作用，加強(qiáng)對(duì)PN結(jié)起到的鈍化、保護(hù)作用。
[0026]為了能夠增加鈍化層52、第一保護(hù)層的表面積，進(jìn)而增加鈍化層52、第一保護(hù)層與PN結(jié)的接觸面積，增加對(duì)PN結(jié)的鈍化、保護(hù)作用所述鈍化層52、第一保護(hù)層的底部和靠近第二臺(tái)面3的一側(cè)均為弧形。
[0027]為了增加GPP整流芯片的可焊性和電流的通過能力，對(duì)第二臺(tái)面3和整流基材I進(jìn)行有效的保護(hù)，所述第二臺(tái)面3和整流基材I的底面均覆蓋第二保護(hù)層6。
[0028]為了增加芯片的使用時(shí)間，所述第二保護(hù)層6包括由內(nèi)到外依次覆蓋的合金層61、鍍鎳層62和金屬層63，合金層61增加抗拉力，鍍鎳層62增加導(dǎo)電性和外層金屬的可鍍性，金屬層63增加可焊性和提高通過電流的能力。
[0029]為了增加保護(hù)效果，所述第一保護(hù)層包括含氧多晶硅層53和氮化硅層54，所述氮化硅層54位于含氧多晶硅層53和鈍化層52之間，含氧多晶硅層53能夠與氮化硅層54結(jié)合形成一整體的保護(hù)層。
[0030]為了增加緩沖層51與第一臺(tái)面2、第二臺(tái)面3的連接穩(wěn)固性，防止緩沖層51從環(huán)形凹槽5內(nèi)脫落，所述緩沖層51的頂端的與第一臺(tái)面2、第二臺(tái)面3的連接處高于第二臺(tái)面3形成凸起。
[0031 ] 實(shí)施例:
[0032]—種半導(dǎo)體GPP整流芯片，包括整流基材I，所述整流基材I包括第一臺(tái)面2和第二臺(tái)面3，所述第一臺(tái)面2圍繞第二臺(tái)面3，所述第二臺(tái)面3的高度與第一臺(tái)面2的高度相同，所述第二臺(tái)面3為圓形，周邊開槽圓潤漏電小，避免了現(xiàn)有的正方形和正六邊形的GPP整流芯片由于邊角處電流集中而發(fā)生芯片邊角處被提前擊穿而失效的情況，提高了 GPP整流芯片的抗反向電流的能力。所述第一臺(tái)面2為方形，且自第二臺(tái)面3所在的平面至整流基材I的底面的部分為方形，與現(xiàn)有方形芯片相同，便于將整個(gè)晶片進(jìn)行切割。所述第二臺(tái)面3與第一臺(tái)面2之間設(shè)置切割保護(hù)區(qū)4，所述第二臺(tái)面3的邊沿設(shè)置環(huán)形凹槽5，所述第二臺(tái)面3與第一臺(tái)面2之間設(shè)置切割保護(hù)區(qū)4，切割晶片時(shí)從切割保護(hù)區(qū)4進(jìn)行切割，切割點(diǎn)位于切割保護(hù)區(qū)4，避免了現(xiàn)有技術(shù)中切割凹槽底部的過程中對(duì)芯片PN結(jié)造成的應(yīng)力損傷。所述切割保護(hù)區(qū)4內(nèi)設(shè)置環(huán)形凹槽5，所述環(huán)形凹槽5內(nèi)從上向下依次設(shè)置緩沖層51、鈍化層52、第一保護(hù)層，所述鈍化層52、第一保護(hù)層的底部和靠近第二臺(tái)面3的一側(cè)均為弧形，所述緩沖層51的頂端的與第一臺(tái)面2第二臺(tái)面3的連接處高于第二臺(tái)面3形成凸起。封裝產(chǎn)生之機(jī)械應(yīng)力直接作用于芯片上玻璃質(zhì)脆性的鈍化層52，極易導(dǎo)致芯片失效，此緩沖層51可以緩沖封裝產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，而保護(hù)鈍化層52和芯片，有效的克服了因封裝機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致GPP整流芯片的失效。鈍化層52外還設(shè)有一層耐熱、絕緣且具有彈性的緩沖層51，在制作時(shí)，優(yōu)選聚酰亞胺等高分子材料制作緩沖保護(hù)層。能夠?qū)N結(jié)起到的鈍化、保護(hù)作用，使得芯片品質(zhì)有很好地保證。所述第一保護(hù)層由環(huán)形凹槽5的底部向上延伸至第二臺(tái)面3的頂端，所述第一保護(hù)層包括含氧多晶娃層53和氮化娃層54，所述氮化娃層54位于含氧多晶娃層53和鈍化層52之間，在玻璃鈍化層52保護(hù)的基礎(chǔ)上，通過在環(huán)形凹槽5處增加的第一保護(hù)層，保護(hù)PN結(jié)，提高芯片抗反向電壓沖擊能力。切割保護(hù)區(qū)4沒有元器件，不向切割保護(hù)區(qū)4延伸，避免切割過程中對(duì)第一保護(hù)層造成損壞，同時(shí)節(jié)約資源。所述緩沖層51，鈍化層52由第一臺(tái)面2的頂端沿環(huán)形凹槽5的側(cè)壁延伸至第二臺(tái)面3的頂端，增加鈍化層52和保護(hù)層對(duì)PN結(jié)的隔離作用，加強(qiáng)對(duì)PN結(jié)起到的鈍化、保護(hù)作用。所述第二臺(tái)面3和整流基材I的底面均覆蓋第二保護(hù)層6，所述第二保護(hù)層6包括由內(nèi)到外依次覆蓋的合金層61、鍍鎳層62和金屬層63。