主動元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種主動元件，適于設(shè)置于基板上，其包括多晶硅半導(dǎo)體層、第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、第一接觸窗、氧化物半導(dǎo)體層、第一電極及一第二電極。多晶硅半導(dǎo)體層設(shè)置于基板上，具有第一摻雜區(qū)、通道區(qū)及第二摻雜區(qū)，通道區(qū)設(shè)置于第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)之間。第一絕緣層覆蓋多晶硅半導(dǎo)體層及基板。柵極對應(yīng)通道區(qū)設(shè)置于第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋柵極及第一絕緣層，第一絕緣層及第二絕緣層具有一第一接觸窗。氧化物半導(dǎo)體層對應(yīng)柵極設(shè)置于第二絕緣層上。第一電極及一第二電極分別相對設(shè)置于氧化物半導(dǎo)體層上，氧化物半導(dǎo)體層電性連接第二電極，并經(jīng)第一接觸窗與第二摻雜區(qū)電性連接。
【專利說明】
主動元件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種主動元件，且特別是有關(guān)于一種提升開口率及達到窄邊框的主動元件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前顯示面板中大多設(shè)置單一類型的主動元件，而主動元件例如為多晶硅半導(dǎo)體主動元件、非晶硅半導(dǎo)體主動元件或氧化物半導(dǎo)體主動元件。一般而言，各種主動元件分別具有應(yīng)用于顯示面板中的優(yōu)勢及劣勢。然而，因應(yīng)未來趨勢發(fā)展，希望透過各種主動元件結(jié)合應(yīng)用在顯示面板中。相對地，受限于顯示面板高解析度及高開口率的需求，如何將各種主動元件結(jié)合設(shè)計于顯示面板中且不影響面板開口率，則為目前亟需解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種主動元件，利用垂直堆迭式電路設(shè)計，并搭配制程達到節(jié)省空間的目的，進而提升開口率及窄邊框的效果。
[0004]本發(fā)明提供一實施例的主動元件，適于配置于基板上。主動元件包括多晶硅半導(dǎo)體層、第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、第一接觸窗、氧化物半導(dǎo)體層、第一電極及一第二電極。多晶硅半導(dǎo)體層設(shè)置于基板上，且具有第一摻雜區(qū)、通道區(qū)及第二摻雜區(qū)，且通道區(qū)設(shè)置于第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)之間。第一絕緣層覆蓋多晶硅半導(dǎo)體層及基板。柵極對應(yīng)通道區(qū)設(shè)置于第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋柵極及第一絕緣層，其中第一絕緣層及第二絕緣層具有第一接觸窗。氧化物半導(dǎo)體層對應(yīng)柵極設(shè)置于第二絕緣層上。第一電極及一第二電極分別相對設(shè)置于氧化物半導(dǎo)體層上，其中氧化物半導(dǎo)體層電性連接第二電極，并經(jīng)第一接觸窗與第二摻雜區(qū)電性連接。
