半導(dǎo)體器件制作方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其包括：提供晶圓，所述晶圓中具有用于形硅通孔的溝槽；形成覆蓋所述溝槽側(cè)壁、底部以及所述晶圓的鋁金屬層；在所述鋁金屬層上形成保護(hù)層；在所述保護(hù)層上涂覆光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成預(yù)設(shè)圖形；以所述光刻膠層為掩膜去除暴露的保護(hù)層部分，以露出待去除的鋁金屬層；去除所述光刻膠層；以所述保護(hù)層作為掩膜層進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述待去除的鋁金屬層。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法，不會(huì)過(guò)多增加工藝的復(fù)雜性以及工藝的成本，而且可避免發(fā)生鋁斷裂問(wèn)題，大大提高了良品率，相對(duì)降低了制作成本。
【專利說(shuō)明】
半導(dǎo)體器件制作方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件制作方法、半導(dǎo)體器 件及電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在消費(fèi)電子領(lǐng)域，多功能設(shè)備越來(lái)越受到消費(fèi)者的喜愛(ài)，相比于功能簡(jiǎn)單的設(shè)備， 多功能設(shè)備制作過(guò)程將更加復(fù)雜，比如需要在電路版上集成多個(gè)不同功能的芯片，因而出 現(xiàn)了 3D 集成電路（integrated circuit，1C)技術(shù)，3D 集成電路（integrated circuit，1C) 被定義為一種系統(tǒng)級(jí)集成結(jié)構(gòu)，將多個(gè)芯片在垂直平面方向堆疊，從而節(jié)省空間。
[0003] 3D疊層封裝在縮短互聯(lián)長(zhǎng)度、減小形狀因數(shù)、提高電性能等方面有著很大優(yōu)勢(shì)。晶 圓級(jí)封裝（Wafer-Level Package，WLP)應(yīng)用于3D封裝采用倒裝凸點(diǎn)和RDL(重布線層）技 術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)圓片級(jí)互聯(lián)，提高互聯(lián)密度。硅通孔（TSV)技術(shù)應(yīng)用于WLP-3D封裝是實(shí)現(xiàn)垂 直互聯(lián)的關(guān)鍵，采用TSV技術(shù)的3D集成方法能提高器件的集成度、數(shù)據(jù)交換速度和信號(hào)速 度、減小互聯(lián)長(zhǎng)度、降低功耗以及提高輸入/輸出端密度等方面的性能，同時(shí)還可以在一個(gè) 封裝中實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器、專用1C、處理區(qū)等多功能集成封裝。
[0004] 迄今為止，TSV的發(fā)展主要集中在了中通孔（via-middle)方式和后通孔 (via-last)這兩種方式上，這兩種方式都是在有源芯片上制作形成TSV。在中通孔方案中， 它是在金半接觸/晶體管形成以后，但是在后端工序（BE0L)之前，在晶圓上刻蝕制作出 TSV。在后通孔方案中，它是在后端工藝（BE0L)之后，再在減薄晶圓的背面刻蝕制作出TSV。
[0005] 在采用后通孔的晶圓級(jí)封裝工藝中，通過(guò)晶圓測(cè)試發(fā)現(xiàn)良率（yield)不穩(wěn)定，最 低只有15%左右的良率，通過(guò)分析發(fā)現(xiàn)大部分是失敗點(diǎn)具有斷裂（open)問(wèn)題，通過(guò)切片結(jié) 果分析原因是TSV側(cè)壁上的鋁流失（AL loss)導(dǎo)致了斷裂（open)問(wèn)題，如圖1所示，其為經(jīng) 過(guò)晶圓測(cè)試后有斷裂的器件的SEM照片，從圖中可以看出，通孔（via)內(nèi)部距頂部大概30% 深度處側(cè)壁上基本沒(méi)有鋁（AL)存在，導(dǎo)致了斷裂的產(chǎn)生。
[0006] 因此，有必要提出一種新的制作方法，以解決上述存在的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn) 一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的 關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0008] 為了克服目前存在的問(wèn)題，本發(fā)明一方面提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其包 括：提供晶圓，所述晶圓中具有用于形硅通孔的溝槽；形成覆蓋所述溝槽側(cè)壁、底部以及所 述晶圓的鋁金屬層；在所述鋁金屬層上形成保護(hù)層；在所述保護(hù)層上涂覆光刻膠層；對(duì)所 述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成預(yù)設(shè)圖形；以所述光刻膠層為掩膜去除暴露的保護(hù)層部 分，以露出待去除的鋁金屬層；去除所述光刻膠層；以所述保護(hù)層作為掩膜層進(jìn)行濕法刻 蝕，去除所述待去除的鋁金屬層。。
