適用于多晶硅厚膜的石英舟的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種石英舟，尤其涉及一種適用于多晶硅厚膜的石英舟，屬于半 導(dǎo)體加工用器件領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] 多晶硅薄膜作為一種重要的半導(dǎo)體薄膜材料早已引起人們的重視，目前已廣泛應(yīng) 用于集成電路和各種電子器件的制造，且由于其特有的導(dǎo)電特性、優(yōu)良的力學(xué)性能、良好的 半導(dǎo)體工藝兼容性，是較為理想的結(jié)構(gòu)層材料，作為微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS)中的基本結(jié)構(gòu)材料 尤其得到廣泛的應(yīng)用。
[0003]多晶硅薄膜的應(yīng)力在MEMS的結(jié)構(gòu)中舉足輕重，其本身的應(yīng)力，加上多晶厚膜與石 英舟的卡槽之間的粘附，最終會(huì)導(dǎo)致晶圓（WAFER)產(chǎn)生破裂的現(xiàn)象。經(jīng)實(shí)用新型人進(jìn)行數(shù) 據(jù)統(tǒng)計(jì)得如表1所示的結(jié)果：
[0004] 表1采用現(xiàn)有技術(shù)中石英舟進(jìn)行破片統(tǒng)計(jì)結(jié)果
[0005]
[0006]從上述統(tǒng)計(jì)結(jié)果進(jìn)行分析：破片均發(fā)生于厚膜的情況，主要是由于粘舟普遍引起 的，而薄片并未發(fā)生破片，即破片晶圓均存在粘舟的現(xiàn)象，可推斷出現(xiàn)有技術(shù)采用的石英舟 進(jìn)行作業(yè)多晶硅厚膜產(chǎn)生破片應(yīng)為基線（baseline)問題。多晶硅厚膜在N2MFC過沖期間破 片率25%，高于無(wú)N2過沖期間4. 3%，可以得出N2MFC過沖為引起多晶硅膜片破裂的因素 之一；但在都存在N2MFC過沖期間，現(xiàn)有石英舟的寬槽舟（即寬0. 9_)的破片率為0. 9%， 優(yōu)于窄槽舟（即寬為〇.75_)時(shí)的破片率2. 2%。這是因?yàn)檫^沖導(dǎo)致源片于主工藝前晃動(dòng)， 在接觸石英舟卡槽處產(chǎn)生裂口，從而在后續(xù)工藝中沿裂口受應(yīng)力導(dǎo)致破片；從現(xiàn)場(chǎng)下片的 情況來(lái)看，嚴(yán)重粘舟（含破片）的主要現(xiàn)象為緊密粘于下卡槽處，推測(cè)為主工藝過程中，因 晶圓（wafer)同卡槽鍍膜時(shí)粘附過緊，并導(dǎo)致接觸受力點(diǎn)應(yīng)力過大斷裂。
[0007]因此如何更改石英舟的尺寸和結(jié)構(gòu)，來(lái)最大限度的降低多晶硅厚膜裂片成為當(dāng)前 亟待解決的問題。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種適用于多晶硅厚膜的石英 舟，該石英舟通過對(duì)下舟槽的槽型和尺寸進(jìn)行調(diào)整，降低了石英舟對(duì)晶片的接觸面積，從而 降低了破片率。
[0009] 本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：
[0010] 一種適用于多晶硅厚膜的石英舟，用于承載多晶硅厚膜片，其包括相互平行設(shè)置 石英上棒和石英下棒，石英上棒上設(shè)置有若干個(gè)彼此平行且等距的上舟槽，石英下棒上設(shè) 置有若干個(gè)與彼此平行且等距的下舟槽，上、下舟槽的位置對(duì)應(yīng)，所述上舟槽的槽型為Y型 結(jié)構(gòu)，上舟槽的槽寬為0. 9mm，上舟槽的槽深為2. 0mm;所述下舟槽的槽型為上寬下窄的正 梯形結(jié)構(gòu)，下舟槽槽底的槽寬為1. 1mm，下舟槽的槽深為2. 0mm。
[0011] 其進(jìn)一步的技術(shù)方案是：
[0012] 所述上舟槽的開口角度為60°，所述下舟槽的開口角度為60°。
[0013] 所述石英上棒上設(shè)置有50個(gè)上舟槽，所述石英下棒上設(shè)置有50個(gè)下舟槽，且相鄰 兩個(gè)上舟槽或相鄰兩個(gè)下舟槽的間距為2. 35~2. 40mm。
