產(chǎn)生的電子可以流入下電極220。
[0045]同時，在按以上描述配置的探測器200中，在光導(dǎo)層240下面、下電極220的周圍形成輔助電極230。將第三驅(qū)動電壓V3施加到輔助電極230，從而能夠改善圖像滯后現(xiàn)象，也進(jìn)一步改善電荷收集效率。這在以下參考圖3至圖5進(jìn)行更為詳細(xì)的描述。
[0046]圖3、圖4是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中和在發(fā)射X射線之后的X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間中的探測器的狀態(tài)的圖，圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的在X射線發(fā)射開啟/發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間中的第二和第三驅(qū)動電壓的波形的圖。
[0047]首先，參見圖3和圖5，在X射線發(fā)射設(shè)備100發(fā)射X射線的部分，S卩，在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間Ton中，將具有負(fù)極性的第二驅(qū)動電壓V2和具有低于第一驅(qū)動電壓Vl的電平的偏置電壓施加到上電極250。
[0048]因此，發(fā)射X射線時產(chǎn)生的電子可以流入下電極220并可以被下電極220收集。
[0049]同時，將第三驅(qū)動電壓V3施加到輔助電極230。第三驅(qū)動電壓V3優(yōu)選地作為具有低于第一驅(qū)動電壓Vl的電平和高于第二驅(qū)動電壓V2的電平的偏置電壓施加(S卩，V2<<V3<V1)。
[0050]當(dāng)施加具有這樣的電平的第三驅(qū)動電壓V3時，可以改善朝向下電極220并且在發(fā)射X射線時光導(dǎo)層240產(chǎn)生的電子的運(yùn)動。相應(yīng)地，可以顯著增加下電極220的電荷收集，并且可以減少光導(dǎo)層240俘獲的電子數(shù)量。
[0051 ]當(dāng)輔助電極230變?yōu)樯形词┘与妷旱母≈脿顟B(tài)時，無法控制浮置狀態(tài)的輔助電極230上積累的電子。此外，當(dāng)輔助電極230變?yōu)榻拥貭顟B(tài)時，除了下電極220以外，電子還會流入輔助電極230，使得惡化了電荷收集效率。此外，當(dāng)施加到輔助電極230的第三驅(qū)動電壓V3變?yōu)榈陀谑┘拥缴想姌O250的第二驅(qū)動電壓V2時，會阻礙電子的運(yùn)動。
[0052]從這一點(diǎn)看來，當(dāng)發(fā)射X射線時，施加到輔助電極230的第三驅(qū)動電壓V3優(yōu)選具有V2<V3〈V1的關(guān)系。
[0053]接下來，參見圖4和圖5，在終止X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間Ton之后不發(fā)射X射線的部分，S卩，在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間Toff中，可以將在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間Ton中相同的電壓作為第一和第二驅(qū)動電壓Vl和V2施加。如上文所描述的，第一和第二驅(qū)動電壓Vl和V2可以具有DC形式，其中，在X射線發(fā)射開啟和X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間Tor^PToff中，保持一定的電壓電平。
[0054]同時，具有高于第一驅(qū)動電壓Vl的電平的反向偏置電壓優(yōu)選地作為施加到輔助電極230的第三驅(qū)動電壓V3施加(S卩，V3>V1)。具體地，反向偏置的第三驅(qū)動電壓V3優(yōu)選地以脈沖形式與X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間Toff的開始同步地施加，但本發(fā)明不限于此。在這種情況下，脈沖形式的電壓可以施加例如幾微秒的短時間。
[0055]當(dāng)反向偏置的第三驅(qū)動電壓V3按以上描述的施加時，上電極250和輔助電極230之間的電位V3-V2變?yōu)榇笥谏想姌O250和下電極220之間的電位V1-V2。因此，在X射線發(fā)射關(guān)閉狀態(tài)脫阱的電子不會被下電極220收集，脫阱電荷可以處于復(fù)合過程中。
[0056]因此，可以有效改善脫阱電荷造成的圖像滯后現(xiàn)象。
[0057]如上文所描述的，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，輔助電極被配置為在光導(dǎo)層下面、下電極的周圍，在發(fā)射X射線的部分，將下電極電壓和上電極電壓之間的偏置電壓施加到輔助電極，并且在發(fā)射X射線之后，施加高于下電極電壓的反向偏置電壓。因此，可以顯著提高下電極的電荷收集效率，并且可以改善由于脫阱電荷造成的圖像滯后現(xiàn)象。
【主權(quán)項】
