太陽(yáng)能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型是有關(guān)于一種太陽(yáng)能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，由于地球暖化及全球能源危機(jī)的問題，各國(guó)皆投入研宄低耗能、低污染的各種半導(dǎo)體元件，而其中又以無(wú)耗損及無(wú)污染的綠能產(chǎn)業(yè)太陽(yáng)能電池，最為熱門。
[0003]按照制作材料，太陽(yáng)能電池可分為硅基半導(dǎo)體電池、碲化鎘薄膜電池、CIGS(銅、銦、鎵、砸)薄膜電池、染料敏化薄膜電池、有機(jī)材料電池等。其中硅電池又分為單晶電池、多晶電池和無(wú)定形硅薄膜電池等。對(duì)于太陽(yáng)能電池來說最重要的參數(shù)是轉(zhuǎn)換效率，目前在實(shí)驗(yàn)室所研發(fā)的硅基太陽(yáng)能電池中，單晶硅電池效率為25.0%，多晶硅電池效率為20.4%, CIGS薄膜電池效率達(dá)19.8%，碲化鎘薄膜電池效率達(dá)19.6%，無(wú)定形硅薄膜電池的效率為10.1%ο
[0004]為了進(jìn)一步改善太陽(yáng)能電池的各項(xiàng)特性，相關(guān)領(lǐng)域莫不費(fèi)盡心思開發(fā)。如何能提供一種具有較佳特性(特別是較佳轉(zhuǎn)換效率)的太陽(yáng)能電池，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前相關(guān)領(lǐng)域亟需改進(jìn)的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型的一技術(shù)態(tài)樣是在提供一種太陽(yáng)能電池，藉由降低開孔對(duì)于鈍化層的開口率，以提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施方式，一種太陽(yáng)能電池，包含基板、鈍化層、背電極層以及至少一匯流電極?；寰哂邢鄬?duì)的第一主表面與第二主表面，其中第二主表面作為入光面，第一主表面分為第一區(qū)域與第二區(qū)域。鈍化層設(shè)置于第一主表面上，其中鈍化層包含設(shè)置于第一區(qū)域上的第一部份與設(shè)置于第二區(qū)域上的第二部份，第一部份具有多個(gè)開孔，且開孔裸露基板。背電極層設(shè)置于第一部份上與開孔中，背電極層透過開孔與基板接觸。匯流電極設(shè)置于第二部份上，其中基板與匯流電極被鈍化層的第二部份隔離。
[0007]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，開孔對(duì)于鈍化層的開口率為1%至2%。
[0008]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，開孔對(duì)于鈍化層的開口率為1.5%。
[0009]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，開孔形成多條直排，直排與匯流電極垂直。
[0010]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，直排包含多個(gè)第一直排與多個(gè)第二直排，第一直排的虛擬延伸直線與匯流電極交錯(cuò)，第一直排之間具有第一間距，第二直排之間具有第二間距，第一間距與第二間距不同。
[0011]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，開孔與匯流電極之間的最小距離為20 μπι至 200 μmD
[0012]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，開孔形成多條直排，直排與匯流電極平行。
[0013]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，匯流電極為多個(gè)，直排包含多個(gè)第三直排、多個(gè)第四直排以及多個(gè)第五直排，第三直排設(shè)置于匯流電極與太陽(yáng)能電池的底面與匯流電極平行的邊緣之間，第四直排的虛擬延伸直線與匯流電極交錯(cuò)，第五直排設(shè)置于匯流電極之間，第三直排之間具有第三間距，第四直排之間具有第四間距，第五直排之間具有第五間距，第三間距、第四間距、第五間距互不相同。
[0014]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第三間距為200 μπι至2mm，第四間距為200 μ m至2mm，第五間距為200 μ m至2mm。
[0015]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，開孔與匯流電極之間的最小距離為20 μπι至 500 μmD
