磁芯和濾波裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[〇〇〇1] 本實(shí)用新型涉及濾波裝置領(lǐng)域，特別是涉及磁芯和濾波裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]電子電器及儀表設(shè)備，都有抗電磁干擾方面的要求，電磁干擾(ElectromagneticInterference，EMI)是干擾電纜信號(hào)并降低信號(hào)完好性的電子噪音。電子電器，尤其是會(huì)產(chǎn)生高頻干擾的電子電器，一般會(huì)設(shè)計(jì)一個(gè)濾除電磁干擾的濾波裝置，它可將電子電器或儀表設(shè)備工作時(shí)產(chǎn)生的電磁干擾過濾去除，以免串入公共電路對(duì)其它電器產(chǎn)生干擾；也可避免公共電路中背景電磁干擾串入電器本身，以使自己能夠正常工作。
[0003] 傳統(tǒng)的濾波裝置中會(huì)包括EE型濾波磁芯，如圖1所示，包括兩個(gè)E型濾波磁芯，且兩個(gè)E型濾波磁芯相對(duì)設(shè)置，但是EE型濾波磁芯12的磁路結(jié)構(gòu)是敞開式的，空間散磁現(xiàn)象比較嚴(yán)重，磁屏蔽效果不好，影響了它的濾除電磁干擾的效果。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 基于此，有必要針對(duì)空間散磁比較嚴(yán)重，磁屏蔽效果不好的問題，提供一種磁芯。
[0005]—種磁芯，包括用于增加電感線圈磁路中的磁感應(yīng)強(qiáng)度的第一 E型磁芯和第二E型磁芯，所述磁芯還包括屏蔽蓋，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的磁芯底板相對(duì)于磁芯底板上的三柱向外延伸形成平臺(tái)；所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的三柱相對(duì)設(shè)置，其中至少兩柱相互接觸連接；所述屏蔽蓋與所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的磁芯底板的平臺(tái)抵接，形成腔體結(jié)構(gòu)。
[0006] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的磁芯底板遠(yuǎn)離三柱的一側(cè)分別與所述屏蔽蓋兩端抵接，形成腔體結(jié)構(gòu)。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述屏蔽蓋夾在所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的磁芯底板的平臺(tái)之間，形成腔體結(jié)構(gòu)。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯結(jié)構(gòu)相同；所述第一 E型磁芯的三柱分別為一體成型于所述第一 E型磁芯的磁芯底板上分布的第一邊柱、中柱和第二邊柱；
[0009] 所述第一邊柱、中柱、第二邊柱均與所述磁芯底板垂直，且所述第一邊柱、中柱、第二邊柱均位于所述磁芯底板的第一側(cè)邊緣使所述磁芯底板的第二邊緣形成平臺(tái)。
[0010] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一 E型磁芯的第一邊柱、中柱、第二邊柱分別于與第二E型磁芯的第一邊柱、中柱、第二邊柱直接接觸連接為一體。
[0011] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一 E型磁芯的第一邊柱、第二邊柱分別于與第二E型磁芯的第一邊柱、第二邊柱直接接觸連接為一體，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的中柱至少一個(gè)中柱設(shè)有氣隙。
[0012] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯和屏蔽蓋為錳鋅鐵氧體磁芯、鎳鋅鐵氧體磁芯、金屬粉芯中的一種。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一 E型磁芯、第二 E型磁芯與屏蔽蓋的連接方式為粘接或焊接中的一種。
