一種優(yōu)化pd反光干擾的半導體激光器用管座的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種具有導向定位的半導體激光器用管座，屬于激光器用管座技術領域。
【背景技術】
[0002]二十世紀70年代，半導體激光器室溫連續(xù)震蕩的成功和低損耗光纖的實現(xiàn)拉開了光電子時代的序幕。半導體激光器具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、易于調(diào)制及價格低廉等優(yōu)點，在工業(yè)、醫(yī)學和軍事領域得到了廣泛的應用。這也促進半導體激光器的產(chǎn)業(yè)化，由于生產(chǎn)工藝等技術問題，半導體激光器存在早期失效、偶然失效、損耗失效三種失效形式，在半導體激光器的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中必然要面對如何剔除早期失效產(chǎn)品的問題。
[0003]中國專利文獻CN102263354B公開的《一種同軸激光器耦合封裝器件夾具》，適用于T0SA/R0SA激光焊接耦合封裝系統(tǒng)。采用錐面定位，易于自動定心，并且保證夾持器件的垂直度，提高激光器耦合焊接時的對準精度。通過旋轉外部螺紋桿，可對器件進行夾緊動作。裝置底部自帶接線柱，可對其所夾持器件自行接通電源，其接線柱為高度可調(diào)，易于導通。具有結構緊湊，定位定心精度高，易于器件裝卸，操作方便簡潔等特點，通過更換不同尺寸大小的夾具瓣可裝夾不同的外形尺寸的TO產(chǎn)品。
[0004]中國專利文獻CN102169698A公開的《一種激光器安裝裝置和使用該激光器安裝裝置的光拾取裝置》，該激光器安裝裝置容易進行激光的調(diào)整作業(yè)。該激光器安裝裝置由LD (激光二極管)封裝件和用于容納該LD封裝件的LD保持件構成，使與LD封裝件的側面抵接的LD保持件的第一內(nèi)壁為傾斜面。由此，即使從容納于LD保持件中的發(fā)光芯片射出的激光偏離光軸，通過用作為傾斜面的第一內(nèi)壁校正LD封裝件的朝向，從而能夠向光軸側校正激光的行進方向。
[0005]中國專利文獻CN102290704A公開的《一種半導體激光器TO封裝結構及方法》，該封裝結構包括半導體激光器芯片，該芯片的至少一側面經(jīng)至少一過渡熱沉與至少一熱沉固定連接，且該芯片、過渡熱沉和熱沉均固定在管座上，并被封裝于由該管座和一封帽圍合形成的封閉腔體中。該方法為:在半導體激光器芯片的至少一側面上固定連接至少一過渡熱沉，而后將每一過渡熱沉分別與一熱沉固定連接，其后將該芯片、過渡熱沉及熱沉均固定在管座上，并在保護氣氛中封蓋，形成半導體激光器封裝結構。本實用新型采用高熱導率過渡熱沉與熱沉組合的結構，尤其是采用雙熱沉結構，可有效增強TO封裝的半導體激光器的散熱能力，大幅地降低激光器有源區(qū)的節(jié)溫，減小激光器的熱阻，延長半導體激光器的壽命，但加工工藝復雜，設備投資高。
[0006]目前在TO管座的LD封裝領域，TO管座的ro定位槽所形成的ro反光，對紅光器件的光斑造成了很大的干擾。通用管座的結構如圖1所示，包括主體1、管舌2、接線柱3、PD (光電二極管)定位槽4和管腳5 ;管舌2、PD定位槽4和接線柱3設置在主體I的上端面，主體I的下端面連接有管腳5。PD定位槽4的底面相對主體I上端面傾斜，傾斜方向與管舌2垂直。LD芯片封裝在管舌2上，ro芯片封裝在ro定位槽4內(nèi)，PD固定于ro定位槽4內(nèi)正對芯片背光一側，完成封裝的芯片與接線柱3進行焊線，經(jīng)過封帽形成密閉腔后完成TO封裝。通用管座ro定位槽12°角對光斑要求較高的紅光領域有一定的制約作用，正對芯片的F1D表面反光會和LD出光光斑摻雜，對光輸出的光束質(zhì)量和光斑模式均有嚴重的干擾作用。且目前未有良好的解決方式。
【實用新型內(nèi)容】
[0007]針對現(xiàn)有半導體激光器通用管座存在的不足，本實用新型提供一種具有優(yōu)化避免PD反光干擾的半導體激光器用管座，該管座在現(xiàn)有設備資源下可避免ro反光對光斑模式的影響，從而有效的提高了半導體激光器器件的工作效率和產(chǎn)品合格率，且工藝變化較小，經(jīng)濟成本非常可觀。
[0008]本實用新型的優(yōu)化ro反光干擾的半導體激光器用管座，采用以下技術方案:
[0009]該管座，包括主體、管舌、管腳、PD定位槽和接線柱，管舌、ro定位槽和接線柱設置在主體的上端面，主體的下端面連接有管腳，ro定位槽的底面相對主體上端面傾斜，傾斜方向與管舌平行，朝向接線柱。
[0010]ro定位槽與主體上端面的夾角為6° -12°。改變ro定位槽角度使得背光經(jīng)過PD反射后不會干擾到LD激射所形成的光斑。
