一種高發(fā)光率二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種半導(dǎo)體器械領(lǐng)域，具體是一種高發(fā)光率二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light Emitting D1de，LED)是一種能夠發(fā)光的半導(dǎo)體組件，比起傳統(tǒng)光源，具有發(fā)光效率高，使用壽命長，不易破損等傳統(tǒng)光源無法相比的優(yōu)點。半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)在全球興起，LED (發(fā)光二極管)成為萬眾矚目的焦點。在日常生活中的許多領(lǐng)域得到了普遍的認(rèn)可，在電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用，例如電路及儀器中作為指示燈，顯示器背光等。隨著LED越來越多的應(yīng)用于室內(nèi)照明，但是，LED要真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場，其成本的降低還有賴于光效的提升。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種高發(fā)光率二極管，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]—種高發(fā)光率二極管，包括外殼、基座、焚光層、發(fā)光二極管芯片、磁屏蔽層、反射杯、封裝材料、第一電極、第二電極、濾光層、透光罩殼和微鏡頭，所述的外殼底部設(shè)有基座，基座上設(shè)有反射杯，發(fā)光二極管芯片設(shè)于反射杯底部，反射杯內(nèi)壁設(shè)有反光金屬層，所述第一電極有第一貼片基島，而第一貼片基島有與其連為一體的第一引線，所述第二電極有第二貼片基島，而第二貼片基島有與其連為一體的第二引線，所述第一貼片基島和第二貼片基島插裝在基座的兩端，所述發(fā)光二極管芯片的正極通過導(dǎo)線與第一貼片基島連接，發(fā)光二極管芯片的負(fù)極通過導(dǎo)線與第二貼片基島連接，發(fā)光二極管芯片外包覆熒光層，熒光層與發(fā)光二極管芯片之間設(shè)有磁屏蔽層，反射杯內(nèi)設(shè)有封裝材料，且封裝材料包覆二極管芯片、熒光層和磁屏蔽層，封裝材料上方設(shè)有透光罩殼，透光罩殼內(nèi)壁設(shè)有濾光層，透光罩殼表面上設(shè)置有用以透光的多個微鏡頭。
[0006]作為本實用新型進(jìn)一步的方案:所述的外殼是絕緣良導(dǎo)熱材料制成。
[0007]作為本實用新型再進(jìn)一步的方案:所述反光金屬層為反光鋁質(zhì)層，或者為反光銀質(zhì)層。
[0008]作為本實用新型再進(jìn)一步的方案:所述封裝材料為透明封裝材料。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型由于所述反射杯的內(nèi)壁有反光金屬層，而反光金屬層能夠收集發(fā)光二極管芯片的側(cè)面和邊緣所發(fā)出的光，增加了反光，且能夠向不同的方向角發(fā)射，磁屏蔽層減少電磁福射對人體傷害，通過在透光罩殼表面微鏡頭結(jié)構(gòu)，該微鏡頭結(jié)構(gòu)采用與封裝膠水相同或相近折射率的膠水，可以減小光線的出射角度，減少全反射的發(fā)生幾率，提升LED的出光效率，但不影響LED的宏觀結(jié)構(gòu)，簡單實用，且低成本。
【附圖說明】
[0010]圖1為一種高發(fā)光率二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為一種高發(fā)光率二極管的俯視圖。
[0012]圖中:1、外殼，2、基座，3、焚光層，4、發(fā)光二極管芯片，5、磁屏蔽層，6、反射杯，7、封裝材料，8、第一電極，81、第一貼片基島，82、第一引線，9、第二電極，91、第二貼片基島，92、第二引線，10、濾光層，11、透光罩殼，12、微鏡頭，13、反光金屬層。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合【具體實施方式】對本專利的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)地說明。
