用于射頻電器的fpbga封裝基板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種用于射頻電器的FPBGA封裝基板，包括基板本體，所述基板本體上劃分出間隔分布的多個(gè)接地焊盤區(qū)，每個(gè)接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有多個(gè)間隔分布的接地焊球，多個(gè)信號焊球分布在基板本體的邊緣和中心部；所述接地焊球與信號焊球的比例為1：1.6。接地焊盤區(qū)設(shè)有4個(gè)，在基板本體的邊緣的信號焊球?yàn)?04個(gè)，設(shè)在基板本體的中心部的信號焊球?yàn)?2個(gè)。本實(shí)用新型最顯著的優(yōu)點(diǎn)在于能提供大量的I/Os和大面積金屬接地焊盤，以前通過使用LGA和MCM封裝能夠滿足一個(gè)大面積接地焊盤的要求，但是這些封裝的I/Os比較少。這個(gè)對于設(shè)計(jì)具有高度集成功能的封裝是非常有幫助的，其在今天向前發(fā)展的天線半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里面具有方向指導(dǎo)作用。
【專利說明】
用于射頻電器的FPBGA封裝基板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種用于射頻電器的FPBGA封裝基板。
【背景技術(shù)】
[0002]先進(jìn)前沿的射頻電子應(yīng)用產(chǎn)品為了實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的電路性能需要大量的I/Os和大面積的金屬焊盤。傳統(tǒng)的BGA封裝雖然提供了足夠多的I/Os，但是在大面積金屬焊盤這方面上，性能比較欠缺。以前，LGA和MCM封裝常常被用來提供有限的信號焊盤和一個(gè)在封裝中間的矩形大金屬焊盤，信號焊盤只在封裝的邊緣。像LGA和MCM這種有限I/Os數(shù)量的封裝特別有用于高度集成的封裝設(shè)計(jì)中，它同樣在一定程度上限制了電路性能，不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)大量I/Os和大面積接地焊盤。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種能同時(shí)實(shí)現(xiàn)大量I/Os和大面積接地焊盤的用于射頻電器的FPBGA封裝基板。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:
[0005]用于射頻電器的FPBGA封裝基板，包括基板本體，所述基板本體上劃分出間隔分布的多個(gè)接地焊盤區(qū)，每個(gè)接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有多個(gè)間隔分布的接地焊球，多個(gè)信號焊球分布在基板本體的邊緣和中心部;所述接地焊球與信號焊球的比例為1:1.6。
[0006]進(jìn)一步地，所述接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有2*2矩陣的接地焊球，隔離高度為108微米。
[0007]進(jìn)一步地，所述接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有3*3矩陣的接地焊球，隔離高度為88微米。
[0008]進(jìn)一步地，所述接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有4*4矩陣的接地焊球，隔離高度為78微米。
[0009]進(jìn)一步地，所述接地焊盤區(qū)設(shè)有4個(gè)，在基板本體的邊緣的信號焊球?yàn)?04個(gè)，設(shè)在基板本體的中心部的信號焊球?yàn)?2個(gè)。
[0010]進(jìn)一步地，所述4*4矩陣的接地焊球中，當(dāng)回流焊時(shí)，2*2矩陣的接地焊球形成單一均勻的大體積焊錫，在每個(gè)接地焊盤區(qū)中形成4個(gè)大體積焊錫。
[0011 ]本實(shí)用新型的有益效果:
[0012]本實(shí)用新型最顯著的優(yōu)點(diǎn)在于能提供大量的I/Os和大面積金屬接地焊盤，以前通過使用LGA和MCM封裝能夠滿足一個(gè)大面積接地焊盤的要求，但是這些封裝的I/Os比較少。這個(gè)對于設(shè)計(jì)具有高度集成功能的封裝是非常有幫助的，其在今天向前發(fā)展的天線半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里面具有方向指導(dǎo)作用。
【附圖說明】
[0013]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
[0014]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為圖1所示回流焊后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖中:1、基板本體;2、接地焊盤區(qū)；3、接地焊球;4、信號焊球;5、大體積焊錫。
【具體實(shí)施方式】
[0017]如圖1所示，用于射頻電器的FPBGA封裝基板，包括基板本體I，所述基板本體I上劃分出間隔分布的多個(gè)接地焊盤區(qū)2，每個(gè)接地焊盤區(qū)2內(nèi)設(shè)有多個(gè)間隔分布的接地焊球3，多個(gè)信號焊球4分布在基板本體I的邊緣和中心部;所述接地焊球3與信號焊球4的比例為1:1.6。
[0018]具體來說，所述接地焊盤區(qū)2內(nèi)設(shè)有4*4矩陣的接地焊球，隔離高度為78微米。所述接地焊盤區(qū)2設(shè)有4個(gè)，在基板本體I的邊緣的信號焊球?yàn)?04個(gè)，設(shè)在基板本體的中心部的信號焊球?yàn)?2個(gè)。
[0019]所述4*4矩陣的接地焊球中，當(dāng)回流焊時(shí)，2*2矩陣的接地焊球形成單一均勻的大體積焊錫5，在每個(gè)接地焊盤區(qū)中形成4個(gè)大體積焊錫。
[0020]以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式而已，當(dāng)然不能以此來限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，都不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于射頻電器的FPBGA封裝基板，包括基板本體，其特征在于:所述基板本體上劃分出間隔分布的多個(gè)接地焊盤區(qū)，每個(gè)接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有多個(gè)間隔分布的接地焊球，多個(gè)信號焊球分布在基板本體的邊緣和中心部;所述接地焊球與信號焊球的比例為1: 1.6。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻電器的FPBGA封裝基板，其特征在于:所述接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有2*2矩陣的接地焊球，隔離高度為108微米。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻電器的FPBGA封裝基板，其特征在于:所述接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有3*3矩陣的接地焊球，隔離高度為88微米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻電器的FPBGA封裝基板，其特征在于:所述接地焊盤區(qū)內(nèi)設(shè)有4*4矩陣的接地焊球，隔離高度為78微米。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于射頻電器的FPBGA封裝基板，其特征在于:所述接地焊盤區(qū)設(shè)有4個(gè)，在基板本體的邊緣的信號焊球?yàn)?04個(gè)，設(shè)在基板本體的中心部的信號焊球?yàn)?2個(gè)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于射頻電器的FPBGA封裝基板，其特征在于:所述4*4矩陣的接地焊球中，當(dāng)回流焊時(shí)，2*2矩陣的接地焊球形成單一均勻的大體積焊錫，在每個(gè)接地焊盤區(qū)中形成4個(gè)大體積焊錫。
【文檔編號】H01L23/498GK205508812SQ201620332792
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年4月20日
【發(fā)明人】陳錦濤, 章國豪, 朱曉銳, 區(qū)力翔, 余凱, 林俊明
【申請人】廣東工業(yè)大學(xué)