一種升壓式電光調(diào)q電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種升壓式電光調(diào)Q電路，包括場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2，電容C1、C2，電阻R1、R2、R3、R4和調(diào)Q晶體；場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極連接正高壓HV，源極與電阻R2相連接；場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接負(fù)高壓?HV，漏極與電阻R1相連接，電容C1的一端與場(chǎng)效應(yīng)管Q1和電阻R2的連接處相連，另一端連接電阻R3后與正負(fù)高壓?HV的公共接地端相連；電容C2的一端與場(chǎng)效應(yīng)管Q2和電阻R1的連接處相連接，另一端連接電阻R4后與正負(fù)高壓?HV的公共接地端相連；調(diào)Q晶體的一端與電容C1和電阻R3的連接處相連接，另一端與電容C2和電阻R4的連接處相連接；本發(fā)明電路上升沿快、工作穩(wěn)定；能獲得更高的電壓輸出，脈沖幅值調(diào)節(jié)范圍大；可靠性高、成本低；提高了激光器電光轉(zhuǎn)換的效率。
【專利說明】
一種升壓式電光調(diào)Q電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于高壓快速驅(qū)動(dòng)電源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種升壓式電光調(diào)Q電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 在激光技術(shù)領(lǐng)域中，電光調(diào)Q利用電光晶體的電光效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)激光腔的Q值突變， 即控制加在電光晶體兩端高壓的突變，使通過晶體的線偏振光相位延遲的突變，從而使激 光腔的損耗突變，來產(chǎn)生高峰值功率、窄脈沖寬度的激光巨脈沖。
[0003] 電光Q開關(guān)是產(chǎn)生高峰值功率激光脈沖的關(guān)鍵器件，影響電光調(diào)Q激光電光效率的 一個(gè)重要因素是Q開關(guān)速度，Q開關(guān)速度主要由調(diào)Q電路決定，如何提高調(diào)Q電路的開關(guān)速度 是電光調(diào)Q激光器的首要任務(wù)。
[0004] 現(xiàn)有的調(diào)Q電路多采用雪崩三極管級(jí)聯(lián)或者變壓器升壓的方式，對(duì)于雪崩三極管 級(jí)聯(lián)式調(diào)Q電路，輸出脈沖幅度調(diào)節(jié)范圍小，雪崩三極管一致性要求較高;對(duì)于變壓器升壓 式調(diào)Q電路，開關(guān)速度慢，電路一致性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種升壓式電光調(diào)Q電路，以實(shí)現(xiàn)納 秒級(jí)尚壓脈沖輸出，具有快速、調(diào)節(jié)范圍大、成本低和可靠性尚等特點(diǎn)。
[0006] 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種升壓式電光調(diào)Q電路，包括第一 場(chǎng)效應(yīng)管Q1、第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第一電容C1、第二電容C2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電 阻R3、第四電阻R4和調(diào)Q晶體;所述第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極連接正高壓HV，第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1 的源極與第二電阻R2相連接;所述第二電阻R2的另一端與負(fù)高壓-HV相連接;所述第二場(chǎng)效 應(yīng)管Q2的源極連接負(fù)高壓-HV，第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與第一電阻R1相連接;所述第一電阻 R1的另一端與正高壓HV相連接;所述第一電容C1的一端與第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1和第二電阻R2的 連接處相連，第一電容C1的另一端連接第三電阻R3后與正負(fù)高壓-HV的公共接地端相連;所 述第二電容C2的一端與第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2和第一電阻R1的連接處相連接，第二電容C2的另一 端連接第四電阻R4后與正負(fù)高壓-HV的公共接地端相連;所述調(diào)Q晶體的一端與第一電容C1 和第三電阻R3的連接處相連接，調(diào)Q晶體的另一端與第二電容C2和第四電阻R4的連接處相 連接。
[0007] 所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，還包括第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、第 八電阻R8、第三電容C3、第四電容C4以及與第三電阻R3并聯(lián)的第一二極管D1和與第四電阻 R4并聯(lián)的第二二極管D2;所述的第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的柵極和源極之間連接第六電阻R6,所述 的第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極和源極之間連接第七電阻R7;所述的第三電容C3和第五電阻R5并 聯(lián)后兩端分別與正高壓HV和公共接地端相連接，所述的第四電容C4和第八電阻R8并聯(lián)后兩 端分別與負(fù)高壓-HV和公共接地端相連接。
