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      一種衰減器適配器的制造方法

      文檔序號(hào):8625082閱讀:275來源:國知局
      一種衰減器適配器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及衰減器,特別地,涉及一種衰減器適配器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]現(xiàn)有技術(shù)中,通常使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測試衰減器的衰減量、阻抗、保相保偏特性等參數(shù)。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀由于使用了對(duì)稱的引腳,只能用于測量同軸類衰減器,而對(duì)于非同軸類衰減器則無法直接測量。
      [0003]針對(duì)現(xiàn)有非同軸類衰減器無法直接由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測量的問題,目前尚未有有效的解決方案。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]針對(duì)現(xiàn)有非同軸類衰減器無法直接由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測量的問題,本實(shí)用新型的目的在于提出一種衰減器適配器,使衰減器適配器能夠提供矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀可用的同軸類器件的轉(zhuǎn)接頭,允許矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀通過衰減器適配器分析非同軸類衰減器的電性能參數(shù)。
      [0005]基于上述目的,本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案如下:
      [0006]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面,提供了一種衰減器適配器。
      [0007]根據(jù)本實(shí)用新型提供的衰減器適配器包括長方形的介質(zhì)基板,還包括:
      [0008]兩同軸轉(zhuǎn)接頭,位于介質(zhì)基板兩條短邊的中點(diǎn),兩轉(zhuǎn)接頭與介質(zhì)基板物理連接;
      [0009]兩微帶線,位于介質(zhì)基板的同一側(cè)表面,兩微帶線的寬度小于兩轉(zhuǎn)接頭的寬度,兩微帶線各自的長度均小于介質(zhì)基板長邊長度的一半,兩微帶線均與介質(zhì)基板的長邊平行并位于同一條直線上,兩微帶線與兩同軸轉(zhuǎn)接頭分別電性連接;
      [0010]兩接地孔,位于介質(zhì)基板的中間位置、兩微帶線之間。
      [0011]在一些實(shí)施方式中,微帶線與同軸轉(zhuǎn)接頭的連接部分阻抗為50歐。
      [0012]在一些實(shí)施方式中,兩同軸轉(zhuǎn)接頭均為N型KFD轉(zhuǎn)接頭。
      [0013]在一些實(shí)施方式中,兩微帶線均為長方形的表貼薄膜,且兩微帶線的長度與寬度均相等。
      [0014]在一些實(shí)施方式中,兩接地孔為尺寸相同的圓孔,且二者中心相連所形成的直線與兩微帶線所在的直線相垂直。
      [0015]在一些實(shí)施方式中,兩微帶線與兩接地孔分別連接至待測非同軸類衰減器的輸入端、輸出端與兩個(gè)接地端,其中,非同軸類衰減器為薄膜衰減器。
      [0016]從上面所述可以看出,本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案通過使用兩個(gè)同軸的轉(zhuǎn)接頭與微帶線將非同軸類衰減器與矢量網(wǎng)絡(luò)分析并行連接,并使用兩微帶線傳遞非同軸類衰減器的電磁波信號(hào)給兩同軸轉(zhuǎn)接頭,使衰減器適配器提供了矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀可用的同軸類器件的轉(zhuǎn)接頭,允許矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀通過衰減器適配器分析非同軸類衰減器的工作參數(shù)。
      【附圖說明】
      [0017]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
      [0018]圖1為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的衰減器適配器的結(jié)構(gòu)正視圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0019]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)一步進(jìn)行清楚、完整、詳細(xì)地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
      [0020]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,提供了一種衰減器適配器,包括長方形的介質(zhì)基板O。
      [0021]如圖1所示,根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例提供的衰減器適配器還包括:
      [0022]兩同軸轉(zhuǎn)接頭1,兩同軸轉(zhuǎn)接頭I位于介質(zhì)基板O兩條短邊的中點(diǎn),兩同軸轉(zhuǎn)接頭I與介質(zhì)基板O物理連接;
      [0023]兩微帶線2,兩微帶線2位于介質(zhì)基板O的同一側(cè)表面,兩微帶線2的寬度小于兩同軸轉(zhuǎn)接頭I的寬度,兩微帶線2各自的長度均小于介質(zhì)基板O長邊的一半,兩微帶線2均與介質(zhì)基板O的長邊平行并位于同一條直線上,兩微帶線2與兩同軸轉(zhuǎn)接頭I分別電性連接;
      [0024]兩接地孔3,兩接地孔3位于介質(zhì)基板O的中間位置、兩微帶線2之間,且兩接地孔3中心相連所形成的直線與兩微帶線2所在的直線相垂直。
