半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供包含半導(dǎo)體部、第一金屬柱、第二金屬柱及絕緣層的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。半導(dǎo)體部包含第一面、第二面及發(fā)光層。第二面包含與發(fā)光層重疊的第一區(qū)域及不與發(fā)光層重疊的第二區(qū)域。第一金屬柱與第二區(qū)域電性連接。第一金屬柱包含第一金屬層及第二金屬層。第二金屬層的硬度比第一金屬層的硬度硬。第一金屬層設(shè)置在第二面與第二金屬層的至少一部分之間。第二金屬柱在第二方向與第一金屬柱并排，與第一區(qū)域電性連接，第二方向與從第一面朝向第二面的第一方向交叉。第二金屬柱包含第三金屬層及第四金屬層。第四金屬層的硬度比第三金屬層的硬度硬。第三金屬層設(shè)置在第二面與第四金屬層的至少一部分之間。絕緣層設(shè)置在第一金屬柱與第二金屬柱之間。
【專利說明】
半導(dǎo)體發(fā)光裝置
[0001] [相關(guān)申請案]
[0002] 本申請案享有以日本專利申請案2015-52160號（申請日：2015年3月16日）為基礎(chǔ) 申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明的實施方式涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0004] 存在芯片尺寸封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。半導(dǎo)體發(fā)光裝置通過LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)元件與焚光體的組合而放射出白色光等可見光及其他波段 的光。在這種半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，期待提高生產(chǎn)性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實施方式提供一種高生產(chǎn)性的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供一種包含半導(dǎo)體部、第一金屬柱、第二金屬柱、及絕 緣層的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。所述半導(dǎo)體部包含第一面、所述第一面的相反側(cè)的第二面、及發(fā)光 層。所述第二面包含與所述發(fā)光層重疊的第一區(qū)域、及不與所述發(fā)光層重疊的第二區(qū)域。所 述第一金屬柱與所述第二區(qū)域電性連接。所述第一金屬柱包含第一金屬層、及第二金屬層。 所述第二金屬層的硬度比所述第一金屬層的硬度硬。所述第一金屬層設(shè)置在所述第二面與 所述第二金屬層的至少一部分之間。所述第二金屬柱在第二方向上與所述第一金屬柱并 排，并與所述第一區(qū)域電性連接，所述第二方向與從所述第一面朝向所述第二面的第一方 向交叉。所述第二金屬柱包含第三金屬層、及第四金屬層。所述第四金屬層的硬度比所述第 三金屬層的硬度硬。所述第三金屬層設(shè)置在所述第二面與所述第四金屬層的至少一部分之 間。所述絕緣層設(shè)置在所述第一金屬柱與所述第二金屬柱之間。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供一種包含半導(dǎo)體部、第一金屬柱、第二金屬柱、 及絕緣層的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。所述半導(dǎo)體部包含第一面、與所述第一面相反的側(cè)的第二面、 及發(fā)光層。所述第二面包含與所述發(fā)光層重疊的第一區(qū)域、及不與所述發(fā)光層重疊的第二 區(qū)域。所述第一金屬柱與所述第二區(qū)域電性連接。所述第一金屬柱包含第一金屬層、及第二 金屬層。所述第一金屬層包含沿著從所述第一面朝向所述第二面的第一方向的第一側(cè)面。 所述第二金屬層的硬度比所述第一金屬層的硬度硬。所述第二金屬柱在與所述第一方向交 叉的第二方向上，與所述第一金屬柱并排，并與所述第一區(qū)域電性連接。所述第二金屬柱包 含第三金屬層、及第四金屬層。所述第三金屬層包含沿著所述第一方向的第二側(cè)面。所述第 四金屬層的硬度比所述第三金屬層的硬度硬。所述絕緣層設(shè)置在所述第一金屬柱與所述第 二金屬柱之間。所述第二金屬層設(shè)置在所述第一側(cè)面與所述絕緣層之間。所述第四金屬層 設(shè)置在所述第二側(cè)面與所述絕緣層之間。
【附圖說明】
[0008] 圖1A及圖1B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意圖。
[0009] 圖2是例示半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面布局的示意性俯視圖。
[0010]圖3是例示第一實施方式的另一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0011]圖4A及圖4B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示意 性剖視圖。
[0012] 圖5A及圖5B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示意 性剖視圖。
[0013] 圖6A及圖6B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示意 性剖視圖。
[0014] 圖7A及圖7B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示意 性剖視圖。
[0015] 圖8A及圖8B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示意 性剖視圖。
[0016] 圖9A及圖9B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示意 性剖視圖。
[0017] 圖10A及圖10B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示 意性剖視圖。