[0005]本發(fā)明提供另一實施例的主動元件，適于配置于基板上。主動元件包括第一多晶硅半導(dǎo)體層、第二多晶硅半導(dǎo)體層、第一絕緣層、第一柵極、第二柵極、第二絕緣層、第一接觸窗、第二接觸窗、第一氧化物半導(dǎo)體層、第二氧化物半導(dǎo)體層、第一電極及一第二電極。第一多晶硅半導(dǎo)體層及第二多晶硅半導(dǎo)體層設(shè)置于基板上，其中第一多晶硅半導(dǎo)體層具有第一摻雜區(qū)、第一通道區(qū)及第二摻雜區(qū)，第二多晶硅半導(dǎo)體層具有第三摻雜區(qū)、第二通道區(qū)及第四摻雜區(qū)，且第一通道區(qū)設(shè)置于第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)之間，第二通道區(qū)設(shè)置于第三摻雜區(qū)及第四摻雜區(qū)之間。第一絕緣層覆蓋第一多晶硅半導(dǎo)體層、第二多晶硅半導(dǎo)體層及基板。第一柵極及第二柵極分別對應(yīng)第一通道區(qū)及第二通道區(qū)設(shè)置于第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋第一柵極、第二柵極及第一絕緣層，其中第二絕緣層具有第一接觸窗及第二接觸窗，且第一接觸窗及第二接觸窗分別對應(yīng)第一柵極及第二柵極設(shè)置。第一氧化物半導(dǎo)體層及第二氧化物半導(dǎo)體層分別對應(yīng)第一柵極及第二柵極設(shè)置于第二絕緣層上。第一電極及一第二電極分別相對設(shè)置于第氧化物半導(dǎo)體層及第二氧化物半導(dǎo)體層上，第一電極電性連接于第一摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)、第二柵極、第一氧化物半導(dǎo)體層及第二氧化物半導(dǎo)體層，且第二電極電性連接于第二摻雜區(qū)、第四摻雜區(qū)、第一柵極、第一氧化物半導(dǎo)體層及第二氧化物半導(dǎo)體層，其中第一電極包含第一電極部、第二電極部、第一連接部及第二連接部，且第二電極部包含第三電極部、第四電極部、第三連接部及第四連接部。
[0006]基于上述，本發(fā)明的主動元件于一垂直投影方向上同時設(shè)有多晶硅半導(dǎo)體層及氧化物半導(dǎo)體層，且兩種半導(dǎo)體層共用柵極進而提升主動元件的空間利用率。因此，當(dāng)本發(fā)明的主動元件設(shè)置于顯示面板的顯示區(qū)使得開口率增加，還可進一步地達到窄邊框的功效。另外，本發(fā)明的主動元件同時兼具多晶硅半導(dǎo)體主動元件及氧化物半導(dǎo)體主動元件的優(yōu)勢，除了具有較高的電子移動率亦可達到較佳的低漏電流及臨界電壓。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0008]圖1A至圖1G為本發(fā)明一實施例的主動元件的制造流程上視示意圖。
[0009]圖2為根據(jù)圖1G的剖面線A-A’的剖面示意圖。
[0010]圖3A至圖3G為本發(fā)明一變化實施例的主動元件的制造流程上視示意圖。
[0011 ]圖4為根據(jù)圖3G的剖面線B-B’的剖面示意圖。
[0012]圖5A至圖5F為本發(fā)明另一實施例的主動元件的制造流程上視示意圖。
[0013]圖6為根據(jù)圖5F的剖面線C-C’的剖面示意圖。
[0014]圖7為根據(jù)圖5F的剖面線D-D’的剖面示意圖。
[0015]圖8為根據(jù)圖5F的電路設(shè)計不意圖。
[0016]其中，附圖標(biāo)記:
[0017]10、20、30:主動元件
[0018]40、50:周邊線路
[0019]30a:第一元件
[0020]30b:第二元件
[0021]100、200、300:基板
[0022]110、210、310:緩沖層
[0023]120、220:多晶硅半導(dǎo)體層
[0024]321:第一多晶硅半導(dǎo)體層
[0025]322:第二多晶硅半導(dǎo)體層
[0026]130、230、330:第一絕緣層
[0027]140、240:柵極
[0028]341:第一柵極
[0029]342:第二柵極
