一種具有p-i-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種具有p?i?n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，該二極管由下至上依次包括襯底、氮化物成核層、氮化物緩沖層、n型氮化物層、第一發(fā)光區(qū)、p?i?n隧道結(jié)、第二發(fā)光區(qū)、和氧化銦錫導(dǎo)電層；其中第一發(fā)光區(qū)由第一有源區(qū)、第一p型氮化物電子阻擋層和第一p型氮化物空穴注入層組成，第二發(fā)光區(qū)由第二有源區(qū)、第二p型氮化物電子阻擋層和第二p型氮化物空穴注入層組成。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了多有源區(qū)發(fā)光，不僅可以降低電極接觸帶來(lái)的電遷移問(wèn)題，還能有效減小傳統(tǒng)隧道結(jié)工作時(shí)內(nèi)部耗盡區(qū)的寬度，從而減小電子隧穿的距離，增加電子隧穿的幾率，并可有效緩解傳統(tǒng)重?fù)诫s隧道結(jié)引起的晶格失配，提高器件的晶體質(zhì)量。
【專利說(shuō)明】
一種具有P-1 -n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明提供了一種具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管(LED)，屬于半導(dǎo)體光電子材料和器件的制造領(lǐng)域?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]LED作為新型高效的固態(tài)光源，具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、體積小、低工作電壓等顯著優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于照明、顯示、環(huán)保、通信等領(lǐng)域。
[0003]如圖3,在既有的基于II1-V族化合物半導(dǎo)體材料的LED中，在LED的pn結(jié)上施加正向電壓時(shí)，pn結(jié)會(huì)有電流流過(guò)。電子和空穴在pn結(jié)過(guò)渡層中復(fù)合會(huì)產(chǎn)生光子，然而由于LED 的pn結(jié)作為摻雜半導(dǎo)體，存在著材料品質(zhì)、位錯(cuò)因素以及工藝上的種種缺陷，會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)電離、激發(fā)散射和晶格散射等問(wèn)題，使電子從激發(fā)態(tài)躍迀到基態(tài)與晶格原子或離子交換能量時(shí)發(fā)生無(wú)福射躍迀，這部分能量未轉(zhuǎn)換成光能而是轉(zhuǎn)換成熱能損耗在pn結(jié)內(nèi)，導(dǎo)致LED的內(nèi)量子效率降低。
[0004]為了提高LED的內(nèi)量子效率，方法之一是利用pn隧道結(jié)將LED中的兩個(gè)或多個(gè)有源區(qū)連接起來(lái)。載流子在第一有源區(qū)復(fù)合發(fā)光后，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，從第一有源區(qū)價(jià)帶隧穿過(guò)隧道結(jié)到第二有源區(qū)的導(dǎo)帶，從而使載流子實(shí)現(xiàn)了再生并在下一個(gè)有源區(qū)繼續(xù)復(fù)合發(fā)光，因此反向隧道結(jié)起到了價(jià)帶電子隧穿到導(dǎo)帶使載流子再生的作用。相較于單一有源區(qū) LED，具有隧道結(jié)的多有源區(qū)LED能夠使載流子多次復(fù)合發(fā)光，實(shí)現(xiàn)了內(nèi)量子效率的倍增。此夕卜，隧道結(jié)還可有效增強(qiáng)電流的擴(kuò)散，使得有源區(qū)中電子與空穴的再?gòu)?fù)合幾率增加。具有隧道結(jié)的多有源區(qū)LED較之相同數(shù)目的單有源區(qū)LED具有較少的電極接觸，可以有效降低電極接觸帶來(lái)的電迀移問(wèn)題。
[0005]傳統(tǒng)pn隧道結(jié)是利用重?fù)诫s技術(shù)得到p+/n+結(jié)，然而要得到重?fù)诫s的P型氮化物層必須對(duì)氮化物材料進(jìn)行金屬M(fèi)g的重度摻雜，而太高的Mg摻雜會(huì)很大程度上影響材料的晶體質(zhì)量，從而影響LED的性能。所以要得到厚度合適且晶體質(zhì)量較好的隧道結(jié)并不容易。因此， 如何在保證氮化物材料晶體質(zhì)量的同時(shí)增加電子的隧穿幾率是目前亟需解決的問(wèn)題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]技術(shù)問(wèn)題:為了解決上述提到的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管。