[0018] 圖11A及圖11B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示 意性剖視圖。
[0019] 圖12是例示第二實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0020]圖13是例示第二實施方式的另一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0021] 圖14是例示第三實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的一部分的示意性剖視圖。
【具體實施方式】
[0022] 以下，一面參照圖式一面對本發(fā)明的各實施方式進(jìn)行說明。
[0023] 另外，圖式是示意性或概念性的圖，各部分的厚度與寬度的關(guān)系、部分間的大小的 比率等未必與現(xiàn)實情況相同。此外，即便是在表示相同部分的情況下，也存在根據(jù)圖式而使 相互的尺寸或比率不同地表示的情況。
[0024] 另外，在本案說明書與各圖中，對與在已述的圖中說明的要素相同的要素標(biāo)注相 同的符號，并適當(dāng)省略詳細(xì)的說明。
[0025] (第一實施方式）
[0026] 圖1A及圖1B是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意圖。
[0027] 圖1A是例示半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖面圖。
[0028] 圖1B是例示半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性俯視圖。
[0029] 如圖1A及圖1B所示，半導(dǎo)體發(fā)光裝置110包含半導(dǎo)體部15。半導(dǎo)體部15包含第一導(dǎo) 電型的第一半導(dǎo)體層11、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層12、及發(fā)光層13。例如，第一導(dǎo)電型是η 型。第二導(dǎo)電型是Ρ型。也可為第一導(dǎo)電型是Ρ型，第二導(dǎo)電型是η型。以下，對第一導(dǎo)電型是η 型、且第二導(dǎo)電型是P型的情況進(jìn)行說明。
[0030] 第一半導(dǎo)體層11例如包含基底緩沖層、及η型GaN層。第二半導(dǎo)體層12例如包含p型 GaN層。發(fā)光層13設(shè)置在第一半導(dǎo)體層11的一部分11a與第二半導(dǎo)體層12之間。發(fā)光層13含 有發(fā)出藍(lán)光、紫光、藍(lán)紫光、紫外光等的材料。發(fā)光層13的發(fā)光峰值波長例如為430納米(nm) 以上470nm以下。
[0031] 半導(dǎo)體發(fā)光裝置110包含第一電極16、第二電極17、層間絕緣層18、第一配線層21、 第二配線層22、第一金屬柱23、第二金屬柱24、絕緣層25、及熒光體層30。
[0032] 第一電極16與第一半導(dǎo)體層11的其他部分lib電性連接。第一電極16例如與第一 半導(dǎo)體層11的其他部分lib接觸。第一電極16是η電極。第二電極17與第二半導(dǎo)體層12電性 連接。第二電極17例如與第二半導(dǎo)體層12接觸。第二電極17是ρ電極。另外，所謂電性連接的 狀態(tài)除直接接觸的狀態(tài)以外，還包括中間介置有其他導(dǎo)電構(gòu)件等的狀態(tài)。
[0033] 半導(dǎo)體部15包含第一面15a、及與第一面15a為相反側(cè)的第二面15b。在該例中，第 一面15a成為半導(dǎo)體部15的上表面，第二面15b成為半導(dǎo)體部15的下表面。半導(dǎo)體部15的第 二面15b包含與發(fā)光層13重疊的第一區(qū)域15e、及不與發(fā)光層13重疊的第二區(qū)域15f。第一區(qū) 域15e是半導(dǎo)體部15中積層有發(fā)光層13的區(qū)域。第一區(qū)域15e是發(fā)光區(qū)域。第二區(qū)域15f是半 導(dǎo)體部15中未積層發(fā)光層13的區(qū)域。
[0034] 第一電極16在Z軸方向上與第二區(qū)域15f重疊。第二電極17在Z軸方向上與第一區(qū) 域15e重疊。另外，所謂"重疊"是指當(dāng)投影在相對于Z軸方向垂直的平面上時至少一部分重 疊的狀態(tài)。在該例中，第二區(qū)域15f包圍第一區(qū)域15e，第一電極16包圍第二電極17。另外，第 一電極16及第二電極17的配置并不限于該例。
[0035] 電流穿過第一電極16與第二電極17而供給至發(fā)光層13,從而發(fā)光層13發(fā)光。然后， 從發(fā)光層13放射的光從第一面15a的側(cè)向半導(dǎo)體發(fā)光裝置110的外部出射。
[0036] 在第一面15a上設(shè)置有對半導(dǎo)體發(fā)光裝置110的出射光賦予所期望的光學(xué)特性的 熒光體層30。熒光體層30包含多個粒狀的熒光體。多個粒狀的熒光體通過發(fā)光層13的放射 光而被激發(fā)，放射出與該放射光不同的波長的光。多個粒狀的熒光體通過結(jié)合材料而一體 化。來自發(fā)光層13的放射光透過結(jié)合材料。所謂"透過"也包括吸收光的一部分的情況。
[0037] 在第二面15b下設(shè)置有支撐體100。支撐體100支撐包含半導(dǎo)體部15、第一電極16及 第二電極17的發(fā)光元件。
[0038] 在半導(dǎo)體部15、第一電極16及第二電極17下設(shè)置有層間絕緣層18。層間絕緣層18 保護(hù)半導(dǎo)體部15、第一電極16及第二電極17。層間絕緣層18例如能夠使用氧化硅膜等無機(jī) 絕緣膜。
[0039] 層間絕緣層18也設(shè)置在發(fā)光層13的側(cè)面及第二半導(dǎo)體層12的側(cè)面而保護(hù)這些側(cè) 面。層間絕緣層18也設(shè)置在從第一面15a連續(xù)的側(cè)面15c而保護(hù)側(cè)面15c、即第一半導(dǎo)體層11 的側(cè)面。
[0040] 在層間絕緣層18設(shè)置有通孔21a、及多個通孔22a。第一配線層21經(jīng)由通孔21a而與 第一電極16電性連接。第二配線層22經(jīng)由多個通孔22a而與第二電極17電性連接。第一金屬 柱23經(jīng)由第一配線層21而與第一電極16電性連接。第二金屬柱24經(jīng)由第二配線層22而與第 二電極17電性連接。