[0008] 所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，還包括第九電阻R9、第十電阻R10、第三場(chǎng)效應(yīng)管 Q3和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4;所述的第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極端與第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的源極端相連 接，所述的第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極端與第二電阻R2相連接，所述的第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極 和源極之間連接第九電阻R9;所述的第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極端與負(fù)高壓-HV相連接，所述的 第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極端與第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極端相連接，所述的第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵 極和源極之間連接第十電阻R10。
[0009]所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1和第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2由觸發(fā)電 路同步觸發(fā)。所述的第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4由觸發(fā)電路同步觸發(fā)。
[0010]所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其調(diào)Q晶體為KDP或。
[0011 ]所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其第一電容C1和第二電容C2為瓷介電容或聚丙 烯電容。其所述的第三電容C3和第四電容C4為瓷介電容或聚丙烯電容。
[0012] 本發(fā)明的有益效果是： 1、 本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的升壓式電光調(diào)Q電路上升沿快、工作穩(wěn)定； 2、 本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的升壓式電光調(diào)Q電路通過場(chǎng)效應(yīng)管串聯(lián)的方式可獲得更高的電壓輸 出，脈沖幅值調(diào)節(jié)范圍大； 3、 本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的升壓式電光調(diào)Q電路可靠性高、成本低； 4、 本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的升壓式電光調(diào)Q電路可以提高激光器電光轉(zhuǎn)換效率。
【附圖說明】
[0013] 圖1是本發(fā)明的電路原理框圖； 圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施例電路原理框圖； 圖3是本發(fā)明的第二實(shí)施例電路原理框圖； 圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施例的測(cè)試波形圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014] 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0015] 實(shí)施例1: 參照?qǐng)D1所示，作為本發(fā)明的基本實(shí)施例，一種升壓式電光調(diào)Q電路，包括第一場(chǎng)效應(yīng)管 Q1、第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第一電容C1、第二電容C2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四 電阻R4和調(diào)Q晶體;所述第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極連接正高壓HV，第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的源極與第 二電阻R2相連接;所述第二電阻R2的另一端與負(fù)高壓-HV相連接;所述第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源 極連接負(fù)高壓-HV，第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與第一電阻R1相連接;所述第一電阻R1的另一端 與正高壓HV相連接;所述第一電容C1的一端與第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1和第二電阻R2的連接處相 連，第一電容C1的另一端連接第三電阻R3后與正負(fù)高壓-HV的公共接地端相連;所述第二電 容C2的一端與第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2和第一電阻R1的連接處相連接，第二電容C2的另一端連接第 四電阻R4后與正負(fù)高壓-HV的公共接地端相連;所述調(diào)Q晶體的一端與第一電容C1和第三電 阻R3的連接處相連接，調(diào)Q晶體的另一端與第二電容C2和第四電阻R4的連接處相連接。
[0016] 進(jìn)一步，所述的調(diào)Q晶體為KDP或 本發(fā)明的原理是： 第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1和第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2在觸發(fā)信號(hào)到來前均處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)第一電容 Cl和第二電阻R2的連接端電位為負(fù)高壓-HV，第二電容C2和第一電阻R1的連接端電位為正 高壓HV，第一電容C1與第三電阻R3的連接端電位為零，第二電容C2與第四電阻R4的連接端 電位也為零，調(diào)Q晶體兩端的電位差為零。