[0014]請參閱圖1-2，一種高發(fā)光率二極管，包括外殼1、基座2、熒光層3、發(fā)光二極管芯片4、磁屏蔽層5、反射杯6、封裝材料7、第一電極8、第二電極9、濾光層10、透光罩殼11和微鏡頭12，所述的外殼I底部設(shè)有基座2，外殼I是絕緣良導(dǎo)熱材料制成，安全利于散熱，基座2上設(shè)有反射杯6，發(fā)光二極管芯片4設(shè)于反射杯6底部，反射杯6內(nèi)壁設(shè)有反光金屬層13，所述反光金屬層13為反光鋁質(zhì)層，或者為反光銀質(zhì)層，所述第一電極8有第一貼片基島81，而第一貼片基島81有與其連為一體的第一引線81，所述第二電極9有第二貼片基島91，而第二貼片基島91有與其連為一體的第二引線92，所述第一貼片基島81和第二貼片基島91插裝在基座2的兩端，所述發(fā)光二極管芯片4的正極通過導(dǎo)線與第一貼片基島81連接，發(fā)光二極管芯片4的負(fù)極通過導(dǎo)線與第二貼片基島91連接，發(fā)光二極管芯片4外包覆熒光層3，熒光層3與發(fā)光二極管芯片4之間設(shè)有磁屏蔽層5，減少電磁輻射對人體傷害，反射杯6內(nèi)設(shè)有封裝材料7，且封裝材料7包覆二極管芯片4、熒光層3和磁屏蔽層5，所述封裝材料7為透明封裝材料，所述封裝材料7可選擇環(huán)氧樹脂、硅膠或聚甲基丙烯酸甲酯等材料，封裝材料7上方設(shè)有透光罩殼11，透光罩殼11內(nèi)壁設(shè)有濾光層10，透光罩殼11表面上設(shè)置有用以透光的多個微鏡頭12。
[0015]本實用新型的工作原理是:本實用新型發(fā)光芯片出射的光線照射到熒光層后，磁屏蔽層減少電磁輻射對人體傷害，經(jīng)過反射杯內(nèi)壁的反光金屬層反射，通過濾光層過濾，通過在透光罩殼表面微鏡頭結(jié)構(gòu)，該微鏡頭結(jié)構(gòu)采用與封裝膠水相同或相近折射率的膠水，可以減小光線的出射角度，減少全反射的發(fā)生幾率，提升LED的出光效率，但不影響LED的宏觀結(jié)構(gòu)，簡單實用，且低成本。
[0016]上面對本專利的較佳實施方式作了詳細(xì)說明，但是本專利并不限于上述實施方式，在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所具備的知識范圍內(nèi)，還可以在不脫離本專利宗旨的前提下做出各種變化。
【主權(quán)項】
1.一種高發(fā)光率二極管，包括外殼(I)、基座(2)、熒光層(3)、發(fā)光二極管芯片(4)、磁屏蔽層(5)、反射杯(6)、封裝材料(7)、第一電極⑶、第二電極(9)、濾光層(10)、透光罩殼(11)和微鏡頭(12)，其特征在于，所述的外殼(I)底部設(shè)有基座(2)，基座(2)上設(shè)有反射杯(6)，發(fā)光二極管芯片(4)設(shè)于反射杯(6)底部，反射杯￠)內(nèi)壁設(shè)有反光金屬層(13)，所述第一電極(8)有第一貼片基島(81)，而第一貼片基島(81)有與其連為一體的第一引線(81)，所述第二電極(9)有第二貼片基島(91)，而第二貼片基島(91)有與其連為一體的第二引線(92)，所述第一貼片基島(81)和第二貼片基島(91)插裝在基座(2)的兩端，所述發(fā)光二極管芯片(4)的正極通過導(dǎo)線與第一貼片基島(81)連接，發(fā)光二極管芯片(4)的負(fù)極通過導(dǎo)線與第二貼片基島(91)連接，發(fā)光二極管芯片(4)外包覆熒光層(3)，熒光層(3)與發(fā)光二極管芯片(4)之間設(shè)有磁屏蔽層(5)，反射杯￠)內(nèi)設(shè)有封裝材料(7)，且封裝材料(7)包覆二極管芯片(4)、熒光層(3)和磁屏蔽層(5)，封裝材料(7)上方設(shè)有透光罩殼(11)，透光罩殼(11)內(nèi)壁設(shè)有濾光層(10)，透光罩殼(11)表面上設(shè)置有用以透光的多個微鏡頭(12) ο2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光率二極管，其特征在于，所述的外殼(I)是絕緣良導(dǎo)熱材料制成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光率二極管，其特征在于，所述反光金屬層(13)為反光鋁質(zhì)層，或者為反光銀質(zhì)層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光率二極管，其特征在于，所述封裝材料(7)為透明封裝材料。
【專利摘要】本實用新型公開了一種高發(fā)光率二極管，包括外殼、基座、熒光層、發(fā)光二極管芯片、磁屏蔽層、反射杯、封裝材料、第一電極、第二電極、濾光層、透光罩殼和微鏡頭，所述的外殼底部設(shè)有基座，基座上設(shè)有反射杯，發(fā)光二極管芯片設(shè)于反射杯底部，反射杯內(nèi)壁設(shè)有反光金屬層，發(fā)光二極管芯片外包覆熒光層，熒光層與發(fā)光二極管芯片之間設(shè)有磁屏蔽層，封裝材料上方設(shè)有透光罩殼，透光罩殼表面上設(shè)置有用以透光的多個微鏡頭。本實用新型由于所述反射杯的內(nèi)壁有反光金屬層增加了反光，且能夠向不同的方向角發(fā)射，通過在透光罩殼表面微鏡頭結(jié)構(gòu)可以減小光線的出射角度，減少全反射的發(fā)生幾率，提升LED的出光效率，但不影響LED的宏觀結(jié)構(gòu)，簡單實用，且低成本。
【IPC分類】H01L33/58, H01L33/60, H01L33/52
【公開號】CN204732450
【申請?zhí)枴緾N201520367731
【發(fā)明人】于雪
【申請人】天津鉅遠(yuǎn)科技發(fā)展有限公司
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2015年6月1日