專利名稱：主動(dòng)元件陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種主動(dòng)元件陣列基板，且特別是有關(guān)于一種具有靜電放
電(Electronic Static Discharge, ESD)保護(hù)電路的主動(dòng)元件陣列基板。
背景技術(shù)：
在日常生活環(huán)境中，靜電放電的現(xiàn)象隨處可見(jiàn)?；旧?，由于電子對(duì)于各 種物體的親和力不同，故任何兩個(gè)物體接觸之后再分開(kāi)，便很容易產(chǎn)生物體間 電荷轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，造成靜電的累積。 一旦物體中的靜電累積到一定程度，當(dāng)此 帶靜電的物體觸碰或接近另一個(gè)與其電位不同的物體時(shí)，便會(huì)發(fā)生瞬間電荷轉(zhuǎn) 移的現(xiàn)象，即是所謂的靜電放電。
一般而言，電子產(chǎn)品在制造、生產(chǎn)、組裝、運(yùn)送、甚至消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)后的使 用過(guò)程中，遭受到靜電放電傷害的可能性很高。因此，電子產(chǎn)品必須具備靜電 放電的防護(hù)設(shè)計(jì)，才能夠有效延長(zhǎng)其使用壽命。尤其是利用先進(jìn)半導(dǎo)體制程所 制作的產(chǎn)品，如液晶顯示器的主動(dòng)元件陣列基板等，由于其組成元件的尺寸很 小，因此當(dāng)元件遭受到瞬間高電壓的靜電放電時(shí)，主動(dòng)元件陣列基板內(nèi)部的線 路極易被永久性地毀損，而導(dǎo)致元件失效。
近年來(lái)，在主動(dòng)元件陣列基板的每一個(gè)像素中，大多會(huì)將此像素分割為主 像素(main pixel)與次像素(sub pixel)，且利用兩個(gè)薄膜晶體管分別加以控 制，此即為雙薄膜晶體管型(TFT-TFTtype)的像素。為了提供此種像素穩(wěn)定 的儲(chǔ)存電容，而必須在主動(dòng)元件陣列基板上對(duì)應(yīng)制作多條獨(dú)立的共通配線。然 而，這些共通配線大多形成為大面積的金屬線，因此，靜電容易累積在這些共 通配在線而產(chǎn)生靜電放電。結(jié)果是，共通配線、以及位于這些共通配線附近的 元件與線路，將會(huì)被靜電放電毀損
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種主動(dòng)元件陣列基板，其具有良好的靜電放電防 護(hù)措施。
基于上述，本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板，包括基板、多個(gè)像素單元、 多條驅(qū)動(dòng)配線、多條共通配線、靜電放電保護(hù)電路以及多個(gè)開(kāi)關(guān)元件?；寰?有顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域，此周邊區(qū)域與顯示區(qū)域鄰接。像素單元陣列排列于 基板的顯示區(qū)域內(nèi)。驅(qū)動(dòng)配線配置于顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域，并與像素單元電 性連接。共通配線配置于顯示區(qū)域且延伸到周邊區(qū)域中。靜電放電保護(hù)電路配 置于基板上的周邊區(qū)域。多個(gè)開(kāi)關(guān)元件配置于周邊電路區(qū)，每一開(kāi)關(guān)元件電性 連接于每一共通配線與靜電放電保護(hù)電路之間。
本發(fā)明再提出一種主動(dòng)元件陣列基板，包括基板、多個(gè)像素單元、多條驅(qū) 動(dòng)配線、多條共通配線以及多個(gè)開(kāi)關(guān)元件?；寰哂酗@示區(qū)域以及周邊區(qū)域， 此周邊區(qū)域與顯示區(qū)域鄰接。像素單元陣列排列于基板的顯示區(qū)域內(nèi)。驅(qū)動(dòng)配 線配置于顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域，并與像素單元電性連接。共通配線配置于顯 示區(qū)域且延伸到周邊區(qū)域中。多個(gè)開(kāi)關(guān)元件配置于周邊電路區(qū)，每一開(kāi)關(guān)元件 電性連接于相鄰的兩共通配線之間。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，上述的開(kāi)關(guān)元件包括雙向開(kāi)關(guān)元件