[0017] 那么，第一電容C1與第三電阻R3的連接端的電位比第一電容C1和第二電阻R2的連 接端的電位高HV，第二電容C2與第四電阻R4的連接端的電位比第二電容C2和第一電阻R1的 連接端電位低HV。
[0018] 當(dāng)?shù)谝粓?chǎng)效應(yīng)管Q1和第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的同步觸發(fā)信號(hào)到來后，場(chǎng)效應(yīng)管均導(dǎo)通。 此時(shí)，第一電容C1和第二電阻R2的連接端電位為HV，第二電容C2和第一電阻R1的連接端電 位為-HV。
[0019] 由于第一電容C1和第二電容C2兩端的壓差不能突變，那么，第一電容C1與第三電 阻R3的連接端電位為2HV，第二電容C2與第四電阻R4的連接端的電位為-2HV，調(diào)Q晶體兩端 的電位差為4HV，從而在調(diào)Q晶體兩端獲得納秒級(jí)高壓脈沖輸出。
[0020] 因此，通過場(chǎng)效應(yīng)管串聯(lián)的方式提高耐壓可以獲得更大的調(diào)節(jié)范圍，調(diào)節(jié)正負(fù)高 壓HV可以獲得4HV高壓脈沖輸出。
[0021] 實(shí)施例2: 是相較實(shí)施例1進(jìn)一步的實(shí)施例，如圖2所示，它還包括第五電阻R5、第六電阻R6、第七 電阻R7和第八電阻R8,第三電容C3、第四電容C4以及第一二極管D1和第二二極管D2。其中， 第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的柵極和源極之間連接第六電阻R6,所述的第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極和源極 之間連接第七電阻R7;第三電容C3和第五電阻R5并聯(lián)后兩端分別與正高壓HV和公共接地端 相連接，所述的第四電容C4和第八電阻R8并聯(lián)后兩端分別與負(fù)高壓-HV和公共接地端相連 接。
[0022]具體而言，所述的第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極端與正高壓HV相連接，第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1 的源極端連接第二電阻R2,第二電阻R2的另一端連接負(fù)高壓-HV;所述的第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2源 極端連接負(fù)高壓-HV，漏極端連接第一電阻R1，第一電阻R1的另一端連接正高壓HV;所述的 第一電容C1的一端連接第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1源極端與第二電阻R2的連接端，第一電容C1的另一 端連接第三電阻R3，第三電阻R3的另一端接正負(fù)高壓的公共接地端，第一二極管D1與第三 電阻R3并聯(lián);所述的第二電容C2-端連接第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極端與第一電阻R1的連接 端，第二電容C2的另一端連接第四電阻R4,第四電阻R4的另一端接正負(fù)高壓的公共接地端， 第二二極管D2與第四電阻R4并聯(lián);所述的調(diào)Q晶體KDP的一端連接第一電容C1與第三電阻R3 的連接端，調(diào)Q晶體KDP的另一端連接第二電容C2與第四電阻R4的連接端;所述的第六電阻 R6連接到第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的柵極和源極之間，第七電阻R7連接到第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極和 源極之間；所述的第三電容C3和第五電阻電容R5并聯(lián)后連接到正高壓HV和公共接地端，第 四電容C4和第八電阻R8并聯(lián)后連接到負(fù)高壓-HV和公共接地端。
[0023] 進(jìn)一步，第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3和第四電容C4為瓷介電容或聚丙烯 電容。
[0024]這樣兩路隔離的同步觸發(fā)信號(hào)分別連接到第六電阻R6和第七電阻R7兩端，一路觸 發(fā)信號(hào)正連接到第六電阻R6和第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1柵極連接端G1，觸發(fā)信號(hào)負(fù)連接到第六電阻 R6和第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1源極的連接端S1;另一路觸發(fā)信號(hào)正連接到第七電阻R7和第二場(chǎng)效應(yīng) 管Q2柵極連接端G2,觸發(fā)信號(hào)負(fù)連接到第七電阻R7和第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2源極的連接端S2。
[0025] 實(shí)施例3: 如圖3所示，在實(shí)施例2基礎(chǔ)上更進(jìn)一步，采用兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管串聯(lián)的方式，來獲得更高的 調(diào)Q電壓，它還包括第九電阻R9、第十電阻R10、第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4。其中第 三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極端與第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的源極端相連接，第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極端與第 二電阻R2相連接，第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極和源極之間連接第九電阻R9;第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的 源極端與負(fù)高壓-HV相連接，第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極端與第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極端相連接， 第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極和源極之間連接第十電阻R10。