[0011]F1D定位槽的最深處與主體上端面的距離為300 μ m-600 μ m。該深度不小于F1D定位槽內(nèi)封裝的ro芯片的高度，以保證ro芯片封裝在ro定位槽內(nèi)后不會影響ld芯片的封裝。
[0012]本實用新型將常規(guī)管座的ro定位槽朝向一方接線柱，ro正常封裝在ro定位槽內(nèi)，完成焊線封帽形成的器件所激射的光斑不會受到來自ro反射的背光影響，改變PD定位槽角度從而改變了 ro與LD芯片之間的夾角，LD背光經(jīng)過ro反射后偏向一方接線柱，從而將背光反射到LD出光區(qū)域以外，而不會透過管帽視窗與LD激射光斑干擾，所以提升了 LD器件品質(zhì)和光斑質(zhì)量。具有以下特點:
[0013](I)可將LD背光的反射光有效的消除，對光束質(zhì)量和器件性能有極大的提升。
[0014](2)結構簡單，使得工藝過程和工藝技術，在不增加設備投資、不增加工藝技術難度的前提下，高合格率、低成本，可量產(chǎn)，高品質(zhì)，極大的提升了經(jīng)濟效益。
【附圖說明】
[0015]圖1是現(xiàn)有通用TO半導體激光器用管座的結構示意圖。
[0016]圖2是本實用新型優(yōu)化ro反光干擾的半導體激光器用管座的結構示意圖。
[0017]圖中，1、主體，2、管舌，3、接線柱，4、PD定位槽，5、管腳。
【具體實施方式】
[0018]本實用新型的優(yōu)化ro反光干擾的半導體激光器用管座，如圖2所示，其結構與現(xiàn)有通用TO半導體激光器用管座一樣，也包括主體1、管舌2、接線柱3、PD定位槽4和管腳
5。管舌2、Η)定位槽4和接線柱3設置在主體I的上端面，主體I的下端面連接有管腳5。LD芯片封裝在管舌2上，ro芯片封裝在ro定位槽4內(nèi)，完成封裝的芯片與接線柱3進行焊線，經(jīng)過封帽形成密閉腔后完成TO封裝。不同之處在于，ro定位槽4的底面相對主體I的上端面傾斜，傾斜方向與管舌2平行，朝向接線柱3。將圖1中的PD定位槽沿著主體I的軸線轉過90 °后，改變了原有H)反射光在LD芯片豎直方向內(nèi)造成的干擾，將反射光偏向水平方向一側，不出現(xiàn)在光斑范圍內(nèi)。ro定位槽4角度的優(yōu)化，有效的避免了 ro對LD芯片背光的反射造成的光斑干擾，背光反射偏斜接線柱3的一側。
[0019]H)定位槽4的底面與主體上端面的夾角為6° -12°。最小角度不能低于LD芯片的水平發(fā)散角，一般目前常規(guī)芯片水平發(fā)散角6°以上，12°是為常規(guī)參數(shù)，根據(jù)實際芯片水平發(fā)散角，角度不唯一固定。ro定位槽的深度應保證ro芯片封裝在ro定位槽4內(nèi)后不會影響LD的封裝。
[0020]PD定位槽的最深處(圖2中H)定位槽4的右側)與主體上端面的距離為300 μ m-600 μ mo該深度不小于H)定位槽內(nèi)封裝的H)芯片的高度，以保證H)芯片封裝在PD定位槽內(nèi)后不會影響LD芯片在管舌2上的封裝。
【主權項】
1.一種優(yōu)化ro反光干擾的半導體激光器用管座，包括主體、管舌、管腳、ro定位槽和接線柱，管舌、ro定位槽和接線柱設置在主體的上端面，主體的下端面連接有管腳，其特征是，PD定位槽的底面相對主體上端面傾斜，傾斜方向與管舌平行，朝向接線柱。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種優(yōu)化ro反光干擾的半導體激光器用管座，其特征是，所述ro定位槽與主體上端面的夾角為6° -12°。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種優(yōu)化ro反光干擾的半導體激光器用管座，其特征是，所述F1D定位槽的最深處與主體上端面的距離為300 μ m-600 μ mD
【專利摘要】一種優(yōu)化PD反光干擾的半導體激光器用管座，包括主體、管舌、管腳、PD定位槽和接線柱，管舌、PD定位槽和接線柱設置在主體的上端面，主體的下端面連接有管腳，PD定位槽的底面相對主體上端面傾斜，傾斜方向與管舌平行，朝向接線柱。PD定位槽與主體上端面的夾角為6°-12°。該管座的PD定位槽朝向一方接線柱，PD正常封裝在PD定位槽內(nèi)，完成焊線封帽形成的器件所激射的光斑不會受到來自PD反射的背光影響，改變PD定位槽角度從而改變了PD與LD芯片之間的夾角，LD背光經(jīng)過PD反射后偏向一方接線柱，從而將背光反射到LD出光區(qū)域以外，而不會透過管帽視窗與LD激射光斑干擾，所以提升了LD器件品質(zhì)和光斑質(zhì)量。
【IPC分類】H01S5-022
【公開號】CN204497565
【申請?zhí)枴緾N201520261085
【發(fā)明人】張騁, 梁盼, 劉存志
【申請人】山東浪潮華光光電子股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年4月25日