一種設(shè)有增頻孔的雙極性振子的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種設(shè)有增頻孔的雙極性振子。
【背景技術(shù)】
[0002]天線是一種把高頻電流轉(zhuǎn)化成無線電波發(fā)射到空間，同時可以收集空間無線電波并產(chǎn)生高頻電流的裝置。天線可看作由電容和電感組成的調(diào)諧電路；該調(diào)諧電路在某些頻率點(diǎn)，其容性和感性將相互抵消，電路表現(xiàn)出純阻性，該現(xiàn)象稱之為諧振，而諧振現(xiàn)象對應(yīng)的工作頻點(diǎn)即為諧振頻率點(diǎn)，處于天線諧振頻率點(diǎn)的能量，其輻射特性最強(qiáng)。并將具有諧振特性的天線結(jié)構(gòu)稱作天線振子，并將高頻電流直接激勵的天線結(jié)構(gòu)稱作有源振子，反之稱作無源振子；現(xiàn)有振子中，在根據(jù)實(shí)際使用的需要對天線進(jìn)行設(shè)計時，為了使得天線的諧振頻率點(diǎn)滿足設(shè)定要求，需要對天線的輸入阻抗進(jìn)行調(diào)整，通過調(diào)整后的振子以及普通振子依然不能滿足目前通信標(biāo)準(zhǔn)的要求，目前通信標(biāo)準(zhǔn)越來越高，對振子的要求也越來越高，目前的振子的增益、方向性、前后比均需要獲得突破。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服以上所述的缺點(diǎn)，提供一種高增益、方向性好的設(shè)有增頻孔的雙極性振子。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的具體方案如下:一種設(shè)有增頻孔的雙極性振子，包括有通過饋電線連接的上下對稱的兩個輻射單元以及通過饋電線連接的左右對稱的兩個輻射單元；所述每個輻射單元包括有左右對稱設(shè)置的兩個振子片，所述每個振子片包括有第一側(cè)壁、從第一側(cè)壁的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、從第一側(cè)壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側(cè)壁平行設(shè)置的第二側(cè)壁；所述第二側(cè)壁的頂端向第一側(cè)壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述兩個振子片的第二側(cè)壁之間連接有耦合橋；所述兩個輻射單元之間連接有饋電臂。
[0005]優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁與第一斜壁連接處的外側(cè)為一圓角，所述圓角的半徑為
0.5mm-lmm0
[0006]優(yōu)選的，所述圓角的半徑為Imm0
[0007]優(yōu)選的，所述第一斜壁設(shè)有一三角形缺口，所述缺口的角度為60° -80°。
[0008]優(yōu)選的，所述缺口的角度為70°。
[0009]優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁的寬度為1.5cm-2cm。
[0010]優(yōu)選的，所述第一斜壁的自由端設(shè)有第一隔離部。
[0011]優(yōu)選的，所述第三斜壁的自由端設(shè)有第三隔離部。
[0012]優(yōu)選的，所述第一隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。
[0013]優(yōu)選的，所述第三隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。
[0014]優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁靠近另一振子片的一側(cè)并列設(shè)有至少一個的半圓形的增頻缺孔。
[0015]優(yōu)選的，所述增頻缺孔數(shù)量為5-8個。
[0016]優(yōu)選的，所述增頻缺孔的直徑為0.5mm-lmm。
[0017]優(yōu)選的，所述第二斜壁的底部設(shè)有第二隔離部。
[0018]優(yōu)選的，所述第二隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。
[0019]優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁遠(yuǎn)離另一振子片的一側(cè)并列延伸出至少一個隔離桿。
[0020]優(yōu)選的，所述隔離桿數(shù)量為三根，所述三根隔離桿的長度從下往上依次遞減。
[0021]優(yōu)選的，所述最長的隔離桿長度為10mm。
[0022]優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁設(shè)有復(fù)數(shù)個第一矩形過孔，所述兩個并排的第一矩形過孔為一組；
[0023]優(yōu)選的，每組并列排列；所述每組第一矩形過孔之間設(shè)有第二矩形過孔，所述第二矩形過孔內(nèi)填充有二氧化硅半導(dǎo)體。
[0024]優(yōu)選的，所述第二矩形過孔的長度為2mm-5mm。