[0041 ]圖2是例示半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面布局的示意性俯視圖。
[0042]第一配線層21及第二配線層22與第二面15b重疊，并在層間絕緣層18下擴(kuò)展。這 里，如圖1B所示，第一電極16設(shè)置有細(xì)線狀的電極部分、及寬度擴(kuò)大的焊墊部16a。第一配線 層21經(jīng)由到達(dá)焊墊部16a的通孔21a而與第一電極16連接。
[0043]在保護(hù)半導(dǎo)體部15的側(cè)面15c的層間絕緣層18下設(shè)置有反射層50。反射層50對來 自發(fā)光層13的放射光及來自熒光體層30的放射光具有反射性。
[0044]在半導(dǎo)體部15的第一面15a與熒光體層30之間設(shè)置有層間絕緣層19。通過設(shè)置層 間絕緣層19,能夠提高半導(dǎo)體部15與熒光體層30的密接性。層間絕緣層19例如能夠使用氧 化硅膜及氮化硅膜中的任一者。
[0045]在第一配線層21與第二配線層22之間設(shè)置有絕緣層25。絕緣層25例如為含有黑碳 等顏料成分的樹脂層。絕緣層25以與第一金屬柱23的側(cè)面及第二金屬柱24的側(cè)面接觸的方 式，設(shè)置在第一金屬柱23與第二金屬柱24之間。即，在第一金屬柱23與第二金屬柱24之間填 充有絕緣層25。此外，絕緣層25設(shè)置在第一配線層21與第二配線層22之間、第一配線層21與 反射層50之間、及第二配線層22與反射層50之間。此外，絕緣層25設(shè)置在第一金屬柱23的周 圍、及第二金屬柱24的周圍，與第一金屬柱23的側(cè)面、及第二金屬柱24的側(cè)面接觸。此外，絕 緣層25也設(shè)置在半導(dǎo)體部15的側(cè)面15c的周圍區(qū)域，且與反射層50接觸。
[0046] 在實施方式中，第一金屬柱23經(jīng)由第一電極16而與第二面15b電性連接。第一金屬 柱23包含第一金屬層23a、及第二金屬層23b。第一金屬層23a設(shè)置在第二面15b與第二金屬 層23b的至少一部分之間。第一金屬層23a例如含有銅(Cu)。第二金屬層23b的硬度比第一金 屬層23a的硬度硬。
[0047]第二金屬層23b例如含有鎳(Ni)及鈦(Ti)中的至少一種金屬。也可為第二金屬層 23b除含有鎳及鈦中的至少一種金屬以外，還含有鋅(Zn)。第二金屬層23b既可為一種金屬， 也可為含有多種金屬的合金。此外，硬度能夠使用例如JIS Z 2244中所規(guī)定的維氏硬度來 表不。
[0048]第二金屬柱24在第二方向上與第一金屬柱23并排，所述第二方向與從第一面15a 朝向第二面15b的第一方向交叉。第二金屬柱24經(jīng)由第二電極17而與第二面15b電性連接。 第二金屬柱24包含第三金屬層24a、及第四金屬層24b。第三金屬層24a設(shè)置在第二面15b與 第四金屬層24b的至少一部分之間。第三金屬層24a例如含有銅。第四金屬層24b的硬度比第 三金屬層24a的硬度硬。第四金屬層24b例如含有鎳及鈦中的至少一種金屬。也可為第四金 屬層24b還含有鋅。
[0049] 第一方向例如為沿著Z軸方向的方向。將相對于Z軸方向垂直的一個方向設(shè)定為X 軸方向。將相對于Z軸方向及X軸方向垂直的一個方向設(shè)定為Y軸方向。第二方向例如為沿著 X軸方向的方向。
[0050] 在所述中，柱（第一金屬柱23及第二金屬柱24的各者）具有多層結(jié)構(gòu)，即包括例如 含有銅的金屬層、及含有比銅硬的鎳的金屬層。含有鎳的金屬層例如能夠通過電解電鍍而 形成。
[0051] 柱也可具有如下多層結(jié)構(gòu)，即包括含有銅的金屬層、及含有比銅硬的鈦的金屬層。 柱也可具有如下多層結(jié)構(gòu)，即包括含有銅的金屬層、及含有鎳與鈦的合金的金屬層。進(jìn)而， 柱還可具有如下多層結(jié)構(gòu)，即包括含有銅的金屬層、及含有鎳與鋅的合金的金屬層。柱還可 具有如下多層結(jié)構(gòu)，即包括含有銅的金屬層、及含有鈦與鋅的合金的金屬層。柱還可具有如 下多層結(jié)構(gòu)，即包括含有銅的金屬層、以及含有鎳、鈦及鋅的合金的金屬層。
[0052]存在將第一金屬柱及第二金屬柱設(shè)為僅含有銅的單層結(jié)構(gòu)的參考例。在制造步驟 中，為了使第一金屬柱及第二金屬柱的端面從絕緣層（樹脂層）露出，而進(jìn)行被稱為BSG (Back Side Grinding，背面研磨）處理的磨削處理。此時，在銅等相對較軟的金屬的情況 下，在磨削處理時難以均勻地進(jìn)行加工，從而存在柱的端面的形狀不均勻的情況，因此，有 于制造步驟中良率降低的情況。在該參考例中，也存在如下情況，即如果想要維持柱的良好 形狀，則例如磨削處理的制程時間變長。
[0053]針對此，在實施方式中，對第一金屬柱23應(yīng)用多層結(jié)構(gòu)，即包括例如含有銅的金屬 層、及含有鎳的金屬層。被研磨的部分含有鎳。第二金屬柱24也與第一金屬柱23相同地具有 多層結(jié)構(gòu)，即包括含有銅的金屬層、及含有鎳的金屬層。鎳的硬度比銅的硬度硬。具體而言， 鎳的維氏硬度為約638兆帕斯卡(MPa)，銅的維氏硬度為約369MPa。因此，與僅含有銅層的單 層結(jié)構(gòu)相比，能夠抑制形狀的不均勻。
[0054]在實施方式中，在第一金屬柱23及第二金屬柱24的各者，被研磨的部分也可含有 鈦。具體而言，鈦的維氏硬度為約970MPa。在第一金屬柱23及第二金屬柱24的各者，被研磨 的部分也可包含含有鎳與鈦的合金。
[0055] 在實施方式中，金屬柱具有多層結(jié)構(gòu)，即包括例如金屬層、及比該金屬層硬的金屬 層，由此能夠抑制形狀的不均勾。從而，能夠提高制造步驟的良率。進(jìn)而，例如，磨削處理的 條件的范圍變寬，例如，能夠縮短制程時間。從而，在實施方式中，能夠獲得高生產(chǎn)性。
[0056] 更佳為在金屬柱使用鎳。由此，在下述焊料基底層形成步驟中能夠省略鍍鎳。
[0057]如圖1A所示，第二金屬層23b的X軸方向上的寬度與第一金屬層23a的至少一部分 的X軸方向上的寬度大致相同。第二金屬層23b的X軸方向上的寬度也可比第一金屬層23a的 至少一部分的X軸方向上的寬度窄。第四金屬層24b的X軸方向上的寬度與第三金屬層24a的 至少一部分的X軸方向上的寬度大致相同。第四金屬層24b的X軸方向上的寬度也可比第三 金屬層24a的至少一部分的X軸方向上的寬度窄。例如，第一金屬柱23及第二金屬柱24的各 者也可是截面設(shè)置為階梯狀。