本實(shí)施例的有益效果在于:鈍化層52、第一保護(hù)層的底側(cè)和靠近第二臺(tái)面3的一側(cè)均為弧形，能夠增加鈍化層52、第一保護(hù)層的表面積，增加對(duì)PN結(jié)的鈍化、保護(hù)作用；第二臺(tái)面3和整流基材I的底面均覆蓋第二保護(hù)層6，增加GPP整流芯片的可焊性和電流的通過能力，對(duì)第二臺(tái)面3和整流基材I進(jìn)行有效的保護(hù);第二保護(hù)層6包括由內(nèi)到外依次覆蓋的合金層61、鍍鎳層62和金屬層63，合金層61增加抗拉力，鍍鎳層62增加導(dǎo)電性和外層金屬的可鍍性，金屬層63增加可焊性和提尚通過電流的能力。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，包括整流基材(I)，所述整流基材(I)包括第一臺(tái)面(2)和第二臺(tái)面(3)，所述第一臺(tái)面(2)圍繞第二臺(tái)面(3)，其特征在于:所述第二臺(tái)面(3)的高度與第一臺(tái)面(2)的高度相同，所述第二臺(tái)面(3)為圓形，所述第一臺(tái)面(2)為方形，且自第二臺(tái)面(3)所在的平面至整流基材(I)的底面的部分為方形，所述第二臺(tái)面(3)與第一臺(tái)面(2)之間設(shè)置切割保護(hù)區(qū)(4)，所述第二臺(tái)面(3)的邊沿設(shè)置環(huán)形凹槽(5)，所述環(huán)形凹槽(5)內(nèi)從上向下依次設(shè)置緩沖層(51)、鈍化層(52)、第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層由環(huán)形凹槽(5)的底部向上延伸至第二臺(tái)面(3)的頂端，所述緩沖層(51)、鈍化層(52)由第一臺(tái)面(2)的頂端沿環(huán)形凹槽(5)的側(cè)壁延伸至第二臺(tái)面(3)的頂端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于:所述鈍化層(52)、第一保護(hù)層的底部以及鈍化層(52)、第一保護(hù)層靠近第二臺(tái)面(3)的一側(cè)均為弧形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于:所述第二臺(tái)面(3)和整流基材(I)的底面均覆蓋第二保護(hù)層(6)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于:所述第二保護(hù)層(6)包括由內(nèi)到外依次覆蓋的合金層(61)、鍍鎳層(62)和金屬層(63)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于:所述第一保護(hù)層包括含氧多晶硅層(53)和氮化硅層(54)，所述氮化硅層(54)位于含氧多晶硅層(53)和鈍化層(52)之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于:所述緩沖層(51)的頂端與第一臺(tái)面(2)、第二臺(tái)面(3)的連接處高于第二臺(tái)面(3)形成凸起。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，包括整流基材，所述整流基材包括第一臺(tái)面和第二臺(tái)面，所述第一臺(tái)面圍繞第二臺(tái)面，所述第二臺(tái)面為圓形，所述第一臺(tái)面為方形，所述第二臺(tái)面與第一臺(tái)面之間設(shè)置切割保護(hù)區(qū)，所述第二臺(tái)面的邊沿設(shè)置環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽內(nèi)從上向下依次設(shè)置緩沖層、鈍化層、第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層由環(huán)形凹槽的底部向上延伸至第二臺(tái)面的頂端，所述緩沖層、鈍化層由第一臺(tái)面的頂端沿環(huán)形凹槽的側(cè)壁延伸至第二臺(tái)面的頂端。本實(shí)用新型的有益效果在于：芯片的第二臺(tái)面為圓形周邊開槽圓潤漏電小，避免了現(xiàn)有的正方形和正六邊形的GPP整流芯片由于邊角處電流集中而發(fā)生芯片邊角處被提前擊穿而失效的情況。
【IPC分類】H01L25/03, H01L29/06
【公開號(hào)】CN205319160
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620101565
【發(fā)明人】于如遠(yuǎn), 于強(qiáng)
【申請(qǐng)人】濟(jì)南金銳電子有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2016年1月31日