[0030]150、250、350:第二絕緣層
[0031]160、260:氧化物半導(dǎo)體層
[0032]361:第一氧化物半導(dǎo)體層
[0033]362:第二氧化物半導(dǎo)體層
[0034]171、271、371:第一電極
[0035]371a:第一電極部
[0036]371b:第二電極部
[0037]172、272、372:第二電極
[0038]372a:第三電極部
[0039]372b:第四電極部
[0040]El:第一氧化物半導(dǎo)體元件
[0041 ]E3:第二氧化物半導(dǎo)體元件DPl:第一摻雜區(qū)
[0042]DP2:第二摻雜區(qū)
[0043]DP3:第三摻雜區(qū)
[0044]DP4:第四摻雜區(qū)
[0045]LDl:第一輕摻雜區(qū)
[0046]LD 2:第二輕摻雜區(qū)
[0047]LD 3:第三輕摻雜區(qū)
[0048]LD 4:第四輕摻雜區(qū)
[0049]CH:通道區(qū)
[0050]CHl:第一通道區(qū)
[0051]CH2:第一通道區(qū)
[0052]THl:第一接觸窗
[0053]TH2:第二接觸窗
[0054]TH3:第三接觸窗
[0055]TH4:第四接觸窗
[0056]TH5:第五接觸窗
[0057]TH6:第六接觸窗
[0058]CTl:第一連接部
[0059]CT2:第二連接部
[0060]CT3:第三連接部[0061 ]CT4:第四連接部
[0062]A-A，、B_B，:剖面線
[0063]C-C，、D_D，:剖面線
[0064]E2:第一多晶硅半導(dǎo)體元件
[0065]E4:第二多晶硅半導(dǎo)體元件
【具體實施方式】
[0066]圖1A至圖1G為本發(fā)明一實施例的主動元件的制造流程上視示意圖。圖2為根據(jù)圖1G的剖面線A-A’的剖面示意圖。以下將依序說明本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制程流程。
[0067]請同時參閱圖1A至圖1G與圖2，提供基板100(參考圖2)?；?00的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物、或是其它可適用的材料。接著，在基板100上形成緩沖層110(參考圖2)，其材質(zhì)可為氮化硅或其他適合的材料。然后，在緩沖層110上形成多晶硅半導(dǎo)體層120(參考圖1A)，其中多晶硅半導(dǎo)體層120包含第一摻雜區(qū)DPl、第二摻雜區(qū)DP2及通道區(qū)CH。在本實施例中，多晶硅半導(dǎo)體層120的制造方法為利用一遮罩(未繪示)遮蔽局部多晶硅半導(dǎo)體層120以形成通道區(qū)CH，并針對未被遮罩遮蔽的多晶硅半導(dǎo)體層120的兩端進行摻雜以形成第一摻雜區(qū)DPl及第二摻雜區(qū)DP2。然而，本發(fā)明不限于此，其他現(xiàn)有多晶硅半導(dǎo)體層制造方法亦可用來形成本實施例的第一摻雜區(qū)DPl、通道區(qū)CH及第二摻雜區(qū)DP2。在本實施例中，第一摻雜區(qū)DPl及第二摻雜區(qū)DP2的摻雜類型可為P型摻雜，但本發(fā)明不限于此。在本實施例中，通道區(qū)CH設(shè)置于第一摻雜區(qū)DPl及第二摻雜區(qū)DP2之間，但本發(fā)明不限于此。再參考圖1B，于多晶硅半導(dǎo)體層120上方形成第一絕緣層130，第一絕緣層130例如為柵極絕緣層。第一絕緣層130的材質(zhì)可為無機絕緣材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、其它合適的材料或上述至少二種材料的堆迭層)、有機絕緣材料、其它合適的材料或上述的組合。接著如圖1C所示，形成一金屬層(未繪示)于第一絕緣層130上，并對金屬層進行圖案化以對應(yīng)通道區(qū)CH形成柵極140，且柵極140于一垂直于基板的投影方向上與通道區(qū)CH重迭，按實際需求可以是部分或是全部重迭。