[0058]第一金屬層23a的Z軸方向上的厚度dl比第二金屬層23b的Z軸方向上的厚度d2厚。 厚度dl例如為3微米(μπι)以上100μπι以下。厚度d2例如為2μπι以上5μπι以下。第三金屬層24a的 Z軸方向上的厚度d3比第四金屬層24b的Z軸方向上的厚度d4厚。厚度d3例如為3μπι以上100μ m以下。厚度d4例如為2μηι以上5μηι以下。
[0059] 第二金屬層23b包含第一端面23c。第一端面23c在Ζ軸方向上不與絕緣層25重疊。 第一端面23c位于與第一配線層21為相反側(cè)。第一端面23c從絕緣層25露出，作為能夠與安 裝基板等的外部電路連接的外部端子而發(fā)揮功能。第四金屬層24b包含第二端面24c。第二 端面24c在Z軸方向上不與絕緣層25重疊。第二端面24c位于與第二配線層22為相反側(cè)。第二 端面24c從絕緣層25露出，作為能夠與安裝基板等的外部電路連接的外部端子而發(fā)揮功能。 這些第一端面23c及第二端面24c例如經(jīng)由焊料、或?qū)щ娦越雍喜牧?金等），而接合于安裝 基板的焊盤圖案。
[0060] 半導(dǎo)體部15通過外延生長法形成在下述的基板上。該基板在形成支撐體100之后 被除去，基板未設(shè)置在第一面15a的側(cè)。
[0061] 作為第一金屬層23a及第三金屬層24a的材料，例如能夠使用銅。通過使用銅，可具 有良好的導(dǎo)熱性、高迀移耐性，及能夠提高相對于絕緣材料的密接性。
[0062]絕緣層25補(bǔ)強(qiáng)第一金屬柱23及第二金屬柱24。絕緣層25較理想為使用熱膨脹率與 安裝基板相同或相近的材料。作為此種絕緣層25,例如，能夠列舉主要含有環(huán)氧樹脂的樹 月旨、主要含有硅樹脂的樹脂、主要含有氟樹脂的樹脂。此外，在絕緣層25的成為基礎(chǔ)的樹脂 中也可含有光吸收材料。絕緣層25能夠使用含有對發(fā)光層13所發(fā)出的光具有光吸收性的碳 黑等顏料成分的黑色樹脂。由此，能夠抑制從支撐體100的側(cè)面及安裝面?zhèn)嚷┕狻?br>[0063]通過安裝半導(dǎo)體發(fā)光裝置110時的熱負(fù)載，由使第一端面23c及第二端面24c接合 于安裝基板的焊盤的焊料等所致的應(yīng)力施加至半導(dǎo)體部15。第一金屬柱23、第二金屬柱24 及絕緣層25吸收并緩和該應(yīng)力。特別是，通過將比半導(dǎo)體部15柔軟的絕緣層25用作支撐體 100的一部分，能夠提高應(yīng)力緩和效果。
[0064] 實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置110是芯片尺寸封裝結(jié)構(gòu)的小型半導(dǎo)體發(fā)光裝置。因 此，在應(yīng)用于例如照明用燈具等時，能夠提高燈具設(shè)計的自由度。
[0065] 圖3是例示第一實施方式的另一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0066]實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置111包含第一金屬柱23、及第二金屬柱24。第一金屬柱 23還包含第五金屬層23d。第五金屬層23d含有金(Au)。第二金屬層23b設(shè)置在第一金屬層 23a與第五金屬層23d之間。第二金屬柱24還包含第六金屬層24d。第六金屬層24d含有金。第 四金屬層24b設(shè)置在第三金屬層24a與第六金屬層24d之間。具體而言，例如，在含有鎳的第 二金屬層23b下還設(shè)置有含有金的第五金屬層23d。在含有鎳的第四金屬層24b下還設(shè)置有 含有金的第六金屬層24d。第五金屬層23d及第六金屬層24d例如為鍍金層。通過設(shè)置鍍金 層，能夠提高焊料的濡濕性。另外，第五金屬層23d及第六金屬層24d各者的厚度例如為0.01 Mi以上0. Ιμπι以下。
[0067] 在焊料基底層形成步驟中設(shè)置鍍鎳層及鍍金層。鍍鎳層成為鍍金層的基底。但是， 實施方式的金屬柱是在柱上設(shè)置有鎳層。因此，能夠省略焊料基底層形成步驟中的鍍鎳層 及鍍金層中的鍍鎳層的形成步驟。另外，鍍金層的形成方法能夠使用電解電鍍或無電解電 鍍中的任一種方法。
[0068] 以此方式，通過金屬柱的多層結(jié)構(gòu)除能夠抑制形狀的不均勻以外，還能夠在焊料 基底層形成步驟中省略鍍鎳層的形成步驟，從而能夠?qū)崿F(xiàn)焊料基底層形成步驟的縮短。
[0069] 圖4Α、圖4Β、圖5Α、圖5Β、圖6Α、圖6Β、圖7Α、圖7Β、圖8Α、圖8Β、圖9Α、圖9Β、圖 10Α、圖 10Β、圖11Α及圖11Β是例示第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的步驟順序示意性 剖視圖。
[0070] 如圖4Α所示，在基板10的主面上形成半導(dǎo)體部15。例如，通過M0CVD(metal organic chemical vapor deposition，有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積)法，而在基板10的主面上 依序外延生長第一半導(dǎo)體層11、發(fā)光層13及第二半導(dǎo)體層12。
[0071] 在半導(dǎo)體部15中，基板10側(cè)的面是第一面15a，基板10的相反側(cè)的面是第二面15b。
[0072] 基板10能夠使用例如硅基板?；蛘撸?0也可是藍(lán)寶石基板。半導(dǎo)體部15能夠使 用例如含有氮化鎵(GaN)的氮化物半導(dǎo)體。
[0073] 第一半導(dǎo)體層11例如具有設(shè)置在基板10的主面上的緩沖層、及設(shè)置在緩沖層上的 η型GaN層。第二半導(dǎo)體層12例如具有設(shè)置在發(fā)光層13上的p型AlGaN層、及設(shè)置在該p型 AlGaN層上的p型GaN層。發(fā)光層13例如具有MQW(Multiple Quantum well，多層量子井）結(jié) 構(gòu)。
[0074] 如圖4B所示，第二半導(dǎo)體層12及發(fā)光層13被選擇性地除去。例如，通過RIE (Reactive Ion Etching，反應(yīng)性離子蝕刻)法而選擇性地對第二半導(dǎo)體層12及發(fā)光層13蝕 亥IJ，從而使第一半導(dǎo)體層11露出。
