一種光源無需封裝的led燈的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種光源無需封裝的LED燈。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市面上燈具中所有燈珠因一味的追求成本而造成封裝廠只能采用低廉、品質(zhì)差的材料封裝燈珠，從而使得目前LED燈具使用壽命越來越短，完全脫離了 LED燈具壽命長的理念。目前市面上所采用的燈管的組裝結(jié)構(gòu)極其繁瑣。
[0003]目前現(xiàn)有技術(shù)中制作LED燈，將貼有SMD光源的線路板固定在半塑半鋁鋁材中或者全塑或者透明玻璃或者帶有涂層的玻璃管中，再加上驅(qū)動(dòng)電源以達(dá)到發(fā)光效果。此技術(shù)目前是市面上非常普遍，并且已形成一種固定的作業(yè)模式，是幾乎所有的燈具加工廠采取的技術(shù)方案。但是此技術(shù)方案存在不足:加工工藝繁瑣，需要購置SMT貼片機(jī)，需要增加專業(yè)人員維護(hù)，這無形中增加了企業(yè)的人工成本和儀器設(shè)備的成本?；蛘呶饧庸?，這造成時(shí)間成本的浪費(fèi)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中燈管的芯片采用正裝形式，采用如圖1所示的LED正裝芯片，藍(lán)光層位于最底層，P電極、N電極位于最上層。這種芯片需要封裝，工廠不可或缺焊線這一工序，并且額定驅(qū)動(dòng)電流為一定的限值，若超過額定電流使用則出現(xiàn)VF值升高，光效低，光衰大。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中采用在玻璃管上按照配方比例噴涂熒光粉，配方按照不同的色溫而改變，但此技術(shù)方案中存在噴涂不均勻現(xiàn)象時(shí)，會(huì)導(dǎo)致出光效果極差，色溫?zé)o法達(dá)到預(yù)想的數(shù)值。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種安裝簡單，光效平衡的光源無需封裝的LED燈。
[0007]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種光源無需封裝的LED燈，包括直接燒制有熒光粉的燈管外殼，所述燈管外殼兩端安裝有堵頭，所述燈管外殼內(nèi)置有基板，所述基板上固定有多個(gè)LED倒裝芯片，所述基板與LED倒裝芯片的接觸處鍍金或鍍銅或鍍銀，所述LED倒裝芯片與基板采用共晶焊方式固定。
[0008]進(jìn)一步地，所述LED倒裝芯片包括藍(lán)寶石層，所述藍(lán)寶石層下表面設(shè)有n-GaN層；所述n-GaN層下表面分為第一接觸段和第二接觸段，所述第一接觸段下表面設(shè)有第一P-GaN層，所述第一 P-GaN層下表面設(shè)有第一反光層，所述第一 P-GaN層和第一反光層外包有第一絕緣層，所述LED倒裝芯片的P電極位于第一絕緣層下表面并與第一反光層接觸。
[0009]進(jìn)一步地，所述n-GaN層的第二接觸段下表面設(shè)有至少一個(gè)第二 P-GaN層，所述第二 P-GaN層下表面設(shè)有第二反光層，所述第二 P-GaN層和第二反光層外包有第二絕緣層，所述LED倒裝芯片的N電極位于第二絕緣層下表面并與n-GaN層接觸。
[0010]所述LED倒裝芯片的P電極、N電極與基板采用共晶焊方式固定。
[0011]進(jìn)一步地，所述n-GaN層的第二接觸段下表面設(shè)有兩個(gè)間隔設(shè)置的第二 P-GaN層，各第二 P-GaN層下表面均設(shè)有第二反光層，各第二 P-GaN層和第二反光層外包均有第二絕緣層。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一反光層的長度小于第一 P-GaN層的長度，所述第二反光層的長度小于第二 P-GaN層的長度。
[0013]進(jìn)一步地，所述燈管外殼內(nèi)設(shè)有與基板連接的驅(qū)動(dòng)電源。
[0014]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的LED燈結(jié)構(gòu)簡單，具有高顯指、光效高、光衰低、壽命長、組裝方便等優(yōu)點(diǎn)，降低了制造成本，省略了目前市場上LED產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的芯片封裝環(huán)節(jié)，從而解決了 LED封裝廠制程中產(chǎn)生的廢棄物的不正當(dāng)排放而引起的環(huán)境污染；省略了目前LED燈具組裝過程中光源組裝這一制程，原光源組裝中SMD或者COB光源需涂抹導(dǎo)熱硅膠/脂，從而解決了目前LED燈具組裝過程中，因?yàn)橹瞥坦芸夭坏轿欢鸬幕炝犀F(xiàn)象；并且同時(shí)解決了目前了大多數(shù)中小型LED燈具加工廠多數(shù)重要工序以人工組裝來完成，大大提高了效率和良品率。
