一種印制電路板、電子設(shè)備及制作印制電路板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種印制電路板、電子設(shè)備及制作印制電路板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子設(shè)備的功能越來(lái)越強(qiáng)大，功耗也隨之增大。另一方面，隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，電子設(shè)備的尺寸越來(lái)越小，在設(shè)備功耗增大的背景下，對(duì)電子設(shè)備的散熱性能提出了嚴(yán)格的要求。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于體積較小的移動(dòng)終端通常采用被動(dòng)散熱的方式進(jìn)行散熱，即:在電子元器件上貼附金屬片等散熱片來(lái)將熱源處的熱量傳導(dǎo)出去，降低熱源處的溫度。但是在熱源電子元器件上貼附金屬散熱片將增加電子設(shè)備的重量，與電子設(shè)備的輕薄化、便攜化趨勢(shì)相違背。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N印制電路板、電子設(shè)備及制作印制電路板的方法，解決了難以在不增加電子設(shè)備的重量的情況下實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備內(nèi)部快速散熱的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]本申請(qǐng)第一方面提供了一種印制電路板，用于設(shè)置電子元器件，所述印制電路板包括:導(dǎo)電層，與所述電子元器件電氣連接；絕緣納米碳層，附著在所述導(dǎo)電層上，用于傳導(dǎo)設(shè)置在所述絕緣納米碳層上的所述電子元器件所產(chǎn)生的熱量。
[0006]可選的，所述絕緣納米碳層上具有孔，其中，所述導(dǎo)電層與所述電子元器件具體通過(guò)穿過(guò)所述孔的引線(xiàn)實(shí)現(xiàn)電氣連接。
[0007]可選的，所述導(dǎo)電層上刻蝕有電路圖形。
[0008]可選的，所述印制電路板還包括:絕緣基板，其中，所述導(dǎo)電層具體附著在所述絕緣基板的第一面上；第二導(dǎo)電層，附著在所述絕緣基板的與所述第一面相反的第二面上；第二絕緣納米碳層，附著在所述第二導(dǎo)電層上，用于傳導(dǎo)設(shè)置在所述第二絕緣納米碳層上的第二電子元器件所產(chǎn)生的熱量；其中，所述第二導(dǎo)電層與所述第二電子元器件電氣連接。
[0009]本申請(qǐng)實(shí)施例第二方面提供一種電子設(shè)備，包括:第一方面提供的印制電路板；電子元器件，設(shè)置在所述絕緣納米碳層上。
[0010]本申請(qǐng)實(shí)施例第三方面提供了一種制作印制電路板的方法，包括:在導(dǎo)電層上刻蝕出電路圖形；在所述導(dǎo)電層上制備絕緣納米碳層。
[0011]可選的，在所述在所述導(dǎo)電層上制備絕緣納米碳層之后，所述方法還包括:對(duì)所述絕緣納米碳層進(jìn)行加熱。
[0012]可選的，所述對(duì)所述絕緣納米碳層進(jìn)行加熱，包括:采用紅外光源照射所述絕緣納米碳層；或者將所述印制電路板放置在200°c的烘箱中加熱20分鐘。
[0013]可選的，所述在所述導(dǎo)電層上制備絕緣納米碳層，包括:采用靜電霧化噴涂的方式在所述導(dǎo)電層上制備所述絕緣納米碳層。
[0014]可選的，所述在所述導(dǎo)電層上制備絕緣納米碳層，包括:在所述導(dǎo)電層上設(shè)置掩膜板，根據(jù)所述掩膜板在所述導(dǎo)電層上制備所述絕緣納米碳層，所述掩膜板的圖形根據(jù)所述電路圖形確定，所述絕緣納米碳層的圖形與所述掩膜板的圖形相對(duì)應(yīng)。
[0015]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0016]本申請(qǐng)實(shí)施例中，在電路板的導(dǎo)電層上附著一層絕緣納米碳層，由于絕緣納米碳層具有優(yōu)異的熱傳導(dǎo)能力，能夠快速將設(shè)置在絕緣納米碳層上的電子元器件產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去。其中，納米碳的密度遠(yuǎn)小于金屬散熱片材料，不到常用散熱材料銅的密度的六分之一，而且納米碳層僅僅是厚度極小的一個(gè)涂層，其厚度可以小于2?3_，小于金屬散熱片的厚度。因此，通過(guò)具有絕緣納米碳層的印制電路板散熱，不僅能夠有效降低熱源處的溫度，而且相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中使用金屬散熱片散熱，能夠顯著減小電子設(shè)備的重量。