[0075]如圖5A所示，選擇性地將第一半導(dǎo)體層11除去而形成槽90。在基板10的主面上，半 導(dǎo)體部15通過槽90而被分離成多個部分。槽90貫通半導(dǎo)體部15而到達(dá)基板10。根據(jù)蝕刻條 件也存在如下情況，即基板10的主面也略微被蝕刻，從而槽90的底面后退至比基板10與半 導(dǎo)體部15的界面更下方。另外，槽90也可在形成第一電極16及第二電極17之后形成。
[0076]如圖5B所示，在第二半導(dǎo)體層12的表面形成有第二電極17(p電極）。此外，在已經(jīng) 選擇性地除去第二半導(dǎo)體層12及發(fā)光層13的區(qū)域的第一半導(dǎo)體層11的表面形成有第一電 極16(n電極）。
[0077] 第一電極16及第二電極17例如是通過濺鍍法、蒸鍍法等而形成。第一電極16與第 二電極17既可先形成任一者，也可使用相同的材料同時形成。
[0078] 形成在積層有發(fā)光層13的區(qū)域的第二電極17包含反射發(fā)光層13的放射光的反射 膜。例如，第二電極17含有銀、銀合金、鋁及鋁合金中的至少任一者。此外，為了防止反射膜 的硫化、氧化，第二電極17也可包含金屬保護(hù)膜(障壁金屬）。
[0079] 如圖6A所示，于設(shè)置在基板10上的半導(dǎo)體部15上形成有層間絕緣層18。層間絕緣 層18保護(hù)第一電極16及第二電極17。此外，層間絕緣層18保護(hù)與半導(dǎo)體部15的第一面15a連 續(xù)的側(cè)面15c。此外，層間絕緣層18也形成在槽90的底面的基板10的表面。層間絕緣層18例 如能夠使用通過CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積)法而形成的氧化娃膜或 氮化硅膜。
[0080] 如圖6B所示，在層間絕緣層18例如通過使用抗蝕劑掩模的濕式蝕刻而形成有第一 開口 18a與第二開口 18b。第一開口 18a到達(dá)第一電極16,第二開口 18b到達(dá)第二電極17。
[0081] 如圖6B所示，在層間絕緣層18的表面、第一開口 18a的內(nèi)壁(側(cè)壁及底面）、及第二 開口 18b的內(nèi)壁(側(cè)壁及底面)形成有基底金屬層60?；捉饘賹?0例如具有鋁膜、鈦膜、及 銅膜?；捉饘賹?0例如是通過濺鍍法而形成。
[0082]如圖7A所示，在基底金屬層60上，在選擇性地形成抗蝕劑掩模91之后，通過將基底 金屬層60的銅膜用作籽晶層的電解鍍銅法而形成第一配線層21、第二配線層22及反射層 50 〇
[0083]第一配線層21也形成在第一開口 18a內(nèi)，與第一電極16電性連接。第二配線層22也 形成在第二開口 18b內(nèi)，與第二電極17電性連接?？刮g劑掩模91例如使用溶劑或氧等離子體 而如圖7B所示被除去。
[0084]如圖8A所示，于在第一配線層21、第二配線層22及反射層50上的整個表面形成樹 脂層之后，將反射層50上的樹脂層留下作為掩模層55。掩模層55例如為感光性的聚酰亞銨 樹脂，通過對形成在整個表面的樹脂層的選擇性曝光、及曝光后的顯影，而使掩模層55殘留 在反射層50上。掩模層55覆蓋反射層50,并殘留在半導(dǎo)體部15的側(cè)面15c的周圍區(qū)域。
[0085]在形成第一金屬柱23及第二金屬柱24之前的凹凸（階差)較小的階段形成掩模層 55,由此易于進(jìn)行對掩模層55的光刻。
[0086]如圖8B所示，在圖8A所示的結(jié)構(gòu)體上，在選擇性地形成抗蝕劑掩模92之后，通過將 第一配線層21及第二配線層22用作籽晶層的電解鍍銅法而形成第一金屬柱23及第二金屬 柱24。在該例中，第一金屬柱23具有如下多層結(jié)構(gòu)，即包括含有銅的第一金屬層23a、及含有 鎳的第二金屬層23b。第二金屬柱24具有如下多層結(jié)構(gòu)，即包括含有銅的第三金屬層24a、及 含有鎳的第四金屬層24b。
[0087]第一金屬層23a形成在第一配線層21上。第一配線層21與第一金屬層23a使用相同 的銅材料而一體化。在第一金屬層23a上形成第二金屬層23b。第三金屬層24a形成在第二配 線層22上。第二配線層22與第三金屬層24a使用相同的銅材料而一體化。在第三金屬層24a 上形成第四金屬層24。另外，反射層50及掩模層55被抗蝕劑掩模92覆蓋，且未在反射層50及 掩模層55上設(shè)置金屬柱。
[0088 ]如圖9A所示，例如使用溶劑或氧等離子體而將圖8B的抗蝕劑掩模9 2除去。
[0089] 在此時間點，第一配線層21與第二配線層22經(jīng)由基底金屬層60而連結(jié)。此外，第一 配線層21與反射層50也經(jīng)由基底金屬層60而連結(jié)，第二配線層22與反射層50也經(jīng)由基底金 屬層60而連結(jié)。
[0090] 因此，如圖9B所示，通過蝕刻而將這些基底金屬層60除去。由此，斷開第一配線層 21與第二配線層22的電性連接、第一配線層21與反射層50的電性連接、及第二配線層22與 反射層50的電性連接。
[0091] 如圖10A所示，在圖9B所示的結(jié)構(gòu)體上形成絕緣層25。絕緣層25形成在第一配線層 21、第一金屬柱23、第二配線層22及第二金屬柱24上。絕緣層25也形成在設(shè)置于反射層50上 的掩模層55上。
[0092]絕緣層25與第一配線層21、第一金屬柱23、第二配線層22及第二金屬柱24-同構(gòu) 成支撐體100。在半導(dǎo)體部15被支撐在該支撐體100上的狀態(tài)下，除去基板10。
[0093] 例如，作為硅基板的基板10是通過濕式蝕刻而除去。在基板10是藍(lán)寶石基板的情 況下，能夠通過激光剝蝕法而除去。
[0094] 在基板10上外延生長的半導(dǎo)體部15存在包含較大的內(nèi)部應(yīng)力的情況。此外，第一 金屬柱23、第二金屬柱24及絕緣層25例如為比GaN系材料的半導(dǎo)體部15柔軟的材料。從而， 即便外延生長時的內(nèi)部應(yīng)力在基板10剝離時一下子被釋放，第一金屬柱23、第二金屬柱24 及絕緣層25也會吸收該應(yīng)力。因此，能夠避免半導(dǎo)體部15在將基板10除去的過程中破損。
[0095] 如圖10B所示，通過將基板10除去而使半導(dǎo)體部15的第一面15a露出。在露出的第 一面15a上形成有微細(xì)的凹凸。例如，利用Κ0Η(氫氧化鉀)水溶液或TMAH(氫氧化四甲基銨） 等對第一面15a進(jìn)行濕式蝕刻。在該蝕刻中，會產(chǎn)生依存于結(jié)晶面方位的蝕刻速度的不同。 因此，能夠在第一面15a上形成凹凸。通過在第一面15a上形成凹凸，能夠提高發(fā)光層13的放 射光的提取效率。
