半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體裝置，尤其涉及在I個(gè)樹(shù)脂密封體中內(nèi)置半導(dǎo)體元件和變壓器的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，對(duì)于化石燃料的枯竭或全球變暖等的環(huán)境問(wèn)題議論紛紛，EV/HEV的普及取得了進(jìn)展。市場(chǎng)上期望逆變器用的預(yù)驅(qū)動(dòng)器的小型化。具有如下這樣的半導(dǎo)體裝置，其以提供能夠?qū)崿F(xiàn)成本降低或可靠性提高的開(kāi)關(guān)控制裝置以及采用該開(kāi)關(guān)控制裝置的電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置為目的，使半導(dǎo)體元件和變壓器在一個(gè)半導(dǎo)體裝置內(nèi)一體化。(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利5303167號(hào)公報(bào)【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]實(shí)用新型所要解決的課題
[0007]但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了小型化導(dǎo)致變壓器彼此之間接近。當(dāng)變壓器彼此間接近時(shí)，有可能由于相互的磁場(chǎng)而引起電磁干擾，使變壓器的耦合系數(shù)降低。這里，所謂耦合系數(shù)一般是表示I次線圈與2次線圈的耦合度，可稱(chēng)為越接近于I性能越好的變壓器。由此對(duì)于變壓器彼此間引起的電磁干擾的解決對(duì)策沒(méi)有充分的研宄，從而產(chǎn)生了課題。
[0008]因此，本實(shí)用新型是為了解決上述課題而作出的，其目的是提供能夠抑制變壓器彼此間所產(chǎn)生的電磁干擾的半導(dǎo)體裝置。
[0009]解決問(wèn)題的手段
[0010]為了解決上述課題，本實(shí)用新型成為以下所示的結(jié)構(gòu)。
[0011]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體裝置100具備第I半導(dǎo)體元件1、第2半導(dǎo)體元件2、第I變壓器31、第2變壓器32、第I芯片座(die pad) 41、第2芯片座42、引線端子43和密封樹(shù)脂體5，其特征是將上述第I變壓器31和上述第2變壓器32配置為對(duì)角狀。
[0012]實(shí)用新型的效果
[0013]本實(shí)用新型因?yàn)闃?gòu)成為以上這樣的結(jié)構(gòu)，所以能夠提供通過(guò)防止變壓器彼此間所產(chǎn)生的電磁干擾來(lái)使動(dòng)作可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是本實(shí)用新型的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的平面示意圖。
[0015]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0016]I第I半導(dǎo)體元件
[0017]2第2半導(dǎo)體元件
[0018]31第I變壓器
[0019]32第2變壓器
[0020]41第I芯片座
[0021]42第2芯片座
[0022]43引線端子
[0023]5樹(shù)脂密封體
[0024]100半導(dǎo)體裝置
【具體實(shí)施方式】
[0025]以下，參照?qǐng)D來(lái)詳細(xì)說(shuō)明用于實(shí)施本實(shí)用新型的方式。此外，在以下的附圖記載中，利用相同或類(lèi)似的符號(hào)表示相同或類(lèi)似的部分。但是，附圖是示意性的，尺寸關(guān)系的比率等與現(xiàn)實(shí)的不同。因此，具體的尺寸等應(yīng)該對(duì)照以下的說(shuō)明進(jìn)行判斷。另外，顯而易見(jiàn)即使在附圖的相互之間也包含尺寸的相互關(guān)系或比率不同的部分。
[0026]另外，以下所示的實(shí)施方式是用于使本實(shí)用新型的技術(shù)思想具體化的例示，本實(shí)用新型的實(shí)施方式不是將構(gòu)成部件的材質(zhì)、形狀、構(gòu)造、配置等特定為以下的內(nèi)容。本實(shí)用新型的實(shí)施方式可以在不脫離要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更后再實(shí)施。
[0027]【實(shí)施例1】
[0028]以下，參照附圖來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100。圖1是本實(shí)用新型的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面概念圖。
