一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，包括微信號(hào)輸入接口、基板、電極、衰減腔、傳輸腔和微信號(hào)輸出口，衰減腔的一端設(shè)有傳輸腔，衰減腔的另一端和傳輸腔的一端均設(shè)有電極，連接在衰減腔上的電極的一側(cè)設(shè)有薄膜電阻，薄膜電阻頂端和頂端均設(shè)有基板，薄膜電阻一端設(shè)有微信號(hào)輸入接口，衰減腔內(nèi)部設(shè)有A電阻，底端設(shè)有超寬帶接地機(jī)構(gòu)，傳輸腔內(nèi)部設(shè)有B電阻，通過超寬帶接地機(jī)構(gòu)、A電阻和B電阻，將不連續(xù)電容降低至最低，保證了產(chǎn)品阻抗的良好匹配，增加了產(chǎn)品的使用帶寬，并且減低了駐波比、提高了衰減精度，再通過基板和薄膜電阻，能夠確保衰減器具備良好的導(dǎo)熱性同時(shí)兼顧到穩(wěn)定的介電常數(shù)。從而進(jìn)一步提高衰減器的精度。
【專利說明】
一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種衰減器，具體為一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器。
【背景技術(shù)】
[0002]衰減器是在指定的頻率范圍內(nèi)，一種用以引入一預(yù)定衰減的電路。一般以所引入衰減的分貝數(shù)及其特性阻抗的歐姆數(shù)來標(biāo)明。在有線電視系統(tǒng)里廣泛使用衰減器以便滿足多端口對(duì)電平的要求。如放大器的輸入端、輸出端電平的控制、分支衰減量的控制。衰減器有無源衰減器和有源衰減器兩種。有源衰減器與其他熱敏元件相配合組成可變衰減器，裝置在放大器內(nèi)用于自動(dòng)增益或斜率控制電路中。無源衰減器有固定衰減器和可調(diào)衰減器。
[0003]目前，我國(guó)DC-18GHZ頻段的衰減器幾乎全部依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠家較少，基本都停留在DC-6GHZ的頻段內(nèi)，遠(yuǎn)不能滿足高端的科研與測(cè)試使用。國(guó)內(nèi)一些專業(yè)電子器件研究所也開展了寬頻帶同軸固定衰減器方面的研究，但尚未達(dá)到大批量生產(chǎn)的條件?，F(xiàn)有寬帶產(chǎn)品在高頻時(shí)駐波比差、衰減精度差，無法滿足通信設(shè)備在高頻時(shí)對(duì)信號(hào)處理的要求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有的缺陷，提供一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了如下的技術(shù)方案:
[0006]本實(shí)用新型提供一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，包括微信號(hào)輸入接口、基板、電極、衰減腔、傳輸腔和微信號(hào)輸出口，所述衰減腔的一端設(shè)有所述傳輸腔，所述衰減腔的另一端和所述傳輸腔的一端均設(shè)有所述電極，連接在所述衰減腔上的所述電極的一側(cè)設(shè)有薄膜電阻，連接在所述傳輸腔上的所述電極的一側(cè)設(shè)有所述微信號(hào)輸出口，所述薄膜電阻頂端和頂端均設(shè)有所述基板，所述薄膜電阻一端設(shè)有所述微信號(hào)輸入接口，所述衰減腔內(nèi)部設(shè)有A電阻，底端設(shè)有超寬帶接地機(jī)構(gòu)，所述傳輸腔內(nèi)部設(shè)有B電阻。
[0007]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述微信號(hào)輸出口的表面套有連接器，且所述連接器的內(nèi)壁設(shè)置為螺紋面。
[0008]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述A電阻和所述B電阻均與所述電極電性連接，兩個(gè)所述基板均與所述薄膜電阻電性連接。
[0009]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述薄膜電阻的表面鍍有薄膜，且采用真空濺射工藝鍍膜。
[0010]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述衰減腔和所述傳輸腔活動(dòng)連接。
[0011]本實(shí)用新型所達(dá)到的有益效果是:該種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，通過超寬帶接地機(jī)構(gòu)、A電阻和B電阻，將不連續(xù)電容降低至最低，保證了產(chǎn)品阻抗的良好匹配，增加了產(chǎn)品的使用帶寬，并且減低了駐波比、提高了衰減精度，再通過基板和薄膜電阻，能夠確保衰減器具備良好的導(dǎo)熱性同時(shí)兼顧到穩(wěn)定的介電常數(shù)。從而進(jìn)一步提高衰減器的精度。
【附圖說明】
[0012]附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0013]在附圖中:
[0014]圖1是本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖中標(biāo)號(hào):1、微信號(hào)輸入接口；2、基板;3、電極;4、；5、衰減腔;6、傳輸腔;7、B電阻；