[0009] 優(yōu)選地，所述保護(hù)層為低溫氧化層。
[0010] 優(yōu)選地，所述低溫氧化層為耐腐蝕低溫氧化薄膜。
[0011] 優(yōu)選地，所述低溫氧化層厚度為1000A~5000A。
[0012] 優(yōu)選地，在形成所述光刻膠層時(shí)對(duì)所述晶圓進(jìn)行加熱。
[0013] 優(yōu)選地，在所述濕法刻蝕之后還包括：去除剩余的保護(hù)層。
[0014] 本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制作方法，在鋁層表面添加一層低溫氧化層作為保護(hù) 層，一方面，引入保護(hù)層可避免在濕法刻蝕過(guò)程中通孔內(nèi)的鋁受到化學(xué)劑腐蝕而導(dǎo)致鋁斷 裂的問(wèn)題，另一方面，有了低溫氧化層做保護(hù)層后，光刻膠層只需作為圖形層即可，并且不 需要對(duì)光刻膠厚度、涂覆方法和顯影過(guò)程改變，避免過(guò)多的副作用產(chǎn)生。此外，在顯影之后 即可采用干法刻蝕將光刻膠層去掉，同時(shí)可將除圖形化區(qū)之外的低溫氧化膜層也一起去 掉，而不需添加額外步驟，即并不會(huì)過(guò)多增加工藝的復(fù)雜性以及工藝的成本。
[0015] 綜上所述，采用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法，不會(huì)過(guò)多增加工藝的復(fù)雜性以 及工藝的成本，而且可避免發(fā)生鋁斷裂問(wèn)題，大大提高了良品率，相對(duì)降低了制作成本。
[0016] 本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體器件，其采用本發(fā)明提供的上述制作方法形成。
[0017] 本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件其采用上述方法進(jìn)行制作，因而具有較高的良品率，相 對(duì)降低了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本。
[0018] 本發(fā)明再一方面提供一種電子裝置，其包括本發(fā)明提供的上述半導(dǎo)體器件。
[0019] 本發(fā)明提出的電子裝置，由于具有上述半導(dǎo)體器件，因而具有類似的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0020] 本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā) 明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
[0021] 附圖中：
[0022] 圖1示出了發(fā)生斷裂的器件切片的SEM照片；
[0023] 圖2示出了光刻膠出現(xiàn)裂縫的器件的SEM照片；
[0024] 圖3A~圖3G示出了本發(fā)明的制作方法依次實(shí)施步驟所獲得器件的剖面示意圖；
[0025] 圖4示出了本發(fā)明一實(shí)施方式提供的電子裝置的示意圖；
[0026] 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的制作方法依次實(shí)施步驟的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然 而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以 實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn) 行描述。
[0028] 應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的 實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給 本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終 相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0029] 應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為"在…上"、"與…相鄰"、"連接到"或"耦合到"其它元 件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或?