【附圖說(shuō)明】
[0017]為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)要介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的印制電路板100的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為印制電路板100的分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為印制電路板100進(jìn)一步細(xì)化結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作印制電路板的方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的難以在不增加電子設(shè)備的重量的情況下實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備內(nèi)部散熱的技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種印制電路板、電子設(shè)備及制作印制電路板的方法，通過(guò)在電路板的導(dǎo)電層上附著一層絕緣納米碳層，由于絕緣納米碳層具有優(yōu)異的熱傳導(dǎo)能力，能夠快速將設(shè)置在絕緣納米碳層上的電子元器件產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去。其中，納米碳的密度遠(yuǎn)小于金屬散熱片材料，不到常用散熱材料銅的密度的六分之一，而且納米碳層僅僅是厚度極小的一個(gè)涂層，其厚度可以小于2?3_，小于金屬散熱片的厚度。因此，與使用金屬散熱片散熱相比，使用具有納米碳層的電路板散熱能夠顯著減小電子設(shè)備的重量。
[0023]下面通過(guò)附圖以及具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案做詳細(xì)的說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解本申請(qǐng)實(shí)施例以及實(shí)施例中的具體特征是對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案的詳細(xì)的說(shuō)明，而不是對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案的限定，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)實(shí)施例以及實(shí)施例中的技術(shù)特征可以相互組合。
[0024]參見(jiàn)圖1及圖2，印制電路板100包括導(dǎo)電層110和以及附著在導(dǎo)電層110上的絕緣納米碳層120。其中，導(dǎo)電層110可以為具有良好導(dǎo)電性能的金屬材料，例如銅、錫、鉛錫合金、錫銅合金、金、銀，等等。
[0025]印制電路板100上可設(shè)置電子元器件200，電子元器件具體設(shè)置在絕緣納米碳層120之上，并與導(dǎo)電層110電氣連接。本申請(qǐng)實(shí)施例中，導(dǎo)電層110與電子元器件200之間實(shí)現(xiàn)電氣連接的方式包括:
[0026]方式1，請(qǐng)繼續(xù)參見(jiàn)圖2，絕緣納米碳層120上具有孔121，其中，導(dǎo)電層110與電子元器件200具體通過(guò)穿過(guò)孔121的引線(xiàn)實(shí)現(xiàn)電氣連接。S卩，導(dǎo)電層110上設(shè)置有與電子元器件200實(shí)現(xiàn)電氣連接的引腳，從該引腳引出引線(xiàn)，引線(xiàn)穿過(guò)孔121與電子元器件200相連。實(shí)際情況中，孔121的形狀可以為圓形或橢圓形，也可以為方形或槽形以及不規(guī)則形狀，本申請(qǐng)實(shí)施例中對(duì)此不予限定。
[0027]方式2，絕緣納米碳層120包括兩塊或兩塊以上的相分離的絕緣納米碳?jí)K，可以在導(dǎo)電層110上引出導(dǎo)線(xiàn)，穿過(guò)相分離的兩塊絕緣納米碳?jí)K之間的空隙與電子元器件相連，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層110與電子元器件200的電氣連接。