[0014] 所述石英上棒上設(shè)置有25個(gè)上舟槽，所述石英下棒上設(shè)置有25個(gè)下舟槽，且相鄰 兩個(gè)上舟槽或相鄰兩個(gè)下舟槽的間距為4. 75~4. 78mm。
[0015] 借由上述方案，本實(shí)用新型至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：該石英舟在現(xiàn)有石英舟的基礎(chǔ)上， 保持石英上棒上的上舟槽的槽型為Y型不變，槽寬為〇. 9mm不變，槽深為2. 0mm不變，調(diào)整 石英下棒上的下舟槽的槽型為上寬下窄的正梯形結(jié)構(gòu)，槽寬為1. 1mm，槽深為2. 0mm，經(jīng)該 槽型及尺寸調(diào)整后的石英下棒與尺寸未發(fā)生變化的石英上棒構(gòu)成的石英舟降低了與晶片 之間的接觸面積，粘舟情況和晶片情況良好，破片率低，操作簡(jiǎn)便且能夠長(zhǎng)期使用。
[0016] 上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技 術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳 細(xì)說明如后。
【附圖說明】
[0017] 圖1是本實(shí)用新型對(duì)比實(shí)施例7中所述石英舟下舟槽槽型示意圖；
[0018] 圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施例1中所述石英舟下舟槽槽型示意圖；
[0019] 圖3是本實(shí)用新型對(duì)比實(shí)施例2中所述石英舟下舟槽槽型示意圖；
[0020] 圖4是本實(shí)用新型對(duì)比實(shí)施例3中所述石英舟下舟槽槽型示意圖；
[0021] 圖5是本實(shí)用新型對(duì)比實(shí)施例4中所述石英舟下舟槽槽型示意圖；
[0022] 圖6是本實(shí)用新型對(duì)比實(shí)施例5中所述石英舟下舟槽槽型示意圖；
[0023] 圖7為本實(shí)用新型具體實(shí)施例1所述石英舟為50槽的俯視圖；
[0024] 圖8為本實(shí)用新型具體實(shí)施例1所述石英舟為50槽的石英上棒和石英下棒的結(jié) 構(gòu)圖；
[0025] 圖9為本實(shí)用新型具體實(shí)施例1所述石英舟為25槽的俯視圖；
[0026] 圖10為本實(shí)用新型具體實(shí)施例1所述石英舟為25槽的石英上棒和石英下棒的結(jié) 構(gòu)圖；
[0027] 圖11為晶片放在石英舟上時(shí)的不意圖；
[0028] 其中：
[0029] 1-石英上棒； 2-石英下棒；
[0030] 3-上舟槽； 4-下舟槽；
[0031] 5-晶片； W「上舟槽寬；
[0032]Hf上舟槽深； ai-上舟槽開口角度；
[0033] W2-下舟槽寬； H2-下舟槽深；
[0034] α2-下舟槽開口角度； Di-50舟槽石英舟相鄰兩舟槽間距；
[0035] D2_25舟槽石英舟相鄰兩舟槽間距。
【具體實(shí)施方式】
[0036] 下面結(jié)合附圖、具體實(shí)施例和對(duì)比實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一 步詳細(xì)描述，以下具體實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。
[0037] 具體實(shí)施例1和對(duì)比實(shí)施例1-7中制備所得的石英舟的重要尺寸參數(shù)如表2所 不。
[0038]表2
[0039]
[0040] 上述所有具體實(shí)施例和對(duì)比例的石英上棒的均不作任何改變。
[0041] 具體實(shí)施例1中對(duì)石英下棒的槽型進(jìn)行調(diào)整，即將下棒的槽型由Y型調(diào)整為上 寬下窄的正梯形，其目的是減少接觸面積。該實(shí)施例中下棒的槽寬底部為1. 1mm，槽深為 2. 0mm，如圖2所示。
[0042] 對(duì)比實(shí)施例1中對(duì)石英下棒的槽寬進(jìn)行調(diào)整，即在保持槽型為Y型不變的前提下， 原槽寬的基礎(chǔ)上加寬了石英下棒的寬度。這是因?yàn)閣afer在石英舟內(nèi)會(huì)左右傾斜而造成單 面粘舟，調(diào)整下棒槽寬，可以使下棒左右接觸的概率消失，