【附圖說明】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0016]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中LED正裝芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型中LED倒裝芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]其中:1.堵頭，2.燈管外殼，3.基板，4.LED倒裝芯片，7.P電極，8.N電極，9.n-GaN層，10.第一 P-GaN層，11.第一反光層，12.藍(lán)寶石層，13、第一絕緣層，14、第二 P-GaN層，15、第二反光層，16、第二絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0020]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0021]如圖2、圖3所示的一種光源無需封裝的LED燈，包括直接燒制有熒光粉的燈管外殼2，所述燈管外殼2兩端安裝有堵頭1，所述燈管外殼2內(nèi)置有基板3，所述基板3上固定有多個(gè)LED倒裝芯片4，所述基板3與LED倒裝芯片4的接觸處鍍金或鍍銅或鍍銀，所述LED倒裝芯片4與基板3采用共晶焊方式固定。
[0022]所述LED倒裝芯片4包括藍(lán)寶石層12，所述藍(lán)寶石層12下表面設(shè)有n_GaN層9 ;所述n-GaN層9下表面分為第一接觸段和第二接觸段，所述第一接觸段下表面設(shè)有第一 P-GaN層10，所述第一 P-GaN層10下表面設(shè)有第一反光層11，所述第一 P-GaN層10和第一反光層11外包有第一絕緣層13，所述LED倒裝芯片4的P電極7位于第一絕緣層13下表面并與第一反光層11接觸；
[0023]所述n-GaN層9的第二接觸段下表面設(shè)有至少一個(gè)第二 Ρ-GaN層14，所述第二P-GaN層14下表面設(shè)有第二反光層15，所述第二 P-GaN層14和第二反光層15外包有第二絕緣層16，所述LED倒裝芯片4的N電極8位于第二絕緣層16下表面并與n_GaN層9接觸；
[0024]所述LED倒裝芯片4的P電極7、N電極8與基板3采用共晶焊方式固定。
[0025]所述n-GaN層9的第二接觸段下表面設(shè)有兩個(gè)間隔設(shè)置的第二 P-GaN層14，各第二 P-GaN層14下表面均設(shè)有第二反光層15，各第二 P-GaN層14和第二反光層15外包均有第二絕緣層(16)。
[0026]所述第一反光層11的長度小于第一 P-GaN層10的長度，所述第二反光層15的長度小于第二 P-GaN層14層的長度。
[0027]所述燈管外殼2內(nèi)設(shè)有與基板3連接的驅(qū)動(dòng)電源。
[0028]—種制作所述的光源無需封裝的LED燈的生產(chǎn)工藝，具體工藝如下:
[0029]a.固定LED倒裝芯片4:所述基板3與LED倒裝芯片4的接觸處鍍金或鍍銅或鍍銀，所述LED倒裝芯片4通過共晶焊形式固定在基板3上；
[0030]b.燒制燈管外殼2:將一定比例的熒光粉與玻璃原料一起混合后燒制形成燈管外殼，玻璃原料為硅酸鹽原料或鋁酸鹽原料，所述玻璃原料與熒光粉的重量比例:玻璃原料:85% -95%，熒光粉:5% -15%。
[0031]c.組裝:將基板3裝入燈管外殼2，所述燈管外殼2內(nèi)安裝與基板3連接的驅(qū)動(dòng)電源，所述燈管外殼2兩端套上堵頭I即可。
[0032]實(shí)施例一:所述玻璃原料與熒光粉的重量比例:玻璃原料:88%，熒光粉:12%。
[0033]實(shí)施例二:所述玻璃原料與熒光粉的重量比例:玻璃原料:92%，熒光粉:8%。
[0034]實(shí)施例三:所述玻璃原料與熒光粉的重量比例:玻璃原料:95%，熒光粉:5%。
[0035]本實(shí)用新型的LED燈結(jié)構(gòu)簡單，具有高顯指、光效高、光衰低、壽命長、組裝方便等優(yōu)點(diǎn)，降低了制造成本，LED倒裝芯片直接固定在基板上，省略了目前市場上LED產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的LED倒裝芯片封裝環(huán)節(jié)，從而解決了 LED封裝廠制程中產(chǎn)生的廢棄物的不正當(dāng)排放而引起的環(huán)境污染；省略了目前LED燈具組裝過程中光源組裝這一制程，原光源組裝中SMD或者COB光源需涂抹導(dǎo)熱硅膠/脂，從而解決了目前LED燈具組裝過程中，因?yàn)橹瞥坦芸夭坏轿欢鸬幕炝犀F(xiàn)象；并且同時(shí)解決了目前了大多數(shù)中小型LED燈具加工廠多數(shù)重要工序以人工組裝來完成，大大提高了效率和良品率。