8、連接器;9、微信號(hào)輸出口； 1、薄膜電阻；11、超寬帶接地機(jī)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0017]實(shí)施例:如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，包括微信號(hào)輸入接口 1、基板2、電極3、衰減腔5、傳輸腔6和微信號(hào)輸出口 9，衰減腔5的一端設(shè)有傳輸腔6，衰減腔5的另一端和傳輸腔6的一端均設(shè)有電極3，連接在衰減腔5上的電極3的一側(cè)設(shè)有薄膜電阻10，連接在傳輸腔6上的電極3的一側(cè)設(shè)有微信號(hào)輸出口 9，薄膜電阻10頂端和頂端均設(shè)有基板2，薄膜電阻10—端設(shè)有微信號(hào)輸入接口 I，所述衰減腔5內(nèi)部設(shè)有A電阻4，底端設(shè)有超寬帶接地機(jī)構(gòu)11，所述傳輸腔6內(nèi)部設(shè)有B電阻7，通過超寬帶接地機(jī)構(gòu)11、A電阻4和B電阻7，將不連續(xù)電容降低至最低，保證了產(chǎn)品阻抗的良好匹配，增加了產(chǎn)品的使用帶寬，并且減低了駐波比、提高了衰減精度，再通過基板2和薄膜電阻10，能夠確保衰減器具備良好的導(dǎo)熱性同時(shí)兼顧到穩(wěn)定的介電常數(shù)。從而進(jìn)一步提高衰減器的精度。
[0018]微信號(hào)輸出口9的表面套有連接器8，且連接器8的內(nèi)壁設(shè)置為螺紋面，方便固定與微信號(hào)輸出口 9連接的連接口。
[0019]A電阻4和B電阻7均與電極3電性連接，兩個(gè)基板2均與薄膜電阻10電性連接，將不連續(xù)電容降低至最低，保證了產(chǎn)品阻抗的良好匹配，增加了產(chǎn)品的使用帶寬，并且減低了駐波比小、提高了衰減精度。
[0020]薄膜電阻10的表面鍍有薄膜，且采用真空濺射工藝鍍膜，能夠?qū)崿F(xiàn)衰減器寬帶內(nèi)衰減一致性。
[0021 ]衰減腔5和傳輸腔6活動(dòng)連接，能夠?qū)崿F(xiàn)衰減腔5和傳輸腔6分離，方便維修。
[0022]本實(shí)用新型在使用時(shí)，將微信號(hào)輸出口接到設(shè)備的接口，將微信號(hào)輸入接口與導(dǎo)線扣扣連接，通過超寬帶接地機(jī)構(gòu)11、A電阻4和B電阻7，將不連續(xù)電容降低至最低，保證了衰減器阻抗的良好匹配，增加了衰減器的使用帶寬，并且減低了駐波比、提高了衰減精度，通過基板2和薄膜電阻10，能夠確保衰減器具備良好的導(dǎo)熱性同時(shí)兼顧到穩(wěn)定的介電常數(shù)，這樣，可以進(jìn)一步的提高衰減器的精度，而且可以排除多余的熱量，效果明顯。
[0023]該種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，通過超寬帶接地機(jī)構(gòu)11、A電阻4和B電阻7，將不連續(xù)電容降低至最低，保證了衰減器阻抗的良好匹配，增加了衰減器的使用帶寬，并且減低了駐波比、提高了衰減精度，再通過基板2和薄膜電阻10，能夠確保衰減器具備良好的導(dǎo)熱性同時(shí)兼顧到穩(wěn)定的介電常數(shù)。從而進(jìn)一步提高衰減器的精度。
[0024]最后應(yīng)說明的是:以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，包括微信號(hào)輸入接口(I)、基板(2)、電極(3)、衰減腔(5)、傳輸腔(6)和微信號(hào)輸出口(9)，其特征在于，所述衰減腔(5)的一端設(shè)有所述傳輸腔(6)，所述衰減腔(5)的另一端和所述傳輸腔(6)的一端均設(shè)有所述電極(3)，連接在所述衰減腔(5)上的所述電極(3)的一側(cè)設(shè)有薄膜電阻(10)，連接在所述傳輸腔(6)上的所述電極(3)的一側(cè)設(shè)有所述微信號(hào)輸出口(9)，所述薄膜電阻(10)頂端和頂端均設(shè)有所述基板(2)，所述薄膜電阻(10)—端設(shè)有所述微信號(hào)輸入接口(1)，所述衰減腔(5)內(nèi)部設(shè)有A電阻(4)，底端設(shè)有超寬帶接地機(jī)構(gòu)(11)，所述傳輸腔(6 )內(nèi)部設(shè)有B電阻(7 )。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，其特征在于，所述微信號(hào)輸出口(9)的表面套有連接器(8)，且所述連接器(8)的內(nèi)壁設(shè)置為螺紋面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，其特征在于，所述A電阻(4)和所述B電阻(7)均與所述電極(3)電性連接，兩個(gè)所述基板(2)均與所述薄膜電阻(10)電性連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，其特征在于，所述薄膜電阻(10)的表面鍍有薄膜，且采用真空濺射工藝鍍膜。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶介質(zhì)腔體衰減器，其特征在于，所述衰減腔(5)和所述傳輸腔(6)活動(dòng)連接。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK205564939SQ201620366099
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年4月27日
【發(fā)明人】鄧祥
【申請(qǐng)人】鎮(zhèn)江南方電子有限公司