可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為"直接在…上"、"與…直接相鄰"、"直接連接 到"或"直接耦合到"其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù) 語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或 部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一 個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、 區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0030] 空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如"在…下"、"在…下面"、"下面的"、"在…之下"、"在…之上"、"上 面的"等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元 件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操 作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為"在其它元件下面"或 "在其之下"或"在其下"元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣?上"。因此，示例性術(shù)語(yǔ) "在…下面"和"在…下"可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向（旋轉(zhuǎn)90度或其它 取向）并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。
[0031] 在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使 用時(shí)，單數(shù)形式的"一"、"一個(gè)"和"所述/該"也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出 另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)"組成"和/或"包括"，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、 整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操 作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任 何及所有組合。
[0032] 為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的結(jié)構(gòu)及步驟，以便闡釋本發(fā) 明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明 還可以具有其他實(shí)施方式。
[0033] 如前所述，通過(guò)切片結(jié)果分析原因是TSV側(cè)壁上的鋁流失（AL loss)導(dǎo)致了斷 裂（open)問(wèn)題，開(kāi)始是我們認(rèn)為是PVD沉積A1層過(guò)程中PVD的偏壓（bias)過(guò)大，導(dǎo)致側(cè) 壁TSV側(cè)壁上鋁在沉積過(guò)程中受到過(guò)大的濺射作用，使得通孔中特定位置，約通孔30%深 度處，通孔由寬收窄處，在PVD過(guò)程中鋁受到過(guò)重的轟擊，導(dǎo)致鋁流失速度大于其沉積的速 度，因此發(fā)生如上所述問(wèn)題。
[0034] 但是，我們將PVD中的偏壓減小后，發(fā)現(xiàn)上述問(wèn)題依然存在，因此我們進(jìn)一步認(rèn)為 可能是因?yàn)橛米鞅Ｗo(hù)層的光刻膠在TSV孔上方產(chǎn)生裂縫，導(dǎo)致濕法刻蝕過(guò)程中化學(xué)劑進(jìn)入 通孔，與鋁發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致鋁流失，但是由于通孔中存在空氣，化學(xué)劑進(jìn)到通孔內(nèi)部后 在空氣壓力的作用下只能下到通孔30%深度處，因此只有此處的鋁與化學(xué)劑反應(yīng)，造成上 述問(wèn)題。為驗(yàn)證這個(gè)分析，我們對(duì)濕法刻蝕后的半導(dǎo)體器件進(jìn)行觀察，發(fā)現(xiàn)濕法刻蝕后，用 作保護(hù)層的光刻膠確實(shí)在TSV孔上方產(chǎn)生裂縫，如圖2所示。
[0035] 鑒于上述分析與驗(yàn)證，本發(fā)明針對(duì)via-last TSV結(jié)構(gòu)的晶圓在濕法刻蝕過(guò)程中通 孔內(nèi)部側(cè)壁發(fā)生鋁流失的問(wèn)題對(duì)工藝進(jìn)行改進(jìn)，提出了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，如圖5 所示，該方法包括：步驟S501，提供晶圓，所述晶圓中具有用于形硅通孔的溝槽；步驟S502， 形成覆蓋所述溝槽側(cè)壁、底部以及所述晶圓的鋁金屬層；步驟S503,在所述鋁金屬層上形 成保護(hù)層；步驟S504,在所述保護(hù)層上涂覆光刻膠層；步驟S505,對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光 顯影，以形成預(yù)設(shè)圖形；步驟S506,以所述光刻膠層為掩膜去除暴露的保護(hù)層部分，以露出 待去除的鋁金屬層；步驟S507,去除所述光刻膠層；步驟S508,以所述保護(hù)層作為掩膜層進(jìn) 行濕法刻蝕，去除所述待去除的鋁金屬層。