[0007]
【發(fā)明內(nèi)容】
:為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，該二極管由下至上依次包括襯底、氮化物成核層、氮化物緩沖層、n型氮化物層、 第一發(fā)光區(qū)、P-1-n隧道結(jié)、第二發(fā)光區(qū)、和氧化銦錫導(dǎo)電層;其中第一發(fā)光區(qū)由第一有源區(qū)、第一P型氮化物電子阻擋層和第一P型氮化物空穴注入層組成，第二發(fā)光區(qū)由第二有源區(qū)、第二P型氮化物電子阻擋層和第二P型氮化物空穴注入層組成;在n型氮化物層和IT0導(dǎo)電層上分別設(shè)置n電極和p電極。
[0008]優(yōu)選的，所述襯底為極性、半極性或非極性取向的藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氮化鎵、氮化鋁材料中的任一種。
[0009]優(yōu)選的，第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)中第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的厚度分別為20-500nm，第一 p型氮化物電子阻擋層和第二p型氮化物電子阻擋層的厚度分別為10-300nm，第二P型氮化物空穴注入層和第二P型氮化物空穴注入層(1073)的厚度為20-500nm。
[0010]優(yōu)選的，所述的p-1-n隧道結(jié)包括輕摻雜p型氮化物層、重?fù)诫sp型氮化物層、非摻雜氮化物層、重?fù)诫sn型氮化物層、輕摻雜n型氮化物層。[〇〇11]優(yōu)選的，所述的輕摻雜n型氮化物層和重?fù)诫sn型氮化物層利用Si進(jìn)行摻雜，其中 Si輕摻雜n型氮化物層的電子濃度為1 X 1016-1 X 1018cnf3，Si重?fù)诫sn型氮化物層的電子濃度為1 X 1019cnf3以上;所述的輕摻雜p型氮化物層和重?fù)诫sp型氮化物層利用Mg進(jìn)行摻雜， 其中Mg輕摻雜p型氮化物層的空穴濃度為以1016-1\1017〇11_3，1%重?fù)诫s?型氮化物層的空穴濃度為lX1018cnf3以上。[〇〇12]優(yōu)選的，所述的輕摻雜n型氮化物層、重?fù)诫sn型氮化物層、輕摻雜p型氮化物層和重?fù)诫sP型氮化物層選用組分均勾的AlGaN等三元氮化物層，InAlGaN等四元氮化物層，或者組分漸變的AlGaN、InAlGaN等氮化物層，AlGaN/InAlGaN超晶格結(jié)構(gòu)以及三元或者四元氮化物與AlGaN/InAlGaN超晶格組成的復(fù)合型結(jié)構(gòu)中的任一種。[〇〇13]有益效果:本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0014](1)通過(guò)采用具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)結(jié)構(gòu)，能夠使電子在第一有源區(qū)復(fù)合發(fā)光后，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，從第一有源區(qū)的價(jià)帶隧穿通過(guò)P-1-n隧道結(jié)進(jìn)入第二有源區(qū)的導(dǎo)帶，從而實(shí)現(xiàn)了載流子的再生并在第二有源區(qū)再次復(fù)合發(fā)光，使LED的內(nèi)量子效率倍增。
[0015](2)p-1-n隧道結(jié)能夠有效地增強(qiáng)電流的擴(kuò)散能力，使得第二有源區(qū)中電子與空穴的再?gòu)?fù)合幾率增加，從而提高LED的內(nèi)量子效率。
[0016](3)通過(guò)以重?fù)诫s的p型氮化物層，非摻雜的氮化物層，在非摻雜的氮化物層之上的重?fù)诫sn型氮化物層共同構(gòu)成的p-1-n隧道結(jié)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的p-n隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，能夠有效地減小傳統(tǒng)隧道結(jié)工作時(shí)內(nèi)部耗盡區(qū)的寬度，從而可以減小電子遂穿的距離，增加電子隧穿的幾率。[〇〇17](4)通過(guò)以p-1-n隧道結(jié)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的p-n隧道結(jié)，可以有效緩解重?fù)诫s隧道結(jié)結(jié)構(gòu)的晶格失配，提尚器件的晶體質(zhì)量?！靖綀D說(shuō)明】