1.一種X射線探測器，包括: 下電極，在襯底上形成并被施加第一驅(qū)動電壓Vi; 輔助電極，在下電極的周圍形成并被施加第二驅(qū)動電壓V2; 光導(dǎo)層，在下電極和輔助電極上形成；以及 上電極，在光導(dǎo)層上形成并被施加第三驅(qū)動電壓V3， 其中，第三驅(qū)動電壓V3正好在關(guān)閉X射線發(fā)射后是反向偏置電壓。2.如權(quán)利要求1所述的X射線探測器， 其中，在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中，第一至第三驅(qū)動電壓表示為V2<V3〈V1的關(guān)系； 其中，在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間的至少一部分中，第一至第三驅(qū)動電壓表示為V2<V1〈V3的關(guān)系。3.如權(quán)利要求1或2所述的X射線探測器，其中，在X射線發(fā)射關(guān)閉的同時，反向偏置的第三驅(qū)動電壓V3具有以脈沖形式同步的脈沖形式。4.如權(quán)利要求1所述的X射線探測器，進(jìn)一步包括鈍化膜，該鈍化膜具有被置于所述下電極和所述輔助電極之間并露出所述下電極的墊孔，其中，所述輔助電極位于所述墊孔的周圍。5.如權(quán)利要求1所述的X射線探測器，其中，所述光導(dǎo)層由CdTe、CdZnTe、PbO、PbI2、HgI2、GaAs、Se、TlBr和Bi I3中的至少一種制成。6.—種X射線成像設(shè)備，包括: X射線探測器，其包括形成在襯底上的下電極、形成在所述下電極周圍的輔助電極、形成在所述下電極和所述輔助電極上的光導(dǎo)層和形成在所述光導(dǎo)層上的上電極； X射線發(fā)射設(shè)備，其向所述X射線探測器發(fā)射X射線；以及 電源單元，其分別將第一驅(qū)動電壓V1、第二驅(qū)動電壓V2和第三驅(qū)動電壓V3施加到所述下電極、所述上電極和所述輔助電極， 其中，正好在X射線發(fā)射關(guān)閉后，所述第三驅(qū)動電壓V3是反向偏置電壓。7.如權(quán)利要求6所述的X射線成像設(shè)備， 其中，在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中，第一至第三驅(qū)動電壓V1、V2和V3表示為V2<V3〈V1的關(guān)系，以及 其中，在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間的至少一部分中，所述第一至第三驅(qū)動電壓表示為V2<V1〈V3的關(guān)系。8.如權(quán)利要求6或7所述的X射線成像設(shè)備，其中，與X射線發(fā)射關(guān)閉同時地以脈沖形式對反向偏置的所述第三驅(qū)動電壓V3進(jìn)行同步。9.一種驅(qū)動X射線成像設(shè)備的方法，包括以下步驟: 在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中，向X射線探測器發(fā)射X射線，所述X射線探測器包括形成在襯底上的下電極、形成在所述下電極周圍的輔助電極、形成在所述下電極和所述輔助電極上的光導(dǎo)層和形成在所述光導(dǎo)層上的上電極；以及 在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間中，將反向偏置電壓施加到所述輔助電極。10.如權(quán)利要求9所述的方法， 其中，在X射線發(fā)射開啟時間區(qū)間中，將具有V2<V3〈V1的關(guān)系的第一至第三驅(qū)動電壓分別施加到所述下電極、所述輔助電極和所述上電極，并且 其中，在X射線發(fā)射關(guān)閉時間區(qū)間的至少一部分中，將具有V2<V1〈V3的關(guān)系的第一至第三驅(qū)動電壓分別施加到所述下電極、所述輔助電極和所述上電極。11.如權(quán)利要求9或10所述的方法，其中，與X射線發(fā)射關(guān)閉同時地以脈沖形式對反向偏置電壓進(jìn)行同步。12.—種X射線探測器，包括: 第一電極； 光導(dǎo)層，接收X射線和產(chǎn)生電荷； 第二電極，面對所述第一電極的至少一部分，光導(dǎo)層被置于所述第二電極和所述第一電極之間，第二電極被施加電壓以便通過所述第一電極收集電荷；以及 第三電極，與所述光導(dǎo)層的至少一部分接觸， 其中，在X射線發(fā)射開啟期間，所述第三電極的電位被確定為處于所述第一電極的電位和所述第二電極的電位之間，并且 其中，在所述X射線發(fā)射關(guān)閉后，所述第三電極的電位被施加為變得使得所述第二電極和所述第三電極之間的電位高于所述第一電極和所述第三電極之間的電位。13.如權(quán)利要求12所述的X射線探測器， 其中，所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極被形成在不同層，并且 其中，所述第三電極位于所述第一電極和所述第二電極之間。14.如權(quán)利要求12或13所述的X射線探測器，其中，在X射線發(fā)射開啟期間或正好在X射線發(fā)射關(guān)閉后，施加到所述第一電極和所述第二電極的電壓沒有變化。
【文檔編號】H01L31/115GK105940502SQ201480074624
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2014年12月4日
【發(fā)明人】李東鎮(zhèn), 金泰佑, 任星, 任星一, 全杓珍
【申請人】射線科學(xué)有限公司, 以友技術(shù)有限公司, 延世大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)