(Bidirectional Switch Element)。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，上述的每一開(kāi)關(guān)元件包括第一薄膜晶體
管以及第二薄膜晶體管。第一薄膜晶體管具有第一柵極與第一源極/漏極，第二 薄膜晶體管具有第二柵極與第二源極/漏極，其中，第一柵極電性連接于第二源
極/漏極，而第二柵極電性連接于第一源極/漏極。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，上述的每一開(kāi)關(guān)元件包括第一二極管以 及第二二極管。第一二極管具有第一輸出端與第一輸入端，第二二極管具有第 二輸出端與第二輸入端，其中，第一輸出端電性連接于第二輸入端，而第二輸 出端電性連接于第一輸入端。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，上述的主動(dòng)元件陣列基板的靜電放電保 護(hù)電路為接地或浮置(floating)。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，上述的像素單元包括多個(gè)主動(dòng)元件以及 多個(gè)像素電極。主動(dòng)元件分別與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)配線電性連接。像素電極分別與對(duì)
應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接。
本發(fā)明因使開(kāi)關(guān)元件電性連接于每一共通配線與靜電放電保護(hù)電路的間；
或是，使開(kāi)關(guān)元件電性連接于相鄰的兩共通配線之間。借此，即使共通配線形 成為大面積金屬時(shí)，將可以使累積在共通配在線的靜電散逸，而避免靜電放電 破壞共通配線或其附近的元件與線路。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)
明的具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說(shuō)明，其中
圖1繪示為本發(fā)明第一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。
圖2繪示為圖1的主動(dòng)元件陣列基板的共通配線附近的局部電路示意圖。
圖3A與圖3B繪示為圖2中的開(kāi)關(guān)元件的兩個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖4繪示為本發(fā)明第二實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。
圖5繪示為圖4的主動(dòng)元件陣列基板的共通配線附近的局部電路示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明100、200:主動(dòng)元件陣列基板
110:基板
112:顯示區(qū)域
114:周邊區(qū)域
120:像素單元
122:主動(dòng)元件
124:像素電極
130:驅(qū)動(dòng)配線
132:掃描配線
134:數(shù)據(jù)配線
140:共通配線
150:靜電放電保護(hù)電路
160、200、 300:開(kāi)關(guān)元件
210:第一薄膜晶體管
212:第一柵極
214:第一源極/漏極
220:第二薄膜晶體管
222:第二柵極
224:第二源極/漏極
310:第一二極管
312:第一輸出端
314:第一輸入端
320:第二二極管
322:第二輸出端
324:第二輸入端
說(shuō)明書(shū)第4/7頁(yè)
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例
圖1繪示為本發(fā)明第一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，
