一種碳化硅基電路板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電路板設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種碳化硅基電路板。
【背景技術(shù)】
[0002]碳化硅(SiC)半導(dǎo)體陶瓷材料于上世紀(jì)初被發(fā)現(xiàn)后，在過(guò)電壓防護(hù)領(lǐng)域中被廣泛用于制作避雷器、防護(hù)元件等器件，在電高溫領(lǐng)域被用作發(fā)熱元件。由于SiC的非線性系數(shù)a值小、電壓梯度低、材料消耗大等原因，自上世紀(jì)70年代，在過(guò)電壓防護(hù)領(lǐng)域中逐步被氧化鋅取代，但又由于碳化硅(SiC)材料比重輕(約1.7左右)、導(dǎo)熱性能好、價(jià)格低廉、工藝成熟，并且在半導(dǎo)化以前又有良好的絶緣性能，并具有一定的電磁防護(hù)功能，因此，基于碳化硅(SiC)材料上述特性可制作良好的散熱板。然而現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)做法是將功率元件焊貼在PCB板上，再將PCB板膠貼在各種材質(zhì)(如鋁型材、氧化鋁、石墨稀、碳化硅等)的散熱板上形成整體件，現(xiàn)有技術(shù)存在著制備工藝較復(fù)雜、浪費(fèi)材料、污染環(huán)境(常規(guī)PCB板制作中的腐蝕液污染)等缺陷，而且制備的電路板散熱功效較低，價(jià)格較貴。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種碳化硅基電路板，使得碳化硅基電路板散熱功效高，生產(chǎn)成本低、安全環(huán)保。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為:
[0005]本實(shí)用新型提供一種碳化硅基電路板，包括碳化硅陶瓷基板和印制在所述碳化硅陶瓷基板一面或兩面的金屬線路圖。
[0006]進(jìn)一步地，當(dāng)在所述碳化硅陶瓷基板的兩面印制有金屬線路圖時(shí)，印制在所述碳化硅陶瓷基板兩面的金屬線路圖相同或者不相同。
[0007]進(jìn)一步地，當(dāng)在所述碳化硅陶瓷基板的一面印制有金屬線路圖時(shí)，所述碳化硅陶瓷基板的另一面作為散熱面被設(shè)置為平面、曲線面、多半球體面或多三角錐體面。
[0008]進(jìn)一步地，所述碳化硅陶瓷基板的外部尺寸及形狀和其上設(shè)置的孔槽的形狀根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)置。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果在于:
[0010]本實(shí)用新型所提的一種碳化硅基電路板將線路板與散熱板合二為一，節(jié)省資源，該碳化硅基電路板具有散熱功效高、安全環(huán)保、生產(chǎn)成本低、可用于大功率器件等優(yōu)點(diǎn)，且具有一定的電磁防護(hù)功能。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型提供的碳化硅基電路板的第一種實(shí)施結(jié)構(gòu)的主視圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型提供的碳化硅基電路板的第一種實(shí)施結(jié)構(gòu)的后視圖；
[0013]圖3為本實(shí)用新型提供的碳化硅基電路板的第二種實(shí)施結(jié)構(gòu)的主視圖；
[0014]圖4為本實(shí)用新型提供的碳化硅基電路板的第二種實(shí)施結(jié)構(gòu)的后視圖；
[0015]圖5為本實(shí)用新型提供的碳化硅基曲線面單面電路板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖6為本實(shí)用新型提供的碳化硅基多半球體面單面電路板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖7為本實(shí)用新型提供的碳化硅基多三角錐體面單面電路板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖具體闡明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，附圖僅供參考和說(shuō)明使用，不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型專利保護(hù)范圍的限制。
[0019]本實(shí)用新型提供的一種碳化硅基電路板的實(shí)施方式通過(guò)以下實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明:
[0020]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種碳化硅基電路板，包括碳化硅陶瓷基板I和印制在所述碳化硅陶瓷基板一面或兩面的金屬線路圖2，當(dāng)在所述碳化硅陶瓷基板的兩面印制有金屬線路圖時(shí)，印制在所述碳化硅基板兩面的金屬線路圖相同或者不相同，雙面印制金屬線路圖的碳化硅陶瓷基板適用于中小功率器件散熱需求。所述碳化硅基板可以根據(jù)器件散熱要求做成不同的形狀、厚度、體積、表面積等，圖1至圖4所示為兩種不同形狀的SiC基板結(jié)構(gòu)，在第一種SiC基板上設(shè)有凹槽3，在第二種基板上設(shè)置有凹槽3和孔4。
[0021]當(dāng)在所述碳化硅陶瓷基板的一面印制有金屬線路圖時(shí)，所述碳化硅陶瓷基板的另一面作為散熱面被設(shè)置為平面、曲線面、多半球體面或多三角錐體面等。圖5、6、7分別示出了所述碳化硅陶瓷基板的散熱面分別為曲線面、球體面和三角錐體面的形狀結(jié)構(gòu)，單面印制金屬線路圖的碳化硅陶瓷基板適用于大功率器件散熱需求。
[0022]所述碳化硅陶瓷基板由80-95%的碳化硅原料與20—5%的玻璃釉混合制成。
[0023]所述金屬線路圖通過(guò)金屬漿(如銀漿、錫漿、鎳漿、銅漿、或鋁漿等)將線路圖案印制在碳化硅基板面上形成。
[0024]以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，不能以此來(lái)限定本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍，因此依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種碳化硅基電路板，其特征在于:包括碳化硅陶瓷基板和印制在所述碳化硅陶瓷基板一面或兩面的金屬線路圖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅基電路板，其特征在于:當(dāng)在所述碳化硅陶瓷基板的兩面印制有金屬線路圖時(shí)，印制在所述碳化硅陶瓷基板兩面的金屬線路圖相同或者不相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅基電路板，其特征在于:當(dāng)在所述碳化硅陶瓷基板的一面印制有金屬線路圖時(shí)，所述碳化硅陶瓷基板的另一面作為散熱面被設(shè)置為平面、曲線面、多半球體面或多三角錐體面。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種碳化硅基電路板，包括碳化硅陶瓷基板和印制在所述碳化硅陶瓷基板一面或兩面的金屬線路圖；當(dāng)在所述碳化硅陶瓷基板的兩面印制有金屬線路圖時(shí)，印制在所述碳化硅陶瓷基板兩面的金屬線路圖相同或者不相同。當(dāng)在所述碳化硅陶瓷基板的一面印制有金屬線路圖時(shí)，所述碳化硅陶瓷基板的另一面作為散熱面被設(shè)置為平面、曲線面、多半球體面或多三角錐體面。所述碳化硅陶瓷基板的外部尺寸及形狀和其上設(shè)置的孔槽的形狀根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)置。本實(shí)用新型提供的碳化硅基電路板將線路板與散熱板合二為一，節(jié)省資源，該碳化硅基電路板具有散熱功效高、散熱均勻性好、價(jià)格便宜、可用于大功率器件等優(yōu)點(diǎn)，且具有一定的電磁防護(hù)功能。
【IPC分類】H01L23-373, H01L23-498, H01L23-367, H01L21-48, H01L23-552
【公開(kāi)號(hào)】CN204424250
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520032537
【發(fā)明人】曾清隆, 陳澤同
【申請(qǐng)人】隆科電子(惠陽(yáng))有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月24日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日