[0026]具體而言，所述的第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1漏極端連接正高壓HV，第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1源極端 連接第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極端，第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極端連接第二電阻R2,第二電阻R2的 另一端連接負(fù)高壓-HV;所述的第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4源極端連接負(fù)高壓-HV，第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的 漏極端連接第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極端，第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極端連接第一電阻R1，第一電 阻R1的另一端連接正高壓HV;所述的第一電容C1 一端連接第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3源極端與第二電 阻R2的連接端，第一電容C1的另一端連接第三電阻R3，第三電阻R3的另一端接正負(fù)高壓的 公共接地端，第一二極管D1與第三電阻R3并聯(lián);所述的第二電容C2-端連接第二場(chǎng)效應(yīng)管 Q2漏極端與第一電阻R1的連接端，第二電容C2的另一端連接第四電阻R4,第四電阻R4的另 一端接正負(fù)高壓的公共接地端，第二二極管D2與第四電阻R4并聯(lián);所述的調(diào)Q晶體KDP的一 端連接第一電容C1與第三電阻R3的連接端，調(diào)Q晶體KDP的另一端連接第二電容C2與第四電 阻R4的連接端;所述的第六電阻R6連接到第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1的柵極和源極之間，第九電阻R9 連接到第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極和源極之間，第七電阻R7連接到第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極和源 極之間，第十電阻R10連接到第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極和源極之間；所述的第三電容C3和第五 電阻R5并聯(lián)后連接到正高壓HV和公共接地端，第四電容C4和第八電阻R8并聯(lián)后連接到負(fù)高 壓-HV和公共接地端。
[0027]四路隔離的同步觸發(fā)信號(hào)分別連接到第六電阻R6、第九電阻R9、第七電阻R7和第 十電阻R10兩端，第一路觸發(fā)信號(hào)正連接到第六電阻R6和第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1柵極連接端G1，第 一路觸發(fā)信號(hào)負(fù)連接到第六電阻R6和第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1源極的連接端S1;第二路觸發(fā)信號(hào)正 連接到第九電阻R9和第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3柵極連接端G3,第二路觸發(fā)信號(hào)負(fù)連接到第九電阻R9 和第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3源極的連接端S3;第三路觸發(fā)信號(hào)正連接到第七電阻R7和第二場(chǎng)效應(yīng)管 Q2柵極連接端G2,第三路觸發(fā)信號(hào)負(fù)連接到第七電阻R7和第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2源極的連接端 S2;第四路觸發(fā)信號(hào)正連接到第十電阻R10和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4柵極連接端G4,觸發(fā)信號(hào)負(fù)連 接到第十電阻R10和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4源極的連接端S4。
[0028]進(jìn)一步，第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1、第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4由 觸發(fā)電路同步觸發(fā)。
[0029] 本發(fā)明采用正負(fù)高壓電源供電，實(shí)現(xiàn)了納秒級(jí)高壓脈沖輸出，具有快速、調(diào)節(jié)范圍 大、成本低、可靠性高等特點(diǎn)，可用于升壓式電光調(diào)Q、高能物理、雷達(dá)等領(lǐng)域。
[0030] 第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1、第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4耐壓值Vds 不小于1500V，輸入電容盡量小;第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第四電容C4耐壓值 不低于1500V，第三電容C3和第四電容C4容量為22nF，第一電容C1和第二電容C2容量為InF; 第五電阻R5和第八電阻R8為2512封裝，阻值為10ΜΩ ;第六電阻R6、第七電阻R7、第九電阻R9 和第十電阻R10阻值為51Ω ;第一電阻R1和第二電阻R2為2512封裝，阻值為100kQ ;第三電 阻R3和第四電阻R4為2512封裝，阻值為10k Ω ;第一二極管D1和第二二極管D2耐壓值大于 3000V。測(cè)試時(shí)，采用Agilent MS06032A示波器，采用Tektronix P6015A探頭，衰減1000倍， 測(cè)試波形如圖4所示。測(cè)試脈沖個(gè)數(shù)為1282個(gè)，脈沖上升沿最大、最小值分別為4.4ns和 7. Ins，脈沖幅度最大、最小值分別為5320V和5450V。