柵極140的材質(zhì)可為金屬、合金、其它合適的材料或上述的組合。然后如圖1D所示，第二絕緣層150沉積在柵極140及第一絕緣層130上。第二絕緣層150的材質(zhì)可與第一絕緣層相同或不同。接著如圖1E所示，于第二絕緣層150上對應(yīng)柵極140形成氧化物半導(dǎo)體層160，且氧化物半導(dǎo)體層160于一垂直于基板的投影方向上與柵極140重迭，按實際需求可以是部分或是全部重迭。氧化物半導(dǎo)體層的材質(zhì)可為氧化銦鎵鋅(Indium-Gallium-ZincOxide, IGZ0)、氧化鋅(ZnO)氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(Indium-Zinc Oxide , ΙΖ0)、氧化鎵鋅(Gallium-Zinc Oxide ,GZ0)、氧化鋅錫(Zinc-Tin Oxide，ΖΤ0)或氧化銦錫(Indium-TinOxide，ΙΤ0)、其它合適的材料或上述的組合。再如圖1F所示，于第二絕緣層150及第一絕緣層130中貫穿形成第一接觸窗THl以暴露出第二摻雜區(qū)DP2。然后如圖1G所示，分別于氧化物半導(dǎo)體層160上相對形成第一電極171及第二電極172，其中氧化物半導(dǎo)體層160電性連接第二電極172，并經(jīng)第一接觸窗THl與第二摻雜區(qū)DP2電性連接。在本實施例中，第一電極171可為源極電性連接于數(shù)據(jù)線(未繪示)，而第二電極172可為漏極電性連接于像素電極(未繪示)，但本發(fā)明不限于此。在本實施例中，如上述的主動元件10更包含設(shè)置于顯示面板(未繪不)的顯不區(qū)中，其中顯不面板例如可為液晶顯不面板、有機發(fā)光顯不面板、可燒式顯不面板、等離子顯示面板或其它適合的顯示面板。
[0068]承上述制程完成本發(fā)明的一實施例的主動元件10。本發(fā)明于一垂直于基板的投影方向上同時設(shè)有多晶硅半導(dǎo)體層及氧化物半導(dǎo)體層，且兩種半導(dǎo)體層共用柵極進而提升主動元件的空間利用率。因此，本實施例的主動元件10設(shè)置于顯示面板的顯示區(qū)使得開口率增加，還可進一步地達到窄邊框的功效。另外，本實施例的主動元件10同時兼具多晶硅半導(dǎo)體主動元件及氧化物半導(dǎo)體主動元件的優(yōu)勢，除了具有較高的電子移動率亦可達到較佳的低漏電流及臨界電壓。
[0069]圖3A至圖3G與圖4為本發(fā)明一變化實施例的主動元件。因此，下文主要針對實施例的相異處進行說明，而不再對重復(fù)部分進行贅述。請同時參閱圖3F及圖4，于形成氧化物半導(dǎo)體層260后，將蝕刻停止層280設(shè)置于氧化物半導(dǎo)體層260及第二絕緣層250上。蝕刻停止層280的材質(zhì)可為無機絕緣材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、其它合適的材料或上述至少二種材料的堆迭層)、有機絕緣材料、或其它合適的材料或上述的組合。在本實施例中，于蝕刻停止層280、第二絕緣層250及第一絕緣層230中貫穿形成第一接觸窗THl以暴露出第二摻雜區(qū)DP2，且于蝕刻停止層280中分別對應(yīng)氧化物半導(dǎo)體層260的兩端貫穿形成第二接觸窗TH2及第三接觸窗TH3以分別暴露出氧化物半導(dǎo)體層260。然后如圖3G及圖4所示，分別于蝕刻停止層280上分別對應(yīng)氧化物半導(dǎo)體層260的兩端形成第一電極271及第二電極272，其中第一電極271經(jīng)第二接觸窗TH2電性連接于氧化物半導(dǎo)體層260，第二電極272經(jīng)第三接觸窗TH3電性連接于氧化物半導(dǎo)體層260，且第二電極272經(jīng)第一接觸窗THl電性連接于第二摻雜區(qū)DP2。在本實施例中，第一電極271可為源極電性連接于數(shù)據(jù)線(未繪示)，而第二電極272可為漏極電性連接于像素電極(未繪示)，但本發(fā)明不限于此。在本實施例中，如上述的主動元件20更包含設(shè)置于顯示面板(未繪示)的顯示區(qū)中，其中顯示面板例如可為液晶顯示面板、有機發(fā)光顯示面板、可撓式顯示面板、等離子顯示面板或其它適合的顯示面板。