[0036]熒光粉直接燒制在燈管外殼中，也省略了在LED倒裝芯片上包裹熒光層的工藝，同時(shí)，相對(duì)于在玻璃管內(nèi)壁噴涂熒光層，光效更加平衡。本實(shí)用新型的LED倒裝芯片上無需再涂熒光膠，利用燈管外殼中的熒光效果，使得LED整體發(fā)出白光，省略涂膠工藝，更進(jìn)一步節(jié)省成本。
[0037]以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光源無需封裝的LED燈，其特征在于:包括直接燒制有熒光粉的燈管外殼(2)，所述燈管外殼(2)兩端安裝有堵頭(I)，所述燈管外殼(2)內(nèi)置有基板(3)，所述基板(3)上固定有多個(gè)LED倒裝芯片(4)，所述基板(3)與LED倒裝芯片(4)的接觸處鍍金或鍍銅或鍍銀，所述LED倒裝芯片(4)與基板(3)采用共晶焊方式固定。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光源無需封裝的LED燈，其特征在于:所述LED倒裝芯片(4)包括藍(lán)寶石層(12)，所述藍(lán)寶石層(12)下表面設(shè)有n-GaN層(9);所述11-6&~層(9)下表面分為第一接觸段和第二接觸段，所述第一接觸段下表面設(shè)有第一 P-GaN層(10)，所述第一 P-GaN層(10)下表面設(shè)有第一反光層(11)，所述第一 P-GaN層(10)和第一反光層(11)外包有第一絕緣層(13)，所述LED倒裝芯片(4)的P電極(7)位于第一絕緣層(13)下表面并與第一反光層(11)接觸； 所述n-GaN層(9)的第二接觸段下表面設(shè)有至少一個(gè)第二 P-GaN層(14)，所述第二P-GaN層(14)下表面設(shè)有第二反光層(15)，所述第二 P-GaN層(14)和第二反光層(15)外包有第二絕緣層(16)，所述LED倒裝芯片(4)的N電極(8)位于第二絕緣層(16)下表面并與n-GaN層(9)接觸； 所述LED倒裝芯片⑷的P電極(7)、N電極⑶與基板(3)采用共晶焊方式固定。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光源無需封裝的LED燈，其特征在于:所述n-GaN層(9)的第二接觸段下表面設(shè)有兩個(gè)間隔設(shè)置的第二 P-GaN層(14)，各第二 P-GaN層(14)下表面均設(shè)有第二反光層(15)，各第二 P-GaN層(14)和第二反光層(15)外包均有第二絕緣層(16)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光源無需封裝的LED燈，其特征在于:所述第一反光層(11)的長度小于第一 P-GaN層(10)的長度，所述第二反光層(15)的長度小于第二 P-GaN層(14)的長度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光源無需封裝的LED燈，其特征在于:所述燈管外殼(2)內(nèi)設(shè)有與基板(3)連接的驅(qū)動(dòng)電源。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種光源無需封裝的LED燈，包括直接燒制有熒光粉的燈管外殼，所述燈管外殼兩端安裝有堵頭，所述燈管外殼內(nèi)置有基板，所述基板上固定有多個(gè)LED倒裝芯片，所述基板與LED倒裝芯片的接觸處鍍金或鍍銅或鍍銀，所述LED倒裝芯片與基板采用共晶焊方式固定。本實(shí)用新型的LED燈結(jié)構(gòu)簡單，具有高顯指、光效高、光衰低、壽命長、組裝方便等優(yōu)點(diǎn)，降低了制造成本，省略了目前市場上LED產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的LED倒裝芯片封裝環(huán)節(jié)。
【IPC分類】H01L33/56, H01L33/52
【公開號(hào)】CN204927342
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520276515
【發(fā)明人】趙興, 陸利兵, 邵麗娟
【申請(qǐng)人】蘇州百奧麗光電科技有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年5月4日