[0096] 如圖11A所示，在第一面15a上隔著層間絕緣層19而形成有熒光體層30。熒光體層 30例如是通過印刷、灌注、鑄模、壓縮成形等方法而形成。層間絕緣層19提高半導(dǎo)體部15與 熒光體層30的密接性。
[0097]作為熒光體層30,也可隔著層間絕緣層19而將燒結(jié)熒光體粘結(jié)在熒光體層30上， 該燒結(jié)熒光體是經(jīng)由結(jié)合材料而使粒狀的熒光體燒結(jié)而成。
[0098]熒光體層30也形成在半導(dǎo)體部15的側(cè)面15c的周圍區(qū)域上。在半導(dǎo)體部15的側(cè)面 15c的周圍區(qū)域殘留著掩模層55。在該掩模層55上，隔著反射層50、層間絕緣層18及層間絕 緣層19而形成有熒光體層30。
[0099]如圖11B所示，在形成熒光體層30之后，對絕緣層25的表面進(jìn)行磨削而使第一金屬 柱23及第二金屬柱24從絕緣層25露出。即，第一金屬柱23的第一端面23c露出，第二金屬柱 24的第二端面24c露出。
[0100]成為被磨削的面的第一端面23c是鎳。成為被磨削的面的第二端面24c是鎳。如上 所述，鎳比銅硬。因此，能夠抑制在磨削時形狀變得不均勻。
[0101] 其次，在形成有將多個半導(dǎo)體部15分離的槽90的區(qū)域，將圖11B所示的結(jié)構(gòu)體切 斷。即，切斷熒光體層30、層間絕緣層19、層間絕緣層18、反射層50、掩模層55、及絕緣層25。 這些例如是通過切割刀片、或激光光而切斷。半導(dǎo)體部15不處于切割區(qū)域，因此不會受到由 切割所致的損傷。
[0102] 單片化之前的所述各步驟是在包含多個半導(dǎo)體部15的晶片狀態(tài)下進(jìn)行。晶片被單 片化為包含至少一個半導(dǎo)體部15的半導(dǎo)體發(fā)光裝置110。另外，半導(dǎo)體發(fā)光裝置110既可具 有包含一個半導(dǎo)體部15的單芯片結(jié)構(gòu)，也可具有包含多個半導(dǎo)體部15的多芯片結(jié)構(gòu)。
[0103] 單片化之前的所述各步驟是在晶片狀態(tài)下分批進(jìn)行，因此無需針對已單片化的每 一器件進(jìn)行配線層的形成、柱的形成、利用樹脂層的封裝、及熒光體層的形成，從而能夠大 幅度地降低成本。
[0104] 在晶片狀態(tài)下形成支撐體100及熒光體層30之后將該等切斷，因此熒光體層30的 側(cè)面、支撐體100的側(cè)面(掩模層55的側(cè)面、絕緣層25的側(cè)面)對齊，該等側(cè)面形成單片化的 半導(dǎo)體發(fā)光裝置110的側(cè)面。從而，能夠與無基板10的情況相互配合而提供芯片尺寸封裝結(jié) 構(gòu)的小型半導(dǎo)體發(fā)光裝置110。
[0105] (第二實施方式）
[0106] 圖12是例示第二實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0107] 實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置112包含第一金屬柱23e、及第二金屬柱24e。第一金屬 柱23e具有多層結(jié)構(gòu)，即例如包括含有銅的第一金屬層23a、及含有鎳的第二金屬層23b。第 二金屬柱24e具有多層結(jié)構(gòu)，即例如包括含有銅的第三金屬層24a、及含有鎳的第四金屬層 Mb〇
[0108]在實施方式中，第一金屬層23a包含沿著Z軸方向的第一側(cè)面23s。第二金屬層23b 設(shè)置在第一側(cè)面23s與絕緣層25之間。第三金屬層24a包含沿著Z軸方向的第二側(cè)面24s。第 四金屬層24b設(shè)置在第二側(cè)面24s與絕緣層25之間。即，含有鎳的金屬層不僅沿著含有銅的 金屬層的上表面，而且沿著含有銅的金屬層的側(cè)面而設(shè)置。通過介置有含有鎳的金屬層，而 使含有銅的金屬層不與絕緣層25接觸。含有鎳的金屬層例如能夠使用無電解電鍍而形成。 含有鎳的金屬層(第二金屬層23b及第四金屬層24b)的厚度例如為Ο.ΟΙμηι以上20μηι以下。 [0109]第二金屬層23b優(yōu)選含有鎳及鈦中的至少一種金屬。也可為第二金屬層23b還含有 鋅。第四金屬層24b優(yōu)選含有鎳及鈦中的至少一種金屬。也可為第四金屬層24b還含有鋅。 [0110]在第一實施方式中，絕緣層25與第一金屬層23a的第一側(cè)面23s、及絕緣層25與第 三金屬層24a的第二側(cè)面24s相互接觸。第一金屬層23a及第三金屬層24a均為銅。絕緣層25 為樹脂，因此存在產(chǎn)生通過銅而氧化的銅害（copper-induced degradation)的情況。由于 銅害，絕緣層25劣化。
[0111]由于金屬離子促進(jìn)樹脂的氧化反應(yīng)的觸媒作用(氧化還原反應(yīng))而樹脂劣化。銅有 尤其易于對樹脂造成影響的傾向。銅促進(jìn)被稱為所述銅害的劣化。金屬對橡膠及塑料所造 成的影響度按元素分為如下所示。據(jù)此，鈷(Co)最易使樹脂劣化，鎂(Mg)最難使樹脂劣化。
[0112] Co>Mn>Cu>Fe>V>Ni>(Ti、Ca、Ag、Zn)>Al>Mg
[0113] 通過氧化還原反應(yīng)，金屬離子(Mn+/M(n+1) + )將過氧化氫(R00H)接觸分解為自由基 (R0 ·、R00 ·)而促進(jìn)連鎖反應(yīng)。
[0114]
[0115]
[0116]
[0117]在劣化的初始階段，聚合物(RH)與金屬離子(Mn+)直接反應(yīng)而生成自由基(R·)。
[0118] RH+MX2-R ·+MX+HX
[0119] RH+MX-R ·+M+HX
[0120] 鎳、鈦及鋅與銅相比對絕緣層25的影響度較低。在實施方式中，在第一金屬層23a (銅層）的第一側(cè)面23s與絕緣層25之間設(shè)置第二金屬層23b(例如，鎳層）。在第三金屬層24a (銅層）的第二側(cè)面24s與絕緣層25之間設(shè)置第四金屬層24b(例如，鎳層）。由此，第一金屬層 23a(銅層)不與絕緣層25接觸，第三金屬層24a(銅層)也不與絕緣層25接觸。因此，通過第一 金屬柱23及第二金屬柱24各自的多層結(jié)構(gòu)而能夠抑制形狀的不均勻，并且能夠抑制在絕緣 層25產(chǎn)生銅害。
