傳片板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及集成電路制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種傳片板。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，金屬硅化物由于具有較低的電阻率且和其他材料具有很好的粘合性而被廣泛應(yīng)用于源/漏接觸和柵極接觸來降低接觸電阻。高熔點(diǎn)的金屬與硅發(fā)生反應(yīng)生成金屬硅化物，通過一步或者多步退火工藝可以形成低電阻率的金屬硅化物。
[0003]隨著半導(dǎo)體集成電路的集成度不斷提高，半導(dǎo)體工藝水平的提高，半導(dǎo)體器件的特征尺寸不斷縮小，特別是在90nm及其以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，金屬硅化物也在不斷地發(fā)展，為了獲得更低的接觸電阻，鎳及鎳的合金成為形成金屬硅化物的主要材料。
[0004]金屬硅化物通常制備在源漏極以及柵極上，用于提高源漏極以及柵極與金屬之間的接觸。當(dāng)器件的特征尺寸縮小到45nm及以下時，由于線寬效應(yīng)的制約，镲鉬合金(NiPt)取代了金屬鎳(Ni)或金屬鈷(Co)，用于形成金屬硅化物。
[0005]現(xiàn)有的制備鎳鉑金屬硅化物的方法包括如下步驟:
[0006]提供半導(dǎo)體襯底，其中，所述半導(dǎo)體襯底上已形成MOS器件的柵極結(jié)構(gòu)以及源/漏極；其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層、多晶硅柵極以及柵極側(cè)墻；
[0007]在所述半導(dǎo)體襯底上淀積鎳鉑合金膜，所述鎳鉑合金膜覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)以及源/漏極；
[0008]將所述淀積鎳鉑合金膜的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一次快速升溫退火(RTA，RapidThermal Anneal)，使所述镲鉬合金與娃反應(yīng)，形成镲鉬金屬娃化物；
[0009]去除未反應(yīng)成鎳鉑金屬硅化物的鎳鉑合金膜；
[0010]進(jìn)行第二次快速升溫退火。第二次快速升溫退火的溫度比第一次快速升溫退火的溫度要高。
[0011]第二次快速升溫退火后的金屬硅化物硅片在傳輸出退火腔時溫度仍高達(dá)250°C，將溫度高達(dá)250°C的金屬硅化物硅片放到常溫的傳片板上，所述金屬硅化物硅片接觸到常溫的傳片板后快速降溫，為了加速降溫散熱，如圖1所示，現(xiàn)有的傳片板為一矩形平板101，在所述矩形平板上設(shè)置有一“凸”字形缺口 102及一圓形缺口 103，所述金屬硅化物硅片與傳片板接觸不均，從而導(dǎo)致所述金屬硅化物硅片的降溫不均，進(jìn)一步導(dǎo)致所述金屬硅化物硅片的接觸電阻分布不均。進(jìn)一步的，現(xiàn)有的傳片板為高純度石英傳片板，造價昂貴，成本尚O
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0012]本實(shí)用新型的目的在于提供一種傳片板，用以解決所述金屬硅化物硅片的接觸電阻分布不均的問題。
[0013]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了一種傳片板，包括:一平板，所述平板內(nèi)均勻設(shè)置有循環(huán)管，所述循環(huán)管內(nèi)充入有流動性物質(zhì)。
[0014]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，所述循環(huán)管呈圓環(huán)形均勻分布于所述平板內(nèi)。
[0015]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，所述循環(huán)管呈多邊形均勻分布于所述平板內(nèi)。
[0016]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，所述循環(huán)管設(shè)置有一進(jìn)口和一出口。
[0017]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，進(jìn)入所述進(jìn)口用于對金屬硅化物硅片降溫的流動性物質(zhì)為液體。
[0018]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，所述液體為水。
[0019]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，進(jìn)入所述進(jìn)口用于對金屬硅化物硅片降溫的流動性物質(zhì)為氣體。
[0020]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，所述氣體為氫氣或氦氣。