此主動(dòng)元件陣列基板100包括基板110、多個(gè)像素單元120、多條驅(qū)動(dòng)配線130、 多條共通配線140、靜電放電保護(hù)電路150以及多個(gè)開(kāi)關(guān)元件160?；?10 具有顯示區(qū)域112以及周邊區(qū)域114，此周邊區(qū)域114與顯示區(qū)域112鄰接。 像素單元120陣列排列于基板110的顯示區(qū)域112內(nèi)。驅(qū)動(dòng)配線130配置于顯 示區(qū)域112以及周邊區(qū)域114，并與像素單元120電性連接。共通配線140配 置于顯示區(qū)域112且延伸到周邊區(qū)域114中。靜電放電保護(hù)電路150配置于基 板110上的周邊區(qū)域114。多個(gè)開(kāi)關(guān)元件160配置于周邊電路區(qū)114，每一開(kāi) 關(guān)元件160電性連接于每一共通配線140與靜電放電保護(hù)電路150之間。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1，驅(qū)動(dòng)配線130在顯示區(qū)域112中可依其配置位置與特性 再細(xì)分為掃描配線132以及數(shù)據(jù)配線134。另外，在主動(dòng)元件陣列基板100中， 每一個(gè)像素單元120包括一個(gè)主動(dòng)元件122以及一個(gè)像素電極124，而每一個(gè) 主動(dòng)元件122分別與其所對(duì)應(yīng)的掃描配線132以及數(shù)據(jù)配線134電性連接，而 像素電極124與主動(dòng)元件122電性連接。當(dāng)然，本實(shí)施例并不限定像素單元120的構(gòu)成，在另外的實(shí)施例中，像素單元120可以包括兩個(gè)主動(dòng)元件(未繪示)、 以及利用兩個(gè)主動(dòng)元件而分別驅(qū)動(dòng)的主像素電極(未繪示)與次像素電極(未 繪示)。
在本實(shí)施例中，基板IIO的材質(zhì)可為玻璃，而驅(qū)動(dòng)配線130的材質(zhì)可為具 有良好導(dǎo)電性的金屬。像素電極124的材質(zhì)可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物 (IZO)或其它透明導(dǎo)電材料。主動(dòng)元件122則可為薄膜晶體管或是其它具有三端 子(tri-terminal)的主動(dòng)元件。
圖2繪示為圖1的主動(dòng)元件陣列基板的共通配線附近的局部電路示意圖。 請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1與圖2，共通配線140是用以在像素單元120中形成儲(chǔ)存電容。 值得注意的是，在每一條共通配線140上設(shè)置開(kāi)關(guān)元件160,并且使每一條共 通配線140借由開(kāi)關(guān)元件160而電性連接到靜電放電保護(hù)電路150。特別是， 靜電放電保護(hù)電路150例如為接地或浮置(floating)，而開(kāi)關(guān)元件160例如是 雙向開(kāi)關(guān)元件。以下說(shuō)明此開(kāi)關(guān)元件160可能的實(shí)施形態(tài)。
圖3A與圖3B繪示為圖2中的開(kāi)關(guān)元件的兩個(gè)實(shí)施例的示意圖。請(qǐng)先參照 圖3A，此開(kāi)關(guān)元件200包括第一薄膜晶體管210以及第二薄膜晶體管220。第 一薄膜晶體管210具有第一柵極212與第一源極/漏極214，第二薄膜晶體管220 具有第二柵極222與第二源極/漏極224，其中，第一柵極212電性連接于第二 源極/漏極224，而第二柵極222電性連接于第一源極/漏極214。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3B，此開(kāi)關(guān)元件300包括第一二極管310以及第二二極管320。 第一二極管310具有第一輸出端312與第一輸入端314，第二二極管320具有 第二輸出端322與第二輸入端324，其中，第一輸出端312電性連接于第二輸 入端324，而第二輸出端322電性連接于第一輸入端314。換言之，如圖1與 圖2中所繪示的開(kāi)關(guān)元件160可以采用如圖3A或圖3B所繪示的開(kāi)關(guān)元件200、 300。
特別是，借由靜電放電保護(hù)電路150與開(kāi)關(guān)元件160的設(shè)置，將可以避免 靜電累積在形成為大面積金屬的共通配線140上。更詳細(xì)而言，請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D 2，在共通配線140處于正常工作電壓的范圍時(shí)，開(kāi)關(guān)元件160是斷開(kāi)(off) 狀態(tài)，因此，共通配線140能夠正常地使各個(gè)像素單元120形成儲(chǔ)存電容。
然而，當(dāng)在共通配線140上累積了大量的靜電，或者是大量的靜電流入共通配線140時(shí)，并且，此靜電的數(shù)值超過(guò)了開(kāi)關(guān)元件160的截止電壓(threshold voltage)時(shí)，開(kāi)關(guān)元件160即會(huì)呈開(kāi)啟(on)狀態(tài)，所以，靜電將可以導(dǎo)入到 靜電放電保護(hù)電路150而散逸，借此，可保護(hù)共通配線140及其附近的元件、 線路不被靜電損壞。并且，可提升主動(dòng)元件陣列基板的使用壽命。