[0036] 本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制作方法，在鋁層表面添加一層低溫氧化層作為保護(hù) 層，一方面，引入保護(hù)層可避免在濕法刻蝕過(guò)程中通孔內(nèi)的鋁受到化學(xué)劑腐蝕而導(dǎo)致鋁斷 裂的問(wèn)題，另一方面，有了低溫氧化層做保護(hù)層后，光刻膠層只需作為圖形層即可，并且不 需要對(duì)光刻膠厚度、涂覆方法和顯影過(guò)程改變，避免過(guò)多的副作用產(chǎn)生。此外，在顯影之后 即可采用干法刻蝕將光刻膠層去掉，同時(shí)可將除圖形化區(qū)之外的低溫氧化膜層也一起去 掉，而不需添加額外步驟，即并不會(huì)過(guò)多增加工藝的復(fù)雜性以及工藝的成本。
[0037] 實(shí)施例一
[0038] 下面結(jié)合圖3A~圖3G對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法做詳細(xì)描述。
[0039] 首先，如圖3A所示，提供晶圓300,該晶圓上形成有后續(xù)用于形成硅通孔的溝槽 301，形成覆蓋溝槽301側(cè)壁、底部以及晶圓300鋁金屬層（或金屬膜）302。
[0040] 晶圓300可以是以下所提到的材料中的至少一種：娃、絕緣體上硅（SOI)、絕緣體 上層疊硅（SS0I)、絕緣體上層疊鍺化硅（S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅（SiGeOI)以及絕緣體 上鍺（GeOI)等，在晶圓300上形成半導(dǎo)體器件，例如PM0S和NM0S晶體管。硅通孔301可 通過(guò)刻蝕形成，其刻蝕過(guò)程可采用本領(lǐng)域常用方法。
[0041] 鋁金屬層302通過(guò)本領(lǐng)域常用方法形成。作為示例，在本實(shí)施例中采用物理氣相 沉積形成覆蓋硅通孔301側(cè)壁、底部以及晶圓300鋁金屬層302。鋁金屬層302的厚度根據(jù) 設(shè)計(jì)要求進(jìn)行確定。
[0042] 接著，如圖3B所示，在鋁層302上形成低溫氧化層303。低溫氧化層303為耐化 學(xué)腐蝕層，比如可采用低溫氧化硅層，其可以是通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD)法、物理氣相沉積 (PVD)法或原子層沉積（ALD)法等形成的。低溫氧化層303的厚度在1000~50OOA之間， 具體厚度可根據(jù)后續(xù)工藝中光刻膠層的厚度確定，以免影響后續(xù)工藝。
[0043] 作為示例，在本實(shí)施例中，低溫氧化層303為低溫二氧化硅層，其通過(guò)化學(xué)氣相沉 積形成，并且在化學(xué)氣相沉積過(guò)程工藝溫度保持在200°C以下。
[0044] 接著，如圖3C所示，在低溫氧化層303上形成光刻膠層304。光刻膠層304采用本 領(lǐng)域常用的方法涂覆在低溫氧化層303上，光刻膠層304的厚度根據(jù)具體工藝設(shè)定和需求 確定。
[0045] 進(jìn)一步地，如圖3C所示，由于溝槽301的存在，光刻膠層304在硅通孔301處向下 凹陷，為了避免后續(xù)顯影中溝槽301內(nèi)的空氣受熱膨脹使光刻膠層304產(chǎn)生裂縫，可在涂覆 光刻膠層304的過(guò)程中適當(dāng)加熱晶圓300,以使溝槽301的空氣適度膨脹，這樣可降低在后 續(xù)顯影過(guò)程中，硅通孔301內(nèi)空氣的膨脹，降低光刻膠層304產(chǎn)生裂縫的可能性。
[0046] 接著，如圖3D所示，對(duì)光刻膠層304進(jìn)行曝光顯影，以形成預(yù)設(shè)圖形。曝光顯影采 用本領(lǐng)域常用方法，比如可采用接近曝光、接觸曝光或投影曝光，以及噴流式顯影技術(shù)來(lái)完 成光刻膠層304的曝光顯影。
[0047] 進(jìn)一步地，如圖3D所示，由于顯影過(guò)程中溫度升高，溝槽301內(nèi)的空氣膨脹，將溝 槽301上方的光刻膠層304頂起，頂部光刻膠層304厚度減小，可能出現(xiàn)裂縫。
[0048] 接著，如圖3E所示，以光刻膠層304為掩膜去除暴露的低溫氧化層303,并在去除 暴露的低溫氧化層303后去除光刻膠層304,以露出非圖形化區(qū)域P的金屬鋁層。光刻膠層 304和非圖形化區(qū)域的低溫氧化層303可采用干法蝕刻。
[0049] 接著，如圖3F所示，以低溫氧化層303作為掩膜層進(jìn)行濕法刻蝕，去除非圖形化區(qū) 域P的金屬鋁層。濕法刻蝕為本領(lǐng)用常用技術(shù)，在此不再贅述。