[0031]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，以及部分運(yùn)用的實(shí)施例，對(duì)于 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和 改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種升壓式電光調(diào)Q電路，其特征在于:包括第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql、第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第一 電容CU第二電容C2、第一電阻RU第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和調(diào)Q晶體； 所述第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql的漏極連接正高壓HV，第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql的源極與第二電阻R2相連 接;所述第二電阻R2的另一端與負(fù)高壓-HV相連接； 所述第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接負(fù)高壓-HV，第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與第一電阻Rl相 連接;所述第一電阻Rl的另一端與正高壓HV相連接； 所述第一電容Cl的一端與第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql和第二電阻R2的連接處相連，第一電容Cl的 另一端連接第三電阻R3后與正負(fù)高壓-HV的公共接地端相連； 所述第二電容C2的一端與第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2和第一電阻Rl的連接處相連接，第二電容C2 的另一端連接第四電阻R4后與正負(fù)高壓-HV的公共接地端相連； 所述調(diào)Q晶體的一端與第一電容Cl和第三電阻R3的連接處相連接，調(diào)Q晶體的另一端與 第二電容C2和第四電阻R4的連接處相連接。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其特征在于，還包括第五電阻R5、第 六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第三電容C3、第四電容C4以及與第三電阻R3并聯(lián)的第 一二極管Dl和與第四電阻R4并聯(lián)的第二二極管D2; 所述的第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql的柵極和源極之間連接第六電阻R6,所述的第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的 柵極和源極之間連接第七電阻R7; 所述的第三電容C3和第五電阻R5并聯(lián)后兩端分別與正高壓HV和公共接地端相連接，所 述的第四電容C4和第八電阻R8并聯(lián)后兩端分別與負(fù)高壓-HV和公共接地端相連接。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其特征在于，還包括第九電阻R9、第 十電阻RlO、第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4; 所述的第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極端與第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql的源極端相連接，所述的第三場(chǎng)效 應(yīng)管Q3的源極端與第二電阻R2相連接，所述的第三場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極和源極之間連接第九 電阻R9; 所述的第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極端與負(fù)高壓-HV相連接，所述的第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極 端與第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極端相連接，所述的第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極和源極之間連接第十 電阻RlO。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其特征在于，所述的第三場(chǎng)效應(yīng)管 Q3和第四場(chǎng)效應(yīng)管Q4由觸發(fā)電路同步觸發(fā)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其特征在于，所述的第一場(chǎng)效應(yīng)管 Ql和第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2由觸發(fā)電路同步觸發(fā)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其特征在于，所述的調(diào) Q晶體為KDP或。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其特征在于，所述的第 一電容Cl和第二電容C2為瓷介電容或聚丙烯電容。8. 根據(jù)權(quán)利要求2至5任意一項(xiàng)所述的一種升壓式電光調(diào)Q電路，其特征在于，所述的第 三電容C3和第四電容C4為瓷介電容或聚丙烯電容。
【文檔編號(hào)】H01S3/115GK106025784SQ201610477667
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年6月27日
【發(fā)明人】練文, 張?chǎng)? 郭良賢, 彭堂超, 唐培
【申請(qǐng)人】湖北久之洋紅外系統(tǒng)股份有限公司