[0021]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，所述平板的邊緣處設(shè)置有與所述平板垂直的擋板。
[0022]優(yōu)選的，在上述的傳片板中，所述平板的形狀為圓形。
[0023]在本實(shí)用新型提供的傳片板中，將流動性物質(zhì)充入均勻分布于所述平板內(nèi)的循環(huán)管中，使得整個平板的溫度均勻，當(dāng)將經(jīng)過第二次快速升溫退火后的金屬硅化物硅片放到傳片板上時，所述金屬硅化物硅片整個表面降溫均勻，從而解決因降溫不均而引起的接觸電阻分布不均的問題。
【附圖說明】
[0024]圖1為現(xiàn)有的傳片板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1中的傳片板的俯視剖視圖；
[0026]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例2中的傳片板的俯視剖視圖；
[0027]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例3中的傳片板的俯視剖視圖；
[0028]圖中:101-傳片板的平板；102- “凸”字形缺口 ;103_圓形缺口 ；
[0029]201-平板；202_呈圓環(huán)形分布的循環(huán)管202 ;203_循環(huán)管的進(jìn)口 ；204_循環(huán)管的出口 ；
[0030]301-平板；302_呈六邊形分布的循環(huán)管302 ;303_循環(huán)管的進(jìn)口 ；304_循環(huán)管的出口 ；
[0031]401-平板；402_呈弓形分布的循環(huán)管；403_循環(huán)管的進(jìn)口 ；404_循環(huán)管的出口。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合示意圖對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)的描述。根據(jù)下列描述并結(jié)合權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0033]實(shí)施例1
[0034]本實(shí)用新型提供了一種傳片板，包括:一平板201，所述平板201內(nèi)均勻設(shè)置有循環(huán)管，所述循環(huán)管內(nèi)充入有流動性物質(zhì)。
[0035]具體的，如圖2所示，所述平板201為圓形。在其它實(shí)施例中所述平板201還可以是其他形狀。所述平板201的形狀和大小可以根據(jù)需要確定，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的技術(shù)手段，在此不再贅述。
[0036]進(jìn)一步的，所述循環(huán)管呈圓環(huán)形均勻分布于所述平板201內(nèi)，所述呈圓環(huán)形分布的循環(huán)管202設(shè)置有一進(jìn)口 203和一出口 204。所述流動性物質(zhì)從所述進(jìn)口 203進(jìn)入到所述呈圓環(huán)形分布的循環(huán)管202，流經(jīng)所述呈圓環(huán)形分布的循環(huán)管202后，從所述出口 204流出，所述流動性物質(zhì)的流動使得放置于所述平板201上的金屬硅化物硅片快速降溫。又由于所述呈圓環(huán)形分布的循環(huán)管202均勻分布于所述平板201內(nèi)，所述流動性物質(zhì)也均勻分布于所述平板201內(nèi)且流動，從而使得所述平板201表面溫度分布均勻，從而使得平板201上的金屬硅化物硅片快速均勻的降溫，降低由于所述金屬硅化物硅片降溫不均而引起的接觸電阻分布不均的概率。
[0037]在所述呈圓環(huán)形分布的循環(huán)管202內(nèi)流動的所述流動性物質(zhì)可以是液體，具體的，可以為水，也可以為其他溶劑。在具體的使用過程中，還可以使用低溫液體，如冰水等，能夠更加快速均勻的降低所述金屬硅化物硅片的溫度。
[0038]在所述呈圓環(huán)形分布的循環(huán)管202內(nèi)流動的所述流動性物質(zhì)也可以是氣體，具體的，例如氫氣、氦氣等。同樣，也可以使用低溫的氫氣、氦氣加快降溫。
[0039]更優(yōu)的，所述平板201的邊緣處設(shè)置有與所述平板201垂直的擋板。可以在所述平板201的邊緣上設(shè)置一個擋板，以防止所述金屬硅化物硅片從所述平板201上滑落。
[0040]所述平板201可以是高精度石英平板，也可以是陶瓷等其他材質(zhì)的平板，比如陶瓷平板可以降低傳片板的制作成本。
[0041]實(shí)施例2
[0042]所述循環(huán)管呈多邊形均勻分布于所述平板301內(nèi)。