[0050] 最后，如圖3G所示，去除剩余的低溫氧化層303。
[0051] 至此，完成了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法實(shí)施的工藝步驟
[0052] 本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法，在Via-last工藝中，在金屬鋁表面加入厚度 為1000-5000A的低溫氧化膜膜層作為鋁在濕法過(guò)程中的保護(hù)層，同時(shí)在光刻膠涂覆過(guò)程 中對(duì)晶圓進(jìn)行適當(dāng)?shù)募訜?，減少顯影過(guò)程中由于硅通孔內(nèi)部的空氣發(fā)生膨脹而對(duì)孔頂部的 光刻膠層造成的損傷，避免了在濕法刻蝕過(guò)程中，化學(xué)劑通過(guò)通孔頂部光刻膠層中的裂縫 進(jìn)入通過(guò)內(nèi)部對(duì)側(cè)壁的鋁造成腐蝕，從而導(dǎo)致的鋁斷裂問(wèn)題。采用本實(shí)施例的晶圓級(jí)封裝 工藝中形成硅通孔互連的方法，提高了 Via-last工藝中晶圓級(jí)封裝的良品率。
[0053] 實(shí)施例二
[0054] 本發(fā)明還提供一種采用實(shí)施例一中所述的方法制作的半導(dǎo)體器件，其采用上述方 法進(jìn)行制作，因而具有較高的良品率，相對(duì)降低了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本。
[0055] 實(shí)施例三
[0056] 本發(fā)明另外還提供一種電子裝置，其包括前述的半導(dǎo)體器件。
[0057] 由于包括的半導(dǎo)體器件采用晶圓級(jí)封裝，因而具有該工藝帶來(lái)的優(yōu)點(diǎn)，并且由于 采用上述方法進(jìn)行封裝，良品率較高，成本相對(duì)降低，因此該電子裝置同樣具有上述優(yōu)點(diǎn)。
[0058] 該電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、VCD、 DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可以是具有 上述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品，例如：具有該集成電路的手機(jī)主板等。在本實(shí)施中以PDA為例 進(jìn)行示例，如圖4所示。
[0059] 本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于 舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的 變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由 附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供晶圓，所述晶圓中具有用于形娃通孔的溝槽； 形成覆蓋所述溝槽側(cè)壁、底部W及所述晶圓的侶金屬層； 在所述侶金屬層上形成保護(hù)層； 在所述保護(hù)層上涂覆光刻膠層； 對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，W形成預(yù)設(shè)圖形； W所述光刻膠層為掩膜去除暴露的保護(hù)層部分，W露出待去除的侶金屬層； 去除所述光刻膠層； W所述保護(hù)層作為掩膜層進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述待去除的侶金屬層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層為低溫氧化層。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述低溫氧化層為耐腐蝕低溫氧化 薄膜。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述低溫氧化層厚度為 …OOA~沸(M。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述光刻膠層時(shí)對(duì)所述晶圓 進(jìn)行加熱。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述濕法刻蝕之后還包括： 去除剩余的保護(hù)層。7. -種半導(dǎo)體器件，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-6之一所述的制作方法形成。8. -種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件。
【文檔編號(hào)】H01L23/538GK105990222SQ201510058324
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月4日
【發(fā)明人】沈哲敏, 李廣寧
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司