[0070]承上述制程完成本發(fā)明的變化實施例的主動元件20。本發(fā)明于一垂直于基板的投影方向上同時設(shè)有多晶硅半導(dǎo)體層及氧化物半導(dǎo)體層，且兩種半導(dǎo)體層共用柵極進而提升主動元件的空間利用率。因此，本實施例的主動元件20設(shè)置于顯示面板的顯示區(qū)使得開口率增加，還可進一步地達到窄邊框的功效。另外，本實施例的主動元件20同時兼具多晶硅半導(dǎo)體主動元件及氧化物半導(dǎo)體主動元件的優(yōu)勢，除了具有較高的電子移動率亦可達到較佳的低漏電流及臨界電壓。
[0071]圖5A至圖5F、圖6及圖7為本發(fā)明另一實施例的主動元件。因此，下文主要針對實施例的相異處進行說明，而不再對重復(fù)部分進行贅述。請同時參閱圖5A及圖6，在緩沖層310上形成第一多晶硅半導(dǎo)體層321及第二多晶硅半導(dǎo)體層322，其中第一多晶硅半導(dǎo)體層321具有第一摻雜區(qū)DPl、第一通道區(qū)CHl及第二摻雜區(qū)DP2，第二多晶硅半導(dǎo)體層322具有第三摻雜區(qū)DP3、第二通道區(qū)CH2及第四摻雜區(qū)DP4，且第一通道區(qū)CHl設(shè)置于第一摻雜區(qū)DPl及第二摻雜區(qū)DP2之間，第二通道區(qū)CH2設(shè)置于第三摻雜區(qū)DP3及第四摻雜區(qū)DP4之間。在本實施例中，第一摻雜區(qū)DPl、第二摻雜區(qū)DP2、第三摻雜區(qū)DP3及第四摻雜區(qū)DP4的摻雜類型可為N型摻雜，但本發(fā)明不限于此。接著如圖5B所示，于第一多晶硅半導(dǎo)體層321及第二多晶硅半導(dǎo)體層322上形成第一絕緣層330。然后如圖5C所不，形成一金屬層(未繪不)于第一絕緣層330上，并對金屬層進行圖案化以分別對應(yīng)第一通道區(qū)CHl及第二通道區(qū)CH2形成第一柵極341及第二柵極342，且第一柵極341及第二柵極342于一垂直于基板的投影方向上分別與第一通道區(qū)CHl及第二通道區(qū)CH2部分重迭。接著，第一通道區(qū)CHl及第二通道區(qū)CH2分別于一垂直于基板的投影方向上未被第一柵極341及第二柵極342遮蔽的區(qū)域設(shè)置第一輕摻雜區(qū)LDl、第二輕摻雜區(qū)LD2、第三輕摻雜區(qū)LD3及第四輕摻雜區(qū)LD4。詳細(xì)而言，第一輕摻雜區(qū)LDl設(shè)置于第一摻雜區(qū)DPl與第一通道區(qū)CHl之間，且第二輕摻雜區(qū)LD2設(shè)置于第二摻雜區(qū)DP2與第一通道區(qū)CHl之間；第三輕摻雜區(qū)LD3設(shè)置于第三摻雜區(qū)DP3與第二通道區(qū)CH2之間，且第四輕摻雜區(qū)LD4設(shè)置于第四摻雜區(qū)DP4與第二通道區(qū)CH2之間。在本實施例中，第一摻雜區(qū)DPl、第二摻雜區(qū)DP2、第三摻雜區(qū)DP3及第四摻雜區(qū)DP4的摻雜類型可與第一輕摻雜區(qū)LDl、第二輕摻雜區(qū)LD2、第三輕摻雜區(qū)LD3及第四輕摻雜區(qū)LD4的摻雜類型相同或不同，且輕摻雜區(qū)的摻雜濃度小于摻雜區(qū)的摻雜濃度。然后如圖5D所示，第二絕緣層350形成于第一柵極341、第二柵極342及第一絕緣層330上。