第二實(shí)施例
圖4繪示為本發(fā)明第二實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4， 本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板200的主要構(gòu)件以及其對(duì)應(yīng)的連接關(guān)系與第一實(shí) 施例的主動(dòng)元件陣列基板100相類似，并標(biāo)示以相同的標(biāo)號(hào)，此處僅針對(duì)兩實(shí) 施例的差異處進(jìn)行說(shuō)明，其它構(gòu)件與相對(duì)應(yīng)的連接關(guān)系便不再重述。值得注意 的是，在本實(shí)施例中，多個(gè)開(kāi)關(guān)元件160配置于周邊電路區(qū)114，每一開(kāi)關(guān)元 件160是電性連接于相鄰的兩共通配線140之間。
圖5繪示為圖4的主動(dòng)元件陣列基板的共通配線附近的局部電路示意圖。 請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4與圖5，在相鄰的共通配線140之間設(shè)置開(kāi)關(guān)元件160，此開(kāi) 關(guān)元件160例如是雙向開(kāi)關(guān)元件。同樣地，開(kāi)關(guān)元件160可以是如圖3A或圖 3B所繪示的實(shí)施形態(tài)。
更詳細(xì)而言，在共通配線140處于正常工作電壓的范圍時(shí)，開(kāi)關(guān)元件160 是斷開(kāi)(off)狀態(tài)，因此，共通配線140能夠正常地使各個(gè)像素單元120形成 儲(chǔ)存電容。然而，當(dāng)在共通配線140上累積了大量的靜電，或者是大量的靜電 流入共通配線140時(shí)，并且，此靜電的數(shù)值超過(guò)了開(kāi)關(guān)元件160的截止電壓 (threshold voltage)時(shí)，開(kāi)關(guān)元件160即會(huì)呈開(kāi)啟(on)狀態(tài)，所以，靜電將 可以導(dǎo)入到相鄰的共通配線140而散逸，借此，可保護(hù)共通配線140及其附近 的元件、線路不被靜電損壞。并且，可提升主動(dòng)元件陣列基板的使用壽命。
綜上所述，本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板包括下列優(yōu)點(diǎn)
即使共通配線為大面積金屬而容易產(chǎn)生靜電，但由于開(kāi)關(guān)元件電性連接于 每一共通配線與靜電放電保護(hù)電路之間；或是，使開(kāi)關(guān)元件電性連接于相鄰的 兩共通配線之間，因此，可以容易地使累積在共通配在線的靜電散逸，進(jìn)而可 避免靜電放電破壞共通配線或其附近的元件與線路。并且，可提升主 ^元件陣 列基板的使用壽命。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于包括一基板，具有一顯示區(qū)域以及一周邊區(qū)域，該周邊區(qū)域與該顯示區(qū)域鄰接；多個(gè)像素單元，陣列排列于該基板的該顯示區(qū)域內(nèi)；多條驅(qū)動(dòng)配線，配置于該顯示區(qū)域以及該周邊區(qū)域，并與該些像素單元電性連接；多條共通配線，配置于該顯示區(qū)域且延伸到該周邊區(qū)域中；一靜電放電保護(hù)電路，配置于該基板上的該周邊區(qū)域；以及多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，配置于該周邊電路區(qū)，每一該些開(kāi)關(guān)元件電性連接于每一該些共通配線與該靜電放電保護(hù)電路之間。
2. 如權(quán)利要求l所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，該些開(kāi)關(guān)元件包 括雙向開(kāi)關(guān)元件。
3. 如權(quán)利要求l所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，每一開(kāi)關(guān)元件包括一第一薄膜晶體管，具有一第一柵極、與一第一源極/漏極；以及 一第二薄膜晶體管，具有一第二柵極、與一第二源極/漏極， 其中，該第一柵極電性連接于該第二源極/漏極，該第二柵極電性連接于該 第一源極/漏極。