[0028]方式3，從導(dǎo)電層110的側(cè)邊引出導(dǎo)線(xiàn)，導(dǎo)線(xiàn)繞過(guò)絕緣納米碳層120，與電子元器件相連，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層I1與電子元器件200的電氣連接。
[0029]本申請(qǐng)實(shí)施例中可以通過(guò)上述三種方式中的任意一種實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層110與電子元器件200的電氣連接，也可以同時(shí)使用其中的兩種或兩種以上的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層110與電子元器件200的電氣連接。
[0030]本申請(qǐng)實(shí)施例中，將電子元器件設(shè)置在絕緣納米碳層120之上，絕緣納米碳層120具有優(yōu)異的熱傳導(dǎo)能力，其導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300Wm 1K1,能夠快速將電子元器件產(chǎn)生的熱量導(dǎo)出，其中，W為瓦特，m為米，K為開(kāi)爾文，材料導(dǎo)熱系數(shù)越大，熱傳導(dǎo)能力越大，散熱效果越好。反觀現(xiàn)有技術(shù)中，散熱金屬片材料中導(dǎo)熱系數(shù)較高的銅的導(dǎo)熱系數(shù)只有^OWm1K1,散熱金屬板的散熱效果遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及絕緣納米碳層的散熱效果。
[0031]不僅如此，納米碳的密度遠(yuǎn)小于金屬散熱片材料，不到常用散熱材料銅的密度的六分之一，而且納米碳層僅僅是厚度極小的一個(gè)涂層，其厚度可以小于2?3_，小于金屬散熱片的厚度。因此，與使用金屬散熱片散熱相比，使用具有納米碳層的電路板散熱能夠顯著減小電子設(shè)備的重量。
[0032]另外，由于絕緣納米碳層120具有穩(wěn)定的物理性能和化學(xué)性能，其可以作為導(dǎo)電層110的保護(hù)層，避免導(dǎo)電層110受到破壞，提高印制電路板100的可靠性和使用壽命。
[0033]可選的，導(dǎo)電層110上刻蝕有電路圖形，作為電子元器件之間連通的通路。另外，導(dǎo)電層110上的電路圖形也可以包括大的金屬面作為接地或者電源層。在導(dǎo)電層110上刻蝕出電路圖形的方式可以參考現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)實(shí)施例不再詳述。
[0034]進(jìn)一步，參照?qǐng)D3，印制電路板100還包括絕緣基板130，絕緣基板130為印制電路板100提供物理主體，導(dǎo)電層110即是附著在絕緣基板130上。絕緣基板的材料可以是玻璃纖維、不織物料、樹(shù)脂等壓制而成的絕緣黏合片，例如棉紙、酚醛棉紙、環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布、多元酯等，另外，絕緣基板的材料也可以是氮化鋁、碳化硅等材料。
[0035]可選的，印制電路板100可以為雙面電路板，即印制電路板100的正反兩面均可以設(shè)置電子元器件。
[0036]具體的，請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3，絕緣基板130包括相反的第一面131和第二面132。導(dǎo)電層110附著在第一面131上，而在第二面132上附著有第二導(dǎo)電層140，而第二導(dǎo)電層140上附著有第二絕緣納米碳層150，用于傳導(dǎo)設(shè)置在第二絕緣納米碳層150上的第二電子元器件300件所產(chǎn)生的熱量。其中，第二導(dǎo)電層140與第二電子元器件300電氣連接。
[0037]其中，第二導(dǎo)電層140的實(shí)現(xiàn)方式可以參考導(dǎo)電層110，第二絕緣納米碳層150的實(shí)現(xiàn)方式可以參考絕緣納米碳層120，第二導(dǎo)電層140與第二電子元器件300的電氣連接方式可以參考導(dǎo)電層I1與電子元器件200的電氣連接方式，本申請(qǐng)實(shí)施例在此不再詳述。
[0038]本申請(qǐng)實(shí)施例上述技術(shù)方案中，印制電路板100兩面均可設(shè)置電子元器件，并且印制電路板兩側(cè)均具有絕緣納米碳層，能夠快速將電路板上的電