一種光伏發(fā)電多晶硅片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種光伏發(fā)電多晶硅片，包括第一多晶單元行和第二多晶單元行，所述第一多晶單元行和第二多晶單元行均包含有多晶單元，所述多晶單元上層設有吸光層，所述吸光層下部設有P型多晶硅層，所述P型多晶硅層下部設有N型多晶硅層，所述P型多晶硅層與N型多晶硅層中間連接部分形成PN結，所述P型多晶硅層上設有上電極，所述N型多晶硅層上設有下電極，所述第一多晶單元行和第二多晶單元行均由多晶單元的上電極和下電極串聯(lián)連接形成，所述第一多晶單元行的左端為下電極，所述第二多晶單元行的左端為上電極。該能通過電流方向相反特性，形成電場而產(chǎn)生的感應電流方向不會互相產(chǎn)生影響，可以提高光伏發(fā)電的光能發(fā)電率。
【專利說明】
一種光伏發(fā)電多晶硅片
技術領域
[0001]本實用新型屬于光伏發(fā)電技術領域，具體涉及一種光伏發(fā)電多晶硅片。
【背景技術】
[0002]隨著社會的高速發(fā)展，能源成為了現(xiàn)代化社會建設的主流，然而無污染可再生的能源更是其中最主要的部分，光能是普遍存在、取之不盡、用之不竭的純天然無污染能源，所以光能成為了現(xiàn)代社會科技需要大力發(fā)展的一項重要目標。光能發(fā)電更是其中一項主要發(fā)展的方向，現(xiàn)有的太陽能發(fā)電設備普遍的是光能的利用率低，成本高，其中最為體現(xiàn)的是單晶硅太陽能發(fā)電設施，成本過于昂貴，而現(xiàn)有的多晶硅太陽能發(fā)電裝置，雖然成本比之單晶硅太陽能發(fā)電要低，但其光能發(fā)電利用率也相對較低。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種光伏發(fā)電多晶硅片，以解決上述【背景技術】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案:一種光伏發(fā)電多晶硅片，包括第一多晶單元行和第二多晶單元行，所述第一多晶單元行和第二多晶單元行均包含有多晶單元，所述多晶單元上層設有吸光層，所述吸光層下部設有P型多晶硅層，所述P型多晶硅層下部設有N型多晶硅層，所述P型多晶硅層與N型多晶硅層中間連接部分形成PN結，所述P型多晶硅層上設有上電極，所述N型多晶硅層上設有下電極，所述第一多晶單元行和第二多晶單元行均由多晶單元的上電極和下電極串聯(lián)連接形成，所述第一多晶單元行的左端為下電極，所述第二多晶單元行的左端為上電極。
[0005]優(yōu)選的，所述第一多晶單元行和第二多晶單元行中包含的多晶單元的數(shù)量相等。
[0006]優(yōu)選的，所述第一多晶單元行和第二多晶單元行保持平行且依次循環(huán)排列。
[0007]本實用新型的技術效果和優(yōu)點:該能通過第一多晶單元行和第二多晶單元行的電流方向相反特性，形成電場而產(chǎn)生的感應電流方向不會互相產(chǎn)生影響，可以提高光伏發(fā)電的光能發(fā)電率。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型的結構示意圖；
[0009]圖2為本實用新型多晶單元的結構示意圖。
[0010]圖中:I多晶單元、11吸光層、12P型多晶硅層、13 PN結、14下電極、15 N型多晶硅層、16上電極、2第一多晶單元行、3第二多晶單元行。
【具體實施方式】
[0011]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0012]本實用新型提供了如圖1-2所示的一種光伏發(fā)電多晶硅片，包括第一多晶單元行2和第二多晶單元行3，所述第一多晶單元行2和第二多晶單元行3均包含有多晶單元I，所述多晶單元I上層設有吸光層11，所述吸光層11下部設有P型多晶硅層12，所述P型多晶硅層12下部設有N型多晶硅層15，所述P型多晶硅層12與N型多晶硅層15中間連接部分形成PN結13，所述P型多晶硅層12上設有上電極16，所述N型多晶硅層15上設有下電極14，所述第一多晶單元行2和第二多晶單元行3均由多晶單元I的上電極16和下電極14串聯(lián)連接形成，所述第一多晶單元行2的左端為下電極14，所述第二多晶單元行3的左端為上電極16，所述第一多晶單元行2和第二多晶單元行3中包含的多晶單元I的數(shù)量相等，所述第一多晶單元行2和第二多晶單元行3保持平行且依次循環(huán)排列。
[0013]工作原理:由于多晶硅片上的第一多晶單元行2和第二多晶單元行3的電流方向相反，所以第一多晶單元行2上電流產(chǎn)生的電場在第二多晶單元行3上產(chǎn)生的感應電流方向與第二多晶單元行3上的電流方向相同。同樣的，第二多晶單元行3上產(chǎn)生感應電流也不會影響第一多晶單元行2。有效的減少了感應電流的影響，提高了光伏發(fā)電利用率。
[0014]最后應說明的是:以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種光伏發(fā)電多晶硅片，包括第一多晶單元行(2)和第二多晶單元行(3)，其特征在于:所述第一多晶單元行(2)和第二多晶單元行(3)均包含有多晶單元(I)，所述多晶單元(1)上層設有吸光層(11)，所述吸光層(11)下部設有P型多晶硅層(12)，所述P型多晶硅層(12 )下部設有N型多晶硅層(15)，所述P型多晶硅層(12 )與N型多晶硅層(15 )中間連接部分形成PN結(13)，所述P型多晶硅層(12)上設有上電極(16)，所述N型多晶硅層(15)上設有下電極(14)，所述第一多晶單元行(2)和第二多晶單元行(3)均由多晶單元(I)的上電極(16)和下電極(14)串聯(lián)連接形成，所述第一多晶單元行(2)的左端為下電極(14)，所述第二多晶單元行(3)的左端為上電極(16)。2.根據(jù)權利要求1所述的一種光伏發(fā)電多晶硅片，其特征在于:所述第一多晶單元行(2)和第二多晶單元行(3)中包含的多晶單元(I)的數(shù)量相等。3.根據(jù)權利要求1所述的一種光伏發(fā)電多晶硅片，其特征在于:所述第一多晶單元行(2)和第二多晶單元行(3)保持平行且依次循環(huán)排列。
【文檔編號】H01L31/0248GK205542816SQ201620334914
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月19日
【發(fā)明人】孫顯強, 李莉花, 陳德超
【申請人】溫州市賽拉弗能源有限公司