接著，于第二絕緣層350中分別形成第一接觸窗THl以暴露出第一柵極341，與第二接觸窗TH2以暴露出第二柵極342，且分別連通貫穿第一絕緣層330及第二絕緣層350形成第三接觸窗TH3、第四接觸窗TH4、第五接觸窗TH5及第六接觸窗TH6以分別暴露出第一摻雜區(qū)DP1、第二摻雜區(qū)DP2、第三摻雜區(qū)DP3及第四摻雜區(qū)DP4。然后如圖5E所示，第一氧化物半導(dǎo)體層361及第二氧化物半導(dǎo)體層362分別對應(yīng)第一柵極341及第二柵極342設(shè)置于第二絕緣層350上。在本實施例中，第一氧化物半導(dǎo)體層361及第二氧化物半導(dǎo)體層362于一垂直于基板的投影方向上與第一柵極341及第二柵極342重迭，但本發(fā)明不限于此。接著如圖5F所示，第一電極371及第二電極372分別設(shè)置于第一氧化物半導(dǎo)體層361與第二氧化物半導(dǎo)體層362的相對兩側(cè)。其中，第一電極371包含第一電極部371a、第二電極部371b、第一連接部CTl及第二連接部CT2，且第二電極372包含第三電極部372a、第四電極部372b、第三連接部CT3及第四連接部CT4。在本實施例中，第一電極部371a及第三電極部372a分別設(shè)置于第一氧化物半導(dǎo)體層361的相對兩側(cè)且部分重迭，且第二電極部371b及第四電極部372b分別設(shè)置于第二氧化物半導(dǎo)體層362的相對兩側(cè)且部分重迭。然后，第一電極部371a及第二電極部371b透過第一連接部CTl互相電性連接，且第三電極部372a及第四電極部372b透過第三連接部CT3互相電性連接。其中，第一電極部371a及第二電極部371b分別透過第三接觸窗TH3及第五接觸窗TH5與第一摻雜區(qū)DPI及第三摻雜區(qū)DP3電性連接，且第三電極部372a及第四電極部372b分別透過第四接觸窗TH4及第六接觸窗TH6與第二摻雜區(qū)DP2及第四摻雜區(qū)DP4電性連接。最后，第二電極部371b透過第二連接部CT2與第二柵極342電性連接，且第三電極部372a透過第四連接部CT4與第一柵極341電性連接。其中，第二連接部CT2透過第二接觸窗TH2與第二柵極342電性連接，且第四連接部CT4透過第一接觸窗THl與第一柵極341電性連接。最后，再參閱圖5F，主動元件30包含第一元件30a及第二元件30b，其中第一元件30a包含第一電極部371a、第三電極部372a、第一氧化物半導(dǎo)體層361、第一柵極341、第一多晶硅半導(dǎo)體層321，且第二元件30b包含第二電極部372a、第四電極部372b、第二氧化物半導(dǎo)體層362、第二柵極342、第二多晶硅半導(dǎo)體層322。在本實施例中，如上述的主動元件30更包含設(shè)置于顯示面板(未繪示)的周邊線路區(qū)中，其中顯示面板例如可為液晶顯示面板、有機發(fā)光顯示面板、可撓式顯示面板、等離子顯示面板或其它適合的顯示面板。
[0072]請參閱圖8為根據(jù)圖5F的電路設(shè)計示意圖。并同時對照圖5F及圖8可得知，第一元件30a包含第一氧化物半導(dǎo)體元件El及第一多晶硅半導(dǎo)體元件E2，且第二元件30b包含第二氧化物半導(dǎo)體元件E3及第二多晶硅半導(dǎo)體元件E4。其中，第一氧化物半導(dǎo)體元件El與第一多晶硅半導(dǎo)體元件E2并聯(lián)，且第二氧化物半導(dǎo)體元件E3與第二多晶硅半導(dǎo)體元件E4并聯(lián)。接著，藉由第一元件30a及第二元件30b串聯(lián)形成具有靜電防護環(huán)的主動元件30。在本實施例中，主動元件30的兩端點分別與周邊線路40、50電性連接，其中周邊線路40、50例如包含掃描線、數(shù)據(jù)線、共通電極線等線路，但本發(fā)明不限于此。在本實施例中，還可更包含多個主動元件30(圖未示)互相串聯(lián)的靜電防護環(huán)，且互相串聯(lián)的第一個主動元件及最后一個主動元件分別與周邊線路40、50電性連接，但本發(fā)明不限于此。