[0043]具體的，如圖3所示，所述循環(huán)管呈六邊形均勻分布于所述平板301內(nèi)。具體的，所述呈六邊形分布的循環(huán)管302設(shè)置有一進(jìn)口 303和一出口 304。所述流動性物質(zhì)從所述進(jìn)口 303進(jìn)入到所述呈六邊形分布的循環(huán)管302，流經(jīng)所述呈六邊形分布的循環(huán)管302后，從所述出口 304流出，所述流動性物質(zhì)的流動使得放置于所述平板301上的金屬硅化物硅片快速降溫。又由于所述呈六邊形分布的循環(huán)管302均勻分布于所述平板301內(nèi)，所述流動性物質(zhì)也均勻分布于所述平板301內(nèi)且流動，從而使得所述平板301表面溫度分布均勻，從而使得平板301上的金屬硅化物硅片快速均勻的降溫，降低由于所述金屬硅化物硅片降溫不均而引起的接觸電阻分布不均的概率。
[0044]其他部分與實(shí)施例1中相同，在此不再贅述。
[0045]實(shí)施例3
[0046]所述循環(huán)管呈弓形均勻分布于所述平板401內(nèi)。
[0047]如圖4所示，所述循環(huán)管呈弓形均勻分布于所述平板401內(nèi)。具體的，所述呈弓形分布的循環(huán)管402設(shè)置有一進(jìn)口 403和一出口 404。所述流動性物質(zhì)從所述進(jìn)口 403進(jìn)入到所述呈弓形分布的循環(huán)管402，流經(jīng)所述呈弓形分布的循環(huán)管402后，從所述出口 404流出，所述流動性物質(zhì)的流動使得放置于所述平板401上的金屬硅化物硅片快速降溫。又由于所述呈弓形分布的循環(huán)管402均勻分布于所述平板401內(nèi)，所述流動性物質(zhì)也均勻分布于所述平板401內(nèi)且流動，從而使得所述平板401表面溫度分布均勻，從而使得平板401上的金屬硅化物硅片快速均勻的降溫，降低由于所述金屬硅化物硅片降溫不均而引起的接觸電阻分布不均的概率。
[0048]其他部分與實(shí)施例1中相同，在此不再贅述。
[0049]綜上，在本實(shí)用新型提供的傳片板中，將流動性物質(zhì)充入均勻分布于所述平板內(nèi)的循環(huán)管中，使得整個平板的溫度均勻，當(dāng)將經(jīng)過第二次快速升溫退火后的金屬硅化物硅片放到傳片板上時，所述金屬硅化物硅片整個表面降溫均勻，從而解決因降溫不均而引起的接觸電阻分布不均的問題。
[0050]上述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對本實(shí)用新型起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本實(shí)用新型揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種傳片板，其特征在于，包括:一平板，所述平板內(nèi)均勻設(shè)置有循環(huán)管，所述循環(huán)管內(nèi)充入有流動性物質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1所述的傳片板，其特征在于，所述循環(huán)管呈圓環(huán)形均勻分布于所述平板內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的傳片板，其特征在于，所述循環(huán)管呈多邊形均勻分布于所述平板內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的傳片板，其特征在于，所述循環(huán)管設(shè)置有一進(jìn)口和一出口。
5.如權(quán)利要求4所述的傳片板，其特征在于，進(jìn)入所述進(jìn)口用于對金屬硅化物硅片降溫的流動性物質(zhì)為液體。
6.如權(quán)利要求5所述的傳片板，其特征在于，所述液體為水。
7.如權(quán)利要求4所述的傳片板，其特征在于，進(jìn)入所述進(jìn)口用于對金屬硅化物硅片降溫的流動性物質(zhì)為氣體。
8.如權(quán)利要求7所述的傳片板，其特征在于，所述氣體為氫氣或氦氣。
9.如權(quán)利要求1所述的傳片板，其特征在于，所述平板的邊緣處設(shè)置有與所述平板垂直的擋板。
10.如權(quán)利要求1所述的傳片板，其特征在于，所述平板的形狀為圓形。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種傳片板，包括：一平板，所述平板內(nèi)均勻設(shè)置有循環(huán)管，所述循環(huán)管內(nèi)充入有流動性物質(zhì)。將流動性物質(zhì)充入均勻分布于所述平板內(nèi)的循環(huán)管中，使得整個平板的溫度均勻，當(dāng)將經(jīng)過第二次快速升溫退火后的金屬硅化物硅片放到傳片板上時，所述金屬硅化物硅片整個表面降溫均勻，從而解決因降溫不均而引起的接觸電阻分布不均的問題。
【IPC分類】H01L21-673
【公開號】CN204348694
【申請?zhí)枴緾N201520035645
【發(fā)明人】劉煥新
【申請人】中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年1月19日