[0025]本實(shí)用新型的有益效果為:通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過不斷試驗(yàn)和參數(shù)調(diào)整下，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，單個輻射單元最低頻點(diǎn)前后比大于30dB，頻帶內(nèi)前后比平均大于32dB;并且具有較高的單元增益，依測得數(shù)據(jù)，從方向圖中可以看出，其最低頻點(diǎn)增益大于9.37dBi,頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dBi。
【附圖說明】
[0026]圖1是本實(shí)用新型的正視圖；
[0027]圖2是圖1的局部放大圖；
[0028]圖3是在頻率為820MHZ時前后比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖；
[0029]圖4是在頻率為850MHZ時前后比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖；
[0030]圖5是在頻率為960MHZ時前后比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖；
[0031]圖6是在頻率為820MHZ時表示增益的方向圖；
[0032]圖7是在頻率為850MHZ時表示增益的方向圖；
[0033]圖8是在頻率為960MHZ時表示增益的方向圖；
[0034]圖1至圖8中的附圖標(biāo)記說明:
[0035]1-第一側(cè)壁；11-第一矩形過孔；12-第二矩形過孔；
[0036]2-第一斜臂；21_第一隔離部；
[0037]3-第二斜臂；31_第二隔離部；
[0038]4-第二側(cè)壁；41_隔離桿；42_增頻缺孔；
[0039]5-第三斜壁；51_第三隔離部；
[0040]6-饋電臂；61_饋電線；
[0041]7-缺口。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，并不是把本實(shí)用新型的實(shí)施范圍局限于此。
[0043]如圖1至圖8所示，本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的雙極性振子，包括有通過饋電線61連接的上下對稱的兩個福射單元以及通過饋電線61連接的左右對稱的兩個福射單元；所述每個輻射單元包括有左右對稱設(shè)置的兩個振子片，所述每個振子片包括有第一側(cè)壁1、從第一側(cè)壁I的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂2、從第一側(cè)壁I的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂3，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側(cè)壁I平行設(shè)置的第二側(cè)壁4 ;所述第二側(cè)壁4的頂端向第一側(cè)壁I方向斜向上延伸有第三斜壁5，所述兩個振子片的第二側(cè)壁4之間連接有耦合橋；所述兩個輻射單元之間連接有饋電臂6 ;通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過不斷試驗(yàn)和參數(shù)調(diào)整下，最終確定了此結(jié)構(gòu)，在820MHZ至960MHZ均表現(xiàn)出優(yōu)良的通信性能，具體的，單個輻射單元最低頻點(diǎn)前后比大于30dB，頻帶內(nèi)前后比平均大于32dB;低頻點(diǎn)增益大于9.37dBi，頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dB1如圖3至圖8的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)所述，在820MHZ至960MHZ實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，其中，在820MHZ時，如圖3，其頻帶內(nèi)前后比為31.225dB ;在850MHZ時，如圖4，其頻帶內(nèi)前后比為33.635dB ;在960MHZ時，如圖5，其頻帶內(nèi)前后比為34.135dB ;而在增益方面，我們通過方向數(shù)據(jù)圖來分析增益性能可知，在820MHZ時，如圖6，其增益為9.3521dB ;在850MHZ時，如圖7，其增益為9.72IdB ;在960MHZ時，如圖8，其增益為10.121dB。
[0044]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的雙極性振子，所述第一側(cè)壁I與第一斜壁連接處的外側(cè)為一圓角，所述圓角的半徑為0.所述圓角能有效增強(qiáng)高頻段的增益效果，通過實(shí)驗(yàn)測得，其半徑為0.時，能有效增強(qiáng)高頻段的增益效果。
[0045]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的雙極性振子，所述圓角的半徑為Imm ;優(yōu)選的，當(dāng)所述圓角的半徑為Imm時，其能有效增強(qiáng)高頻段的增益效果，通過實(shí)驗(yàn)測得，其增益效果最大。
[0046]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的雙極性振子，所述第一斜壁設(shè)有一三角形缺口7，所述缺口 7的角度為60° -80° ;所