[0018]圖1為本發(fā)明提供的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)LED的斷面結(jié)構(gòu)示意圖。其中數(shù)字的含義為:襯底101、氮化物成核層102、氮化物緩沖層103、n型氮化物層104、第一發(fā)光區(qū) 105、p-1-n隧道結(jié)106、第二發(fā)光區(qū)107和氧化銦錫(IT0)導(dǎo)電層108,第一有源區(qū)1051、第一 p 型氮化物電子阻擋層1052和第一 p型氮化物空穴注入層1053、第二有源區(qū)1071、第二p型氮化物電子阻擋層1072和第二p型氮化物空穴注入層1073、在n型氮化物層104和IT0導(dǎo)電層 108上分別設(shè)置n電極109和p電極110。
[0019]圖2為本發(fā)明提供的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)LED的p-1-n隧道結(jié)106的放大斷面結(jié)構(gòu)示意圖。其中數(shù)字的含義為:輕摻雜P型氮化物層1061、重?fù)诫sp型氮化物層1062、非摻雜氮化物層1063、重?fù)诫sn型氮化物層1064、輕摻雜n型氮化物層1065。
[0020]圖3為現(xiàn)有技術(shù)制備的單有源區(qū)LED斷面結(jié)構(gòu)示意圖。其中數(shù)字的含義為:襯底301、氮化物成核層302、氮化物緩沖層303、n型氮化物層304、有源區(qū)305、電子阻擋層306、p 型氮化物空穴注入層307、氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電層308、n電極309和p電極310。【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0022]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的實(shí)施例僅僅用以具體解釋本發(fā)明，而并不用于限定本發(fā)明權(quán)利要求的范疇。
[0023]本發(fā)明提供的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，以雙有源區(qū)二極管為例， 該二極管由下至上依次包括襯底101、氮化物成核層102、氮化物緩沖層103、n型氮化物層 104、第一發(fā)光區(qū)105、p-1-n隧道結(jié)106、第二發(fā)光區(qū)107、和氧化銦錫導(dǎo)電層108;其中第一發(fā)光區(qū)105由第一有源區(qū)1051、第一 p型氮化物電子阻擋層1052和第一 p型氮化物空穴注入層 1053組成，第二發(fā)光區(qū)107由第二有源區(qū)1071、第二p型氮化物電子阻擋層1072和第二p型氮化物空穴注入層1073組成;在n型氮化物層和IT0導(dǎo)電層上分別設(shè)置n電極109和p電極110。
[0024]所述襯底101為極性、半極性或非極性取向的藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氮化鎵、 氮化鋁材料中的任一種。
[0025]第一發(fā)光區(qū)105和第二發(fā)光區(qū)107中第一有源區(qū)1051和第二有源區(qū)1071的厚度分別為20-500nm，第一 p型氮化物電子阻擋層1052和第二p型氮化物電子阻擋層1072的厚度分別為10-300nm，第二p型氮化物空穴注入層1073和第二p型氮化物空穴注入層1073的厚度為 20-500nm〇[〇〇26]所述的p-1-n隧道結(jié)106包括輕摻雜p型氮化物層1061、重?fù)诫sp型氮化物層1062、 非摻雜氮化物層1063、重?fù)诫sn型氮化物層1064、輕摻雜n型氮化物層1605。[〇〇27]所述的輕摻雜n型氮化物層1065和重?fù)诫sn型氮化物層1064利用Si進(jìn)行摻雜，其中 Si輕摻雜n型氮化物層1065的電子濃度為1 X 1016-1 X 1018cnf3，Si重?fù)诫sn型氮化物層1064 的電子濃度為IX 1019cnf3以上;所述的輕摻雜p型氮化物層1061和重?fù)诫sp型氮化物層1062 利用Mg進(jìn)行摻雜，其中Mg輕摻雜p型氮化物層1061的空穴濃度為1 X 1016-1 X 1017cnf3，Mg重?fù)诫sP型氮化物層1062的空穴濃度為1 X 1018cm 3以上。[〇〇28] p型氮化物層1061和重?fù)诫sp型氮化物層1062選用組分均勻的AlGaN等三元氮化物層，InAlGaN等四元氮化物層，或者組分漸變的AlGaN、InAlGaN等氮化物層，AlGaN/InAlGaN 超晶格結(jié)構(gòu)以及三元或者四元氮化物與AlGaN/InAlGaN超晶格組成的復(fù)合型結(jié)構(gòu)中的任一種。[〇〇29]實(shí)施例