[0073]承上述制程完成本發(fā)明的另一實施例的主動元件30。本發(fā)明除了前述實施例的優(yōu)勢之外，透過第一元件30a及第二元件30b電性串接以形成一具有靜電防護環(huán)的主動元件30。因此，本實施例的主動元件30設(shè)置于顯示面板的周邊線路區(qū)可作為靜電防護元件，以避免周邊線路區(qū)的電路設(shè)計因靜電而損壞的問題。
[0074]綜上所述，于本發(fā)明的一及另一實施例中，藉由于一垂直投影方向上同時設(shè)有多晶硅半導(dǎo)體層及氧化物半導(dǎo)體層，且兩種半導(dǎo)體層共用柵極進而提升主動元件的空間利用率。因此，本發(fā)明的主動元件設(shè)置于顯示面板的顯示區(qū)使得開口率增加，還可進一步地達到窄邊框的功效。另外，本發(fā)明的主動元件同時兼具多晶硅半導(dǎo)體主動元件及氧化物半導(dǎo)體主動元件的優(yōu)勢，除了具有較高的電子移動率亦可達到較佳的低漏電流及臨界電壓。除了前述優(yōu)勢之外，本發(fā)明亦透過元件電性串接以形成具有靜電防護的主動元件。因此，本發(fā)明的主動元件設(shè)置于顯示面板的周邊線路區(qū)可作為靜電防護元件，以避免周邊線路區(qū)的電路設(shè)計因靜電而損壞的問題。
[0075]雖然本發(fā)明已以多種實施方式公開如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求保護范圍所界定者為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種主動元件，設(shè)置于一基板上，其特征在于，該主動元件包括: 一多晶硅半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上，其中該多晶硅半導(dǎo)體層具有一第一摻雜區(qū)、一通道區(qū)及一第二摻雜區(qū)，且該通道區(qū)設(shè)置于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)之間； 一第一絕緣層，覆蓋該多晶硅半導(dǎo)體層及該基板； 一柵極，對應(yīng)該通道區(qū)設(shè)置于該第一絕緣層上； 一第二絕緣層，覆蓋該柵極及該第一絕緣層，其中該第一絕緣層及該第二絕緣層具有一第一接觸窗； 一氧化物半導(dǎo)體層，對應(yīng)該柵極設(shè)置于該第二絕緣層上；以及 一第一電極及一第二電極，分別相對設(shè)置于該氧化物半導(dǎo)體層上，其中該氧化物半導(dǎo)體層電性連接該第二電極，并經(jīng)該第一接觸窗與該第二摻雜區(qū)電性連接。2.如權(quán)利要求1所述的主動元件，其特征在于，該第一電極與該氧化物半導(dǎo)體層的一端部分接觸，且該第二電極與該氧化物半導(dǎo)體層的另一端部分接觸。3.如權(quán)利要求1所述的主動元件，其特征在于，還包含一蝕刻停止層設(shè)置于該第二絕緣層、該氧化物半導(dǎo)體層及該第一電極、該第二電極之間。4.如權(quán)利要求3所述的主動元件，其特征在于，該第一接觸窗更延伸設(shè)置于該蝕刻停止層中。5.如權(quán)利要求3所述的主動元件，其特征在于，該蝕刻停止層更包含一第二接觸窗及一第三接觸窗，且該第一電極透過該第二接觸窗與該氧化物半導(dǎo)體層電性連接，該第二電極透過該第三接觸窗與該氧化物半導(dǎo)體層電性連接。6.