[0121 ]圖13是例示第二實施方式的另一半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0122] 實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置113包含第一金屬柱23e、及第二金屬柱24e。第一金屬 柱23e還包含第五金屬層23d。第五金屬層23d含有金。第二金屬層23b設(shè)置在第一金屬層23a 與第五金屬層23d之間。第二金屬柱24e還包含第六金屬層24d。第六金屬層24d含有金。第四 金屬層24b設(shè)置在第三金屬層24a與第六金屬層24d之間。
[0123] 具體而言，例如，在含有鎳的第二金屬層23b下還設(shè)置有含有金的第五金屬層23d。 在含有鎳的第四金屬層24b下還設(shè)置有含有金的第六金屬層24d。第五金屬層23d及第六金 屬層24d例如為鍍金層。通過設(shè)置鍍金層，能夠提高焊料的濡濕性。第五金屬層23d及第六金 屬層24d各者的厚度例如為0. Ο?μπι以上0. Ιμπι以下。
[0124] 如上所述，在焊料基底層形成步驟中設(shè)置有鍍鎳層及鍍金層。鍍鎳層成為鍍金層 的基底。實施方式的金屬柱具有鎳層。因此，能夠省略焊料基底層形成步驟中的鍍鎳層及鍍 金層中的鍍鎳層的形成步驟。另外，鍍金層的形成方法能夠使用電解電鍍或無電解電鍍中 的任一種方法。
[0125] (第三實施方式）
[0126] 圖14是例示第三實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的一部分的示意性剖視圖。
[0127] 實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置114包含第一金屬柱23f、及第二金屬柱24f。第一金屬 柱23f包含第一金屬層23a、及第二金屬層23b。第二金屬層23b與第一金屬層23a的第一側(cè)面 23s對向而設(shè)置。第二金屬層23b未設(shè)置在第一金屬層23a的下表面。第二金屬柱24f包含第 三金屬層24a、及第四金屬層24b。第四金屬層24b與第三金屬層24a的第二側(cè)面24s對向而設(shè) 置。第四金屬層24b未設(shè)置在第三金屬層24a的下表面。
[0128] 絕緣層25設(shè)置在第二金屬層23b與第四金屬層24b之間。即，第二金屬層23b設(shè)置在 第一側(cè)面23s與絕緣層25之間。第四金屬層24b設(shè)置在第二側(cè)面24s與絕緣層25之間。含有鎳 的金屬層(第二金屬層23b、第四金屬層24b)僅設(shè)置在含有銅的金屬層(第一金屬層23a、第 三金屬層24a)的側(cè)面。因此，含有銅的金屬層不與絕緣層25接觸。
[0129] 如此，也可僅在含有銅的金屬層的側(cè)面（周面）與絕緣層之間設(shè)置含有鎳的金屬 層。由此，能夠抑制金屬柱的形狀的不均勻，并且能夠抑制在絕緣層產(chǎn)生銅害。此外，也能夠 抑制金屬柱自身的氧化。
[0130] 根據(jù)實施方式，能夠提供一種高生產(chǎn)性的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
[0131] 以上，一面參照具體例，一面對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了說明。但是，本發(fā)明并不 限定于這些具體例。例如，關(guān)于半導(dǎo)體部、第一金屬柱、第二金屬柱及絕緣層等各要素的具 體構(gòu)成，只要通過本領(lǐng)域技術(shù)人員從公知的范圍適當(dāng)?shù)剡x擇而能夠同樣地實施本發(fā)明，并 能夠獲得相同的效果，則也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0132] 此外，將各具體例中的任意兩個以上要素在技術(shù)上可行的范圍進(jìn)行組合所得者只 要包含本發(fā)明的主旨，則也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0133] 除此以外，本領(lǐng)域技術(shù)人員基于上文中作為本發(fā)明的實施方式而敘述的半導(dǎo)體發(fā) 光裝置來適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)計變更而能夠?qū)嵤┑乃邪雽?dǎo)體發(fā)光裝置，只要包含本發(fā)明的主旨 則均屬于本發(fā)明的范圍。
[0134] 除此以外，在本發(fā)明的思想范疇中，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員就會想到各種變更例 及修正例，并且知曉該等變更例及修正例也屬于本發(fā)明的范圍。
[0135] 已對本發(fā)明的若干實施方式進(jìn)行了說明，但這些實施方式只是作為例子而提出 者，并非意圖限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實施方式能夠通過其他各種方式來實施，且能夠 在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變化包含在發(fā) 明的范圍或主旨中，并且包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
[0136] [符號的說明]
[0137] 1〇 基板
[0138] 11 第一半導(dǎo)體層
[0139] 11a 一部分
[0140] lib 其他部分
[0141] 12 第二半導(dǎo)體層
[0142] 13 發(fā)光層
[0143] 15 半導(dǎo)體部
[0144] 15a 第一面
[0145] 15b 第二面
[0146] 15c 側(cè)面
[0147] 15e 第一區(qū)域
[0148] 15f 第二區(qū)域
[0149] 16 第一電極
[0150] 16a 焊墊部
[0151] 17 第二電極
[0152] 18、19 層間絕緣層
[0153] 18a 第一開口
[0154] 18b 第二開口
[0155] 21 第一配線層
[0156] 21a,22a 通孔
[0157] 22 第二配線層
[0158] 23、23e、23f 第一金屬柱
[0159] 23a 第一金屬層
[0160] 23b 第二金屬層
[0161] 23c 第一端面
[0162] 23d 第五金屬層
[0163] 23s 第一側(cè)面
[0164] 24、24e、24f 第二金屬柱