[0014]此外，還提供一種濾波裝置，包括電路板、線包，所述濾波裝置還包括磁芯，所述線包套在所述磁芯的第一 E型磁芯、第二 E型磁芯的中柱上，所述第一 E型磁芯、第二 E型磁芯的三柱分別對(duì)應(yīng)接觸；所述磁芯安裝在電路板上，所述磁芯屏蔽蓋相對(duì)的一面與所述電路板接觸連接。
[0015]一種濾波裝置，包括電路板、第一線包和第二線包，所述濾波裝置還包括磁芯，所述第一線包套在所述磁芯的第一E型磁芯、第二 E型磁芯的第一邊柱上；所述第二線包套在所述磁芯的第一 E型磁芯、第二 E型磁芯的第二邊柱上；所述第一 E型磁芯、第二 E型磁芯相對(duì)設(shè)置，中柱留有氣隙；所述磁芯安裝在電路板上，所述磁芯屏蔽蓋相對(duì)的一面與所述電路板接觸連接。
[0016]上述磁芯，由于設(shè)有屏蔽蓋，結(jié)構(gòu)緊湊，封閉性好，當(dāng)磁芯線圈上有電流通過時(shí)，產(chǎn)出磁通量，在空間上就會(huì)形成電磁場(chǎng)，當(dāng)設(shè)有屏蔽蓋時(shí)，屏蔽蓋就阻擋了絕大部分的電磁場(chǎng)向外空間輻射，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了電磁屏蔽，濾除了電磁干擾。
【附圖說明】
[0017]圖1為傳統(tǒng)EE磁芯結(jié)構(gòu)圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型第一 E型磁芯結(jié)構(gòu)圖；
[0019]圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例磁芯結(jié)構(gòu)圖(a)立體圖(b)爆炸圖；
[0020]圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例磁芯結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例磁芯結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0023]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0024]如圖2所不的為一實(shí)施例的EE磁芯中的第一 E型磁芯結(jié)構(gòu)圖，第一 E型磁芯10包括磁芯底板100、第一邊柱110、第二邊柱120及中柱130，第一邊柱110、第二邊柱120及中柱130 —體成型于第一 E型磁芯10的磁芯底板100上，且垂直于磁芯底板100。第一 E型磁芯10的磁芯底板100相對(duì)于位于磁芯底板100上方的三柱(110、120、130)向外延伸形成平臺(tái)；第一邊柱110、中柱130、第二邊柱120均位于磁芯底板100的第一側(cè)邊緣101使磁芯底板100的第二側(cè)邊緣102形成平臺(tái)。
[0025]如圖3(a)所示的為一實(shí)施例中的EE型磁芯結(jié)構(gòu)立體圖，如圖3 (b)所示的為圖3 (a)的EE型磁芯結(jié)構(gòu)爆炸圖，圖中EE型磁芯包括第一 E型磁芯10、第二 E型磁芯20及屏蔽蓋30 ;第一 E型磁芯10與第二 E型磁芯20的結(jié)構(gòu)、尺寸相同。結(jié)合圖3(a)、(b)，第一 E型磁芯10的第一邊柱110、第二邊柱120及中柱130分別與第二 E型磁芯20的第一邊柱210、第二邊柱220及中柱230對(duì)應(yīng)接觸連接。第一 E型磁芯10有一個(gè)向外延伸的平臺(tái)，SP位于磁芯底板100的第二側(cè)102。第二 E型磁芯20有一個(gè)向外延伸的平臺(tái)，即位于磁芯底板200的第二側(cè)202。屏蔽蓋30的兩端分別與第一 E型磁芯10、第二 E型磁芯20的平臺(tái)連接，即第一 E型磁芯10磁芯底板100遠(yuǎn)離三柱的一側(cè)、第二 E型磁芯20的磁芯底板200遠(yuǎn)離三柱的一側(cè)分別與屏蔽蓋30兩端抵接，形成腔體結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中屏蔽蓋30的大小與第一 E型磁芯10、第二 E型磁芯20相對(duì)設(shè)置后第一邊柱110、第二邊柱120、中柱130所在平面的大小相同。
[0026]如圖4所示的為一實(shí)施例磁芯結(jié)構(gòu)圖，其中屏蔽蓋30夾在第一 E型磁芯10的平臺(tái)及第二 E型磁芯20平臺(tái)之間，也形成一個(gè)腔體結(jié)構(gòu)。
[0027]由于屏蔽蓋30，使得整個(gè)EE型磁芯的磁路呈