一種主動元件，設(shè)置于基板上，其特征在于，該主動元件包括: 一第一多晶硅半導(dǎo)體層及一第二多晶硅半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上，其中該第一多晶硅半導(dǎo)體層具有一第一摻雜區(qū)、一第一通道區(qū)及一第二摻雜區(qū)，該第二多晶硅半導(dǎo)體層具有一第三摻雜區(qū)、一第二通道區(qū)及一第四摻雜區(qū)，且該第一通道區(qū)設(shè)置于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)之間，該第二通道區(qū)設(shè)置于該第三摻雜區(qū)及該第四摻雜區(qū)之間； 一第一絕緣層，覆蓋該第一多晶硅半導(dǎo)體層、該第二多晶硅半導(dǎo)體層及該基板； 一第一柵極及一第二柵極，分別對應(yīng)該第一通道區(qū)及該第二通道區(qū)設(shè)置于該第一絕緣層上； 一第二絕緣層，覆蓋該第一柵極、該第二柵極及該第一絕緣層，其中該第二絕緣層具有一第一接觸窗及一第二接觸窗，且該第一接觸窗及該第二接觸窗分別對應(yīng)該第一柵極及該第二柵極設(shè)置； 一第一氧化物半導(dǎo)體層及一第二氧化物半導(dǎo)體層，分別對應(yīng)該第一柵極及該第二柵極設(shè)置于該第二絕緣層上；以及 一第一電極及一第二電極，分別相對設(shè)置于該第一氧化物半導(dǎo)體層及該第二氧化物半導(dǎo)體層上，該第一電極電性連接于該第一摻雜區(qū)、該第三摻雜區(qū)、該第二柵極、該第一氧化物半導(dǎo)體層及該第二氧化物半導(dǎo)體層，且該第二電極電性連接于該第二摻雜區(qū)、該第四摻雜區(qū)、該第一柵極、該第一氧化物半導(dǎo)體層及該第二氧化物半導(dǎo)體層，其中該第一電極包含一第一電極部、第二電極部、第一連接部及第二連接部，且該第二電極部包含一第三電極部、第四電極部、第三連接部及第四連接部。7.如權(quán)利要求6所述的主動元件，其特征在于，該第一電極部及該第三電極部分別相對設(shè)置于該第一氧化物半導(dǎo)體層的兩側(cè)且部分接觸，且該第二電極部及該第四電極部分別相對設(shè)置于該第二氧化物半導(dǎo)體層的兩側(cè)且部分接觸。8.如權(quán)利要求6所述的主動元件，其特征在于，該第一電極部及該第二電極部透過該第一連接部互相電性連接，且該第三電極部及該第四電極部透過該第三連接部互相電性連接。9.如權(quán)利要求6所述的主動元件，其特征在于，該第二電極部透過該第二連接部及該第二接觸窗與該第二柵極電性連接，且該第三電極部透過該第四連接部及該第一接觸窗與該第一柵極電性連接10.如權(quán)利要求6所述的主動元件，其特征在于，該第一絕緣層及該第二絕緣層更包含一第三接觸窗、一第四接觸窗、一第五接觸窗及一第六接觸窗，分別對應(yīng)該第一摻雜區(qū)、該第二摻雜區(qū)、該第三摻雜區(qū)及該第四摻雜區(qū)設(shè)置。11.如權(quán)利要求10所述的主動元件，其特征在于，該第一電極部及該第三電極部分別透過該第三接觸窗及該第四接觸窗與該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)電性連接，且該第二電極部及該第四電極部分別透過該第五接觸窗及該第六接觸窗與該第三摻雜區(qū)及該第四摻雜區(qū)電性連接。12.如權(quán)利要求6所述的主動元件，其特征在于，該第一氧化物半導(dǎo)體層更包含一第一輕摻雜區(qū)及一第二輕摻雜區(qū)，該第一輕摻雜區(qū)設(shè)置于該第一摻雜區(qū)與該第一通道區(qū)之間，且該第二輕摻雜區(qū)設(shè)置于該第二摻雜區(qū)與該第一通道區(qū)之間。13.如權(quán)利要求6所述的主動元件，其特征在于，該第二氧化物半導(dǎo)體層更包含一第三輕摻雜區(qū)及一第四輕摻雜區(qū)，該第三輕摻雜區(qū)設(shè)置于該第三摻雜區(qū)與該第二通道區(qū)之間，且該第四輕摻雜區(qū)設(shè)置于該第四摻雜區(qū)與該第二通道區(qū)之間。
【文檔編號】H01L27/02GK106057799SQ201610553295
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月14日
【發(fā)明人】陳培銘
【申請人】友達光電股份有限公司