[0016]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，匯流電極包含平行并列設(shè)置的第一匯流電極、第二匯流電極以及第三匯流電極，第一匯流電極、第二匯流電極以及第三匯流電極的底面形狀為矩形，太陽(yáng)能電池的底面與匯流電極平行的邊緣與第一匯流電極的短邊中心的間距為20mm至30mm，第一匯流電極的短邊中心與第二匯流電極的短邊中心的間距為45mm至55mm，第二匯流電極的短邊中心與第三匯流電極的短邊中心的間距為45mm至55mm，第三匯流電極的短邊中心與太陽(yáng)能電池的底面與匯流電極平行的邊緣的間距為20mm至30mmo
[0017]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第二部份不具有開孔。
[0018]于本實(shí)用新型的一或多個(gè)實(shí)施方式中，鈍化層包含氧化鋁層與氮化硅層，氧化鋁層設(shè)置于基板與氮化硅層之間，氮化硅層設(shè)置于氧化鋁層與背電極層之間或氧化鋁層與匯流電極之間。
[0019]本實(shí)用新型不同實(shí)施方式藉由使太陽(yáng)能電池的基板與匯流電極被鈍化層的第二部份隔離，且使鈍化層的第二部份不具有開孔。于是，因?yàn)殚_孔對(duì)于鈍化層的開口率下降，鈍化層的結(jié)構(gòu)將會(huì)較為完整，因而可以提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率0.01%至0.02%。
【附圖說明】
[0020]圖1繪示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池的背視示意圖。
[0021]圖2繪示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖，其剖面位置為沿圖1的線段2。
[0022]圖3繪示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖，其剖面位置為沿圖1的線段3。
[0023]圖4繪示圖1的太陽(yáng)能電池的另一背視示意圖。
[0024]圖5繪示依照本實(shí)用新型另一實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池的背視示意圖。
[0025]其中，附圖標(biāo)記:
[0026]100:太陽(yáng)能電池
[0027]101:底面
[0028]110:基板
[0029]111:第一主表面
[0030]112:第一區(qū)域
[0031]113:第二區(qū)域
[0032]116:第二主表面
[0033]120:鈍化層
[0034]122:第一部份
[0035]123:第二部份
[0036]125:氧化鋁層
[0037]126:氮化硅層
[0038]127:開孔
[0039]130:背電極層
[0040]140:匯流電極
[0041]141:第一匯流電極
[0042]142:第二匯流電極
[0043]143:第三匯流電極
[0044]150:直排
[0045]151:第一直排
[0046]152:第二直排
[0047]153:第三直排
[0048]154:第四直排
[0049]155:第五直排
[0050]D:直徑
[0051]L:邊長(zhǎng)
[0052]M1、M2、M3、M4、M5:區(qū)域
[0053]P、P6、P7、P8、P9:間距
[0054]Pl:第一間距
[0055]P2:第二間距
[0056]P3:第三間距
[0057]P4:第四間距
[0058]P5:第五間距
[0059]W:短邊長(zhǎng)度
【具體實(shí)施方式】
[0060]以下將以附圖公開本實(shí)用新型的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本實(shí)用新型。也就是說，在本實(shí)用新型部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示之。
[0061]圖1繪示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池100的背視示意圖。本實(shí)用新型不同實(shí)施方式提供一種太陽(yáng)能電池100。太陽(yáng)能電池100主要為射極鈍化及背電極(Passivated Emitter and Rear Cell, PERC)結(jié)構(gòu)。
[0062]圖2繪示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池100的剖面示意圖，其剖面位置為沿圖1的線段2。圖3繪示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池100的剖面示意圖，其剖面位置為沿圖1的線段3。如圖1、圖2以及圖3所繪示，太陽(yáng)能電池100包含基板110、鈍化層120、背電極層130以及至少一匯流電極140?；?10具有相對(duì)的第一主表面111與第二主表面116，其中第二主表面116作為入光面，第一主表面111分為第一區(qū)域112與第二區(qū)域113。鈍化層120設(shè)置于第一主表面111上，