[0029]如圖1所示，半導(dǎo)體裝置100由第I半導(dǎo)體元件1、第2半導(dǎo)體元件2、第I變壓器31、第2變壓器32、第I芯片座41、第2芯片座42、引線端子43、樹(shù)脂密封體5構(gòu)成。
[0030]第I半導(dǎo)體元件I是用于控制通信脈沖的半導(dǎo)體元件。動(dòng)作溫度比第2半導(dǎo)體元件2低。例如由Si半導(dǎo)體構(gòu)成。經(jīng)由接合劑在第I芯片座41的主面上載置第I半導(dǎo)體元件I。接合劑例如是Ag膏。
[0031]第2半導(dǎo)體元件2是用于驅(qū)動(dòng)IGBT的半導(dǎo)體元件。第2半導(dǎo)體元件2是使用大功率的Si半導(dǎo)體元件，因?yàn)榈?半導(dǎo)體元件2與第I半導(dǎo)體元件I相比功率損失相對(duì)大，所以成為高溫。經(jīng)由接合劑在第2芯片座42的主面上載置第2半導(dǎo)體元件2。接合劑例如是Ag膏。
[0032]第I變壓器31以及第2變壓器32是經(jīng)由光刻工藝作成的電磁感應(yīng)方式的脈沖變壓器。將第I變壓器31配置在低電壓的I次側(cè)，并經(jīng)由接合劑載置于第I芯片座41的主面。另外，將第2變壓器32配置于高電壓的2次側(cè)，并經(jīng)由接合劑載置于第2芯片座42的主面。接合劑例如是Ag膏。
[0033]第I芯片座41與第2芯片座42進(jìn)行分離。將第I芯片座41配置在低電壓的I次側(cè)，在主面上經(jīng)由接合劑并排地載置有第I半導(dǎo)體元件I和第I變壓器31。
[0034]將第2芯片座42配置在高電壓的2次側(cè)，在主面上經(jīng)由接合劑并排地載置有第2半導(dǎo)體元件2和第2變壓器32。
[0035]第I芯片座以及第2芯片座對(duì)例如0.2mm厚的平板狀板材應(yīng)用沖壓沖孔加工或化學(xué)性的刻蝕加工。材質(zhì)大多使用Cu或Cu合金。在表面上可實(shí)施Ni電鍍、Ag電鍍等。接合劑例如是Ag膏。
[0036]引線端子43為了在安裝時(shí)取得電連接，而從樹(shù)脂密封體5向外部導(dǎo)出。材質(zhì)是Cu或Cu合金。實(shí)施Ni電鍍。
[0037]樹(shù)脂密封體5使用樹(shù)脂成形模具和沖壓裝置作為壓鑄模進(jìn)行了樹(shù)脂成形。例如，在樹(shù)脂密封體5中使用熱固化性環(huán)氧樹(shù)脂。此外，在圖中用虛線顯示樹(shù)脂密封體5的外表面。
[0038]以上，完成了半導(dǎo)體裝置100。
[0039]接著，說(shuō)明上述實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的效果。
[0040]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置，通過(guò)將第I變壓器31和第2變壓器32配置為對(duì)角狀，不用使密封樹(shù)脂體大型化，就能夠最大限度地獲得變壓器彼此間的距離。由此，能夠提供通過(guò)抑制變壓器彼此間所產(chǎn)生的電磁干擾并防止變壓器的耦合系數(shù)的變動(dòng)來(lái)使動(dòng)作可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。
[0041]如上所述，記載了用于實(shí)施本實(shí)用新型的方式，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)此公開(kāi)聯(lián)想到各種替代實(shí)施方式、實(shí)施例應(yīng)該是顯而易見(jiàn)的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其具備第I半導(dǎo)體元件(I)、第2半導(dǎo)體元件(2)、第I變壓器(31)、第2變壓器(32)、第I芯片座(41)、第2芯片座(42)、引線端子(43)和密封樹(shù)脂體(5)，其特征在于， 所述第I變壓器(31)和所述第2變壓器(32)被配置為對(duì)角狀。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體裝置，尤其提供一種通過(guò)抑制變壓器彼此間所引起的電磁干擾來(lái)提高動(dòng)作可靠性的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具備第1半導(dǎo)體元件(1)、第2半導(dǎo)體元件(2)、第1變壓器(31)、第2變壓器(32)、第1芯片座(41)、第2芯片座(42)、引線端子(43)和密封樹(shù)脂體(5)，其特征是將上述第1變壓器(31)和上述第2變壓器(32)配置為對(duì)角狀。
【IPC分類(lèi)】H01L23-31, H01L23-00
【公開(kāi)號(hào)】CN204332937
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520031794
【發(fā)明人】岡田直也, 田島一修, 生田目裕子
【申請(qǐng)人】三墾電氣株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日