[0030]如圖1所示，是本發(fā)明提供的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)LED，其特征在于:由下至上包括極性c面藍(lán)寶石襯底101、A1N成核層102、AlGaN緩沖層103、n型AlGaN層104、第一發(fā)光區(qū)105、p-1-n隧道結(jié)106、第二發(fā)光區(qū)107、和氧化銦錫(IT0)導(dǎo)電層108,其中發(fā)光區(qū)由 AlxlGai—uN/AluGapx2N 多量子阱有源區(qū) 1051 和 1071、p型Alx3Gai—x3N 電子阻擋層 1052 和 1072 及p型AlGaN空穴注入層1053和1073組成，其中xi<x2<x3,在n區(qū)和IT0導(dǎo)電層上分別引出n 電極109和p電極110。圖2為本發(fā)明提供的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)LED的p-1-n隧道結(jié)的層結(jié)構(gòu)示意圖，所述的p-1-n隧道結(jié)106包括輕摻雜p型AlGaN層1061、重?fù)诫sp型AlGaN層1062、非摻雜 InyiAlwGapyl—y2N 層 1063、重?fù)诫s n 型 AlGaN 層 1064、輕摻雜 n 型 AlGaN 層 1065。 [〇〇31]所述A1N成核層102的厚度為15-50nm，非摻雜AlGaN緩沖層103的厚度為50-500nm，n型AlGaN層104的厚度為200-3000nm，發(fā)光區(qū)中有源區(qū)1051和1071的厚度為20-1000nm，p型 Alx3Gai—x3N電子阻擋層1052和1072的厚度為3-30nm，p型AlGaN空穴注入層1053和1073的厚度為 50_500nm。[〇〇32]所述的p-1-n隧道結(jié)106包括輕摻雜p型AlGaN層1061、重?fù)诫sp型AlGaN層1062、非摻雜 InyiAly2Gai—yi—y2N 層 1063、重?fù)诫s n 型 AlGaN 層 1064、輕摻雜 n 型 AlGaN 層 1065。[〇〇33]所述的非摻雜InylAly2Gai—yl—y2N層1063中，各元素組分滿足如下要求:0彡yi$l，0<y2<l，0<yi+y2<l，且其厚度為0.5-10nm。[〇〇34]所述的輕摻雜n型AlGaN層1065和重?fù)诫sn型AlGaN層1064利用Si進(jìn)行摻雜，其中輕摻雜n型AlGaN層1065中的電子濃度為1 X 1018cnf3，重?fù)诫sn型AlGaN層1064中的電子濃度為 lX 1020cm-3〇[〇〇35]所述的輕摻雜p型AlGaN層1061和重?fù)诫sp型AlGaN層1062利用Mg進(jìn)行摻雜，其中輕摻雜P型AlGaN層1061中的空穴濃度為1 X 1017cnf3，重?fù)诫sp型AlGaN層1062中的空穴濃度為 lX1019cm—3〇[〇〇36]所述的輕摻雜n型AlGaN層1065、重?fù)诫sn型AlGaN層1064、輕摻雜p型AlGaN層1061和重?fù)诫sP型AlGaN層1062為A1組分漸變的Si或者M(jìn)g摻雜的AlGaN層。[〇〇37]所述的有源區(qū) 1051 和 1071 為 AlxlGai—xlN/Alx2Gai—x2N 多量子阱結(jié)構(gòu)，其中 AlxlGai—xlN量子阱的阱寬為1 -1 〇nm，Alx2Gai—x2N勢(shì)皇的皇厚為1 -30nm，周期數(shù)為2-50 〇[〇〇38]所述的p型Alx3Gai—x3N電子阻擋層1052和1072為A1組分漸變的AlGaN層，其中0彡X1<X2<X3^s 1 〇
[0039]需著重說(shuō)明的是，本發(fā)明的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)LED的核心部分包括由重?fù)诫s的P型AlGaN層，非摻雜的InyiAly2Gai—yi—y2N層，在非摻雜的InyiAly2Gai—yi—y2N層之上的重?fù)诫sn型AlGaN層所共同構(gòu)成的p-1-n隧道結(jié)。此部分是本發(fā)明實(shí)現(xiàn)電子隧穿的幾率增加，緩解重?fù)诫s隧道結(jié)的晶格失配，提高器件的晶體質(zhì)量的關(guān)鍵。
[0040]本發(fā)明通過(guò)采用具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)結(jié)構(gòu)，能夠使電子在第一有源區(qū)復(fù)合發(fā)光后，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，從第一有源區(qū)的價(jià)帶隧穿通過(guò)P-1-n隧道結(jié)進(jìn)入第二有源區(qū)的導(dǎo)帶，從而實(shí)現(xiàn)了載流子的再生并在第二有源區(qū)再次復(fù)合發(fā)光。P-1-n隧道結(jié)還可有效地增強(qiáng)電流的擴(kuò)散能力，使得第二有源區(qū)中電子與空穴的再?gòu)?fù)合幾率增加，從而提高LED的內(nèi)量子效率。