[0165] 24a 第三金屬層
[0166] 24b 第四金屬層
[0167] 24c 第二端面
[0168] 24d 第六金屬層
[0169] 24s 第二側(cè)面
[0170] 25 絕緣層
[0171] 30 熒光體層
[0172] 50 反射層
[0173] 55 掩模層
[0174] 60 基底金屬層
[0175] 90 槽
[0176] 91、92 抗蝕劑掩模
[0177] 1〇〇 支撐體
[0178] 110~114 半導(dǎo)體發(fā)光裝置
[0179] dl ~d4 厚度
【主權(quán)項】
1. 一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于具備： 半導(dǎo)體部，包含第一面、與所述第一面為相反側(cè)的第二面、及發(fā)光層，且所述第二面包 含與所述發(fā)光層重疊的第一區(qū)域、及不與所述發(fā)光層重疊的第二區(qū)域； 第一金屬柱，作為與所述第二區(qū)域電性連接的第一金屬柱，包含第一金屬層、及硬度比 所述第一金屬層的硬度硬的第二金屬層，且所述第一金屬層設(shè)置在所述第二面與所述第二 金屬層的至少一部分之間； 第二金屬柱，作為在第二方向上與所述第一金屬柱并排且與所述第一區(qū)域電性連接的 第二金屬柱，所述第二方向與從所述第一面朝向所述第二面的第一方向交叉，包含第三金 屬層、及硬度比所述第三金屬層的硬度硬的第四金屬層，且所述第三金屬層設(shè)置在所述第 二面與所述第四金屬層的至少一部分之間；以及 絕緣層，設(shè)置在所述第一金屬柱與所述第二金屬柱之間。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一金屬層及所述第三金 屬層含有銅，且 所述第二金屬層及所述第四金屬層含有鎳及鈦中的至少一種金屬。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第二金屬層及所述第四金 屬層還含有鋅。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一金屬層還包含沿著所 述第一方向的第一側(cè)面， 所述第三金屬層還包含沿著所述第一方向的第二側(cè)面，且 所述第二金屬層設(shè)置在所述第一側(cè)面與所述絕緣層之間， 所述第四金屬層設(shè)置在所述第二側(cè)面與所述絕緣層之間。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一金屬柱還包含含有金 的第五金屬層， 所述第二金屬柱還包含含有金的第六金屬層，且 所述第二金屬層設(shè)置在所述第一金屬層與所述第五金屬層之間， 所述第四金屬層設(shè)置在所述第三金屬層與所述第六金屬層之間。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一金屬層的所述第一方 向上的厚度比所述第二金屬層的所述第一方向上的厚度厚，且 所述第三金屬層的所述第一方向上的厚度比所述第四金屬層的所述第一方向上的厚 度厚。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一金屬柱還包含含有金 的第五金屬層， 所述第二金屬柱還包含含有金的第六金屬層，且 所述第二金屬層設(shè)置在所述第一金屬層與所述第五金屬層之間， 所述第四金屬層設(shè)置在所述第三金屬層與所述第六金屬層之間。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一金屬層的所述第一方 向上的所述厚度為3微米以上100微米以下， 所述第二金屬層的所述第一方向上的所述厚度為2微米以上5微米以下， 所述第三金屬層的所述第一方向上的所述厚度為3微米以上100微米以下， 所述第四金屬層的所述第一方向上的所述厚度為2微米以上5微米以下。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第五金屬層的厚度為0.01 微米以上0.1微米以下，且 所述第六金屬層的厚度為〇. 01微米以上〇. 1微米以下。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:還具備設(shè)置在所述第一面上 的熒光體層。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述絕緣層設(shè)置在所述第一 金屬柱的周圍、及所述第二金屬柱的周圍。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述絕緣層包含含有顏料成 分的黑色樹脂。13. -種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于具備： 半導(dǎo)體部，包含第一面、與所述第一面為相反側(cè)的第二面、及發(fā)光層，且所述第二面包 含與所述發(fā)光層重疊的第一區(qū)域、及不與所述發(fā)光層重疊的第二區(qū)域； 第一金屬柱，作為與所述第二區(qū)域電性連接的第一金屬柱，包含第一金屬層、及硬度比 所述第一金屬層的硬度硬的第二金屬層，且所述第一金屬層包含沿著從所述第一面朝向所 述第二面的第一方向的第一側(cè)面； 第二金屬柱，作為在與所述第一方向交叉的第二方向上與所述第一金屬柱并排且與所 述第一區(qū)域電性連接的第二金屬柱，包含第三金屬層、及硬度比所述第三金屬層的硬度硬 的第四金屬層，且所述第三金屬層包含沿著所述第一方向的第二側(cè)面；以及 絕緣層，設(shè)置在所述第一金屬柱與所述第二金屬柱之間;且 所述第二金屬層設(shè)置在所述第一側(cè)面與所述絕緣層之間， 所述第四金屬層設(shè)置在所述第二側(cè)面與所述絕緣層之間。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一金屬層及所述第三 金屬層含有銅，且 所述第二金屬層及所述第四金屬層含有鎳及鈦中至少一種金屬。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于:所述第二金屬層及所述第四 金屬層還含有鋅。
【文檔編號】H01L33/62GK105990506SQ201610012015
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年1月8日
【發(fā)明人】小幡進(jìn), 小島章弘
【申請人】株式會社東芝