      [0025]在本實(shí)施例中,兩同軸轉(zhuǎn)接頭用于連接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(未示出),矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀能且只能與同軸轉(zhuǎn)接頭連接;兩微帶線用于連接非同軸類衰減器(未示出)的輸入端與輸出端,通過輸入端接觸微帶線接收矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀發(fā)出的探測微波信號(hào)并進(jìn)行衰減,再由輸出端將衰減后的微波信號(hào)輸出到微帶線反饋給分析儀。兩接地孔用于連接非同軸類衰減器的地線,兩接地孔位于兩微帶線之間使得待測非同軸類衰減器與介質(zhì)基板二者在接地端相連。
      [0026]其中,微帶線2與同軸轉(zhuǎn)接頭I的連接部分阻抗為50歐。50歐的阻抗為保持矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀與待測非同軸類衰減器的阻抗匹配。
      [0027]其中,兩同軸轉(zhuǎn)接頭I均為N型KFD轉(zhuǎn)接頭。N型KFD轉(zhuǎn)接頭為標(biāo)準(zhǔn)的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀可用接頭,同時(shí)使用兩個(gè)N型KFD轉(zhuǎn)接頭即可保證衰減器適配器能作為同軸類器件與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀正常連接并工作。
      [0028]其中,兩微帶線均為長方形的表貼薄膜,且兩微帶線的長度與寬度均相等。兩微帶線的對(duì)稱結(jié)構(gòu)方便衰減器適配器的特性阻抗設(shè)計(jì),同時(shí)也推高了實(shí)際生產(chǎn)中表貼薄膜的便利性。
      [0029]其中,兩接地孔為尺寸相同的圓孔,且二者中心相連所形成的直線與兩微帶線所在的直線相垂直。這種設(shè)計(jì)方案提高了接地孔的接地效果,并能在物理上與非同軸類衰減器的兩個(gè)接地端更方便連接。
      [0030]其中,兩微帶線與兩接地孔分別連接至待測非同軸類衰減器的輸入端、輸出端與兩個(gè)接地端,其中,非同軸類衰減器為薄膜衰減器。
      [0031]綜上所述,借助于本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案,通過使用兩個(gè)同軸的轉(zhuǎn)接頭與微帶線將非同軸類衰減器與矢量網(wǎng)絡(luò)分析并行連接,并使用兩微帶線傳遞非同軸類衰減器的電磁波信號(hào)給衰減器適配器提供的同軸類器件的轉(zhuǎn)接頭,允許矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀通過衰減器適配器分析非同軸類衰減器的工作參數(shù)。
      [0032]所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種衰減器適配器,包括長方形的介質(zhì)基板(O),其特征在于,還包括: 兩同軸轉(zhuǎn)接頭(I),所述兩同軸轉(zhuǎn)接頭(I)位于介質(zhì)基板(O)兩條短邊的中點(diǎn),兩同軸轉(zhuǎn)接頭(I)與介質(zhì)基板(O)物理連接; 兩微帶線(2),所述兩微帶線(2)位于介質(zhì)基板(O)的同一側(cè)表面,兩微帶線(2)的寬度小于兩同軸轉(zhuǎn)接頭(I)的寬度,兩微帶線(2)各自的長度均小于介質(zhì)基板(O)長邊的一半,所述兩微帶線(2)均與介質(zhì)基板(O)的長邊平行并位于同一條直線上,兩微帶線(2)與兩同軸轉(zhuǎn)接頭(I)分別電性連接; 兩接地孔(3),所述兩接地孔(3)位于介質(zhì)基板(O)的中間位置、兩微帶線(2)之間。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種衰減器適配器,其特征在于,所述微帶線(2)與同軸轉(zhuǎn)接頭(I)的連接部分阻抗為50歐。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種衰減器適配器,其特征在于,所述兩同軸轉(zhuǎn)接頭(I)均為N型KFD轉(zhuǎn)接頭。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種衰減器適配器,其特征在于,所述的兩微帶線(2)均為長方形的表貼薄膜,且兩微帶線(2)的長度與寬度均相等。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種衰減器適配器,其特征在于,兩接地孔(3)為尺寸相同的圓孔,且二者中心相連所形成的直線與兩微帶線(2)所在的直線相垂直。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種衰減器適配器,其特征在于,兩微帶線(2)與兩接地孔(3)分別連接至待測非同軸類衰減器的輸入端、輸出端與兩個(gè)接地端,其中,所述非同軸類衰減器為薄膜衰減器。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種衰減器適配器,包括長方形的介質(zhì)基板,還包括兩同軸轉(zhuǎn)接頭,位于介質(zhì)基板兩條短邊的重點(diǎn),兩轉(zhuǎn)接頭與介質(zhì)基板物理連接;兩微帶線,位于介質(zhì)基板的同一側(cè)表面,兩微帶線的寬度小于兩轉(zhuǎn)接頭的寬度,兩微帶線的長度小于介質(zhì)基板長邊長度的一半,兩微帶線均與介質(zhì)基板的長邊平行并位于用一條直線上,兩微帶線與兩同軸轉(zhuǎn)接頭分別電性連接;兩接地孔,位于介質(zhì)基板的中間位置、兩微帶線之間,兩接地孔中心相連所形成的直線與兩微帶線所在的直線相垂直。本實(shí)用新型允許矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀通過衰減器適配器分析非同軸類衰減器的工作參數(shù)。
      【IPC分類】H01P5-08
      【公開號(hào)】CN204333199
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520010463
      【發(fā)明人】李靜
      【申請(qǐng)人】航天科工防御技術(shù)研究試驗(yàn)中心
      【公開日】2015年5月13日
      【申請(qǐng)日】2015年1月8日
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