本發(fā)明提供的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)LED實(shí)現(xiàn)了多有源區(qū)發(fā)光，相比傳統(tǒng)單有源區(qū)LED，不僅可以降低電極接觸帶來(lái)的電迀移問(wèn)題，還能夠有效地減小傳統(tǒng)隧道結(jié)工作時(shí)內(nèi)部耗盡區(qū)的寬度，從而可以減小電子隧穿的距離，增加電子隧穿的幾率，并可有效緩解傳統(tǒng)重?fù)诫s隧道結(jié)引起的晶格失配，提高器件的晶體質(zhì)量。因此，本發(fā)明所提供的這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于制備高量子效率氮化鎵基LED具有十分重要的意義。[〇〇41]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以上述實(shí)施方式為限，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所做的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，其特征在于，該二極管由下至上依次 包括襯底(101)、氮化物成核層(102)、氮化物緩沖層(103)、n型氮化物層(104)、第一發(fā)光區(qū) (105)、p-1-n隧道結(jié)(106)、第二發(fā)光區(qū)(107)、和氧化銦錫導(dǎo)電層(108);其中第一發(fā)光區(qū) (105)由第一有源區(qū)(1051)、第一p型氮化物電子阻擋層(1052)和第一p型氮化物空穴注入 層(1053)組成，第二發(fā)光區(qū)(107)由第二有源區(qū)(1071)、第二p型氮化物電子阻擋層(1072) 和第二P型氮化物空穴注入層(1073)組成；在n型氮化物層和ITO導(dǎo)電層上分別設(shè)置n電極 (109)和 p 電極(110)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，其特征在于，所述 襯底(1 〇 1)為極性、半極性或非極性取向的藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氮化鎵、氮化鋁材料 中的任一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，其特征在于，第一 發(fā)光區(qū)(105)和第二發(fā)光區(qū)(107)中第一有源區(qū)(1051)和第二有源區(qū)(1071)的厚度分別為 20-500nm，第一 p型氮化物電子阻擋層(1052)和第二p型氮化物電子阻擋層(1072)的厚度分 別為10-300nm，第二p型氮化物空穴注入層(1073)和第二p型氮化物空穴注入層(1073)的厚 度為 20-500nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，其特征在于，所述 的p-1-n隧道結(jié)(106)包括輕摻雜p型氮化物層(1061)、重?fù)诫sp型氮化物層(1062)、非摻雜 氮化物層(1063)、重?fù)诫sn型氮化物層(1064)、輕摻雜n型氮化物層(1605)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，其特征在于，所述 的輕摻雜n型氮化物層(1065)和重?fù)诫sn型氮化物層(1064)利用Si進(jìn)行摻雜，其中Si輕摻雜 n型氮化物層(1065)的電子濃度為1 X 1016-1 X 1018cnf3，Si重?fù)诫sn型氮化物層(1064)的電 子濃度為IX 1019cnf3以上;所述的輕摻雜p型氮化物層(1061)和重?fù)诫sp型氮化物層(1062) 利用Mg進(jìn)行摻雜，其中Mg輕摻雜p型氮化物層(1061)的空穴濃度為1 X 1016-1 X 1017cnf3，Mg 重?fù)诫sP型氮化物層(1062)的空穴濃度為lX1018cnf3以上。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有p-1-n隧道結(jié)的多有源區(qū)發(fā)光二極管，其特征在于，所述 的輕摻雜n型氮化物層(1065 )、重?fù)诫sn型氮化物層(1064 )、輕摻雜p型氮化物層(1061)和重 摻雜P型氮化物層(1062)選用組分均勻的AlGaN三元氮化物層，InAlGaN四元氮化物層，或者 組分漸變的AlGaN、InAlGaN氮化物層，AlGaN/InAlGaN超晶格結(jié)構(gòu)以及三元或者四元氮化物 與AlGaN/InAlGaN超晶格組成的復(fù)合型結(jié)構(gòu)中的任一種。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK105977349SQ201610328031
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年5月17日
【發(fā)明人】張 雄, 王肖磊, 崔平, 崔一平
【申請(qǐng)人】東南大學(xué)