4. 如權(quán)利要求l所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，每一開(kāi)關(guān)元件包括一第一二極管，具有一第一輸出端與一第一輸入端；以及 一第二二極管，具有一第二輸出端與一第二輸入端；其中，該第一輸出端電性連接于該第二輸入端，該第二輸出端電性連接于 該第一輸入端。
5. 如權(quán)利要求l所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，使該靜電放電保 護(hù)電路接地或浮置。
6. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，該些像素單元包括 多個(gè)主動(dòng)元件，分別與對(duì)應(yīng)的該些驅(qū)動(dòng)配線電性連接；以及多個(gè)像素電極，分別與對(duì)應(yīng)的該主動(dòng)元件電性連接。
7. —種主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于包括一基板，具有一顯示區(qū)域以及一周邊區(qū)域，該周邊區(qū)域與該顯示區(qū)域鄰接; 多個(gè)像素單元，陣列排列于該基板的該顯示區(qū)域內(nèi)；多條驅(qū)動(dòng)配線，配置于該顯示區(qū)域以及該周邊區(qū)域，并與該些像素單元電 性連接；多條共通配線，配置于該顯示區(qū)域且延伸到該周邊區(qū)域中；以及 多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，配置于該周邊電路區(qū)，每一該些開(kāi)關(guān)元件是電性連接于相 鄰的兩該些共通配線之間。
8. 如權(quán)利要求7所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，該些開(kāi)關(guān)元件包 括雙向開(kāi)關(guān)元件。
9. 如權(quán)利要求7所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，每一開(kāi)關(guān)元件包括一第一薄膜晶體管，具有一第一柵極、與一第一源極/漏極；以及 一第二薄膜晶體管，具有一第二柵極、與一第二源極/漏極，其中，該第一柵極電性連接于該第二源極/漏極，該第二柵極電性連接于該 第一源極/漏極。
10. 如權(quán)利要求7所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，每一開(kāi)關(guān)元件 包括一第一二極管，具有一第一輸出端與一第一輸入端；以及 一第二二極管，具有一第二輸出端與一第二輸入端；其中，該第一輸出端電性連接于該第二輸入端，該第二輸出端電性連接于 該第一輸入端。
11. 如權(quán)利要求7所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，該些像素單元包括多個(gè)主動(dòng)元件，分別與對(duì)應(yīng)的該些驅(qū)動(dòng)配線電性連接；以及 多個(gè)像素電極，分別與對(duì)應(yīng)的該主動(dòng)元件電性連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種主動(dòng)元件陣列基板，包括基板、多個(gè)像素單元、多條驅(qū)動(dòng)配線、多條共通配線、靜電放電保護(hù)電路以及多個(gè)開(kāi)關(guān)元件?；寰哂酗@示區(qū)域以及周邊區(qū)域，此周邊區(qū)域與顯示區(qū)域鄰接。像素單元陣列排列于基板的顯示區(qū)域內(nèi)。驅(qū)動(dòng)配線配置于顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域，并與像素單元電性連接。共通配線配置于顯示區(qū)域且延伸到周邊區(qū)域中。靜電放電保護(hù)電路配置于基板上的周邊區(qū)域。多個(gè)開(kāi)關(guān)元件配置于周邊電路區(qū)，每一開(kāi)關(guān)元件是電性連接于每一共通配線與靜電放電保護(hù)電路之間。因此，即使共通配線形成為大面積金屬時(shí)，將可以使累積在共通配在線的靜電散逸，而避免靜電放電破壞共通配線或其附近的元件與線路。
文檔編號(hào)H01L23/60GK101369586SQ20071014230
公開(kāi)日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2007年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月16日
發(fā)明者張營(yíng)輝 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司