一種對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)可以在金屬襯底上生長大面積的單層或多層石墨烯薄膜，所得石墨烯質(zhì)量好、易于轉(zhuǎn)移，是目前制備石墨烯薄膜的常用方法，被廣泛用于制備石墨烯晶體管和透明導(dǎo)電薄膜。
[0003]CVD法制備的石墨烯制件的外表面會存在有機物和殘留石墨烯，殘留石墨烯是由CVD法在金屬基底兩側(cè)生長而來，有機物是由在轉(zhuǎn)移到目標基底PET襯底上使用的聚合物粘結(jié)劑而來的。因此，在氧化腐蝕金屬基底或電化學(xué)剝離金屬基底之前，需要對轉(zhuǎn)移之后的石墨烯制件進行清洗。
[0004]目前對轉(zhuǎn)移之后石墨烯制件的清洗方法主要有超聲清洗法和離心清洗法。超聲清洗法的不足之處有:(I)清洗中使用氯仿、丙酮、異丙醇等有機溶劑，對生產(chǎn)環(huán)境及溶劑后處理帶來了污染，溶劑使用量大且對人體危害大；(2)環(huán)境污染大，效率低，生產(chǎn)成本較高，而且需要二次擦拭制件或者出去制件上殘留的溶劑，影響破壞石墨烯結(jié)構(gòu)，從而降低石墨烯制件性能。離心清洗法的不足之處有:(I)無法實現(xiàn)大批量清洗石墨烯制件；(2)清洗的石墨烯制件不干凈、易殘留有機物。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的是提供一種清洗效率高、無污染的對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備，適應(yīng)大批量生產(chǎn)需求。
[0006]實現(xiàn)本實用新型目的的技術(shù)方案是:一種對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備，包括真空腔室、真空泵、抽氣管道、充氣裝置、充氣管道、電控裝置和至少一對電極；所述真空腔室上設(shè)有平衡閥；所述真空泵通過抽氣管道連通真空腔室；所述充氣裝置通過充氣管道連通到真空腔室內(nèi)；所述電極設(shè)置在真空腔室內(nèi)，并與電控裝置相連接。
[0007]對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備還包括設(shè)置在真空腔室內(nèi)的至少一塊；所述每塊隔板上均設(shè)有一對電極。
[0008]所述充氣裝置包括充N2裝置、充Ar裝置和充O 2裝置。
[0009]采用了上述技術(shù)方案，本實用新型具有以下的有益效果:(1)本實用新型的設(shè)備操作簡單，清洗耗時短，有效提高了生產(chǎn)效率，可規(guī)?；逑词┲萍?，清洗后的石墨烯制件上無殘留異物，為后續(xù)氧化腐蝕金屬基底或電化學(xué)剝離金屬基底提供基礎(chǔ)。
[0010](2)本實用新型的真空腔室內(nèi)設(shè)置多塊隔板，進一步提高了生產(chǎn)效率，更適合大規(guī)模、批量化生產(chǎn)需求。
【附圖說明】
[0011]為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中
[0012]圖1為本實用新型的實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為本實用新型的實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]附圖中的標號為:
[0015]真空腔室1、真空泵2、抽氣管道3、充N2裝置4、充Ar裝置5、充O 2裝置6、充氣管道7、電控裝置8、電極9、隔板10、平衡閥11。
【具體實施方式】
[0016](實施例1)
[0017]見圖1，本實施例的對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備，包括真空腔室1、真空泵2、抽氣管道3、充N2裝置4、充Ar裝置5、充O 2裝置6、充氣管道7、電控裝置8和至少一對電極9。
[0018]真空腔室I上設(shè)有平衡閥11。真空泵2通過抽氣管道3連通真空腔室I。充隊裝置4、充Ar裝置5和充O2裝置6通過充氣管道4連通真空腔室I。電極6設(shè)置在真空腔室I內(nèi)，并與電控裝置8相連接。
[0019]以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備，其特征在于:包括真空腔室(1)、真空泵(2)、抽氣管道(3)、充氣裝置、充氣管道(7)、電控裝置(8)和至少一對電極(9);所述真空腔室(I)上設(shè)有平衡閥(11);所述真空泵(2)通過抽氣管道(3)連通真空腔室(I);所述充氣裝置通過充氣管道(4)連通到真空腔室(I)內(nèi)；所述電極(9)設(shè)置在真空腔室(I)內(nèi)，并與電控裝置⑶相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備，其特征在于:還包括設(shè)置在真空腔室(I)內(nèi)的至少一塊隔板(10);所述每塊隔板(10)上均設(shè)有一對電極(9)0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備，其特征在于:所述充氣裝置包括充N2裝置(4)、充Ar裝置(5)和充O 2裝置(6)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種對石墨烯制件進行表面處理的設(shè)備，包括真空腔室、真空泵、抽氣管道、充氣裝置、充氣管道、電控裝置和至少一對電極；所述真空腔室上設(shè)有平衡閥；所述真空泵通過抽氣管道連通真空腔室；所述充氣裝置通過充氣管道連通到真空腔室內(nèi)；所述電極設(shè)置在真空腔室內(nèi)，并與電控裝置相連接。本實用新型的設(shè)備操作簡單，清洗耗時短，生產(chǎn)效率高，可規(guī)?；逑词┲萍?，清洗后的石墨烯制件外表面無殘留異物，為后續(xù)氧化腐蝕金屬基底或電化學(xué)剝離金屬基底提供前期準備。
【IPC分類】H01L21-67
【公開號】CN204348691
【申請?zhí)枴緾N201420843284
【發(fā)明人】金虎, 顧永強, 狄建青, 武文鑫, 孫洪波, 徐振飛, 龔健
【申請人】常州二維碳素科技有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2014年12月26日